JPH0216510Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案は基板上に形成した薄膜トランジスタの
ドレイン電極上に蛍光面を形成してなる蛍光表示
管に関するものである。

〔従来技術〕

従来この種の蛍光表示管は、第１図（断面図）
および第２図（平面図）に示すように、ガラス等
からなる絶縁性の基板１の上に形成した薄膜トラ
ンジスタ（以下TFTと称す）２と、そのドレイ
ン電極２ａの上に形成した蛍光面３と、この蛍光
面３の上方に張設したカソード４および蛍光面３
とカソード４との間に張設したグリツドメツシユ
５とによつて構成される。なお、図において２ｂ
は薄膜トランジスタ２を構成するゲート電極、２
ｃはゲート絶縁層、２ｄは半導体層、２ｅはソー
ス電極、また、６はオーバーコート層であり、ド
レイン電極２ａはこのオーバーコート層６を貫通
するスルーホール７を通してその表面まで引出さ
れ、蛍光面用電極２a′を構成している。半導体層
２ｄとしては、CdSe，Te，Si等が用いられる。

このように従来のTFTを用いた蛍光表示管に
おいては、半導体層２ｄを用いているために、こ
の半導体層２ｄに光が侵入した場合、そのオン・
オフ電流が増大するという欠点があつた。また、
蛍光面３の上方にグリツドメツシユ５を張設して
いるため、このグリツドメツシユ５により蛍光面
３に影が生じ、蛍光面３の発光パターンの品位を
低化させる欠点があつた。。

〔考案の目的および構成〕

本考案は、このような事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、TFTを用いた蛍光表示
管において、半導体層への光の侵入を防止すると
ともにグリツドメツシユにより蛍光面に影が生じ
るのを防ぐことが可能な蛍光表示管を提供するこ
とにある。

このような目的を達成するために、本考案は、
蛍光面の周囲に、半導体層を覆いかつカソードか
ら放射される電子を拡散させる遮光性の拡散電極
を設けたものである。

すなわち、TFTにおいて半導体層への光の侵
入を阻止するには半導体層上に光阻止膜を備えれ
ばよいことは一般に知られている。本考案はこの
光阻止膜を導体とし、かつ蛍光面を囲むように設
けたものである。

以下、図示する実施例を用いて本考案を詳細に
説明する。

〔実施例〕

第３図および第４図は、本考案の一実施例を示
す断面図および平面図である。これらを第１図お
よび第２図に示した従来例と対比して見れば明ら
かなように、本実施例では、蛍光面用電極２a′の
上に形成された蛍光面３をとり囲むように電子ビ
ームを拡散させる働きをし拡散電極として作用す
る補助電極８が設けられ、オーバーコート層６を
介して半導体層２ｄを覆つている。

このような構成は、例えばガラスからなる基板
１の上にAl等を蒸着することによりゲート電極
２ｂを形成し、その上にスパツタリングにより
SiO₂等からなる絶縁層２ｃを形成した後、Au等
の蒸着によりソース電極２ｅおよびドレイン電極
２ａを形成し、その上にスパツタリングにより
SiO₂等からなるオーバーコート層６を形成した
後、フオトエツチングによりスルーホール７を形
成し、その上にさらにAl等の蒸着により蛍光面
用電極２a′および補助電極８を形成し、蛍光面用
電極２ａの上に蛍光体を塗布して蛍光面３を形成
することにより得られる。

ここで、補助電極８は導電性であるとともに遮
光性を有するために、従来のグリツドメツシユと
同様に例えばカソード４に対して数10V程度の正
の電圧を印加することにより、上方に張設された
カソード４からの電子を拡散させる働きを有する
とともに、半導体層２ｄへの光の侵入を阻止する
機能を有する。

したがつて、半導体層２ｄへの光の侵入による
オン・オフ電流の増大を有効に防止することがで
きるとともに、従来用いられていたグリツドメツ
シユ５が不用となる。このため、第３図および第
４図に示したように蛍光面３の上方にはカソード
４のみが張設される。その後、これらを覆つてガ
ラス製のフエースプレートを被せ、周辺で基板１
に密封してガラス容器を形成し、内部を真空にし
て蛍光表示管が形成できる。

なお、補助電極８は上述したように導体であり
かつ光阻止膜としての機能を有するものであれば
よく、Alの他にも例えばAuやNi等を用いてもよ
い。

〔考案の効果〕

以上説明したように、本考案によれば、蛍光面
の周囲に、半導体層を覆いかつカソードから放射
される電子を拡散させる遮光性の拡散電極を設け
たことにより、半導体層への光の侵入を有効に阻
止し、TFTのオン・オフの電流の増大を防止す
ることができるとともに、グリツドメツシユが不
要となるために蛍光面に影が生じることもなくな
り、発光パターンの品位を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来の蛍光表示管の構成
例を示す断面図および平面図、第３図および第４
図は本考案の一実施例を示す断面図および平面図
である。 １……基板、２……薄膜トランジスタ、２ａ…
…ドレイン電極、２a′……蛍光面用電極、２ｄ…
…半導体層、３……蛍光面、４……カソード、８
……補助電極。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板上に形成した薄膜トランジスタと、この薄
   膜トランジスタのドレイン電極に接続して形成さ
   れた蛍光面用電極と、蛍光面用電極上に形成され
   た蛍光面と、この蛍光面の上方に張設したカソー
   ドとを備えた蛍光表示管において、上記蛍光面の
   周囲に薄膜トランジスタを構成する半導体層を覆
   いかつカソードから放射される電子を拡散させる
   遮光性の拡散電極を設けたことを特徴とする蛍光
   表示管。