JPH02159083A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH02159083A JPH02159083A JP31422088A JP31422088A JPH02159083A JP H02159083 A JPH02159083 A JP H02159083A JP 31422088 A JP31422088 A JP 31422088A JP 31422088 A JP31422088 A JP 31422088A JP H02159083 A JPH02159083 A JP H02159083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor laser
- junction
- laser device
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光学式情報処理装置や光センサの発光・受
光部として用いる半導体レーザ装置に関するものである
。
光部として用いる半導体レーザ装置に関するものである
。
第４図は従来の光学式情報処理装置の発光・受光部とし
て用いられる半導体レーザ装置を示す斜視図であり、こ
の図において、１はヒートシンク、２はこのヒートシン
ク１に固着されたサブマウント、３はこのサブマウンＩ
・２に固着された半導体レーザ素子、４は前記と−トシ
ンク１のサブマウノｌ−２が固着された面に略直交する
面に固着された絶縁板、５はこの絶縁板４に固着された
センサ用光検出器である。また、５０は前記センサ用光
検出器５に形成されている４分割された受光部を備えた
光検出部である。
て用いられる半導体レーザ装置を示す斜視図であり、こ
の図において、１はヒートシンク、２はこのヒートシン
ク１に固着されたサブマウント、３はこのサブマウンＩ
・２に固着された半導体レーザ素子、４は前記と−トシ
ンク１のサブマウノｌ−２が固着された面に略直交する
面に固着された絶縁板、５はこの絶縁板４に固着された
センサ用光検出器である。また、５０は前記センサ用光
検出器５に形成されている４分割された受光部を備えた
光検出部である。
また、第５図は、第４図に示した従来の半導体レーザ装
置を発光・受光部として用いるように構成した光ピツク
アップを示す図である。この図において、第４図と同一
符号は同一部分を示し、６はモニタ用光検知器、７はホ
ログラムプレー１・、８は対物レンズ、９は光ディスク
、１０は前記ヒートシンク１およびモニタ用光検知器６
をマウントするステム、Ａは前記半導体レーザ素子３の
前面から放射される光束、Ｂは前記センサ用光検出器５
に入射する光束、Ｃは前記半導体レーザ素子３の後面か
ら放射される光束であり、この光束Ｃはモニタ用光検知
器６に入射す、る。
置を発光・受光部として用いるように構成した光ピツク
アップを示す図である。この図において、第４図と同一
符号は同一部分を示し、６はモニタ用光検知器、７はホ
ログラムプレー１・、８は対物レンズ、９は光ディスク
、１０は前記ヒートシンク１およびモニタ用光検知器６
をマウントするステム、Ａは前記半導体レーザ素子３の
前面から放射される光束、Ｂは前記センサ用光検出器５
に入射する光束、Ｃは前記半導体レーザ素子３の後面か
ら放射される光束であり、この光束Ｃはモニタ用光検知
器６に入射す、る。
次に動作について説明する。
半導体レーザ素子３は内部にｐｎ接合が形成されており
、ｐｎ接合に対して順方向の電流を流すことにより光束
Ａおよび光束Ｃを放出する。前面より放出された光束Ａ
は第５図に示すように、ホログラムプレー１・７を通過
し、対物レンズ８により光ディスク９に集光される。集
光されたレーザ光は、光ディスク９に蓄えられた情報に
より光強度が変調された光束として再び対物レンズ８を
通過し、ホログラムプし−−１−７に入射する。このホ
ログラムプレー１・７は光ディスク９により反射された
光束に対し、非点収差の発生および光束を回折分離する
作用を有しているため、ホログラムプレー１・７に入射
した光束は、第５図に示すセンサ用光検出器５に入射す
る非点収差を生じた光束Ｂとして回折分離される。この
ホログラムプレー１・７については、例えば特開昭５６
−５７０１３号公報等で公知のものを使用できる。セン
サ用光検出器５は４分割された光検出部５０が形成され
ており、ホログラムプレー１・７により生じた非点収差
を検出できるように構成されているので、非点収差法を
用いることでフォーカスサーボができる。
、ｐｎ接合に対して順方向の電流を流すことにより光束
Ａおよび光束Ｃを放出する。前面より放出された光束Ａ
は第５図に示すように、ホログラムプレー１・７を通過
し、対物レンズ８により光ディスク９に集光される。集
光されたレーザ光は、光ディスク９に蓄えられた情報に
より光強度が変調された光束として再び対物レンズ８を
通過し、ホログラムプし−−１−７に入射する。このホ
ログラムプレー１・７は光ディスク９により反射された
光束に対し、非点収差の発生および光束を回折分離する
作用を有しているため、ホログラムプレー１・７に入射
した光束は、第５図に示すセンサ用光検出器５に入射す
る非点収差を生じた光束Ｂとして回折分離される。この
ホログラムプレー１・７については、例えば特開昭５６
−５７０１３号公報等で公知のものを使用できる。セン
サ用光検出器５は４分割された光検出部５０が形成され
ており、ホログラムプレー１・７により生じた非点収差
を検出できるように構成されているので、非点収差法を
用いることでフォーカスサーボができる。
また、同時にセンサ用光検出器５に入射した光束Ｂの光
強度を検出することで光ディスク９に記録された情報を
読み取ることができる。このように構成された光ピツク
アップでは、光束人の光出力を一定に保つ必要があるの
で、光束Ａと半導体レザ素子３の後面から放出される光
束Ｃの光出力の比が一定になる性質を利用して、第５図
に示すモニタ用光検知器６で検出される光束Ｃの光出力
を一定にするように半導体レーザ素子３に流す順電流を
、例えば特公昭５８−４６８７９号公報等の公知の方法
で制御する。
強度を検出することで光ディスク９に記録された情報を
読み取ることができる。このように構成された光ピツク
アップでは、光束人の光出力を一定に保つ必要があるの
で、光束Ａと半導体レザ素子３の後面から放出される光
束Ｃの光出力の比が一定になる性質を利用して、第５図
に示すモニタ用光検知器６で検出される光束Ｃの光出力
を一定にするように半導体レーザ素子３に流す順電流を
、例えば特公昭５８−４６８７９号公報等の公知の方法
で制御する。
従来の半導体レーザ装置は第４図に示すように構成され
ており、発光部である半導体レーザ素子３と、受光部で
あるセンサ用光検出器５が個別にヒートンンク１に固着
されているため、発光部と受光部との相対位置精度が士
数１０μｍ程度あるので、光ピツクアップに１史用した
場合、センサ用光検出器５で検出されるフォーカスエラ
ー信号にオフセｙ ｌ−が生じろ等の問題点があった。
ており、発光部である半導体レーザ素子３と、受光部で
あるセンサ用光検出器５が個別にヒートンンク１に固着
されているため、発光部と受光部との相対位置精度が士
数１０μｍ程度あるので、光ピツクアップに１史用した
場合、センサ用光検出器５で検出されるフォーカスエラ
ー信号にオフセｙ ｌ−が生じろ等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、光ピツクアップを構成したときフォーカス
エラー信号にオフセットが生じない半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
れたもので、光ピツクアップを構成したときフォーカス
エラー信号にオフセットが生じない半導体レーザ装置を
得ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、半導体し・ザ装置
の共振器面と同一の面に複数の受光部を備又た光検出部
を形成したものである。
の共振器面と同一の面に複数の受光部を備又た光検出部
を形成したものである。
この発明においては、半導体レーザ装置の共振器面と同
一の面に光検出部を設けているので、半導体ウェハプロ
セスの写真製版技術を用いることにより、発光部である
半導体レーザ装置と光検出部の相対位置精度が１〜２μ
ｍ程度にできる。
一の面に光検出部を設けているので、半導体ウェハプロ
セスの写真製版技術を用いることにより、発光部である
半導体レーザ装置と光検出部の相対位置精度が１〜２μ
ｍ程度にできる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。な
お、以下の説明に用いる各図中の従来と同一のものは同
一符号で示してあり、その説明は省略する。
お、以下の説明に用いる各図中の従来と同一のものは同
一符号で示してあり、その説明は省略する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レザ装置の斜
視図である。この図において、３０は半導体レーザ装置
で、ｐ型半導体層３１．ｎ型半導体層３２により構成さ
れている。３３は前記ｐ型半導体層３１とｎ型半導体層
３２によるｐｎ接合部に形成された発光部、５ｏはこの
発光部３３と同様にｐｎ接合部に形成された４つの受光
部を備んた光検出部、３４はその発光点、３５は前記発
光部３３と光検出部５０を分離する分ｍ溝、３６は前記
光検出部５０を４つの領域に分割する分割溝である。ま
た、Ａは前記発光部３６から出射する光束、Ｂは前記受
光部５０に入射する光束である。
視図である。この図において、３０は半導体レーザ装置
で、ｐ型半導体層３１．ｎ型半導体層３２により構成さ
れている。３３は前記ｐ型半導体層３１とｎ型半導体層
３２によるｐｎ接合部に形成された発光部、５ｏはこの
発光部３３と同様にｐｎ接合部に形成された４つの受光
部を備んた光検出部、３４はその発光点、３５は前記発
光部３３と光検出部５０を分離する分ｍ溝、３６は前記
光検出部５０を４つの領域に分割する分割溝である。ま
た、Ａは前記発光部３６から出射する光束、Ｂは前記受
光部５０に入射する光束である。
次に動作について説明する。
第１図において、半導体レーザ装置３０はｐ型半導体層
３１とｎ型半導体層３２により構成されており、ｐ型半
導体層３１とｎ型半導体層３２の接合部には、ｐｎ接合
が形成されており、ｐｎ接合に順方向に電流を印加する
ことによりｐｎ接合部にも少数キャリアが注入され、そ
の少数キャリアは再結合するときに発光する。また、ｐ
ｎ接合に逆方向電圧を印加すると、ｐｎ接合部に空乏層
が生じる。その空乏層に光を照射すると、電子・正孔対
が発生し、光電流が流れる。したがってｐｎ接合部は、
発光および受光の機能を有しているので、半導体レーザ
装置３ｏを分離溝３５を設け、ｐｎ接合部を分離するこ
とで同一基板上に発光部３３と光検出部５０を設けろこ
とができる。
３１とｎ型半導体層３２により構成されており、ｐ型半
導体層３１とｎ型半導体層３２の接合部には、ｐｎ接合
が形成されており、ｐｎ接合に順方向に電流を印加する
ことによりｐｎ接合部にも少数キャリアが注入され、そ
の少数キャリアは再結合するときに発光する。また、ｐ
ｎ接合に逆方向電圧を印加すると、ｐｎ接合部に空乏層
が生じる。その空乏層に光を照射すると、電子・正孔対
が発生し、光電流が流れる。したがってｐｎ接合部は、
発光および受光の機能を有しているので、半導体レーザ
装置３ｏを分離溝３５を設け、ｐｎ接合部を分離するこ
とで同一基板上に発光部３３と光検出部５０を設けろこ
とができる。
第１図において、光検出部５０は発光部３３の両側に設
けられており、それぞれの光検出部５゜は分割溝３６で
２分割されており、光検出部５０は後述する４個の受光
部により構成されている。
けられており、それぞれの光検出部５゜は分割溝３６で
２分割されており、光検出部５０は後述する４個の受光
部により構成されている。
また、発光部３３に内部ストライブを形成することで電
流を集中させることができ、発光を発光点３４に集中す
ることができる。
流を集中させることができ、発光を発光点３４に集中す
ることができる。
上記内部ストライブや、分割溝３６は写真製版やエツチ
ングなどの半導体ウェハプロセスにより形成できるので
、発光点３４と分割溝３６との相対位置精度を写真製版
時のマスク合わせ精度である１〜２μｍ程度にすること
ができろ。
ングなどの半導体ウェハプロセスにより形成できるので
、発光点３４と分割溝３６との相対位置精度を写真製版
時のマスク合わせ精度である１〜２μｍ程度にすること
ができろ。
次に第１図に示した半導体レーザ装置３ｏを光源として
用いて構成した光ピツクアップを第２図（ａ＋ （
ｂ）について説明する。
用いて構成した光ピツクアップを第２図（ａ＋ （
ｂ）について説明する。
半導体レーザ装置３０をサブマウント２を介し、ステム
１０上にマウントされたヒートシンク１にマウントする
。半導体レーザ装置３０の発光点３４より出射した光束
Ａは、ホログラムプレー１・７を通過し、対物レンズ８
により光デイスク９上に集光される。集光された光束Ａ
は光ディスク９に蓄えられた情報により強度変調された
光束として対物し一ンズ８を再透過し、ホログラムゴＬ
−−１−７に再入射する。ホログラムプレー１・７は光
ディスク９により反射された光束に対し、ウェッジプリ
ズムと同様の回折分離作用を有しているので、ホログラ
ムプレー１・７に再入射した光束Ａは半導体レーザ装置
３０に形成された光検出部５０に入射する光束Ｂとして
回折分離される。
１０上にマウントされたヒートシンク１にマウントする
。半導体レーザ装置３０の発光点３４より出射した光束
Ａは、ホログラムプレー１・７を通過し、対物レンズ８
により光デイスク９上に集光される。集光された光束Ａ
は光ディスク９に蓄えられた情報により強度変調された
光束として対物し一ンズ８を再透過し、ホログラムゴＬ
−−１−７に再入射する。ホログラムプレー１・７は光
ディスク９により反射された光束に対し、ウェッジプリ
ズムと同様の回折分離作用を有しているので、ホログラ
ムプレー１・７に再入射した光束Ａは半導体レーザ装置
３０に形成された光検出部５０に入射する光束Ｂとして
回折分離される。
光検出部５０は、第３図に示すように４個の受光部５０
ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄで構成されているので、フ
ーコー法を用いて光ディスク９の上の集光光束の合焦ず
れを検出でき、公知のようにフォーカスサーボによる焦
点合わせができる１）第３図によりフーコー法について
説明する。この図において、５０ａ〜５０ｄは受光部で
、この発明の半導体レーザ装置３０の光検出部５０を構
成している。２１は前記受光部５０ ａ、５０ ｂに、
２２は前記受光部５０ｃ、５０ｄに入射する光束Ｂの光
検出部５０上のパターンである。
ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄで構成されているので、フ
ーコー法を用いて光ディスク９の上の集光光束の合焦ず
れを検出でき、公知のようにフォーカスサーボによる焦
点合わせができる１）第３図によりフーコー法について
説明する。この図において、５０ａ〜５０ｄは受光部で
、この発明の半導体レーザ装置３０の光検出部５０を構
成している。２１は前記受光部５０ ａ、５０ ｂに、
２２は前記受光部５０ｃ、５０ｄに入射する光束Ｂの光
検出部５０上のパターンである。
そして、第３図（ｂ）は光デイスク９上の光束が合焦時
の様子を示し、第３図（ａ） （Ｃ）は各々光ディ
スク９が合焦状態から反対にずれた時の様子を示してい
る。このように光ディスク９のずれかたにより、反射回
折された光束に付与されたウェッジプリズムと同様の効
果により、スポット形状が変化するので、受光部５０ａ
〜５０ｄから得られる信号を各々Ｓａ〜Ｓｄとすると、
受光部５０ａと５０ｄの信号の和から受光部５０ｂと５
Ｑｃの信号の和を引いた信号（Ｓａ＋５ｄ）（Ｓ ｂ
十Ｓ ｃ ）により焦点ずれの方向と量を検知でき、フ
ォーカスサーボ用センサに供することができる。
の様子を示し、第３図（ａ） （Ｃ）は各々光ディ
スク９が合焦状態から反対にずれた時の様子を示してい
る。このように光ディスク９のずれかたにより、反射回
折された光束に付与されたウェッジプリズムと同様の効
果により、スポット形状が変化するので、受光部５０ａ
〜５０ｄから得られる信号を各々Ｓａ〜Ｓｄとすると、
受光部５０ａと５０ｄの信号の和から受光部５０ｂと５
Ｑｃの信号の和を引いた信号（Ｓａ＋５ｄ）（Ｓ ｂ
十Ｓ ｃ ）により焦点ずれの方向と量を検知でき、フ
ォーカスサーボ用センサに供することができる。
また、従来の公知側同様検出出力の和Ｓａ十Ｓ ｂ ＋
Ｓ ｃ ＋ Ｓ ｄよりディスク情報を再生できる。
Ｓ ｃ ＋ Ｓ ｄよりディスク情報を再生できる。
このような光ピツクアップの場合、光束Ａの光出力を一
定にする必要があるので、光束Ａと同一の半導体レーザ
装置３０の発光部３３のキャビテ、Ｃから放出される光
束Ｃが光束Ａに比例することを利用して、光束Ｃの光出
力をモニタ用光検知器６で検出した光束Ｃの光出力を一
定に保つよう半導体レーザ装置３０の発光部３３へ注入
する電流を、例えば特公昭５８−４６８７９号公報で公
知の方法で制御することで光束Ａの光出力を制御する。
定にする必要があるので、光束Ａと同一の半導体レーザ
装置３０の発光部３３のキャビテ、Ｃから放出される光
束Ｃが光束Ａに比例することを利用して、光束Ｃの光出
力をモニタ用光検知器６で検出した光束Ｃの光出力を一
定に保つよう半導体レーザ装置３０の発光部３３へ注入
する電流を、例えば特公昭５８−４６８７９号公報で公
知の方法で制御することで光束Ａの光出力を制御する。
以上説明したようにこの発明は、半導体レーザ装置の共
振器面と同一の面に複数の受光部を備えた光検出部を形
成したので、発光部と受光部との相対位置精度が正確に
なり、光ピツクアップとして用いた場合でも受光部で検
出されるフォーカスエラー信号とオフセットが生じない
半導体装置が得られる効果がある。
振器面と同一の面に複数の受光部を備えた光検出部を形
成したので、発光部と受光部との相対位置精度が正確に
なり、光ピツクアップとして用いた場合でも受光部で検
出されるフォーカスエラー信号とオフセットが生じない
半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体し・ザ装置を
示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ）は、第１図に示
した半導体レーザ装置を用いて構成した光ピックア・ツ
ブを示す正面図および側面図、第３図は、第１図に示し
た光検出部によろフーコ法を説明するための図、第４図
は従来の半導体Ｌ・−ザ装置を示す斜視図、第５図は従
来の半導体レーザ装置を用いて構成した光ピツクアップ
を示す図である。 図において、３０は半導体レーザ装置、３３は発光部、
３４は発光点、３５は分離溝、３６は分割溝、５０は光
検出部、５０ａ〜５０ｄは受光部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 ５０ａ−５０ｄ： ｅ光部 第 図 １、事件の表示 特願昭６３−３１４２２０号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 ・ｒ−゛、 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第６頁１６〜１７行の［ｐｎ接合部にも
少数キャリア］を、「ｐｎ接合部に少数キャリア」と補
正する。 （２）同じく第７頁３行の［半導体レーザ装置３０を分
離溝３５］を、「半導体レーザ装置３゜に分離溝３５」
と補正する。 （３）同じく第１０頁１６行の「エラー信号と」を、「
エラー信号の」と補正する。 以 上
示す斜視図、第２図（ａ） （ｂ）は、第１図に示
した半導体レーザ装置を用いて構成した光ピックア・ツ
ブを示す正面図および側面図、第３図は、第１図に示し
た光検出部によろフーコ法を説明するための図、第４図
は従来の半導体Ｌ・−ザ装置を示す斜視図、第５図は従
来の半導体レーザ装置を用いて構成した光ピツクアップ
を示す図である。 図において、３０は半導体レーザ装置、３３は発光部、
３４は発光点、３５は分離溝、３６は分割溝、５０は光
検出部、５０ａ〜５０ｄは受光部である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 ５０ａ−５０ｄ： ｅ光部 第 図 １、事件の表示 特願昭６３−３１４２２０号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内皿丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三菱電機株式会社内 ・ｒ−゛、 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第６頁１６〜１７行の［ｐｎ接合部にも
少数キャリア］を、「ｐｎ接合部に少数キャリア」と補
正する。 （２）同じく第７頁３行の［半導体レーザ装置３０を分
離溝３５］を、「半導体レーザ装置３゜に分離溝３５」
と補正する。 （３）同じく第１０頁１６行の「エラー信号と」を、「
エラー信号の」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 半導体レーザ装置の共振器面と同一の面に複数の受光部
を備えた光検出部を形成したことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31422088A JPH02159083A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31422088A JPH02159083A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159083A true JPH02159083A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18050730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31422088A Pending JPH02159083A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1033793A4 (en) * | 1998-07-14 | 2001-04-18 | Sharp Kk | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31422088A patent/JPH02159083A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1033793A4 (en) * | 1998-07-14 | 2001-04-18 | Sharp Kk | SEMICONDUCTOR LASER DEVICE |
| US6456635B1 (en) | 1998-07-14 | 2002-09-24 | Sharp Kabushiki Kaishiki | Semiconductor laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5717674A (en) | Three-beam generating diffraction grating, transmission type holographic optical element and optical pickup apparatus using the same | |
| US3969576A (en) | Apparatus for reading a record carrier with an optical information structure | |
| JPH02159083A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05298721A (ja) | 光ヘッド | |
| JPS6258432A (ja) | 集積型光ピツクアツプヘツド | |
| JP2665336B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR19980071606A (ko) | 광 픽업 장치 및 그것을 이용한 광학 기록 매체 구동장치 | |
| JPH0447532A (ja) | 光学式ヘッド | |
| JP2795913B2 (ja) | 光ピックアップ | |
| JPH05144031A (ja) | 光学式情報再生装置 | |
| JP2002288856A (ja) | 光ピックアップ | |
| JPH05273491A (ja) | 光検知装置 | |
| KR900008404B1 (ko) | 광학식 헤드 장치 | |
| JPH05144032A (ja) | 光学式情報再生装置 | |
| JPS63193335A (ja) | 光検出装置 | |
| EP0468116B1 (en) | Signal detector | |
| KR20010113293A (ko) | 고밀도용 광헤드 및 재생신호 검출방법 | |
| JP4069525B2 (ja) | 半導体受光装置及び光ディスク装置 | |
| JPH11306574A (ja) | 受光素子一体型半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置 | |
| JP2706017B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPH0642355Y2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2650646B2 (ja) | トラッキング誤差検出装置 | |
| JPH0254586A (ja) | 半導体装置 | |
| KR19980020723A (ko) | 파워 모니터링 기능을 구비한 레이저 다이오드 | |
| JP3163184B2 (ja) | 半導体レーザ装置 |