JPH02152191A - エレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法Info
- Publication number
- JPH02152191A JPH02152191A JP63304820A JP30482088A JPH02152191A JP H02152191 A JPH02152191 A JP H02152191A JP 63304820 A JP63304820 A JP 63304820A JP 30482088 A JP30482088 A JP 30482088A JP H02152191 A JPH02152191 A JP H02152191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- vapor
- substrate
- elements
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は薄膜ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子
に使用するエレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長
法に関する。
に使用するエレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長
法に関する。
〈従来の技術〉
従来、エレクトロルミネッセンス発光膜（本明細書では
以下、発光膜と略す。）の成長方法としては次のような
方法が知られている。すなわち、■ ＺｎＳとＭｎの混
合焼結ペレットを材料とする電子ビーム蒸着法。
以下、発光膜と略す。）の成長方法としては次のような
方法が知られている。すなわち、■ ＺｎＳとＭｎの混
合焼結ペレットを材料とする電子ビーム蒸着法。
■ Ｚｎ、Ｍｎ、およびＳを蒸気の状態で交互に基板上
へ供給して、単原子層ずつ形成する原子層エピタキシー
法（ＡＬＥ法）。
へ供給して、単原子層ずつ形成する原子層エピタキシー
法（ＡＬＥ法）。
■ ■族元素の有機金属化合物と■族元素の水素化物を
基板上で熱分解反応させてＩＩ−ＶＩｌ模膜堆積形成す
る有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）。
基板上で熱分解反応させてＩＩ−ＶＩｌ模膜堆積形成す
る有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）。
■ ハロゲン輸送法によって発光中心となる元素をドー
ピングして、発光膜を形成するハライドＣＶＤ法である
。
ピングして、発光膜を形成するハライドＣＶＤ法である
。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、上記従来の■の電子ビーム蒸着法は、膜
成長の初期段階に３次元的な粒が形成されるため結晶性
が良くない発光膜が形成される。
成長の初期段階に３次元的な粒が形成されるため結晶性
が良くない発光膜が形成される。
したがって、輝度が低く、品質が良くないという欠点が
ある。上記■の原子層エピタキシー法は、２次元的な層
状膜成長を行うので、結晶性が良く高輝度の発光膜を形
成することができるが、成長速度が極めて遅いので量産
性に欠ける。また上記■の有機金属気相成長法は、結晶
性が良い発光膜を形成することができるが、大面積のも
のを得ることができず、かつ量産性に欠ける。上記■の
ハライＦ’ ＣＶ Ｄ法は、結晶性が良い高品質の発光
膜を得ることができ、しかも大面積化が可能で量産性に
優れた方法である。しかし、膜成長のソース材料として
蒸気圧の低い無機固型物を使用しているので、上記ソー
ス材料を加熱する手段を必要とし、さらに蒸気圧が低い
ため輸送量の制御が困難である。このためそれに供する
装置は複雑で大がかりなものになっている。
ある。上記■の原子層エピタキシー法は、２次元的な層
状膜成長を行うので、結晶性が良く高輝度の発光膜を形
成することができるが、成長速度が極めて遅いので量産
性に欠ける。また上記■の有機金属気相成長法は、結晶
性が良い発光膜を形成することができるが、大面積のも
のを得ることができず、かつ量産性に欠ける。上記■の
ハライＦ’ ＣＶ Ｄ法は、結晶性が良い高品質の発光
膜を得ることができ、しかも大面積化が可能で量産性に
優れた方法である。しかし、膜成長のソース材料として
蒸気圧の低い無機固型物を使用しているので、上記ソー
ス材料を加熱する手段を必要とし、さらに蒸気圧が低い
ため輸送量の制御が困難である。このためそれに供する
装置は複雑で大がかりなものになっている。
そこでこの発明の目的は、形成する発光膜が高品質・大
面積化可能・量産性に優れたハライドＣＶＤ法の利点を
生かしつつ、ソース材料を加熱する必要がなく、輸送量
の制御が容易で、しかも小型・簡略な装置で行うことが
できる気相成長法を提供することにある。
面積化可能・量産性に優れたハライドＣＶＤ法の利点を
生かしつつ、ソース材料を加熱する必要がなく、輸送量
の制御が容易で、しかも小型・簡略な装置で行うことが
できる気相成長法を提供することにある。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するするために、この発明のエレクトロ
ルミネッセンス発光膜の気相成長法は、反応管内の水素
または不活性ガスの雰囲気下にエレクトロルミネッセン
ス素子用基板を配置して所定温度に保持し、この基板表
面に、ＩＩ−ＶＩ族半導体を構成しうる■族元素または
■族元素の化合物と■族元素または■族元素の化合物と
、■−■族半導体中で発光中心となる元素のハロゲン化
物とを各々蒸気の形態で同時に輸送して接触させること
により、上記基板に■−■族半導体を母体とし、この半
導体内部に発光中心となる元素が含有されたエレクトロ
ルミネッセンス発光膜の気相成長方法であって、上記■
族元素、ＶＩ族元素、■族元素の化合物、ＶＩ族元素の
化合物３発光中心となる元素および発光中心となる元素
の化合物のうち少なくとも一つについて有機化合物の蒸
気の状態で上記反応管へ導入して、上記反応管内に設け
た高温部において、この有機化合物を、熱分解反応によ
り、■族元素、ＶＩ族元素および発光中心となる元素の
うちの少なくとも一つの元素、または上記■族元素、Ｖ
Ｉ族元素または発光中心となる元素のうちの少なくとも
一つの元素の無機化合物となすと共に、上記高温部にお
いて、上記元素や上記無機化合物と、ハロゲン化水素ガ
スとを混合して、化学反応により■族元素または■族元
素または発光中心となる元素のハロゲン化物の蒸気を生
成した後、この蒸気を基板上へ供給することを特徴とし
ている。
ルミネッセンス発光膜の気相成長法は、反応管内の水素
または不活性ガスの雰囲気下にエレクトロルミネッセン
ス素子用基板を配置して所定温度に保持し、この基板表
面に、ＩＩ−ＶＩ族半導体を構成しうる■族元素または
■族元素の化合物と■族元素または■族元素の化合物と
、■−■族半導体中で発光中心となる元素のハロゲン化
物とを各々蒸気の形態で同時に輸送して接触させること
により、上記基板に■−■族半導体を母体とし、この半
導体内部に発光中心となる元素が含有されたエレクトロ
ルミネッセンス発光膜の気相成長方法であって、上記■
族元素、ＶＩ族元素、■族元素の化合物、ＶＩ族元素の
化合物３発光中心となる元素および発光中心となる元素
の化合物のうち少なくとも一つについて有機化合物の蒸
気の状態で上記反応管へ導入して、上記反応管内に設け
た高温部において、この有機化合物を、熱分解反応によ
り、■族元素、ＶＩ族元素および発光中心となる元素の
うちの少なくとも一つの元素、または上記■族元素、Ｖ
Ｉ族元素または発光中心となる元素のうちの少なくとも
一つの元素の無機化合物となすと共に、上記高温部にお
いて、上記元素や上記無機化合物と、ハロゲン化水素ガ
スとを混合して、化学反応により■族元素または■族元
素または発光中心となる元素のハロゲン化物の蒸気を生
成した後、この蒸気を基板上へ供給することを特徴とし
ている。
〈実施例〉
以下、この発明の実施例を詳細に説明する。本実施例は
特に、ソース材料として■族元素Ｚｎの有機化合物であ
るジメチル亜鉛Ｚｎ（ＣＨ３）ｔ、 ＶＩ族元素Ｓの化
合物である硫化水素Ｈ，Ｓ、全９．心となる元素Ｍｎの
有機化合物であるトリカルボニルメチルシクロペンタジ
ェニルマンガン（ＴＣＭ）を使用して、発光膜ＺｎＳ：
Ｍｎを成長する方法である。以下、この実施例を第１図
に示す横型気相成長装置の構成図により説明する。
特に、ソース材料として■族元素Ｚｎの有機化合物であ
るジメチル亜鉛Ｚｎ（ＣＨ３）ｔ、 ＶＩ族元素Ｓの化
合物である硫化水素Ｈ，Ｓ、全９．心となる元素Ｍｎの
有機化合物であるトリカルボニルメチルシクロペンタジ
ェニルマンガン（ＴＣＭ）を使用して、発光膜ＺｎＳ：
Ｍｎを成長する方法である。以下、この実施例を第１図
に示す横型気相成長装置の構成図により説明する。
第１図において、ｌは長さ１ｍ、内径５ｃｍの石英製の
反応管、ｌａは上記反応管ｌの一端部に設けた枝管、２
，３はそれぞれ上記反応管ｌの枝管１ａ側の端部付近に
設けた導入管である。上記反応管ｌを電気炉４内に収納
し、長平方向の温度分布を図中に示す通り高温部を６０
０℃に設定している。
反応管、ｌａは上記反応管ｌの一端部に設けた枝管、２
，３はそれぞれ上記反応管ｌの枝管１ａ側の端部付近に
設けた導入管である。上記反応管ｌを電気炉４内に収納
し、長平方向の温度分布を図中に示す通り高温部を６０
０℃に設定している。
そして上記反応管１の他端部から反応管ｌ内にできる反
応生成物等を主バルブ１７を通して油回転ポンプ１８に
よって排気するようにしている。そして、上記導入管２
，３の先端と上記他端との間の反応域に基板ボルダ６を
設け、発光膜の下地膜を堆積したガラス製の基板５を傾
斜立脚させている。また、■族元素Ｚｎの有機化合物で
あるＺｎ（ＣＨ３）、液を入れたバブラ８を恒温槽９内
に、発光中心となる元素Ｍｎの有機化合物であるＴＣＭ
液を入れたバブラ１０を恒温槽ｌｌ内にそれぞれ収納し
、一定温度に保持している。
応生成物等を主バルブ１７を通して油回転ポンプ１８に
よって排気するようにしている。そして、上記導入管２
，３の先端と上記他端との間の反応域に基板ボルダ６を
設け、発光膜の下地膜を堆積したガラス製の基板５を傾
斜立脚させている。また、■族元素Ｚｎの有機化合物で
あるＺｎ（ＣＨ３）、液を入れたバブラ８を恒温槽９内
に、発光中心となる元素Ｍｎの有機化合物であるＴＣＭ
液を入れたバブラ１０を恒温槽ｌｌ内にそれぞれ収納し
、一定温度に保持している。
上記横型気相成長装置を用いて、発光膜の成長は次のよ
うにして行う。
うにして行う。
■ Ｈ，ガスボンベ１３から出た！］、ガスをマスフロ
ーコントローラ１２ｃで流量制御して、バブラ８内でバ
ブルする。すなわち、１２． ｎ（ＣＨ３） ｔをＨ２
をキャリアガスとしてバブル法により輸送する。ＨＣＱ
ガスボンベ１４から出たＨＣ＆ガスをマスフローコント
ローラ１２ｂで上記Ｚ ｎ（Ｃ＋−＋ ３）ｔの２倍の
モル供給量になるように流量制御して、これらを混合し
、バルブ７ｃを通して導入管２へ供給する。
ーコントローラ１２ｃで流量制御して、バブラ８内でバ
ブルする。すなわち、１２． ｎ（ＣＨ３） ｔをＨ２
をキャリアガスとしてバブル法により輸送する。ＨＣＱ
ガスボンベ１４から出たＨＣ＆ガスをマスフローコント
ローラ１２ｂで上記Ｚ ｎ（Ｃ＋−＋ ３）ｔの２倍の
モル供給量になるように流量制御して、これらを混合し
、バルブ７ｃを通して導入管２へ供給する。
■ Ｈ、Ｓガスを予めＨ２ガスで希釈したものをガスボ
ンベ１５から出し、マスフローコントローラ１２ａで上
記Ｚｎ（ＣＨ３）ｚと同じモル供給量になるように流量
制御して、バルブ７ｂを通して直接に反応管１の枝管１
ａへ供給する。
ンベ１５から出し、マスフローコントローラ１２ａで上
記Ｚｎ（ＣＨ３）ｚと同じモル供給量になるように流量
制御して、バルブ７ｂを通して直接に反応管１の枝管１
ａへ供給する。
■ Ｈ，ガスボンベ１３から出たＨ、ガスをマスフロー
コントローラ１２ｅで流量制御して、バブラｌＯ内でバ
ブルする。ずなわち、ＴＣＭをＨ。
コントローラ１２ｅで流量制御して、バブラｌＯ内でバ
ブルする。ずなわち、ＴＣＭをＨ。
をキャリアガスとしてバブル法により輸送する。
■〜ＩＣρガスボンベ１４から出たＨＣＱ、ガスをマス
フローコントローラ１２ｄで上記ＴＣＭの２倍のモル供
給量になるように流１制御して、これらを混合し、バル
ブ７ａを通して導入管３へ供給する。
フローコントローラ１２ｄで上記ＴＣＭの２倍のモル供
給量になるように流１制御して、これらを混合し、バル
ブ７ａを通して導入管３へ供給する。
■ 上記■のＺｎ（ＣＨ３）ｚおよび■のＴＣＭは高温
で不安定な材料であって、それぞれ約４００℃、約５０
０℃以上になると熱分解する性質を有している。そのた
めそれぞれ分解して単体のＺｎ。
で不安定な材料であって、それぞれ約４００℃、約５０
０℃以上になると熱分解する性質を有している。そのた
めそれぞれ分解して単体のＺｎ。
Ｍｎが生じる。この単体Ｚｎ、Ｍｎは導入管３．２の内
部でそれぞれ共に供給されたＨＣ＆ガスと直ちに反応す
る。次の（１）、（２）に示す反応式に従って、より高
い蒸気圧を有するＺｎＣＬ、ＭｎＣＬが生じる。
部でそれぞれ共に供給されたＨＣ＆ガスと直ちに反応す
る。次の（１）、（２）に示す反応式に従って、より高
い蒸気圧を有するＺｎＣＬ、ＭｎＣＬが生じる。
Ｚｎ＋２ ＨＣＱ”ＺｎＣＱｔ＋Ｈｚ −（１
）Ｍｎ＋２ＨＣｆ２→ＭｎＣ１２ｔ＋Ｈｔ ・＝
（２）■ ■において導入管３．２の内部に生じたＺｎ
ＣＱ ｔ 、 Ｍ ｎ Ｃ（！ を蒸気と、■において
直接に枝管１ａに供給したＨ ｔ Ｓガスは、反応管ｌ
の他端で排気しているので、上記反応管ｌ内を上記他端
の方へ流れる。これらは上記導入管３．２の先端と上記
他端との間の反応域にて化学反応を起こし、基板５上に
発光膜であるＺｎＳ：Ｍｎを堆積させる。
）Ｍｎ＋２ＨＣｆ２→ＭｎＣ１２ｔ＋Ｈｔ ・＝
（２）■ ■において導入管３．２の内部に生じたＺｎ
ＣＱ ｔ 、 Ｍ ｎ Ｃ（！ を蒸気と、■において
直接に枝管１ａに供給したＨ ｔ Ｓガスは、反応管ｌ
の他端で排気しているので、上記反応管ｌ内を上記他端
の方へ流れる。これらは上記導入管３．２の先端と上記
他端との間の反応域にて化学反応を起こし、基板５上に
発光膜であるＺｎＳ：Ｍｎを堆積させる。
このようにして、発光膜を成長した場合、■原材料のＺ
ｎ輸送速度と上記発光膜の成長速度の関係は第２図に示
すようになる。上記成長速度はＺｎ輸送速度にほぼ比例
して増大しているので、膜成長過程が材料の供給律速に
基づくものであることを示すと共に、輸送量を調節する
ことによって膜厚の制御か容易に行えることを示してい
る。また、上記Ｚｎ輸送潰を一定値１ ｘ １０−’ｍ
ｏ１２／ｍｉｎとした場合、発光中心となるＭｎの輸送
速度と上記エレクトロルミネッセンス発光膜中のＭ ｎ
ａｆｌＪとの関係は、第３図に示すようになる。上記
Ｍｎ濃度はＭｎ輸送速度５ ｘ ｌ Ｏ−８ｍｏ１２／
ｌ１ｌｉｎ付近から急速に増加し始めている。この原因
については、質屯分析計によるガス組成の測定から、Ｍ
ｎ輸送速度を増大させると、反応管ｌ内に同時に輸送さ
れるｌ−１ｃ＆ガスの分圧が高くなり、上記基板５上に
堆積した発光膜中のＺｎが上記ＨＣｌ２ガスによってエ
ツチングされて、結果的にＭｎのドーピング率がＭｎ輸
送速度に比例しなくなるためであることが判明している
。
ｎ輸送速度と上記発光膜の成長速度の関係は第２図に示
すようになる。上記成長速度はＺｎ輸送速度にほぼ比例
して増大しているので、膜成長過程が材料の供給律速に
基づくものであることを示すと共に、輸送量を調節する
ことによって膜厚の制御か容易に行えることを示してい
る。また、上記Ｚｎ輸送潰を一定値１ ｘ １０−’ｍ
ｏ１２／ｍｉｎとした場合、発光中心となるＭｎの輸送
速度と上記エレクトロルミネッセンス発光膜中のＭ ｎ
ａｆｌＪとの関係は、第３図に示すようになる。上記
Ｍｎ濃度はＭｎ輸送速度５ ｘ ｌ Ｏ−８ｍｏ１２／
ｌ１ｌｉｎ付近から急速に増加し始めている。この原因
については、質屯分析計によるガス組成の測定から、Ｍ
ｎ輸送速度を増大させると、反応管ｌ内に同時に輸送さ
れるｌ−１ｃ＆ガスの分圧が高くなり、上記基板５上に
堆積した発光膜中のＺｎが上記ＨＣｌ２ガスによってエ
ツチングされて、結果的にＭｎのドーピング率がＭｎ輸
送速度に比例しなくなるためであることが判明している
。
薄膜ＥＬ素子の発光膜を上記方法によって、Ｚｎ輸送速
速度 Ｘ ｌ Ｏ−’ＩＩＩｏ（／ｍｉｎ、Ｍｎ輸送速
度８ＸｌＯ−”ｍｏ（１７ｍｉｎにて成長して膜厚が０
．６μｍ、Ｍｎ濃度０．４ａｔ％の場合に、代表的な発
光輝度−印加電圧特性および発光効率−印加電圧特性は
第４図に示すようになる。この場合、発光の開始電圧１
６０Ｖ、最大発光輝度３０００ Ｃｄ／ｍ’、最大発光
効率４Ｑｍ／ｗである。従来のノーライドＣＶＤ法によ
って発光膜を成長する場合と同様に良好な特性が得られ
ている。
速度 Ｘ ｌ Ｏ−’ＩＩＩｏ（／ｍｉｎ、Ｍｎ輸送速
度８ＸｌＯ−”ｍｏ（１７ｍｉｎにて成長して膜厚が０
．６μｍ、Ｍｎ濃度０．４ａｔ％の場合に、代表的な発
光輝度−印加電圧特性および発光効率−印加電圧特性は
第４図に示すようになる。この場合、発光の開始電圧１
６０Ｖ、最大発光輝度３０００ Ｃｄ／ｍ’、最大発光
効率４Ｑｍ／ｗである。従来のノーライドＣＶＤ法によ
って発光膜を成長する場合と同様に良好な特性が得られ
ている。
また、この発明を実施できるように大面積の発光膜形成
用に設計した縦型ノーライドＣＶＤ装置を第５図に示す
。反応管ｌは内径２８ｃｍ、高さ７０ｃｍの石英製であ
り、上部に原料導入用細管２１ａ、２１ｂ、２１ｃを備
えている。基板２５設置部と原料導入用細管２１ａ、２
１ｃの箇所に電気炉２２．２４２３をそれぞれ備えてい
る。上記基板２５は、最大サイズ９インチのものまで設
置できるように設計してあり、発光膜成長中は、ホルダ
２６にセットして基板回転用モータ２７により終始回転
するようにしである。上記縦型ハライドＣＶＤ装置によ
って発光膜を成長する場合、反応ガスの流れが上記基板
２５に回転対称的であり、しかも基板２５は回転してい
るので、膜厚の面内分布・発光膜の分布の均一性を向上
させることができる。すなわち、大面積で特性良好な発
光膜を成長することができる。
用に設計した縦型ノーライドＣＶＤ装置を第５図に示す
。反応管ｌは内径２８ｃｍ、高さ７０ｃｍの石英製であ
り、上部に原料導入用細管２１ａ、２１ｂ、２１ｃを備
えている。基板２５設置部と原料導入用細管２１ａ、２
１ｃの箇所に電気炉２２．２４２３をそれぞれ備えてい
る。上記基板２５は、最大サイズ９インチのものまで設
置できるように設計してあり、発光膜成長中は、ホルダ
２６にセットして基板回転用モータ２７により終始回転
するようにしである。上記縦型ハライドＣＶＤ装置によ
って発光膜を成長する場合、反応ガスの流れが上記基板
２５に回転対称的であり、しかも基板２５は回転してい
るので、膜厚の面内分布・発光膜の分布の均一性を向上
させることができる。すなわち、大面積で特性良好な発
光膜を成長することができる。
以上より明らかなように、この実施例はソース材料を蒸
気あるいはガスの状態で供給しているので、ソース材料
を加熱する必要がない。また、これらは常温で十分に蒸
気圧が高いので、輸送途中で凝縮したりするようなこと
がなく、そのためマスフローコントローラによって精密
に流量制御すなわち輸送里制御することができる。した
がって気相成長装置を小型・簡略することができる。
気あるいはガスの状態で供給しているので、ソース材料
を加熱する必要がない。また、これらは常温で十分に蒸
気圧が高いので、輸送途中で凝縮したりするようなこと
がなく、そのためマスフローコントローラによって精密
に流量制御すなわち輸送里制御することができる。した
がって気相成長装置を小型・簡略することができる。
なお、この実施例では、■族元素Ｚｎの有機化合物とし
てＺｎ（Ｃ１０）ｚを使用したが、これに限るものでは
なくノエチル亜鉛Ｚｎ（ＣｔＨｓ）ｔでもよい。また上
記■族元素Ｚｎは他の■族元素で６よい。また、発光中
心となる元素Ｍｎの有機化合物としてＴＣＭを使用した
が、ジπンクロペンタノエニルマンガンＭｎ（ＣｔＨ６
）２でらよい。また上記発光中心となる元素は他の発光
中心となる元素でもよく、ＶＩ族元素Ｓも他の■族元素
でもよい。
てＺｎ（Ｃ１０）ｚを使用したが、これに限るものでは
なくノエチル亜鉛Ｚｎ（ＣｔＨｓ）ｔでもよい。また上
記■族元素Ｚｎは他の■族元素で６よい。また、発光中
心となる元素Ｍｎの有機化合物としてＴＣＭを使用した
が、ジπンクロペンタノエニルマンガンＭｎ（ＣｔＨ６
）２でらよい。また上記発光中心となる元素は他の発光
中心となる元素でもよく、ＶＩ族元素Ｓも他の■族元素
でもよい。
また、上記反応管ｌ内の高温部の温度はＺｎのものは３
００〜６００℃、Ｍｎのちは５００〜７００℃、基板の
温度は４００〜６００°Ｃの範囲が適当である。
００〜６００℃、Ｍｎのちは５００〜７００℃、基板の
温度は４００〜６００°Ｃの範囲が適当である。
ソース材料の輸送速度は反応管の断面積に依存するが、
ＺｎおよびＳの場合は１ｏ−５〜ｔｏ−２ｍＯＱ／ｎ＋
ｉｎ、 Ｍｎの場合は１０−”〜Ｉ Ｏ−３ｍｏｌ／ｍ
ｉｎの範囲が適当である。そして、上記発光膜の成長時
間は、その膜厚が０．３〜１μｍとなるように成長速度
によって調節するのが望ましい。
ＺｎおよびＳの場合は１ｏ−５〜ｔｏ−２ｍＯＱ／ｎ＋
ｉｎ、 Ｍｎの場合は１０−”〜Ｉ Ｏ−３ｍｏｌ／ｍ
ｉｎの範囲が適当である。そして、上記発光膜の成長時
間は、その膜厚が０．３〜１μｍとなるように成長速度
によって調節するのが望ましい。
さらに、上記実施例は、■族元素、ＶＩ族元索１発光中
心となる元素のいずれの化合物も蒸気あるいはガス状態
のソース材料を使用したが、これらのうち一部は他の状
態のものを使用しても良い。
心となる元素のいずれの化合物も蒸気あるいはガス状態
のソース材料を使用したが、これらのうち一部は他の状
態のものを使用しても良い。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明のエレクトロルミネ
ッセンス発光膜の気相成長方法は、形成する発光膜が高
品質で大面積化可能・量産性に優れたハライドＣＶＤ法
において、■族元素、ＶＩ族元素、■族元素の化合物、
ＶＩ族元素の化合物１発光中心となる元素および発光中
心となる元素の化合物のうち少なくとも一つを有機化合
物の蒸気の形態で反応管へ導入しているので、ソース材
料を加熱する必要がなく、輸送量の制御が容易で、しか
も小型・簡略な装置で行うことができる。
ッセンス発光膜の気相成長方法は、形成する発光膜が高
品質で大面積化可能・量産性に優れたハライドＣＶＤ法
において、■族元素、ＶＩ族元素、■族元素の化合物、
ＶＩ族元素の化合物１発光中心となる元素および発光中
心となる元素の化合物のうち少なくとも一つを有機化合
物の蒸気の形態で反応管へ導入しているので、ソース材
料を加熱する必要がなく、輸送量の制御が容易で、しか
も小型・簡略な装置で行うことができる。
第１図はこの発明の一実施例に使用する横型気相成長装
置の構成図、第２図は上記実施例により形成したエレク
トロルミネッセンス発光膜の成長速度とＺｎ輸送速度と
の関係を示す図、第３図は発光膜中のＭｒＪ度とＭｎ輸
送速度との関係を示す図、第４図は上記実施例により形
成したエレクトロルミネッセンス発光膜を使用した薄膜
ＥＬ素子の代表的な発光輝度および発光効率の印加電圧
依存性を示す図、第５図は上記実施例に使用する縦型ハ
ライドＣＤＶ装置の構成図である。 １・・・反応管、ｌａ・・・枝管、２．３・・・導入管
、４ ２２．２３．２４・・・電気炉、５．２５・・・
基板、６．２６・・・基板ボルダ、７ ａ、 ７ ｂ、
７ ｃ・・・バルブ、８．１０・・・バブラ、９．１１
・・・恒温槽、＋ ２ａ、 ｌ ２ｂ、 １２ｃ、 ｌ
２ｄ、 Ｉ ２ｅ−・−マスフローコントローラ、 ３・・・Ｉ−１！ガスボンベ、１４・・ＨＣ（ガスボン
ベ、５・・Ｈ，希釈のＨ、Ｓガスボンベ、 ６．２８・・・圧力計、１７．２９・・・主バルブ、８
．３１・・油回転ポンプ、 ］ａ、２ ｌｂ、２１ｃｍ原料導入用細管、７・・基板
回転用モータ、 ０・・メカニカルブースタポンプ。 許 出 願 人 シャープ株式会社 理 人 弁理士 青 山 葆 ほか１名第２図 Ｚｎ 咄速度［ｘｌＯｍｏ！／ｍｉｎ）第３図 Ｍｎ輸送遣崖 ［ｘｌＯｍｏｌ ／ｍｉｎ］ 第４区 卯ズバコ電１ｉ−じ！−クイ１１ （Ｖ）
置の構成図、第２図は上記実施例により形成したエレク
トロルミネッセンス発光膜の成長速度とＺｎ輸送速度と
の関係を示す図、第３図は発光膜中のＭｒＪ度とＭｎ輸
送速度との関係を示す図、第４図は上記実施例により形
成したエレクトロルミネッセンス発光膜を使用した薄膜
ＥＬ素子の代表的な発光輝度および発光効率の印加電圧
依存性を示す図、第５図は上記実施例に使用する縦型ハ
ライドＣＤＶ装置の構成図である。 １・・・反応管、ｌａ・・・枝管、２．３・・・導入管
、４ ２２．２３．２４・・・電気炉、５．２５・・・
基板、６．２６・・・基板ボルダ、７ ａ、 ７ ｂ、
７ ｃ・・・バルブ、８．１０・・・バブラ、９．１１
・・・恒温槽、＋ ２ａ、 ｌ ２ｂ、 １２ｃ、 ｌ
２ｄ、 Ｉ ２ｅ−・−マスフローコントローラ、 ３・・・Ｉ−１！ガスボンベ、１４・・ＨＣ（ガスボン
ベ、５・・Ｈ，希釈のＨ、Ｓガスボンベ、 ６．２８・・・圧力計、１７．２９・・・主バルブ、８
．３１・・油回転ポンプ、 ］ａ、２ ｌｂ、２１ｃｍ原料導入用細管、７・・基板
回転用モータ、 ０・・メカニカルブースタポンプ。 許 出 願 人 シャープ株式会社 理 人 弁理士 青 山 葆 ほか１名第２図 Ｚｎ 咄速度［ｘｌＯｍｏ！／ｍｉｎ）第３図 Ｍｎ輸送遣崖 ［ｘｌＯｍｏｌ ／ｍｉｎ］ 第４区 卯ズバコ電１ｉ−じ！−クイ１１ （Ｖ）
Claims (1)
- （１）反応管内の水素または不活性ガスの雰囲気下にエ
レクトロルミネッセンス素子用基板を配置して所定温度
に保持し、この基板表面に、II−VI族半導体を構成しう
るII族元素またはII族元素の化合物とVI族元素またはV
I族元素の化合物と、II−VI族半導体中で発光中心とな
る元素のハロゲン化物とを各々蒸気の状態で同時に輸送
して接触させることにより、上記基板にII−VI族半導体
を母体とし、この半導体内部に発光中心となる元素が含
有されたエレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長方
法であって、 上記II族元素、VI族元素、II族元素の化合物、VI族元素
の化合物、発光中心となる元素および発光中心となる元
素の化合物のうち少なくとも一つについて有機化合物の
蒸気の状態で上記反応管へ導入して、上記反応管内に設
けた高温部において、この有機化合物を、熱分解反応に
より、II族元素、VI族元素および発光中心となる元素の
うちの少なくとも一つの元素、または上記II族元素、V
I族元素または発光中心となる元素のうちの少なくとも
一つの元素の無機化合物となすと共に、上記高温部にお
いて、上記元素や上記無機化合物と、ハロゲン化水素ガ
スとを混合して、化学反応によりII族元素またはVI族元
素または発光中心となる元素のハロゲン化物の蒸気を生
成した後、この蒸気を基板上へ供給することを特徴とす
るエレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304820A JPH0752669B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | エレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法 |
| US07/442,634 US5087531A (en) | 1988-11-30 | 1989-11-29 | Electroluminescent device |
| US07/779,235 US5356657A (en) | 1988-11-30 | 1991-10-18 | Method of manufacturing an electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63304820A JPH0752669B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | エレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152191A true JPH02152191A (ja) | 1990-06-12 |
| JPH0752669B2 JPH0752669B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=17937647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63304820A Expired - Fee Related JPH0752669B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | エレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752669B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5116640A (en) * | 1989-10-24 | 1992-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electroluminescent device |
| JPH04248292A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-03 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
| JPH0817575A (ja) * | 1994-04-26 | 1996-01-19 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63304820A patent/JPH0752669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5116640A (en) * | 1989-10-24 | 1992-05-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electroluminescent device |
| JPH04248292A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-03 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
| JPH0817575A (ja) * | 1994-04-26 | 1996-01-19 | Nippondenso Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0752669B2 (ja) | 1995-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5334250A (en) | Vapor deposition apparatus for using solid starting materials | |
| US7118928B2 (en) | Method of forming a semiconductor phosphor layer by metalorganic chemical vapor deposition for use in light-emitting devices | |
| CN101663413A (zh) | 第三族金属氮化物及其制备 | |
| US5750188A (en) | Method for forming a thin film of a non-stoichiometric metal oxide | |
| JPH0421780A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02152191A (ja) | エレクトロルミネッセンス発光膜の気相成長法 | |
| EP0342063B1 (en) | Process for preparing an electroluminescent film | |
| US10403495B2 (en) | Sn doped ZnS nanowires for white light source material | |
| US5372839A (en) | Process for preparing an electroluminescent film | |
| US5185181A (en) | Process for preparing an electroluminescent thin film | |
| KR100358280B1 (ko) | 형광체 및 형광체의 제조방법 | |
| CN100385035C (zh) | 形成有机薄膜的方法 | |
| JPH03196643A (ja) | 気相成長法 | |
| JPH0674416B2 (ja) | ケイ光物質薄膜の製法および製造装置 | |
| JP2537527B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2000160157A (ja) | 金属シリサイド発光材料およびその製造方法並びにこれを用いた発光素子 | |
| JPH056792A (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法 | |
| JP2680725B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス薄膜の作製方法 | |
| JP2726353B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス薄膜の成長方法 | |
| JP2900814B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び製造装置 | |
| KR100227775B1 (ko) | 표시소자용 형광체 박막 형성 방법 | |
| JPH0682618B2 (ja) | ▲ｉｉ▼−▲ｖｉ▼族化合物半導体薄膜の製法 | |
| JP2650635B2 (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体薄膜の製法 | |
| JPS63301530A (ja) | 硫化亜鉛の製造方法 | |
| JP4763011B2 (ja) | 窒化ガリウム単結晶の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |