JPH02164011A - Ｆｅ―Ａｌ―Ｓｉ系高透磁率合金薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は磁気ヘッド等を用いて好適なＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系高透磁率合金（センダスト）薄膜に関する。

（ロ）従来の技術 近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録分
野においては、高密度記録化が進んでおり、それらの要
素技術においては素子の小型化、信号の広帯域化が中心
に行われている。このため、磁気記録用磁気ヘッド材料
においても、フェライト、センダスト、パーマロイ合金
等よりなるバルク状の軟磁性材料では十分に対応出来ず
、Ｎｉ　−Ｆ　ｅ系合金（パー７０イ）、Ｆｅ−ＡＡ−
Ｓｉ系合金（センダスト）　ｃｏ系アモルファス合金等
の軟磁性材料をスパッタリング、蒸着等により被着形成
した薄膜磁気ヘッドが注目されている。上記軟磁性材料
のうち特にＦｅ−ＡＸ−Ｓｉ系合金（Ｆｅ：８０〜９０
ｗｔ％、Ａｎ！：３〜１０ｗｔ％、Ｓ　ｉ　：　４〜１
５ｗｔ％）は媒体の高抗磁力化に対応出来る十分な飽和
磁束密度をもち実用化が最も進んでいる。しかし乍ら、
このＦｅ−ＡＪ！−Ｓｉ系合金においてもバルク材料で
は大変優れた軟磁性を示すが、薄膜化した場合、高透磁
率化、低抗磁力化の点で十分に満足出来る値が得られて
いない。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
抗磁力が低く且つ透磁率が高い磁気ヘッド用のコア材料
に適しているＦｅ−Ａｇ−Ｓｉ系高透磁率薄膜を提供す
ることを目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明のＦｅ−Ａｌ−３ｉ系嵩高透磁率金薄膜はその結
晶構造を（２２０）面のみの配向性を有する集合組織で
構成したことを特徴とする。

更に、本発明のＦｅ−ＡＪ！−８ｉ系嵩高透磁率金薄膜
は第４〜第７周期の元素が添加されていることを特徴と
する。

（ホ）作　用 上記結晶構造の高透磁率合金薄膜は、抗磁力が低く、透
磁率が高い。

更に、第４〜第７周期の元素を添加すると上記高透磁率
合金薄膜は、耐食性、耐摩耗性等の特性が向上する。

（へ）実施例 以下、本発明の一実施例を詳細に説明する。

本実施例では、結晶化ガラスよりなる基板上にＦｅ−Ａ
Ｊ！−３ｉ系合金薄膜をスパッタリングによ’）５ｐｍ
厚被著形成した後、前記Ｆ　ｅ　−Ａ　ｌ　−Ｓｉ系合
金薄膜に真空中で５００℃の熱処理を施して試料１〜８
を形成した。

上述のスパッタリングの条件は下記に示す通りである。

試料１〜３ Ａｒガス圧　　　　　　　　７ｍＴｏｒｒ投入電力　　
　　　　　　　５００Ｗ 基択−ターゲット間距離　　７５ｍｍ 基板温度　　　　　　　　　２００℃ 試料４〜８ Ａｒガス圧　　　　　　　　５ｍＴｏｒｒ投入電力　　
　　　　　　　ｓｏｏｗ 基板−ターゲット間距Ｍ　　５０ｍｍ 基板温度　　　　　　　　　水　冷 上述の工程により形成された試料１〜８について抗磁力
Ｈｃ、透磁率μｅ及び結晶構造を調べ、その結果を下表
に示す。尚、結晶構造についてはＸ線回折（ＣｕＫａ線
）を行い、面配向を正確にするために反射面でのロッキ
ングカーブ（し、Ｃ１）を測定した。下表にはロッキン
グカーブ中の（２２０）面の半価幅（ピークの半分の大
きさの時の広がり）を示した。尚、各試料ともＦｅ−Ａ
ｌ−　Ｓ　ｉ系合金薄膜の組成は標準センダスト組成（
Ｆｅ：８５．０ｗｔ％、ＡＪ！　：　５．４ｗｔ％、Ｓ
ｉ二９．６ｗｔ％）近傍である。

上表から（２２０）面のロッキングカーブの半価幅５〜
７と小さい試料４〜８は抗磁力Ｈｃが０．１６−０．１
９０ｅと小さく、透磁率μｅが１９００〜２５００と大
きいのに対して、（２２０）面のロッキングカーブの半
価幅が１２〜１９と大きい試料１〜３は、抗磁力Ｈｃが
０．４０〜０．４６と大きく、しかも透磁率μｅが１０
１０〜１１１０と小さく磁気ヘッド用の磁性材料として
適していることが判る。

第１図は試料のＦｅ−ＡＪ！−３ｉ系合金薄膜をＸ線回
折した結果を示す図でもある。この図から判るように試
料のＦｅ−Ａｌ−８ｉ系合金薄膜の結晶構造は（２２０
）のみ配向性を有する集合組織である。

また、第２図は試料のＦｅ−Ａｌ−３ｉ系合金薄膜をＸ
線回折した結果を示す図であり、この図から判るように
試料のＦｅ−Ａｌ−３ｉ系合金薄膜の結晶構造は（２２
０）面の配向性以外に（１１１）面、（２２２）面、（
４２０）面、（４２２）面の配向性を有する集合組織で
ある。

以上の結果から判るように、結晶構造が（２２０）面の
みの配向性を有する集合組織であるＦｅ−Ａｌ−８ｉ系
合金薄膜は抗磁力Ｈｃが低く且つ透磁率μｅが高い磁性
薄膜であり、磁気ヘッドのコア材料に適している。

また、耐食性、耐摩耗性等の特性を改善するために他の
元素を添加したＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄膜においても
、結晶構造が（２２０）面のみの配向性を有する集合組
織であれば、抗磁力Ｈｅが低く且つ透磁率μｅが高くな
り磁気ヘッドのコア材料に適している。上記添加元素と
しては、Ｔｉ、Ｚｒ等のｌＶａ族元素、Ｖ、Ｎｂ等のＶ
ａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ等のＶｌａ族元素、Ｍｎ、Ｒｅ等
の■ａ族元素、Ｒｕ、Ｉｒ等の■族元素等の第４〜第７
周期元素が適しており、これらの元素は一種類または二
種類以上の組み合わせでＦｅ−ＡＸ−３ｉ系合金薄膜に
対して１０ｗｔ％以下の範囲内で添加可能である。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、抗磁力を高めることなく高透磁率を有
しており、特に磁気ヘッドのコア材料に適しているＦｅ
−Ａｌ！、−Ｓｉ系嵩高透磁率金薄膜を提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＦｅ−ＡＪ！−Ｓｉ系嵩高透磁率金薄
膜のＸ線回折の結果を示す図でもある。第２図は従来の
Ｆｅ−ＡＪ！−Ｓｉ系嵩高透磁率金薄膜のＸ線回折の結
果を示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）結晶構造を（２２０）面のみの配向性を有する集
   合組織で構成したことを特徴とするＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
   高透磁率合金薄膜。
2. （２）第４〜第７周期の元素が添加されていることを特
   徴とする請求項（１）記載のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系高透磁
   率合金薄膜。