JPH02156086A - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH02156086A JPH02156086A JP63311074A JP31107488A JPH02156086A JP H02156086 A JPH02156086 A JP H02156086A JP 63311074 A JP63311074 A JP 63311074A JP 31107488 A JP31107488 A JP 31107488A JP H02156086 A JPH02156086 A JP H02156086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylinder
- substrate
- gas
- laser
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分舒
本発明は、レーザビーム照射部分のみに所望の膜を成膜
する直接描画可能なレーザＣＶ Ｄ （ＣＨＥＭ−ＩＣ
ＡＬ ＶＡＰＯＲＤＥＰＯ５ＩＴＩＯＮ ：気相成長）
装置に関するものである。
する直接描画可能なレーザＣＶ Ｄ （ＣＨＥＭ−ＩＣ
ＡＬ ＶＡＰＯＲＤＥＰＯ５ＩＴＩＯＮ ：気相成長）
装置に関するものである。
従来の技術
レーザＣｖＤは、ガス分解、薄膜作成にかかわる必要な
エネルギーを光によって提供するものであり、光照射部
分のみの成膜が可能であることから部分的な選択成膜法
として、また低温成膜法として注目されている。現状で
は、選択成膜法の特徴を活かし、直接描画技術により、
マスクの白欠陥を修正するマスクリペア装置として応用
がなされているが、将来的には、導体、誘電体、半導体
等デバイス上の素子を直接修正可能な総合的なりペア装
置として使用されていくものと期待されている。
エネルギーを光によって提供するものであり、光照射部
分のみの成膜が可能であることから部分的な選択成膜法
として、また低温成膜法として注目されている。現状で
は、選択成膜法の特徴を活かし、直接描画技術により、
マスクの白欠陥を修正するマスクリペア装置として応用
がなされているが、将来的には、導体、誘電体、半導体
等デバイス上の素子を直接修正可能な総合的なりペア装
置として使用されていくものと期待されている。
一般にレーザＣＶＤシステムでは、レーザビームの光軸
が固定されており、必要な成膜箇所の調節は、２次元に
移動可能な基板架台の稼働によっておこなわれている０
反応チャンバーは基板、および基板ステージを内包して
おり、基板の移動に対し十分な大きさを持つ必要があっ
た。
が固定されており、必要な成膜箇所の調節は、２次元に
移動可能な基板架台の稼働によっておこなわれている０
反応チャンバーは基板、および基板ステージを内包して
おり、基板の移動に対し十分な大きさを持つ必要があっ
た。
発明が解決しようとする課題
今後リペアを必要とする基板形状は多様化するとともに
、大型化することはさけられない。例えば、液晶デイス
プレィ等は、Ａ４サイズから巾１ｍサイズの大型化は時
間の問題であるが、さらに１００％の歩留りが常に要求
されており、デイスプレィ作成プロセスにはレーザＣＶ
Ｄを用いたリペア技術が必要不可欠なことと予想されて
いる。
、大型化することはさけられない。例えば、液晶デイス
プレィ等は、Ａ４サイズから巾１ｍサイズの大型化は時
間の問題であるが、さらに１００％の歩留りが常に要求
されており、デイスプレィ作成プロセスにはレーザＣＶ
Ｄを用いたリペア技術が必要不可欠なことと予想されて
いる。
即ち、このようにリペア対象基板が大型化されてくると
、反応チャンバーが大型化し、反応プロセスの効率が悪
くなるばかりか、システムの高額化がさけられないもの
となる。
、反応チャンバーが大型化し、反応プロセスの効率が悪
くなるばかりか、システムの高額化がさけられないもの
となる。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明のレーザＣＶＤ装置は
、二次元的に移動可能な架台に装着された基板、基板に
垂直に上方より照射されるレーザビーム、及びレーザビ
ームと同軸状に設けられたガス供給排気システムより構
成している。またさらに、ガス供給排気システムは、原
料ガスの供給排気を、レーザビーム照射部のみに限定し
ており、周辺への反応ガスの拡散、もれをなくしている
。
、二次元的に移動可能な架台に装着された基板、基板に
垂直に上方より照射されるレーザビーム、及びレーザビ
ームと同軸状に設けられたガス供給排気システムより構
成している。またさらに、ガス供給排気システムは、原
料ガスの供給排気を、レーザビーム照射部のみに限定し
ており、周辺への反応ガスの拡散、もれをなくしている
。
作用
本発明は上記した構成によって、通常の密封チャンバー
を用いる必要がないため、極めてコンパクトな構成であ
とる同時に、基板形状に対する適用範囲の広いレーザＣ
ＶＤ装置を提供できる。
を用いる必要がないため、極めてコンパクトな構成であ
とる同時に、基板形状に対する適用範囲の広いレーザＣ
ＶＤ装置を提供できる。
実施例
以下本発明の一実施例のレーザＣＶＤ装置について、図
面を参照しながら説明する。
面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるレーザＣＶＤ装
置の構成を示すものである。第１図において、１はレー
ザ光源、２はレーザビーム、３はミラー、４はガス供給
排気システム、５は基板、６は基板架台、７は排気、８
．９は原料ガス、１０は不活性ガスである。第２図はガ
ス供給排気システムの断面図を示したものである０以上
第１図。
置の構成を示すものである。第１図において、１はレー
ザ光源、２はレーザビーム、３はミラー、４はガス供給
排気システム、５は基板、６は基板架台、７は排気、８
．９は原料ガス、１０は不活性ガスである。第２図はガ
ス供給排気システムの断面図を示したものである０以上
第１図。
第２図を用いて、液晶デイスプレィ等に使用されている
透明電極ＳｎＯ□についてのレーザＣＶＤ法の例を説明
する。原料ガス８．９は錫原料としてはテトラメチルス
ズ、酸素源としてはｏ２または、オゾンガスを数％含む
０□ガスを用いる。レーザ１は、ＹＡＧの第４高調波２
６６ ｎｍを使用する。テトラメチルスズ、およびオゾ
ンガスは、２６６ ｎｍの光を吸収し分解、基板上にＳ
ｎＯ□膜を形成する。まず、修正したい電極欠陥部をレ
ーザビーム照射部に移動する。この調整は、基板架台６
の２次元稼働によって行う、レーザビーム２は、反射ミ
ラー３により基板面に垂直方向に進行方向を変えた後、
集光レンズ１１により集光され基板上の必要箇所を照射
する。ガス供給排気システム４は、第２図に見られるよ
うに４重構造の円筒より成り立っており、中心の第１の
円筒内はレーザビームが通過するとともに、上部よりレ
ンズ内壁に吹き付ける形で不活性ガスｌ０Ｎ２を供給し
ている。原料ガス８．９は第１の円筒１２の周辺に設け
られた第２の円筒１３下部より基板面上のレーザ照射部
に噴出されている。尚、オゾンガスを使用する際は、錫
原料ガスとの反応性が非常に高くパーティクルを発生さ
せ易いため、ガスの噴出口手前まで円筒内部で壁をもち
いてそれぞれ独立に供給し、基板面上のレーザ照射部で
合流させる。排気は、第２の円筒１３とその周囲に設け
られた第３の円筒１４間より強制的に吸気する。
透明電極ＳｎＯ□についてのレーザＣＶＤ法の例を説明
する。原料ガス８．９は錫原料としてはテトラメチルス
ズ、酸素源としてはｏ２または、オゾンガスを数％含む
０□ガスを用いる。レーザ１は、ＹＡＧの第４高調波２
６６ ｎｍを使用する。テトラメチルスズ、およびオゾ
ンガスは、２６６ ｎｍの光を吸収し分解、基板上にＳ
ｎＯ□膜を形成する。まず、修正したい電極欠陥部をレ
ーザビーム照射部に移動する。この調整は、基板架台６
の２次元稼働によって行う、レーザビーム２は、反射ミ
ラー３により基板面に垂直方向に進行方向を変えた後、
集光レンズ１１により集光され基板上の必要箇所を照射
する。ガス供給排気システム４は、第２図に見られるよ
うに４重構造の円筒より成り立っており、中心の第１の
円筒内はレーザビームが通過するとともに、上部よりレ
ンズ内壁に吹き付ける形で不活性ガスｌ０Ｎ２を供給し
ている。原料ガス８．９は第１の円筒１２の周辺に設け
られた第２の円筒１３下部より基板面上のレーザ照射部
に噴出されている。尚、オゾンガスを使用する際は、錫
原料ガスとの反応性が非常に高くパーティクルを発生さ
せ易いため、ガスの噴出口手前まで円筒内部で壁をもち
いてそれぞれ独立に供給し、基板面上のレーザ照射部で
合流させる。排気は、第２の円筒１３とその周囲に設け
られた第３の円筒１４間より強制的に吸気する。
さらに反応ガスの周辺へのリム散を完全に遮断する目的
で第３の円筒１４とその外部に設けられた第４の円筒１
５間から基板面に垂直に不活性ガスＮ２をカーテン状に
吹き付ける。第２図中の矢印は、それぞれのガスの流れ
を示している。尚、第２図においても認められるように
、第４の円筒裾が、最も基板面すれすれに近接している
のが外部への原料ガス遮断効果のためには望ましい。
で第３の円筒１４とその外部に設けられた第４の円筒１
５間から基板面に垂直に不活性ガスＮ２をカーテン状に
吹き付ける。第２図中の矢印は、それぞれのガスの流れ
を示している。尚、第２図においても認められるように
、第４の円筒裾が、最も基板面すれすれに近接している
のが外部への原料ガス遮断効果のためには望ましい。
以上のように本実施例によれば、反応ガスの供給排気が
レーザ照射部のみに限定されており、大型の密閉チャン
バーを必要とすることもなく、極めて簡易なシステムで
レーザＣＶＤを行うことができ、基板のサイズ、形状に
たいしても臨機応変に広い対応が可能である。
レーザ照射部のみに限定されており、大型の密閉チャン
バーを必要とすることもなく、極めて簡易なシステムで
レーザＣＶＤを行うことができ、基板のサイズ、形状に
たいしても臨機応変に広い対応が可能である。
発明の効果
以上のように本発明のレーザＣＶＤ装置は、二次元的に
移動可能な架台に装着された基板、基板に垂直に上方よ
り照射されるレーザビーム、及びレーザビームと同軸状
に設けられたガス供給排気システムより構成している。
移動可能な架台に装着された基板、基板に垂直に上方よ
り照射されるレーザビーム、及びレーザビームと同軸状
に設けられたガス供給排気システムより構成している。
またさらに、ガス供給排気システムは、原料ガスの供給
排気を、レーザビーム照射部のみに限定しており、周辺
への反応ガスの拡散、もれをなくしている、よって、通
常の密封チャンバーを用いる必要がないため、極めてコ
ンパクトな構成であると同時に、基板形状に対する適用
範囲の広いレーザＣＶＤ装置を提供できる。
排気を、レーザビーム照射部のみに限定しており、周辺
への反応ガスの拡散、もれをなくしている、よって、通
常の密封チャンバーを用いる必要がないため、極めてコ
ンパクトな構成であると同時に、基板形状に対する適用
範囲の広いレーザＣＶＤ装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例におけるレーザＣＶＤの構成
図、第２図はガス供給排気システムの断面図である。 １・・・・・・レーザ、４・・・・・・ガス供給排気シ
ステム。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名２、−し−
サ１ビー４ ター基灰 ｇ−−一基靭賀ひ ８−源、料がχα ９−源特がχｂ １０−−一不５古４生ｆズ １５−−７２すＰＩ？ｉＩ ＋４−７フ＾Ｆ１間
図、第２図はガス供給排気システムの断面図である。 １・・・・・・レーザ、４・・・・・・ガス供給排気シ
ステム。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名２、−し−
サ１ビー４ ター基灰 ｇ−−一基靭賀ひ ８−源、料がχα ９−源特がχｂ １０−−一不５古４生ｆズ １５−−７２すＰＩ？ｉＩ ＋４−７フ＾Ｆ１間
Claims (3)
- （１）二次元的に移動可能な架台に装着された基板と、
前記基板に垂直に上方より照射されるレーザビーム、及
びレーザビームと同軸状に設けられたガス供給排気シス
テムとより構成されており、基板、および基板架台を包
含した密閉チャンバーを必要としないレーザＣＶＤ装置
。 - （２）ガス供給排気システムが、レーザビームの進行路
を囲うように取り付けられた円筒状の装置であり、内側
より第１〜第４の四重構造になっており、中央の第１の
円筒内はレーザビームが進行するとともに、不活性ガス
を上部より供給し、前記中央の第１の円筒と第２の円筒
間からはレーザの照射スポットのみに極小的に原料ガス
が供給され、さらに、成膜に使用されなかった原料ガス
および、前記不活性ガスはいずれも第２の円筒と第３の
円筒間からの強制的な吸気により外部へ排気され、一方
、第３、第４の円筒間から不活性ガスを基板面に垂直下
方にカーテン状に供給する機構を備えることを特徴とす
る請求項（１）記載のレーザＣＶＤ装置。 - （３）原料ガス供給口が内部で完全に複数に分離されて
おり、原料ガスの噴出口直前まで原料ガスごとに独立に
供給され、レーザ照射スポット部でガスの合流がなされ
る機構を備えた請求項（１）記載のレーザＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311074A JPH02156086A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63311074A JPH02156086A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156086A true JPH02156086A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18012803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63311074A Pending JPH02156086A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156086A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100717A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2007317700A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置及び処理方法 |
| US11486039B2 (en) * | 2020-05-18 | 2022-11-01 | Ohio State Innovation Foundation | Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof |
| US11846024B2 (en) | 2021-03-15 | 2023-12-19 | Ohio State Innovation Foundation | Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP63311074A patent/JPH02156086A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100717A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2007317700A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 表面処理装置及び処理方法 |
| US11486039B2 (en) * | 2020-05-18 | 2022-11-01 | Ohio State Innovation Foundation | Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof |
| US11846024B2 (en) | 2021-03-15 | 2023-12-19 | Ohio State Innovation Foundation | Laser-assisted metal-organic chemical vapor deposition devices and methods of use thereof for suppressing background carbon incorporation |
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