JPH02154457A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02154457A JPH02154457A JP63309239A JP30923988A JPH02154457A JP H02154457 A JPH02154457 A JP H02154457A JP 63309239 A JP63309239 A JP 63309239A JP 30923988 A JP30923988 A JP 30923988A JP H02154457 A JPH02154457 A JP H02154457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin case
- electrode
- base plate
- metal base
- electrode terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は例えば数１０Ａ〜数１００Ａのインバーター
等に使用されるパワーモジュールなどの半導体装置の構
造に関するものである。
等に使用されるパワーモジュールなどの半導体装置の構
造に関するものである。
［従来の技術］
第７図は従来のパワーモジュール等の半導体装置の内部
を示す斜視図であり、第８図は第７図に示すものに蓋を
取り付は主電流用電極端子（８）（９）、（１，０）を
折り曲げた後、ネジ閉めした状態を示した斜視図である
。
を示す斜視図であり、第８図は第７図に示すものに蓋を
取り付は主電流用電極端子（８）（９）、（１，０）を
折り曲げた後、ネジ閉めした状態を示した斜視図である
。
図において（１）は半導体チップであり、（２）はモリ
ブデン板である。半導体チップ（１）はあらかじめモリ
ブデン板（２）に水素炉等により炉付されたものである
。（３）は信号用電極端子にあらかじめ半田付けされた
スビーｌアップダイオードチップ、（４）は銅ブロック
、（５）はあらかじめ銅ブロック（４）の上に炉付され
たフライホイルダイオードチッ、ブである。（６）は金
属ベース板、（７）は絶縁基板、（８）、（９）（１０
）は主電流用電極端子、（１１）、（１２）は信号用電
極端子である。（１３）はガラスクロス入りエポキシ板
、（１４）はアルミワイヤ（１５）は樹脂ケース、（１
６）はシリコンゲル、（１７）は樹脂封止用エポキシ樹
脂、（１８）は蓋、（２０）は銘板、（２１）は外部信
号端子、（２２）は被覆されたリード線〈 （２３）は
電極端子ネジ閉め用ネジ、（２４）は金属ベース板（６
）と樹脂ケース（１５）を接着する接着剤である。
ブデン板である。半導体チップ（１）はあらかじめモリ
ブデン板（２）に水素炉等により炉付されたものである
。（３）は信号用電極端子にあらかじめ半田付けされた
スビーｌアップダイオードチップ、（４）は銅ブロック
、（５）はあらかじめ銅ブロック（４）の上に炉付され
たフライホイルダイオードチッ、ブである。（６）は金
属ベース板、（７）は絶縁基板、（８）、（９）（１０
）は主電流用電極端子、（１１）、（１２）は信号用電
極端子である。（１３）はガラスクロス入りエポキシ板
、（１４）はアルミワイヤ（１５）は樹脂ケース、（１
６）はシリコンゲル、（１７）は樹脂封止用エポキシ樹
脂、（１８）は蓋、（２０）は銘板、（２１）は外部信
号端子、（２２）は被覆されたリード線〈 （２３）は
電極端子ネジ閉め用ネジ、（２４）は金属ベース板（６
）と樹脂ケース（１５）を接着する接着剤である。
金属ベース板（６）上に絶縁基板（７）を搭載し、その
土に主電流用電極端子（８）、’（９）。
土に主電流用電極端子（８）、’（９）。
（１０）を搭載し、更に、その上にあらかじめ炉付等で
半田付けした半導体チップ（１）その他信号用電極端子
（１１）、（１２）を搭載し、同時に半田付けを行う。
半田付けした半導体チップ（１）その他信号用電極端子
（１１）、（１２）を搭載し、同時に半田付けを行う。
その後アルミワイヤー（１４）により半導体チップ（１
）と電極端子間（８）（９）、（１０）、（１１）にワ
イヤボンディングを行い、ケース（１５）を金属ベース
板（６）に接着した後接着剤（２４）のキュアを行う。
）と電極端子間（８）（９）、（１０）、（１１）にワ
イヤボンディングを行い、ケース（１５）を金属ベース
板（６）に接着した後接着剤（２４）のキュアを行う。
更に内部の電極端子（１１）、（１２）と外部信号用端
子（２１）間はリード線（２２）による半田付けを行い
、シリコンゲル（１６）で全体をおおい、キュア後にエ
ポキシ樹脂封止（１７）を行うと同時に蓋（１８）をか
ぶせてキュアを行う。
子（２１）間はリード線（２２）による半田付けを行い
、シリコンゲル（１６）で全体をおおい、キュア後にエ
ポキシ樹脂封止（１７）を行うと同時に蓋（１８）をか
ぶせてキュアを行う。
その後、主電流用電極端子（ｓ）、（９）、（１０）を
曲げて銘板（２０）を貼付けて完成させる［発明が解決
しようとする課題］ 従来の半導体装置は以上のように構成されているので工
程が複雑であり部品点数も多く、蓋（１８）を取付ける
時に主電流用電極端子（８）、（９）、（１０）および
外部信号用端子（２１）を蓋（１８）の穴部に入れにく
かったり、主電流用電極端子（８）、（９）、（１０）
にリード線（２２）が接触するという作業能率上さまざ
まの問題点があった。
曲げて銘板（２０）を貼付けて完成させる［発明が解決
しようとする課題］ 従来の半導体装置は以上のように構成されているので工
程が複雑であり部品点数も多く、蓋（１８）を取付ける
時に主電流用電極端子（８）、（９）、（１０）および
外部信号用端子（２１）を蓋（１８）の穴部に入れにく
かったり、主電流用電極端子（８）、（９）、（１０）
にリード線（２２）が接触するという作業能率上さまざ
まの問題点があった。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で部品点数を減らし作業能率を上げることを目的とする
。
で部品点数を減らし作業能率を上げることを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体装置は、金属ベース板上に絶縁層
または絶縁基板を設け、その上に複数の電極板および半
導体チップを搭載し、これとは別体に上記電極板に接続
される主電流用電極端子及び信号用電極端子を樹脂ケー
スにあらかじめインサート又はアウトサートしておき、
この樹脂ケースを前記金属ベース板にかぶせて接着する
際にクリーム半田により樹脂ケース側の複数の電極端子
を金属ベース板側の複数の電極板に半田付けしたことを
特徴とする。
または絶縁基板を設け、その上に複数の電極板および半
導体チップを搭載し、これとは別体に上記電極板に接続
される主電流用電極端子及び信号用電極端子を樹脂ケー
スにあらかじめインサート又はアウトサートしておき、
この樹脂ケースを前記金属ベース板にかぶせて接着する
際にクリーム半田により樹脂ケース側の複数の電極端子
を金属ベース板側の複数の電極板に半田付けしたことを
特徴とする。
〔作用１
この発明における半導体装置は樹脂ケースに主電流用端
子および信号用電極端子をインサート又はアウトサート
することにより蓋取付けを必要としないネジ閉めタイプ
の半導体装置を作ることができる。
子および信号用電極端子をインサート又はアウトサート
することにより蓋取付けを必要としないネジ閉めタイプ
の半導体装置を作ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置に使用する
金属ベース板（６）上に厚銅箔付絶縁基板（７Ａ）を搭
載しその上に半導体チップ（１）及びフライホイルダイ
オードチップ（５）、スピードアップダイオードチップ
（３）を同時に半田付けした後アルミワイヤー（１４）
によりボンディングしたものを示している。なお（Ｒ）
は半田付は面であり、後述する電極端子の半田付は面（
Ｓ）と対接するようになされている。
金属ベース板（６）上に厚銅箔付絶縁基板（７Ａ）を搭
載しその上に半導体チップ（１）及びフライホイルダイ
オードチップ（５）、スピードアップダイオードチップ
（３）を同時に半田付けした後アルミワイヤー（１４）
によりボンディングしたものを示している。なお（Ｒ）
は半田付は面であり、後述する電極端子の半田付は面（
Ｓ）と対接するようになされている。
第２図は本発明の樹脂ケースの正面図であり、第３図は
第２図の樹脂ケースを裏面から見た図である。第４図は
第２図のＡ−Ａ’線の断面図であり、第５図はＢ−Ｂ’
線の断面図である。第６図は樹脂ケースの側面図である
。図において（８）（９）、（１０）は主電流用電極端
子、（６）は金属ベース板、（２１）は外部信号用端子
、（１９）は電極端子ネジ閉め用ナツト、（１５）は樹
脂ケースである。このように樹脂ケース（１５）は主電
流用電極端子（８）、（９）、’（１０）や外部信号用
端子（２１）を一体向にインサート成形している。
第２図の樹脂ケースを裏面から見た図である。第４図は
第２図のＡ−Ａ’線の断面図であり、第５図はＢ−Ｂ’
線の断面図である。第６図は樹脂ケースの側面図である
。図において（８）（９）、（１０）は主電流用電極端
子、（６）は金属ベース板、（２１）は外部信号用端子
、（１９）は電極端子ネジ閉め用ナツト、（１５）は樹
脂ケースである。このように樹脂ケース（１５）は主電
流用電極端子（８）、（９）、’（１０）や外部信号用
端子（２１）を一体向にインサート成形している。
第１図まで工程を進めた後、第３図の電極端子の半田付
は面（Ｓ）にペースト状のクリーム半田を塗布し、ケー
ス（１５）の裏面の金属ベース板（６）と接触する部分
に接着剤を塗布し第１図のものと組合せ電極端子の半田
付は面（Ｓ）と相手方の半田付は面（Ｒ）との半田接着
と樹脂ケース金属ベース間の接着を行う。その後ゲル注
入を行いキュア後樹脂注入キュアを行う。主電流電極端
子は説明をわかりやずくする為に立てたものを図示して
いるが前もって曲げたものを使用する。
は面（Ｓ）にペースト状のクリーム半田を塗布し、ケー
ス（１５）の裏面の金属ベース板（６）と接触する部分
に接着剤を塗布し第１図のものと組合せ電極端子の半田
付は面（Ｓ）と相手方の半田付は面（Ｒ）との半田接着
と樹脂ケース金属ベース間の接着を行う。その後ゲル注
入を行いキュア後樹脂注入キュアを行う。主電流電極端
子は説明をわかりやずくする為に立てたものを図示して
いるが前もって曲げたものを使用する。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば蓋を用いることなくネジ
閉めタイプのパワーモジュールが得られ組立工程も簡略
化される。
閉めタイプのパワーモジュールが得られ組立工程も簡略
化される。
第１図はこの発明の一実施例による金属ベース板上に絶
縁基板を載せその上にチップを搭載した後ワイヤホンデ
ィングした平面図であり、第２図は主電流端子と信号用
電極端子をインサート又はアウトサートしたケースの正
面図であり、第３図は裏面より見たケースの内側図であ
る。第４図は第２図のケースのＡ−Ａ′線に於ける断面
図であり、第５図はＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、
第６図は側面図である。第７図は従来のモジュールの内
部構造を示す斜視図であり、第８図は従来の最終外形を
示す斜視図である。 図において（１）は半導体チップ、（２）はモリブデン
板、（３）はスピードアップダイオードチップ、（４）
は銅ブロック、（５）はフライホイルダイオードチップ
、（６）は金属ベース板、（７）、（７Ａ）は絶縁基板
、（８）、（９）（１０）は主電流用電極端子、（１１
）、（１２）は信号端子、（１３）はガラスクロス入り
エポキシ板、（１４）はアルミワイヤー、（１５）は樹
脂ケース、（１６）はシリコンゲル、（１７）はエポキ
シ樹脂、（１８）は蓋、（１９）はナツト、（２０）は
銘板、（２１）は外部信号用端子（２２）はり−ト線、
（２３）はネジ、（２４）は接着剤である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す代理人
弁理士 大 岩 増 雄Ｑ） ｏｌＣ）噴ｑ 勺 第 図 ２３：電極！５３ネジ゛閉ぬ用ネジ
縁基板を載せその上にチップを搭載した後ワイヤホンデ
ィングした平面図であり、第２図は主電流端子と信号用
電極端子をインサート又はアウトサートしたケースの正
面図であり、第３図は裏面より見たケースの内側図であ
る。第４図は第２図のケースのＡ−Ａ′線に於ける断面
図であり、第５図はＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、
第６図は側面図である。第７図は従来のモジュールの内
部構造を示す斜視図であり、第８図は従来の最終外形を
示す斜視図である。 図において（１）は半導体チップ、（２）はモリブデン
板、（３）はスピードアップダイオードチップ、（４）
は銅ブロック、（５）はフライホイルダイオードチップ
、（６）は金属ベース板、（７）、（７Ａ）は絶縁基板
、（８）、（９）（１０）は主電流用電極端子、（１１
）、（１２）は信号端子、（１３）はガラスクロス入り
エポキシ板、（１４）はアルミワイヤー、（１５）は樹
脂ケース、（１６）はシリコンゲル、（１７）はエポキ
シ樹脂、（１８）は蓋、（１９）はナツト、（２０）は
銘板、（２１）は外部信号用端子（２２）はり−ト線、
（２３）はネジ、（２４）は接着剤である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す代理人
弁理士 大 岩 増 雄Ｑ） ｏｌＣ）噴ｑ 勺 第 図 ２３：電極！５３ネジ゛閉ぬ用ネジ
Claims (1)
- （１）金属ベース板上に絶縁層または絶縁基板を設け、
その上に複数の電極板および半導体チップを搭載し、上
記電極板に接続される主電流用電極端子および信号用電
極端子を備え、樹脂ケースを上記金属ベース板に接着し
て樹脂封止を行う半導体装置において、前記樹脂ケース
にはあらかじめ主電流用電極端子および信号用電極端子
をインサート成形しておき、この樹脂ケースを金属ベー
ス板に接着する際にその複数の電極端子を前記絶縁基板
上の複数の電極板にクリーム半田で半田付けして電極端
子ネジ閉めタイプの蓋を用いないことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309239A JPH0732229B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309239A JPH0732229B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154457A true JPH02154457A (ja) | 1990-06-13 |
| JPH0732229B2 JPH0732229B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=17990604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309239A Expired - Lifetime JPH0732229B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732229B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06165524A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
| DE10200372A1 (de) * | 2002-01-08 | 2003-07-24 | Siemens Ag | Leistungshalbleitermodul |
| WO2014030254A1 (ja) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2022143749A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-10-03 | 日立Astemo株式会社 | パワーモジュール |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP63309239A patent/JPH0732229B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06165524A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
| DE10200372A1 (de) * | 2002-01-08 | 2003-07-24 | Siemens Ag | Leistungshalbleitermodul |
| WO2014030254A1 (ja) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| KR20150036347A (ko) * | 2012-08-24 | 2015-04-07 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| JP5854147B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2016-02-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US9622368B2 (en) | 2012-08-24 | 2017-04-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| CN104584213B (zh) * | 2012-08-24 | 2018-02-13 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| JP2022143749A (ja) * | 2021-03-18 | 2022-10-03 | 日立Astemo株式会社 | パワーモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732229B2 (ja) | 1995-04-10 |
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