JPH0216534B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子レンジ、工業用加熱装置等に用い
るマグネトロンに関するものである。

一般に、マグネトロンは強力な高周波電波を発
生するために、外部の回路部品や周辺のテレビ、
ラジオ等に雑音電波障害をもたらすという問題が
ある。このため、従来のマグネトロンにおいて
は、陰極回路にフイルタを設けて電源ラインに漏
れる雑音電波を押えるようにしているが、陰極を
支持するサポータはアルミナセラミツクによつて
固定したり、陽極との絶縁保持を行なう構造であ
るために、陰極に伝播した雑音電波はこのセラミ
ツクでは何ら減衰することなく、マグネトロンの
真空本体から外部へ放射されて外部回路に入り、
この外部回路を加熱したり、誤動作させたり、ま
た部品を焼損させたりするという問題を起こして
いた。

この問題を解決するために、セラミツクにフエ
ライト等を適当な組成で混合させて電波吸収性の
性質を与えたものが考えられているが、このよう
なマグネトロンでは、絶縁性を十分にとろうとす
ると電波吸収性が不十分になり、また電波吸収性
を十分に得ようとすると絶縁性が低下するという
相反性が生じ、満足な特性のマグネトロンは得ら
れないという問題があつた。

本発明は、従来のこのような問題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、
陰極の絶縁が十分に保持されるとともに外部に雑
音電波が放射するのを十分に防げるようなマグネ
トロンを提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明は、
陰極を支持するサポータに近接して表面をSiCに
変成せしめたカーボンの成形体を設けたものであ
る。

以下、本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。

第１図は本発明に係るマグネトロンの一実施例
の要部断面図である。図において、１はフイラメ
ント陰極、２はフイラメント陰極１の一端を保持
する上部エンドシールド、３はその他端を保持す
る下部エンドシールド、３ａは下部エンドシール
ド３の中空孔、４は上部エンドシールド２を支持
するモリブデン棒からなるセンタサポート、５は
下部エンドシールド３を支持するモリブデン棒か
らなるサイドサポート、６ａ，６ｂはセンタサポ
ート４、サイドサポート５にそれぞれろう付けさ
れた金属片、７は陽極（図示せず）に接続された
金属筒体８と金属片６ａ，６ｂの間を絶縁支持す
るための陰極側絶縁体、９はセンタサポート４と
サイドサポート５を固定し、外部からの振動、衝
撃による陰極の過度の変位を防止するための絶縁
スペーサ、１０は絶縁スペーサ９の落下を防止す
るためにサイドサポート５にろう付けした金属リ
ングである。このようなマグネトロンの陰極部構
造は、形状的には従来のものと同じであるが、陰
極側絶縁体７と絶縁スペーサ９の材料が異なつて
いる。

すなわち、絶縁スペーサ９は、第２図に横断面
図を示すように、カーボンを所定形状に成形した
基部９ａとこの基部９ａの全表面を処理してSiC
に変成させた表面層９ｂとからなる。ここで、基
部９ａは導電性を有し表面層９ｂは絶縁性を有し
ているため、絶縁スペーサ９は強力な電波吸収性
と表面絶縁性を兼ね備えていることになる。絶縁
スペーサ９にはその孔にセンタサポート４および
サイドサポート５が貫通しているが、これらの孔
の内面も表面層９ｂが形成されているために各サ
ポート間は絶縁され短絡することはない。また、
比較的薄い表面層９ｂの下は導電性のカーボンが
多量に存在しているため、サポートに伝播された
雑音電波はカーボン中に流れ極めて有効的に吸収
される。

また、陰極側絶縁体７も絶縁スペーサ９と同様
にカーボンからなる基部とその全表面に形成され
たSiCからなる表面層とからなる。したがつて、
絶縁スペーサ９で吸収しきれなかつた雑音電波は
ここで十分に吸収され外部に漏れなくなる。また
サポータ４，５および金属片６ａ，６ｂと金属筒
体８とは十分に絶縁される。なお、陽極と陰極の
間には4KV以上の高電圧が印加されるので、陰
極側絶縁体７のSiCからなる表面層は、絶縁スペ
ーサ９の表面層９ｂよりは厚く形成して絶縁性を
高める必要がある。

この実施例の絶縁スペーサはサポートを通す孔
を貫通孔にしたが、第３図、第４図に示す平面図
のように、溝または分割孔に形成することもでき
る。

第５図は他の実施例の要部断面図である。図に
おいて、第１図と同一部分には同一符号を付して
ある。１１はセンタサポート４およびサイドサポ
ート５に固定し、外周面を金属筒体８にて保持し
た絶縁スペーサであり、第１図に示した絶縁スペ
ーサと同様に、カーボンの基部とその全表面に形
成されたSiCの表面層とからなる。この絶縁スペ
ーサ１１は両サポート間を伝播する雑音電波を吸
収するとともに、陽極側の金属筒体８と陰極側の
サポートとの間を伝播する雑音電波も吸収するこ
とができ、外部に漏れる雑音電波を低減する効果
はさらに増大する。

第６図は他の実施例の要部断面図である。図に
おいて、１２は中空孔３ａに挿入して下部エンド
シールド３を介してセンタサポート４とサイドサ
ポート５を固定する絶縁スペーサ、１３は絶縁ス
ペーサ１２の落下を防止するためにセンタサポー
ト４にろう付けした金属リングである。この絶縁
スペーサ１２も、第１図に示した絶縁スペーサと
同様に、カーボンの基部とその全表面に形成され
たSiCの表面層とからなる。この実施例では絶縁
スペーサ１２を小形に形成することができる。他
の部分の構成は第１図と同様である。

以上の実施例では、絶縁スペーサおよび陰極側
絶縁体の両方にカーボンの基体にSiCの表面層を
形成したものを示したが、その一方のものには従
来のアルミナセラミツクを用いることもできる。
また、陰極支持のサポータの構造は同軸形の構造
にすることも可能である。

このように、本発明に係るマグネトロンによる
と、陰極サポータに近接して表面をSiCに変成せ
しめたカーボンの成形体を設けることにより、表
面の良好な絶縁性によつて陰極を短絡することな
く絶縁支持することができるとともに、陰極に伝
播する雑音電波をカーボンに流して大きく減衰さ
せることが可能となり、外部回路に対する雑音障
害、部品の加熱による焼損等の事故を防止でき、
安全性を向上できる。

また、カーボンもSiCも極めて耐熱性が高く、
かつ表面をSiCによつて覆われているので成形体
の機械的強度は高くなり、耐振性、耐衝性が大き
くなつて信頼性が向上する。また、成形体は小形
でシンプルな形状に形成できるので、コストが安
くしかもコンパクトなマグネトロンが得られる。

さらに、表面のSiCは黒色なので熱の輻射が極
めて良好になり、陰極の熱を効率よく放散せしめ
信頼性を向上できる。

このように、本発明によると数多くの優れた効
果が得られる。

なお、本願では陰極側絶縁体と絶縁スペーサの
両方に表面をSiCに変成せしめたカーボンを適用
するよう説明したがどちらか一方のみに適用して
もよいことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るマグネトロンの一実施例
の要部断面図、第２図は絶縁スペーサの横断面
図、第３図、第４図は絶縁スペーサの他の実施例
の平面図、第５図、第６図はそれぞれ他の実施例
の要部断面図である。 １……フイラメント陰極、２……上部エンドシ
ールド、３……下部エンドシールド、４……セン
タサポート、５……サイドサポート、６ａ，６ｂ
……金属片、７……陰極側絶縁体、８……金属筒
体、９……絶縁スペーサ、９ａ……基部、９ｂ…
…表面層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 陰極を支持するサポータに近接して少なくと
   も表面をSiCに変成せしめたカーボンの成形体を
   設けたことを特徴とするマグネトロン。 ２ 成形体はサポータに固定させたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のマグネトロン。