JPH02156525A - 半導体ウェハー熱処理炉 - Google Patents
半導体ウェハー熱処理炉Info
- Publication number
- JPH02156525A JPH02156525A JP31115088A JP31115088A JPH02156525A JP H02156525 A JPH02156525 A JP H02156525A JP 31115088 A JP31115088 A JP 31115088A JP 31115088 A JP31115088 A JP 31115088A JP H02156525 A JPH02156525 A JP H02156525A
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- JP
- Japan
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- tube
- cooling
- inert gas
- heat
- heat treatment
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- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 34
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体工業に用いられる熱処理炉の改良に関
し、特に熱処理炉内の冷却システムに関する。
し、特に熱処理炉内の冷却システムに関する。
従来、この種の半導体ウェハー熱処理炉は、熱処理炉に
二重石英管を用い、二重壁間に冷却ガスを供給すること
により熱処理炉内を冷却していた（例えば、特開昭８２
−１１２３２０号公報）。
二重石英管を用い、二重壁間に冷却ガスを供給すること
により熱処理炉内を冷却していた（例えば、特開昭８２
−１１２３２０号公報）。
上述した従来の半導体ウェハー熱処理炉は、熱処理炉の
熱処理用プロセスチューブを室温の冷却ガスにより直接
冷却するので、温度差による熱応力等により、熱処理炉
の熱処理用プロセスチューブの破壊が生じやすく、その
寿命を著しく短かくするという欠点がある。また、石英
管では、１０００℃以上において冷却ガスによる降温を
行なうと、石英表面にマイクロクラックが発生しやすい
という欠点もある。
熱処理用プロセスチューブを室温の冷却ガスにより直接
冷却するので、温度差による熱応力等により、熱処理炉
の熱処理用プロセスチューブの破壊が生じやすく、その
寿命を著しく短かくするという欠点がある。また、石英
管では、１０００℃以上において冷却ガスによる降温を
行なうと、石英表面にマイクロクラックが発生しやすい
という欠点もある。
上述した従来の半導体ウェハー熱処理炉に対し、本発明
は、熱処理用プロセスチューブの冷却を熱処理炉の排熱
を利用した温度制御機構により管理された冷却用不活性
ガスにより直接性なうという相違点を有する。
は、熱処理用プロセスチューブの冷却を熱処理炉の排熱
を利用した温度制御機構により管理された冷却用不活性
ガスにより直接性なうという相違点を有する。
本発明の半導体ウェハー熱処理炉は、熱処理炉の排熱を
熱源とした熱交換器による冷却用不活性ガス予熱機構、
不活性ガスを熱処理用プロセスチューブと均熱管の間へ
の供給する機構、不活性ガスの供給流量及び、熱交換器
への排熱の供給量の制御機能を有している。
熱源とした熱交換器による冷却用不活性ガス予熱機構、
不活性ガスを熱処理用プロセスチューブと均熱管の間へ
の供給する機構、不活性ガスの供給流量及び、熱交換器
への排熱の供給量の制御機能を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の実施例１の縦断面図である。
不活性ガスは、流ｉ＃調整器１により流量を制御された
後、熱交換器２を通る。熱交換器２に供給される排気量
は、温度モニター７により管理された不活性ガスの温度
を熱処理炉の急激な冷却による均熱管４．熱処理用プロ
セスチューブ３の破損・劣化が生じないよる排気流量調
整器６で制御する。
後、熱交換器２を通る。熱交換器２に供給される排気量
は、温度モニター７により管理された不活性ガスの温度
を熱処理炉の急激な冷却による均熱管４．熱処理用プロ
セスチューブ３の破損・劣化が生じないよる排気流量調
整器６で制御する。
予熱された不活性ガスは、熱処理用プロセスチューブ３
と均熱管４の間に供給され、冷却を行なった後、排気さ
れる。熱交換器２へ供給される排気は、冷却システム作
動直後は前部スカベンジャー５により供給され、通常作
動時は、主に冷却に使用された不活性ガスを利用する。
と均熱管４の間に供給され、冷却を行なった後、排気さ
れる。熱交換器２へ供給される排気は、冷却システム作
動直後は前部スカベンジャー５により供給され、通常作
動時は、主に冷却に使用された不活性ガスを利用する。
これは、冷却開始直後は、熱交換器２に供給される熱量
が少ないためである。
が少ないためである。
第２図は、本発明の実施例２の縦断面図である。
不活性ガスは、流量調整器１で流量を制御された後、熱
交換器２を通り、熱処理用プロセスチューブ３と均熱管
４の間に供給され、炉内を冷却する。
交換器２を通り、熱処理用プロセスチューブ３と均熱管
４の間に供給され、炉内を冷却する。
この実施例では、縦型熱処理炉であるため熱処理用プロ
セスチューブ３と均熱管４を円心円状に配置することが
可能になるので、不活性ガスの流れを熱処理用プロセス
チューブ３の外面において、冷却ガスが均一に流れ、冷
却を均一に行なうことができる利点がある。
セスチューブ３と均熱管４を円心円状に配置することが
可能になるので、不活性ガスの流れを熱処理用プロセス
チューブ３の外面において、冷却ガスが均一に流れ、冷
却を均一に行なうことができる利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体ウェハー熱処理炉
において、予熱された不活性ガスを均熱管と熱処理用プ
ロセスチューブの間に供給し、排熱を利用して、不活性
ガスの予熱の温度コントロールを行なうことにより、熱
処理用プロセスチューブ、均熱管に破損・劣化が生じな
いように制御しながら冷却できる。また、熱処理用プロ
セスチューブを直接冷却するために降温速度が高く、し
かも不活性ガスを予熱・温度フントロールができるため
、１ｏｏｏ℃以上の温度での使用も可能となる。さらに
ヒーターは間接的に冷却されるために劣化は生じにくく
、ヒーター寿命を長くできる効果がある。
において、予熱された不活性ガスを均熱管と熱処理用プ
ロセスチューブの間に供給し、排熱を利用して、不活性
ガスの予熱の温度コントロールを行なうことにより、熱
処理用プロセスチューブ、均熱管に破損・劣化が生じな
いように制御しながら冷却できる。また、熱処理用プロ
セスチューブを直接冷却するために降温速度が高く、し
かも不活性ガスを予熱・温度フントロールができるため
、１ｏｏｏ℃以上の温度での使用も可能となる。さらに
ヒーターは間接的に冷却されるために劣化は生じにくく
、ヒーター寿命を長くできる効果がある。
第１図は本発明の半導体ウェハー熱処理炉の実施例１の
断面図、第２図は実施例２の断面図、第３図は゛従来の
半導体ウェハー熱処理炉の断面図である。 １・・・・・・流量調整器、２・・・・・・熱交換器、
３・・・・・・熱処理プロセスチューブ、４・・・・・
・均熱管、５・・・・・・前部スカベンジャー ６・・
・・・・排気量調整器、７・・・・・温度モニター ８
・・・・・・不活性ガス供給口、９・・・・・・ウェハ
ーポート、１０・・・・・・半導体ウェハー １１・・
・・・・三方電磁切替弁、１２・・・・・・断熱材、１
３・・・・・ヒーター １４・・・・・・後部スカベン
ジャー １５・・・・・ボートローディングシステム、
１６・・・・・・排気、１７・・・・・・電磁弁。 代理人 弁理士 内 原 晋 豪２図
断面図、第２図は実施例２の断面図、第３図は゛従来の
半導体ウェハー熱処理炉の断面図である。 １・・・・・・流量調整器、２・・・・・・熱交換器、
３・・・・・・熱処理プロセスチューブ、４・・・・・
・均熱管、５・・・・・・前部スカベンジャー ６・・
・・・・排気量調整器、７・・・・・温度モニター ８
・・・・・・不活性ガス供給口、９・・・・・・ウェハ
ーポート、１０・・・・・・半導体ウェハー １１・・
・・・・三方電磁切替弁、１２・・・・・・断熱材、１
３・・・・・ヒーター １４・・・・・・後部スカベン
ジャー １５・・・・・ボートローディングシステム、
１６・・・・・・排気、１７・・・・・・電磁弁。 代理人 弁理士 内 原 晋 豪２図
Claims (1)
- 半導体ウェハーの熱処理を行なう熱処理炉において、熱
処理炉の排熱を熱源とする熱交換器による冷却用不活性
ガス予熱機能を有し、該不活性ガスを熱処理用プロセス
チューブと均熱管の間に供給することを特徴とする半導
体ウェハー熱処理炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31115088A JPH02156525A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 半導体ウェハー熱処理炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31115088A JPH02156525A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 半導体ウェハー熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02156525A true JPH02156525A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18013712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31115088A Pending JPH02156525A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 半導体ウェハー熱処理炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02156525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002206771A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理空気供給装置及び方法 |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP31115088A patent/JPH02156525A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002206771A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理空気供給装置及び方法 |
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