JPH0215417Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 この考案は電子チユーナの局部発振回路、特に
２バンド切換方式VHF電子チユーナに好適する
局部発振回路に関する。

従来の技術 VHF用２バンド電子チユーナの局部発振段は、
通常、同一動作電圧の下でローバンド側の発振強
度がハイバンド側に比べて高くなり、バンド間で
チユーナ特性に不均一さを生ずる。例えば、第２
図に示す局部発振回路は同調用可変容量ダイオー
ド１、高域同調用コイル２、低域同調用コイル
３、バンド切換用スイツチングダイオード４、及
び発振用トランジスタ５により構成され、チユー
ニング端子Tuへの約２〜20Vの同調電圧、バン
ド切換端子Swへの零又は30Vのスイツチング電
圧及び電源端子＋Ｂへの12Vの動作電圧の供給に
より所望するチヤンネル選局に応ずるローカル信
号を生成する。しかし、同調回路の発振周波数が
低くなると発振用トランジスタ５の発振勢力は強
くなり、ミキサ段MIXへのローカル信号の注入
が選択チヤンネルで変わることになり均一なチユ
ーナ特性が得られなかつた。そのためミキサへの
ローカル信号の注入均一化、すなわち発振勢力の
バンド間の均一化のために種々の工夫がなされ、
例えば、トランジスタのバイアス回路をスイツチ
ング電圧により切換える回路が実開昭57−160252
号公報で開示されている。

また、トランジスタ５の動作電圧をバンド切換
動作に応じて選択切換する方式が提案され、いわ
ゆる端子切換方式の局部発振回路として知られて
いる。例えば、第３図に示すように局部発振回路
の駆動をチユーニング端子Tuのほかにハイチヤ
ンネル用電源端子BHとローチヤンネル用電源端
子BLを設け、バンド切換を電源電圧の供給端子
を選択的に切換するものである。この場合に、各
端子BH，BLにそれぞれ同じ12Vが選択印加され
てもローチヤンネル側に付加した抵抗Ｒを調整す
ることでトランジスタ５に印加する動作電圧は適
宜に選定でき、ミキサ段MIXへのローカル信号
注入を選択バンドにかかわらず略均一化できる。
なお、第２図と同一部分は同一符号で示し説明を
省く。しかし、この方式は動作電圧をバンド切換
に応じて変更する端子切換方式であり、バンド切
換端子を設けこれに供給する電圧を変えてバンド
選択するいわゆる電圧切換方式では利用できな
い。

考案が解決しようとする問題点 従つて、本考案は上記に鑑み提案されたもので
あり、バンド選択を低圧でハイチヤンネル、高圧
でローチヤンネルに電圧切換する方式で行うこと
のできる新規且つ改良された電子チユーナ用局部
発振回路の提供を目的とするものである。特に、
本考案はバンド選択に応じて発振用能動素子の動
作電圧が切換えられ局部発振勢力がバンド切換に
かかわらず一定に保たれミキサ段へのローカル信
号注入を略均一化する局部発振回路の提供にあ
る。

さらにこの種のチユーナのバンド選択を行う電
圧を作る電源がチユーニング電圧を作る電源を利
用する場合が多く、この場合は同電源は通常電流
がほとんどとれないため、電流があまり流れない
回路とする必要がある。又前記チユーニング用電
源電圧は回路を駆動する電源（いわゆるＢ電源）
の電圧より高いことが多い。

問題点を解決するための手段 本考案によれば、可変容量ダイオードに高低両
域用同調コイルとバンド切換用スイツチングダイ
オードを結合してバンド切換端子へのスイツチン
グ電圧が低圧でハイチヤンネル、高圧でローチヤ
ンネルに選択するものであり、かつスイツチング
電圧の低圧が回路駆動電源電圧よりも低く、高圧
が駆動電源電圧よりも高い２バンド切換同調回路
において、発振用能動素子の動作電圧をバンド切
換に応じて制御するため、その電源供給回路に制
御用スイツチング素子と抵抗を並列接続した制御
回路が付加される。この制御用スイツチング素子
とバンド切換用スイツチングダイオードの制御信
号電流路を直列に構成し、制御用スイツチング素
子はバンド切換のスイツチング電圧の低圧−高圧
によりON−OFFされ、発振用能動素子に印加さ
れる動作電圧を選択的に切換制御する。従つて、
バンド間における局部発振回路の発振勢力間のレ
ベル差すなわちミキサ段へのローカル信号の注入
差はこの制御回路により解消され、バンド間の特
性の均一化が得られる。

作 用 本考案の電圧切換によるバンド切換方式では、
第２図に示すような問題点を第３図に示すような
端子切換における電源電圧の切換で解消するので
はなく、バンド切換を電圧切換としつつ制御回路
を付加して解消するものであり、従来の12V（一
定）の電圧が印加される回路での発振振幅の増大
から生ずるチユーナ回路アンテナ側端子電圧、
NF及びインターモジユレーシヨン等の諸特性の
悪化を排除する。

実施例 以下本考案に係る実施例について図面を参照し
つつ詳述する。

第１図は本考案に係る電子チユーナ用局部発振
回路１０を示し、同調用可変容量ダイオード１
１、高域同調用コイル１２、低域同調用コイル１
３、バンド切換用スイツチング素子のダイオード
１４、発振用能動素子のトランジスタ１５及びこ
のトランジスタの駆動用制御回路１６を具備す
る。尚１７は補正用コンデンサ１８〜２１は直流
阻止用コンデンサ２３〜２４はバイアス用抵抗、
及び２５はチヨークコイルである。

この局部発振回路１０において、チユーニング
端子２６からチヤンネルに応じて定まる同調電圧
Tuが供給されるほかバンド切換端子２７からは
０又は30Vのスイツチング電圧SWが、更に電源
端子２８から12Vの動作電圧Ｂが供給され駆動さ
れる。ここで本考案の特徴である制御回路１６は
制御用スイツチング素子のトランジスタ３０のエ
ミツタ−コレクタ間に接続の抵抗３１から成り、
トランジスタ３０のON−OFFにより発振用トラ
ンジスタ１５への印加電圧が制御される。すなわ
ち、ハイチヤンネルバンドの選択時は切換端子２
７のスイツチング電圧が0V（接地状態）となり低
域同調用コイル１３がコンデンサ１９〜２１とス
イツチングダイオード１４の直列回路により高周
波的に短絡されると共にスイツチングトランジス
タ３０が導通して電源端子２８の12VのＢ電圧が
そのまま発振用トランジスタ１５に印加される。
これに対し、ローチヤンネルバンドの選択時はバ
ンド切換端子２７に30Vのスイツチング電圧が印
加されスイツチングダイオード１４は遮断状態と
なり、スイツチングトランジスタ３０も遮断
（OFF）状態になる。その結果、発振用トランジ
スタ３０には電源端子２８からの12Vの供給電圧
が抵抗３１を介して12V以下の動作電圧として印
加されることとなる。従つて、発振用トランジス
タ１５の発振勢力はこのトランジスタ１５への動
作電圧Ｂを制御することで各バンド度に略一定レ
ベルに維持される。

以下第１図の回路構成において、特に制御回路
１６を中心にその動作を説明する。制御回路１６
の制御用スイツチング素子はPNPトランジスタ
３０であり、このベースにはバンド切換用ダイオ
ード１４が接続されており、バンド切換端子２７
の電圧が0Vにすると12Vの電源端子２８からの
電流I_Bがトランジスタ３０からスイツチングダイ
オード１４に流れ導通（ON）状態になる。この
時発振用トランジスタ３０のコレクタには12Vの
Ｂ電圧が供給される。また、バンド切換端子２７
に30Vが供給されるとき、スイツチングトランジ
スタ３０及びスイツチングダイオード１４は共に
遮断（OFF）状態にされ発振用トランジスタ１
５には抵抗３１を通じ電源端子２８の12VのＢ電
圧より低い値で印加される。ここで抵抗３１を適
当に選ぶことで発振用トランジスタ１５の動作電
圧が制御される。上記０及び30Vのスイツチング
電圧を選択するときに0Vでハイチヤンネルバン
ドが、30Vでローチヤンネルバンドが選択され、
発振勢力の均一化、すなわちミキサ段へのローカ
ル信号の均一な注入には、抵抗３１の値は220Ω
から1KΩの範囲内で選定される。さらにバンド
切換端子２７に30Vが供給されるとき、スイツチ
ングトランジスタ３０のベースにスイツチングダ
イオードが直列に接続されているのでトランジス
タのエミツタ−ベース間逆耐圧以上の電圧が印加
されこわれるという心配はない。

考案の効果 本考案は、２バンド切換方式のVHF用電子チ
ユーナにおいて、電圧切換によるバンド選択を行
う局部発振回路に関するものであり、スイツチン
グ用トランジスタと抵抗を含む制御回路を付設し
て各バンドの特性均一化を図る。特に、端子切換
方式と同様に局部発振回路の動作電圧でその発振
生成信号を制御できる電子チユーナが提供され
る。

さらに制御用スイツチング素子とスイツチング
ダイオードの制御信号電流路を直列に構成したの
でスイツチング電圧が高い場合でも制御用スイツ
チング素子がこわれることはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る局部発振段の回路図、第
２図は電圧切換方式の従来回路図、及び第３図は
端子切換式の従来回路図である。 １０……局部発振回路、１１……可変容量ダイ
オード、１２，１３……同調コイル、１４……バ
ンド切換用スイツチング素子、１５……発振用能
動素子、１６……制御回路、３０……制御用スイ
ツチング素子、３１……抵抗。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 同調用可変容量ダイオード、高域及び低域用同
   調コイル、低域同調用コイルと高周波的に並列接
   続したバンド切換用スイツチングダイオード、及
   び発振用能動素子を具備し、前記スイツチングダ
   イオードをバンド切換端子から供給するスイツチ
   ング電圧の同極性の低圧（0Vを含む）−高圧で
   ON−OFFさせ、 前記発振用能動素子を電源端子から供給する動
   作電圧で駆動させ、前記スイツチング電圧の低圧
   は前記電源端子の電圧より低く、高圧は前記電源
   端子の電圧より高い電子チユーナの局部発振回路
   において、 前記能動素子の動作点を決める制御回路を前記
   能動素子と前記電源端子間に結合し、この制御回
   路を電圧制御用スイツチング素子と抵抗を並列接
   続して構成し、前記電圧制御用スイツチング素子
   と前記スイツチングダイオードの制御信号電流路
   を直列に構成し、前記電圧制御用スイツチング素
   子は前記スイツチング電圧の低圧−高圧に応じて
   ON−OFF応動することを特徴とする局部発振回
   路。