JPH02157849A - 電子写真用セレン感光体 - Google Patents
電子写真用セレン感光体Info
- Publication number
- JPH02157849A JPH02157849A JP31325688A JP31325688A JPH02157849A JP H02157849 A JPH02157849 A JP H02157849A JP 31325688 A JP31325688 A JP 31325688A JP 31325688 A JP31325688 A JP 31325688A JP H02157849 A JPH02157849 A JP H02157849A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- per
- 1mum
- photosensitive layer
- charge potential
- thunderbolt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、導電性基体１例えばアルミニウムを主成分
とする基体上に、セレン系光導電性材料からなる感光層
を備えた電子写真用セレン感光体に関する。
とする基体上に、セレン系光導電性材料からなる感光層
を備えた電子写真用セレン感光体に関する。
電子写真用セレン感光体（以下、単に感光体とも称する
）を画像形成部材とする電子写真画像形成は、一般に、
暗所での感光体表面へのコロナ放電による帯電、帯電さ
れた感光体表面への像露光による静電潜像の形成、形成
された潜像のトナーによる現像、現像されたトナー像の
紙への転写、像転写の行われた紙の感光体表面からの分
離、トナー像の紙への定着というプロセスで行われ、紙
分離後の感光体はＡＣ除電、残留トナーの除去光除電な
どを施された後に再使用に供される。
）を画像形成部材とする電子写真画像形成は、一般に、
暗所での感光体表面へのコロナ放電による帯電、帯電さ
れた感光体表面への像露光による静電潜像の形成、形成
された潜像のトナーによる現像、現像されたトナー像の
紙への転写、像転写の行われた紙の感光体表面からの分
離、トナー像の紙への定着というプロセスで行われ、紙
分離後の感光体はＡＣ除電、残留トナーの除去光除電な
どを施された後に再使用に供される。
このようなプロセスにおいて、帯電工程における感光体
の表面帯電電位は６００ Ｖ −１０００Ｖに設定され
るのが一般的である。従来、感光体の感光層の膜厚は通
常５０μｍ〜６０μｍとされていた。従って、この場合
、感光層の膜厚１μｍあたりの帯電位は１１Ｖ〜１７Ｖ
であった。
の表面帯電電位は６００ Ｖ −１０００Ｖに設定され
るのが一般的である。従来、感光体の感光層の膜厚は通
常５０μｍ〜６０μｍとされていた。従って、この場合
、感光層の膜厚１μｍあたりの帯電位は１１Ｖ〜１７Ｖ
であった。
感光体表面をコロナ放電によりこのような高電位に帯電
しようとした場合、感光層に欠陥があると、その欠陥部
にいわゆる落雷が発生し、絶縁破壊を起こして大電流が
流れ、感光層を形成しているセレン系光導電性材料が溶
けて基体にまで達する穴が生じ画像欠陥が発生する要因
となるが、従来、このような落雷に起因する画像欠陥が
約１０％発生していた。
しようとした場合、感光層に欠陥があると、その欠陥部
にいわゆる落雷が発生し、絶縁破壊を起こして大電流が
流れ、感光層を形成しているセレン系光導電性材料が溶
けて基体にまで達する穴が生じ画像欠陥が発生する要因
となるが、従来、このような落雷に起因する画像欠陥が
約１０％発生していた。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、
落雷の発生が抑制され、落雷に起因する画像欠陥が低減
された電子写真用セレン感光体を提供することを目的と
する。
落雷の発生が抑制され、落雷に起因する画像欠陥が低減
された電子写真用セレン感光体を提供することを目的と
する。
上記の目的を達成するために、この発明によれば、セレ
ン系光導電性材料からなる感光層を備えた電子写真用感
光体において、前記感光層の膜厚が、感光体を画像形成
に必要な電位に帯電させたときに、膜厚１μｍあたりの
帯電位が５Ｖ以上９Ｖ以下の範囲にある厚さである電子
写真用セレン感光体とする。
ン系光導電性材料からなる感光層を備えた電子写真用感
光体において、前記感光層の膜厚が、感光体を画像形成
に必要な電位に帯電させたときに、膜厚１μｍあたりの
帯電位が５Ｖ以上９Ｖ以下の範囲にある厚さである電子
写真用セレン感光体とする。
感光層の膜厚を従来より厚くし、膜厚１μｍあたりの帯
電位が、従来のＩＩＶ以上１７Ｖ以下の範囲から５Ｖ以
上９■以下の範囲へと低くなるようにすることにより、
落雷の発生を抑制することができる。
電位が、従来のＩＩＶ以上１７Ｖ以下の範囲から５Ｖ以
上９■以下の範囲へと低くなるようにすることにより、
落雷の発生を抑制することができる。
導電性基体９例えばアルミニウム合金基体上にセレン系
光導電性材料１例えば＾ｓ、Ｓｅ、を真空蒸着して感光
層を形成する。そのときに蒸着量を変えて種々の膜厚の
感光層の感光体を作製した。これらの感光体について画
像出し試験を行い、落雷に起因して発生した画像欠陥数
と感光層膜厚１μｍあたりの帯電位との関係を調べたと
ころ、第１図に示す結果が得られた。第１図より感光層
膜厚１μｍあたりの帯電位が大きくなると画像欠陥数が
増加し、特に１μｍあたりの帯電位がＩＯＶを超えると
急激に増していることが判る。 １μｍあたりの帯電位
を９ｖ以下とすることにより画像欠陥数を効率よく低減
させることができる。画像形成に際して、感光体は通常
６００Ｖから１０００ Ｖの範囲の帯電位で用いられる
。感光体の帯電位を６００Ｖとした場合、 １μｍあた
りの帯電位を９ｖ以下とするために必要な感光層膜厚は
６７μｍであり、膜厚をこれより厚くする程好ましい。
光導電性材料１例えば＾ｓ、Ｓｅ、を真空蒸着して感光
層を形成する。そのときに蒸着量を変えて種々の膜厚の
感光層の感光体を作製した。これらの感光体について画
像出し試験を行い、落雷に起因して発生した画像欠陥数
と感光層膜厚１μｍあたりの帯電位との関係を調べたと
ころ、第１図に示す結果が得られた。第１図より感光層
膜厚１μｍあたりの帯電位が大きくなると画像欠陥数が
増加し、特に１μｍあたりの帯電位がＩＯＶを超えると
急激に増していることが判る。 １μｍあたりの帯電位
を９ｖ以下とすることにより画像欠陥数を効率よく低減
させることができる。画像形成に際して、感光体は通常
６００Ｖから１０００ Ｖの範囲の帯電位で用いられる
。感光体の帯電位を６００Ｖとした場合、 １μｍあた
りの帯電位を９ｖ以下とするために必要な感光層膜厚は
６７μｍであり、膜厚をこれより厚くする程好ましい。
しかしながら膜厚を厚くするためには蒸着材料の使用量
が多くなり蒸着時間も長くなるなどの問題があり、実用
上１２０μｍ程度が限度であり、 このとき膜厚１μｍ
あたりの帯電位は５Ｖとなる。また、膜厚が１２０μｍ
あると感光体の帯電位を１０００ Ｖとした場合でも１
μｍあたりの帯電位は８．３ｖとなり９Ｖ以下である。
が多くなり蒸着時間も長くなるなどの問題があり、実用
上１２０μｍ程度が限度であり、 このとき膜厚１μｍ
あたりの帯電位は５Ｖとなる。また、膜厚が１２０μｍ
あると感光体の帯電位を１０００ Ｖとした場合でも１
μｍあたりの帯電位は８．３ｖとなり９Ｖ以下である。
従って感光層１μｍあたりの帯電位を５Ｖ以上９Ｖ以下
の範囲（Ｉｌｌ：で６７μｍ以上１２０μｍ以下の範囲
）とすると、落雷に起因する画像欠陥を低減するのに好
適である。
の範囲（Ｉｌｌ：で６７μｍ以上１２０μｍ以下の範囲
）とすると、落雷に起因する画像欠陥を低減するのに好
適である。
この発明によれば、電子写真用セレン感光体の感光層膜
厚を厚くして、画像形成に際して、感光層１μｍあたり
の帯電位が５Ｖ以上９ｖ以下の範囲の感光体とする。こ
のような帯電位とすることにより、感光層への落雷が抑
制され、落雷に起因する画像欠陥の発生を従来の１７１
０程度と大幅に低減できる電子写真用セレン感光体を得
ることができる。
厚を厚くして、画像形成に際して、感光層１μｍあたり
の帯電位が５Ｖ以上９ｖ以下の範囲の感光体とする。こ
のような帯電位とすることにより、感光層への落雷が抑
制され、落雷に起因する画像欠陥の発生を従来の１７１
０程度と大幅に低減できる電子写真用セレン感光体を得
ることができる。
第１図は、感光層の膜厚１μｍあたりの帯電位筒 １
図
図
Claims (1)
- １）セレン系光導電性材料からなる感光層を備えた電子
写真用感光体において、前記感光層の膜厚が感光体を画
像形成、に必要な電位に帯電したときに膜厚１μｍあた
りの帯電位が５Ｖ以上９Ｖ以下の範囲にある厚さである
ことを特徴とする電子写真用セレン感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31325688A JPH02157849A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 電子写真用セレン感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31325688A JPH02157849A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 電子写真用セレン感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157849A true JPH02157849A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=18039010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31325688A Pending JPH02157849A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 電子写真用セレン感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02157849A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172651A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-10-11 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真記録材料 |
| JPS59176748A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62204263A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6311945A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31325688A patent/JPH02157849A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172651A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-10-11 | リツエンツイア・パテント−フエルヴアルツングス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 電子写真記録材料 |
| JPS59176748A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62204263A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-08 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS6311945A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6240712B2 (ja) | ||
| JPS5862667A (ja) | 複数枚複写電子写真法 | |
| JPH02157849A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| US4468110A (en) | Method and apparatus for electrophotography | |
| JP2704956B2 (ja) | 電子写真装置の除電が不要な帯電方法 | |
| JPS62133473A (ja) | 反転現像装置における逆帯電防止法 | |
| JPH05297785A (ja) | 電子写真用感光体の除電方法 | |
| JP2002108028A (ja) | 画像形成装置 | |
| JP3538389B2 (ja) | 画像形成装置および画像形成方法 | |
| JPH01191174A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0447731Y2 (ja) | ||
| JPH0136104B2 (ja) | ||
| JPS6226026B2 (ja) | ||
| JPH01191171A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS6230286A (ja) | 感光体の除電方法 | |
| JPS63169668A (ja) | 電子写真方法 | |
| JPS60168164A (ja) | 電子写真装置 | |
| JPS5827497B2 (ja) | 像保持部材 | |
| JPS6336281A (ja) | 電子複写装置 | |
| JPS59176A (ja) | 電子写真方法及び装置 | |
| JPH01191169A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPS62151869A (ja) | ２色電子写真複写方法 | |
| JPH02193159A (ja) | 電子写真方法及び装置 | |
| JPS62148972A (ja) | ２色電子写真複写方法 | |
| JPH03196161A (ja) | 画像形成方法 |