JPH02163943A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02163943A
JPH02163943A JP63318967A JP31896788A JPH02163943A JP H02163943 A JPH02163943 A JP H02163943A JP 63318967 A JP63318967 A JP 63318967A JP 31896788 A JP31896788 A JP 31896788A JP H02163943 A JPH02163943 A JP H02163943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
circuit chip
semiconductor integrated
island
high heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP63318967A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Kusaka
健一 日下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH02163943A publication Critical patent/JPH02163943A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07351Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
    • H10W72/07352Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in structures or sizes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/30Die-attach connectors
    • H10W72/321Structures or relative sizes of die-attach connectors

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置に関して、特に半導体集積回路
チップとリードフレームのアイランドとの熱膨張率の違
いによる熱応力を緩和するとともに、高い放熱性を確保
するものである。
〔従来の技術〕
第2図は従来の半導体装置を示す側面断面図であり、図
において、1は半導体集積回路チップ、2はこの半導体
集積回路チップ1を搭載するアイランド、3は前記半導
体s積回路チップ1をアイランド2に固定させるための
接合材である。
次に動作について説明する。従来の半導体装置は、上記
の様に構成され、アイランド2上に接合材3を介して半
導体集積回路チップ1を接合する。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記の様な従来の半導体装置では、半導体集積回路チッ
プ1をアイランド2に接合する場合、その接合材3が半
田等の場合は、半田が液体となり半導体集積回路チップ
1とアイランド2の全面にわたって広がりそれらを接合
する。
さらに、高温で接合するため、接合後に半導体集積回路
チップ1とアイランド2の材質の熱lij張率の違いに
よる熱応力が発生し、最悪の場合は、半導体集積回路チ
ップ1が割れるという問題点があった。
また、特にアイランド2(すなわちリードフレーム材)
の材質が高い放熱性を有するものは、半導体集積回路チ
ップ1との熱膨張率の違いがより大きくなるので、この
種の材質のアイランドの使用が制限されていた。
この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、半導体集積回路チップとアイランド部の熱膨張
率の違いによる熱応力を緩和させると同時に高い放熱性
が確保できる半導体装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、半導体集積回路チップと
アイランド部を接続するための接合材を、中心部分は高
い熱伝導性の薄い金属箔で、その外側を半田とし、更に
接合材の大きさは半導体集積回路チップおよびアイラン
ド部の接する面積よりも小さくして、半導体集積回路チ
ップとアイランドの一部のみが接続する様にしたもので
ある。
〔作用〕
この発明においては、半導体集積回路チップとアイラン
ドの一部の面積のみしか接続していないため、熱膨張率
の違いによる部材の伸縮があっても、その発生する応力
は小さくなる。さらに高い熱伝導性を持つが半導体集積
回路チップとの熱膨張率が大きく違うアイランドを使用
する事ができ、高い放熱性をもつ半導体装置が得られる
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図であり、1は半導体集積回路チップ、2は半導体集
積回路チップ1を搭載するアイランド、4は前記半導体
集積回路チップ1をアイランド2上に固定するための接
合材であり、その中心部分を高い熱伝導性を有する薄い
金属箔4aとし、その両側を半田4hとした接合材であ
る。
上記のように構成された半導体装置において、接合材4
は半導体集積回路チップ1とアイランド2を接合する場
合、外側の半田4bが液体となって流れて接合されるが
、この中心部の金属箔が半導体集積回路チップ1の裏面
に比べその面積が十分に小さいため、結果的に半導体集
積回路チップ1とアイランド2は一部のみ接続されるこ
とになる。
その結果、接続後の温度下降時半導体集積回路チップ1
とアイランド2の熱膨張率の違いにより、部材が伸縮す
るが、一部の接合面でのみ接続されているため、応力が
ほとんど加わらない。
〔発明の効果〕
以上の様にこの発明によれば、半導体148回路チップ
とアイランド部の熱膨張率の違いにより発生する熱応力
を最小にすることができ、かつ、この効果により高い熱
伝導性を有するが熱膨張率が半導体集積回路チップと大
きく異なるアイランド(すなわちリードフレーム材)を
使用することができて、高い放熱性が得られるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す側
面断面図、第2図は従来の半導体装置を示す側面断面図
である。 図において、■は半導体集積回路チップ、2はアイラン
ド、4は接合材、4aは金属箔、4bは半田である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体集積回路チップとリードフレームのアイランド部
    とを接合固定する半導体装置において、その接合材を中
    央部が高熱伝導性の金属箔に、又その金属箔の両外側部
    を半田で構成し、前記半導体集積回路チップと前記アイ
    ランド部の一部分のみを接合したことを特徴とする半導
    体装置。
JP63318967A 1988-12-16 1988-12-16 半導体装置 Pending JPH02163943A (ja)

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JP63318967A JPH02163943A (ja) 1988-12-16 1988-12-16 半導体装置

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JPH02163943A true JPH02163943A (ja) 1990-06-25

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017045528A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 ウシオ電機株式会社 光源装置及び蛍光板アッセンブリ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017045528A (ja) * 2015-08-24 2017-03-02 ウシオ電機株式会社 光源装置及び蛍光板アッセンブリ

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