JPH02164477A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH02164477A JPH02164477A JP63320283A JP32028388A JPH02164477A JP H02164477 A JPH02164477 A JP H02164477A JP 63320283 A JP63320283 A JP 63320283A JP 32028388 A JP32028388 A JP 32028388A JP H02164477 A JPH02164477 A JP H02164477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor wafer
- wafer
- holder
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、基板処理装置に関する。
（従来の技術）
一般に、基板処理装置では、基板例えば半導体ウェハを
基板保持部に保持して所定の処理を施すよう構成されて
いる。
基板保持部に保持して所定の処理を施すよう構成されて
いる。
例えば半導体ウェハにフォトレジストをコーティングす
るスピンコーティング装置では、基板保持部が、例えば
真空チャック等により半導体ウェハを保持しこの半導体
ウエノ１を高速回転可能に構成されており、半導体ウェ
ハ上に滴下したフォトレジストを半導体ウェハを高速回
転することにより、遠心力で均一に塗布する。なお、例
えば現像装置、スクラバー、アッシャ−等の基板処理装
置でも、同様にして真空チャック等の機構を有する基板
保持部に半導体ウエノ１を保持し、半導体ウェハを回転
させながら処理を行うものがある。
るスピンコーティング装置では、基板保持部が、例えば
真空チャック等により半導体ウェハを保持しこの半導体
ウエノ１を高速回転可能に構成されており、半導体ウェ
ハ上に滴下したフォトレジストを半導体ウェハを高速回
転することにより、遠心力で均一に塗布する。なお、例
えば現像装置、スクラバー、アッシャ−等の基板処理装
置でも、同様にして真空チャック等の機構を有する基板
保持部に半導体ウエノ１を保持し、半導体ウェハを回転
させながら処理を行うものがある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記説明の従来の基板処理装置、例えば
フォトレジスト回転塗布装置は薬液であるフォトレジス
トが支持体の基板保持部に付着し、このフォトレジスト
等の薬液が処理を行う半導体ウェハの裏面に付着して、
夾雑物として他の工程に持ち込まれるという問題と、例
えば半導体ウェハ等の基板を高速回転させる基板処理装
置では、回転始動時や停止時の大きなイナーシャによっ
て基板保持部と半導体ウェハとの間に強力な位置ずれが
生じ、この時の摩擦によりパーティクルが発生するとい
う問題がある。
フォトレジスト回転塗布装置は薬液であるフォトレジス
トが支持体の基板保持部に付着し、このフォトレジスト
等の薬液が処理を行う半導体ウェハの裏面に付着して、
夾雑物として他の工程に持ち込まれるという問題と、例
えば半導体ウェハ等の基板を高速回転させる基板処理装
置では、回転始動時や停止時の大きなイナーシャによっ
て基板保持部と半導体ウェハとの間に強力な位置ずれが
生じ、この時の摩擦によりパーティクルが発生するとい
う問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、基板保持部と基板との接触により基板に薬液が付着し
たり、基板保持部と基板との摩擦によりパーティクルが
発生したりすることを防止することのできる基板処理装
置を提供しようとするものである。
、基板保持部と基板との接触により基板に薬液が付着し
たり、基板保持部と基板との摩擦によりパーティクルが
発生したりすることを防止することのできる基板処理装
置を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、基板保持部で基板に処理を施す基板
処理装置において、前記基板保持部と前記基板との間に
気体流を形成し、この気体流により前記基板を前記基板
保持部上に非接触の状態で保持しながら前記処理を行う
ことを特徴とする。
処理装置において、前記基板保持部と前記基板との間に
気体流を形成し、この気体流により前記基板を前記基板
保持部上に非接触の状態で保持しながら前記処理を行う
ことを特徴とする。
（作 用）
本発明の基板処理装置では、基板保持部と基板との間に
気体流を形成し、この気体流により基板を基板保持部上
に非接触の状態で保持しながら処理を行うよう構成され
ている。
気体流を形成し、この気体流により基板を基板保持部上
に非接触の状態で保持しながら処理を行うよう構成され
ている。
したがって、基板保持部と基板との接触により基板にフ
ォトレジスト等の薬液が付着したり、基板保持部と基板
との摩擦によりパーティクルが発生したりすることを防
止することができる。
ォトレジスト等の薬液が付着したり、基板保持部と基板
との摩擦によりパーティクルが発生したりすることを防
止することができる。
（実施例）
以下、本発明をスピンコーティング装置に適用〔た実施
例を図面を参照して説明する。
例を図面を参照して説明する。
スピンコーティング装置１には、基板例えばほぼ円板状
に形成された半導体ウェハ２を保持するウェハ保持部３
が設けられている。
に形成された半導体ウェハ２を保持するウェハ保持部３
が設けられている。
上記ウェハ保持部３は、はぼ円板状に形成されており、
このウェハ保持部３の上面には、半導体ウェハ２の形状
に合せて半導体ウェハ２の直径よりやや大径に形成され
た円形の凹陥部４が形成されている。
このウェハ保持部３の上面には、半導体ウェハ２の形状
に合せて半導体ウェハ２の直径よりやや大径に形成され
た円形の凹陥部４が形成されている。
また、この凹陥部４には、多数の気体吹き出し口５と気
体吸い込み口６が設けられており、これらの気体吹き出
し口５および気体吸い込み口６は、それぞれ図示しない
気体送出装置および気体排出装置に接続されている。す
なわち、これらの気体吹き出し口５および気体吸い込み
口６により、ウェハ保持部３には図示矢印の如く気体流
が形成され、凹陥部４の上方に間隔例えば０．１〜５ｎ
ｕｎを設けて非接触で半導体ウェハ２が保持可能に構成
されている。さらに、ウェハ保持部３の下側中央部には
、図示しない駆動機構に接続された回転軸７が設けられ
ており、ウェハ保持部３を、例えば毎分１０００〜５０
００回転程度の回転数で回転可能に構成されている。
体吸い込み口６が設けられており、これらの気体吹き出
し口５および気体吸い込み口６は、それぞれ図示しない
気体送出装置および気体排出装置に接続されている。す
なわち、これらの気体吹き出し口５および気体吸い込み
口６により、ウェハ保持部３には図示矢印の如く気体流
が形成され、凹陥部４の上方に間隔例えば０．１〜５ｎ
ｕｎを設けて非接触で半導体ウェハ２が保持可能に構成
されている。さらに、ウェハ保持部３の下側中央部には
、図示しない駆動機構に接続された回転軸７が設けられ
ており、ウェハ保持部３を、例えば毎分１０００〜５０
００回転程度の回転数で回転可能に構成されている。
また、上記ウェハ保持部３の上部には、レジスト供給源
８から半導体ウェハ２上面のほぼ中央部にフォトレジス
トを供給するためのノズル９が設けられており、ウェハ
保持部３の周囲には、コータカップ１０が設けられ、ス
ピンコーティング中のレジストの飛散を防止するように
構成されている。
８から半導体ウェハ２上面のほぼ中央部にフォトレジス
トを供給するためのノズル９が設けられており、ウェハ
保持部３の周囲には、コータカップ１０が設けられ、ス
ピンコーティング中のレジストの飛散を防止するように
構成されている。
上記構成のこの実施例のスピンコーティング装置１では
、例えば図示しない搬送用アーム等により半導体ウェハ
２をウェハ保持部３の凹陥部４の上方に搬送する。この
後、ウェハ保持部３は上述したように、気体吹き出し口
５から気体例えば空気を流速例えば０．０１〜０．１＋
ｎ／Ｓで噴出させるとともに、気体吸い込み口６からこ
の空気の一部を流速例えば０〜０．０１ ｍ／Ｓで排気
することにより、図示矢印の如く空気流を形成し、半導
体ウェハ２を凹陥部４の上方に間隔例えば２〜５ｆｆ１
ｍを設けて非接触で保持する。すなわち、半導体ウニ／
Ｘ２をウェハ保持部３に接触させない。そして、この状
態で上述の搬送用アーム等を引き抜き、しかる後空気流
を調節することにより半導体ウェハ２と凹陥部４との間
隔を例えば０，１〜１．ＯＩ程度に減少させる。
、例えば図示しない搬送用アーム等により半導体ウェハ
２をウェハ保持部３の凹陥部４の上方に搬送する。この
後、ウェハ保持部３は上述したように、気体吹き出し口
５から気体例えば空気を流速例えば０．０１〜０．１＋
ｎ／Ｓで噴出させるとともに、気体吸い込み口６からこ
の空気の一部を流速例えば０〜０．０１ ｍ／Ｓで排気
することにより、図示矢印の如く空気流を形成し、半導
体ウェハ２を凹陥部４の上方に間隔例えば２〜５ｆｆ１
ｍを設けて非接触で保持する。すなわち、半導体ウニ／
Ｘ２をウェハ保持部３に接触させない。そして、この状
態で上述の搬送用アーム等を引き抜き、しかる後空気流
を調節することにより半導体ウェハ２と凹陥部４との間
隔を例えば０，１〜１．ＯＩ程度に減少させる。
この後、ノズル９により、半導体ウェハ２上面のほぼ中
央部にレジスト供給源８からのフォトレジストを所定量
滴下し、図示しない駆動機構によりウェハ保持部３を、
例えば毎分１０００〜５０００回転程度の回転数で回転
させる。途中ウェハ保持部３をさらに高速日乾例えば１
００００回転／秒にするとさらに均一塗布が可能となる
。すると、空気の持つ粘性によりウェハ保持部３ととも
に半導体ウェハ２も回転し、この半導体ウェハ２の回転
によりフォトレジストは半導体ウェハ２上面全面に均一
に塗布される。
央部にレジスト供給源８からのフォトレジストを所定量
滴下し、図示しない駆動機構によりウェハ保持部３を、
例えば毎分１０００〜５０００回転程度の回転数で回転
させる。途中ウェハ保持部３をさらに高速日乾例えば１
００００回転／秒にするとさらに均一塗布が可能となる
。すると、空気の持つ粘性によりウェハ保持部３ととも
に半導体ウェハ２も回転し、この半導体ウェハ２の回転
によりフォトレジストは半導体ウェハ２上面全面に均一
に塗布される。
そして、フォトレジストの塗布が終了すると上述の半導
体ウェハ２０一ド時と同様に、気体流を調節することに
より半導体ウニ／＼２と凹陥部４との間隔を例えば２〜
５Ｉを設けて搬送用アーム等を挿入するための空間を形
成し、半導体ウエノ＼２のアンロードを行う。
体ウェハ２０一ド時と同様に、気体流を調節することに
より半導体ウニ／＼２と凹陥部４との間隔を例えば２〜
５Ｉを設けて搬送用アーム等を挿入するための空間を形
成し、半導体ウエノ＼２のアンロードを行う。
すなわち、上記説明のこの実施例のスピンコーティング
装置１は、ウェハ保持部３の凹陥部４内に形成された多
数の気体吹き出し口５と気体吸い込み口６とによって気
体流を形成し、この気体流によって半導体ウェハ２を基
板保持部３上方に非接触で保持するよう構成されている
。したがって、基板保持部３と半導体ウェハ２との接触
により半導体ウェハ２にフォトレジスト等の薬液が付着
したり、基板保持部３と半導体ウエノ＼２との摩擦によ
りパーティクルが発生したりすることを防止することが
できる。
装置１は、ウェハ保持部３の凹陥部４内に形成された多
数の気体吹き出し口５と気体吸い込み口６とによって気
体流を形成し、この気体流によって半導体ウェハ２を基
板保持部３上方に非接触で保持するよう構成されている
。したがって、基板保持部３と半導体ウェハ２との接触
により半導体ウェハ２にフォトレジスト等の薬液が付着
したり、基板保持部３と半導体ウエノ＼２との摩擦によ
りパーティクルが発生したりすることを防止することが
できる。
なお、上記実施例では本発明をスピンコーティング装置
に適用した実施例について説明したが、本発明はかかる
実施例に限定されるものではなく、あらゆる基板処理装
置に適用することができる。
に適用した実施例について説明したが、本発明はかかる
実施例に限定されるものではなく、あらゆる基板処理装
置に適用することができる。
特に、基板を回転させて処理を行う基板処理装置例えば
デベロッパー スクラバー、アッシャ−等に好適である
。特に、上記スピンコーテイング後のベーキング工程に
適用すると顕著に効果を呈する。すなわち、ベーキング
用加熱板によるウエノ＼のベーキングに際し、ベーキン
グプレート上にウェハを接触させないことである。具体
的には、上記したエアの吹き出し作用によりウェハを加
熱板から浮上させた状態でベーキングすることである。
デベロッパー スクラバー、アッシャ−等に好適である
。特に、上記スピンコーテイング後のベーキング工程に
適用すると顕著に効果を呈する。すなわち、ベーキング
用加熱板によるウエノ＼のベーキングに際し、ベーキン
グプレート上にウェハを接触させないことである。具体
的には、上記したエアの吹き出し作用によりウェハを加
熱板から浮上させた状態でベーキングすることである。
これにより接触した時のウェハのゴミの数は数百側あっ
たのが、数個に減少し効果は抜群である。
たのが、数個に減少し効果は抜群である。
［発明の効果コ
上述のように、本発明の基板処理装置では、基板にパー
ティクルが付着することを防止することができる。
ティクルが付着することを防止することができる。
第１図は本発明をスピンコーティング装置に適用した一
実施例の構成を示す図である。 １・・・・・・スピンコーティング装置、２・・・・・
・半導体ウェハ、３・・・・・・ウェハ保持部、４・・
・・・・凹陥部、５・・・・・・気体吹き出し口、６・
・・・・・気体吸い込み口、７・・・・・・回転軸、８
・・・・・・レジスト供給源、９・・・・・・ノズル、
１０・・・・・・コータカップ。 出願人 チル九州株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − （ほか１名） 第１図
実施例の構成を示す図である。 １・・・・・・スピンコーティング装置、２・・・・・
・半導体ウェハ、３・・・・・・ウェハ保持部、４・・
・・・・凹陥部、５・・・・・・気体吹き出し口、６・
・・・・・気体吸い込み口、７・・・・・・回転軸、８
・・・・・・レジスト供給源、９・・・・・・ノズル、
１０・・・・・・コータカップ。 出願人 チル九州株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − （ほか１名） 第１図
Claims (1)
- （１）基板保持部で基板に処理を施す基板処理装置にお
いて、 前記基板保持部と前記基板との間に気体流を形成し、こ
の気体流により前記基板を前記基板保持部上に非接触の
状態で保持しながら前記処理を行うことを特徴とする基
板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63320283A JPH02164477A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63320283A JPH02164477A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164477A true JPH02164477A (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=18119777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63320283A Pending JPH02164477A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02164477A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001041905A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-02-16 | Corning Inc | シート材料の検査装置 |
| JP2009070996A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法。 |
| JP2009277795A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009277872A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| CN105225999A (zh) * | 2015-08-21 | 2016-01-06 | 中国科学院微电子研究所 | 一种承片台 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63320283A patent/JPH02164477A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001041905A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-02-16 | Corning Inc | シート材料の検査装置 |
| JP2009070996A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 真空吸着ステージおよびそれを用いた半導体製造方法。 |
| JP2009277795A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| US8225737B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Tokyo Electron Limited | Coating apparatus and method |
| KR101224272B1 (ko) * | 2008-05-13 | 2013-01-18 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도포 장치, 도포 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| US8551563B2 (en) | 2008-05-13 | 2013-10-08 | Tokyo Electron Limited | Coating method |
| JP2009277870A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| JP2009277872A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
| US8808798B2 (en) | 2008-05-14 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Coating method |
| CN105225999A (zh) * | 2015-08-21 | 2016-01-06 | 中国科学院微电子研究所 | 一种承片台 |
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