JPH02165121A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH02165121A JPH02165121A JP32023488A JP32023488A JPH02165121A JP H02165121 A JPH02165121 A JP H02165121A JP 32023488 A JP32023488 A JP 32023488A JP 32023488 A JP32023488 A JP 32023488A JP H02165121 A JPH02165121 A JP H02165121A
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- crystal electro
- electrode
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
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- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、液晶電気光学素子に関し、特に低抵抗と透明
電極間の光漏れ防止を兼ねた電極構造に関する。
電極間の光漏れ防止を兼ねた電極構造に関する。
[従来の技術]
近年、FSC(強誘電性スメクチック液晶)、DSTN
(ダブルス−バーツイスト型液晶)等の出現により、
液晶電気光学素子の特性は飛躍的に向上した。これに伴
い表示容量の増加、大型化がもたらされ液晶電気光学素
子の電極パターンは、微細でかつ長いものとなった。従
って電極抵抗は従来以上に低抵抗であることが要求され
る。またこれ等大容量タイプの液晶電気光学素子は、そ
の動作原理上、電極間の隙間において光漏れを起こし易
い性質を有している。即ち、FSCにおいては双安定性
のために電界のかがらない電極間では、光を透過するド
メインと透過しないドメインが共存する、一方DSTN
においては電極段差が光漏れとなる。従来、液晶電気光
学素子の透明電極としては、酸化インジウム、酸化スズ
の混合物をスパッタまたは蒸着により薄膜形成した後、
所望形状にパターン化したもの、または第2図に示した
如く透明電極上に一部金属パターンを設け、低抵抗化を
計る構造が提示されている。
(ダブルス−バーツイスト型液晶)等の出現により、
液晶電気光学素子の特性は飛躍的に向上した。これに伴
い表示容量の増加、大型化がもたらされ液晶電気光学素
子の電極パターンは、微細でかつ長いものとなった。従
って電極抵抗は従来以上に低抵抗であることが要求され
る。またこれ等大容量タイプの液晶電気光学素子は、そ
の動作原理上、電極間の隙間において光漏れを起こし易
い性質を有している。即ち、FSCにおいては双安定性
のために電界のかがらない電極間では、光を透過するド
メインと透過しないドメインが共存する、一方DSTN
においては電極段差が光漏れとなる。従来、液晶電気光
学素子の透明電極としては、酸化インジウム、酸化スズ
の混合物をスパッタまたは蒸着により薄膜形成した後、
所望形状にパターン化したもの、または第2図に示した
如く透明電極上に一部金属パターンを設け、低抵抗化を
計る構造が提示されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかし、上記従来方法では透明電極上に、金属パターン
を設ける六め、低抵抗化には効果のあるものの、電極間
の光漏れを防止できないという問題点があった。
を設ける六め、低抵抗化には効果のあるものの、電極間
の光漏れを防止できないという問題点があった。
[課題を解決するための手段]
本発明の液晶電気光学素子は、透明電極を備えた2枚の
基板間に液晶を挟持してなる液晶電気光学素子に於て、
前記基板の少なくとも一方の基板の透17/J電極の下
層の一部に、それぞれの透明電極に沿って設けられた導
電体からなる補助電極を前記透明電極と接触して設け、
しかも前記透明電極と接する面と逆側の面は、透明電極
間の隙間を略覆うことのできる大きさであり、しかも前
記透明電極間の隙間を略覆うことのできる大きさの補助
電極部は光透過を防止することを特徴とする。
基板間に液晶を挟持してなる液晶電気光学素子に於て、
前記基板の少なくとも一方の基板の透17/J電極の下
層の一部に、それぞれの透明電極に沿って設けられた導
電体からなる補助電極を前記透明電極と接触して設け、
しかも前記透明電極と接する面と逆側の面は、透明電極
間の隙間を略覆うことのできる大きさであり、しかも前
記透明電極間の隙間を略覆うことのできる大きさの補助
電極部は光透過を防止することを特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
[実施例]
第1図に、本発明の実施例における液晶電気光学素子の
断面略図を示す。図中、10は液晶セル、11は偏光板
である。液晶セルはガラスからなる基板12.13上に
パターン状に無電界ニッケルメッキを施した後、フォト
レジストパターンにより約30μm幅で電界ニッケルメ
ッキを約15μm塗布し、導電体層15を形成した。尚
この時、無電界ニッケルパターンは透過して見たとき透
明電極14の間の位置を覆うように配置した。更に、そ
の上にスクリーン印刷法でポリイミド樹脂を約15μm
塗布、焼成した後、この基板をPVA常磐上でラッピン
グした後、更に発泡ウレタン常襲上でアルミナ研暦剤を
用いて研磨して樹脂418を形成しながら金属面を露出
させた。この面上にスパッタ法によりIT○を約200
0人設けた後フォトマスクにより約300μm幅でパタ
ーニングし、透明電i14を形成した。尚、この時金属
パターン15は透明電極パターン14と同一ピッチで形
成されている。更に、この上にポリイミドからなる配向
膜を殺はラビングして液晶セル10を組み立て、液晶1
6を封入した。得られた液晶電気光学素子は、透明電極
間の光漏れが無いため優れたコントラスト特性を示し、
更に透明電極のシート抵抗は、およそ1.1Ω/口に相
当し今回用いた透明電極のシート抵抗およそ20Ω/口
に比べ極めて低い抵抗となった。又、この値は従来透明
電極上金fX電極に比べても金属部分の体摂が大きくで
きるため、約1/10程度の抵抗となり、著しく低抵抗
化ができた。
断面略図を示す。図中、10は液晶セル、11は偏光板
である。液晶セルはガラスからなる基板12.13上に
パターン状に無電界ニッケルメッキを施した後、フォト
レジストパターンにより約30μm幅で電界ニッケルメ
ッキを約15μm塗布し、導電体層15を形成した。尚
この時、無電界ニッケルパターンは透過して見たとき透
明電極14の間の位置を覆うように配置した。更に、そ
の上にスクリーン印刷法でポリイミド樹脂を約15μm
塗布、焼成した後、この基板をPVA常磐上でラッピン
グした後、更に発泡ウレタン常襲上でアルミナ研暦剤を
用いて研磨して樹脂418を形成しながら金属面を露出
させた。この面上にスパッタ法によりIT○を約200
0人設けた後フォトマスクにより約300μm幅でパタ
ーニングし、透明電i14を形成した。尚、この時金属
パターン15は透明電極パターン14と同一ピッチで形
成されている。更に、この上にポリイミドからなる配向
膜を殺はラビングして液晶セル10を組み立て、液晶1
6を封入した。得られた液晶電気光学素子は、透明電極
間の光漏れが無いため優れたコントラスト特性を示し、
更に透明電極のシート抵抗は、およそ1.1Ω/口に相
当し今回用いた透明電極のシート抵抗およそ20Ω/口
に比べ極めて低い抵抗となった。又、この値は従来透明
電極上金fX電極に比べても金属部分の体摂が大きくで
きるため、約1/10程度の抵抗となり、著しく低抵抗
化ができた。
上記実施例は、本発明の一部を示すもので、導電体とし
てニッケルで示したが他の金属、導電性樹脂または、そ
れ等を組み合わせても同様に可能である。更に金属、樹
脂の形成方法、厚み、研磨研削条件等は、任意に選択さ
れるもので、本実施例条件に限定されるものではなく、
又透明電極の下の樹脂層を着色してカラーフィルタとし
て用いた場合でも同様に可能である。
てニッケルで示したが他の金属、導電性樹脂または、そ
れ等を組み合わせても同様に可能である。更に金属、樹
脂の形成方法、厚み、研磨研削条件等は、任意に選択さ
れるもので、本実施例条件に限定されるものではなく、
又透明電極の下の樹脂層を着色してカラーフィルタとし
て用いた場合でも同様に可能である。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、液晶電気光学素子の
透明電極間の光漏れを防止してしかも低抵抗化が可能で
あるため、表示特性の憬れた、大型で大容量の液晶電気
光学素子が容易に得られる効果を有する。
透明電極間の光漏れを防止してしかも低抵抗化が可能で
あるため、表示特性の憬れた、大型で大容量の液晶電気
光学素子が容易に得られる効果を有する。
第1図は、本発明の実施例における液晶電気光学素子の
断面略図を示す。 第2図は従来の液晶電気光学素子の断面略図を示す。 106 液晶セル 11、偏光板 126 基板 13、基板 14、透明電極 15、導電体層 16、液晶 17、シール材 18、樹脂層 以上 第2図
断面略図を示す。 第2図は従来の液晶電気光学素子の断面略図を示す。 106 液晶セル 11、偏光板 126 基板 13、基板 14、透明電極 15、導電体層 16、液晶 17、シール材 18、樹脂層 以上 第2図
Claims (1)
- (1)透明電極を備えた2枚の基板間に液晶を挟持して
なる液晶電気光学素子に於て、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極の下層の一部に、それぞれの透明電
極に沿って設けられた導電体からなる補助電極を前記透
明電極と接触して設け、しかも前記透明電極と接する面
と逆側の面は、透明電極間の隙間を略覆うことのできる
大きさであり、しかも前記透明電極間の隙間を略覆うこ
とのできる大きさの補助電極部は光透過を防止すること
を特徴とする液晶電気光学素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32023488A JPH02165121A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32023488A JPH02165121A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165121A true JPH02165121A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18119222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32023488A Pending JPH02165121A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04350820A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Nec Corp | 液晶素子 |
| EP0814142A3 (en) * | 1996-06-17 | 1998-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and liquid crystal apparatus |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32023488A patent/JPH02165121A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04350820A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Nec Corp | 液晶素子 |
| EP0814142A3 (en) * | 1996-06-17 | 1998-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and liquid crystal apparatus |
| EP1088877A3 (en) * | 1996-06-17 | 2001-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and liquid crystal apparatus |
| US6252641B1 (en) | 1996-06-17 | 2001-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device and liquid crystal apparatus |
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