JPH0216543B2 - - Google Patents
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- JPH0216543B2 JPH0216543B2 JP13700881A JP13700881A JPH0216543B2 JP H0216543 B2 JPH0216543 B2 JP H0216543B2 JP 13700881 A JP13700881 A JP 13700881A JP 13700881 A JP13700881 A JP 13700881A JP H0216543 B2 JPH0216543 B2 JP H0216543B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- magnetic yoke
- yoke
- cathode ray
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Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 81
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/58—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J29/64—Magnetic lenses
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数の電子ビームを有する磁気集束型
陰極線管装置に関する。
陰極線管装置に関する。
電子ビームの集束手段としては、静電集束方式
と磁気集束方式の両者があるが磁気集束方式の方
が高い解像度が得られる。また磁気集束方式では
フオーカス電圧の供給が不要でありこれに付随し
て陰極線管の信頼性向上及びコスト低下等の大き
なメリツトがある。特に永久磁石を磁界発生源と
する方法に於ては集束電力も不要である。第１図
は複数の電子ビームを有する磁気集束型陰極線管
の１例である。１は内部を真空に保つガラス製外
囲器、２は外囲器ネツク３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは各々
ヒーター、陰極、第１、第２電極からなる電子銃
構体、４は螢光体スクリーン、５は色選別電極、
６，６′は互いに対向した軟強磁性体磁気ヨーク、
７Ｒ，７Ｇ，７Ｂはそれぞれ電子銃構体３Ｒ，３
Ｇ，３Ｂより射出した電子ビーム軌道、８は偏向
ヨーク、９は３電子ビーム集中装置である。磁界
発生用永久磁石（図示せず）は管内に配置され
る。電子銃３Ｒ，３Ｇ，３Ｂより射出した電子ビ
ーム７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは対向した磁気ヨーク６，
６′間に形成される管軸方向磁界により集束作用
を受けスクリーン４上に最小のビームスポツトを
結ぶ。さらに３電子ビームを集中させるため集中
装置９を用いてサイドビーム７Ｒ，７Ｂをセンタ
ービーム７Ｇ方向に偏向し３ビーム集中を実施し
ている。しかしかかる電子ビーム集中方式ではス
クリーン４上のビームスポツトが縦長形状となり
好ましくない。
と磁気集束方式の両者があるが磁気集束方式の方
が高い解像度が得られる。また磁気集束方式では
フオーカス電圧の供給が不要でありこれに付随し
て陰極線管の信頼性向上及びコスト低下等の大き
なメリツトがある。特に永久磁石を磁界発生源と
する方法に於ては集束電力も不要である。第１図
は複数の電子ビームを有する磁気集束型陰極線管
の１例である。１は内部を真空に保つガラス製外
囲器、２は外囲器ネツク３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは各々
ヒーター、陰極、第１、第２電極からなる電子銃
構体、４は螢光体スクリーン、５は色選別電極、
６，６′は互いに対向した軟強磁性体磁気ヨーク、
７Ｒ，７Ｇ，７Ｂはそれぞれ電子銃構体３Ｒ，３
Ｇ，３Ｂより射出した電子ビーム軌道、８は偏向
ヨーク、９は３電子ビーム集中装置である。磁界
発生用永久磁石（図示せず）は管内に配置され
る。電子銃３Ｒ，３Ｇ，３Ｂより射出した電子ビ
ーム７Ｒ，７Ｇ，７Ｂは対向した磁気ヨーク６，
６′間に形成される管軸方向磁界により集束作用
を受けスクリーン４上に最小のビームスポツトを
結ぶ。さらに３電子ビームを集中させるため集中
装置９を用いてサイドビーム７Ｒ，７Ｂをセンタ
ービーム７Ｇ方向に偏向し３ビーム集中を実施し
ている。しかしかかる電子ビーム集中方式ではス
クリーン４上のビームスポツトが縦長形状となり
好ましくない。
本発明は集中磁界を用いて自己集中を行う磁気
集束型陰極線管装置を提供するものである。本発
明の説明を容易ならしめるためさらにくわしく従
来例につき説明する。第２図はセンタービームの
上下に永久磁石を配置したものである。第２図ａ
はネツク断面形状であり２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ
は３電子ビーム通過孔、２２は管軸方向に長手方
向を有する永久磁石であり、センタービーム通過
孔２１Ｇの上下の所定の位置に配置される第２図
ｂ，ｃは第２図ａのＹ−Y′及びＸ−X′断面形状
を示すものである。第２図に於てＺ軸は管軸とし
Ｚ＋方向にスクリーンがあるとして説明する。永
久磁石２２はＺ−方向端面がＮ極にＺ＋方向端面
がＳ極に着磁されている。垂直断面第２図ｂに於
てＮ極に発した磁力線は磁気ヨーク２３内部を通
り相対向する磁気ヨーク２３′とのギヤツプ部で
漏えいしＺ＋方向集束磁界を形成し磁気ヨーク２
３′に吸収されＳ極にもどる。しかしながら磁界
を完全に整形することは困難であり実際にはＮ極
より発しＺ−方向無限遠方に向う磁界及びＺ＋無
限遠方よりＳ極に入る磁界が存在する。同様のこ
とが水平断面についても生ずる。即ち第２図ｃに
於て集束主磁界は磁気ヨーク２３，２３′間にＺ
＋方向に形成されるが磁気ヨーク２３端からＺ−
方向に向う磁界及びＺ＋から磁気ヨーク２３′に
向う磁界が存在する。第２図ｄはサイドビーム孔
２１Ｒ軸上の磁界分布の概略を示すものでBxは
ビームに偏向効果を与える成分である。第３図ａ
は永久磁石３１を４個とし、サイドビーム通過孔
３２Ｂ，３２Ｒ近傍の上下に配置したものであ
る。この構成は第２図ａよりも上述のBx成分即
ち偏向磁界成分が減少する。さらに第３図ｂ，ｃ
に示す如く、永久磁石３１の前後に３ビームをと
りまく共通ヨーク３４を所定の長さに設定するこ
とにより、上述の偏向成分は大巾に減少させるこ
とが出来る。以上のように磁気ヨークの形状、永
久磁石の配置等によりほとんど偏向成分をもたな
い磁界を形成することが出来る。
集束型陰極線管装置を提供するものである。本発
明の説明を容易ならしめるためさらにくわしく従
来例につき説明する。第２図はセンタービームの
上下に永久磁石を配置したものである。第２図ａ
はネツク断面形状であり２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ
は３電子ビーム通過孔、２２は管軸方向に長手方
向を有する永久磁石であり、センタービーム通過
孔２１Ｇの上下の所定の位置に配置される第２図
ｂ，ｃは第２図ａのＹ−Y′及びＸ−X′断面形状
を示すものである。第２図に於てＺ軸は管軸とし
Ｚ＋方向にスクリーンがあるとして説明する。永
久磁石２２はＺ−方向端面がＮ極にＺ＋方向端面
がＳ極に着磁されている。垂直断面第２図ｂに於
てＮ極に発した磁力線は磁気ヨーク２３内部を通
り相対向する磁気ヨーク２３′とのギヤツプ部で
漏えいしＺ＋方向集束磁界を形成し磁気ヨーク２
３′に吸収されＳ極にもどる。しかしながら磁界
を完全に整形することは困難であり実際にはＮ極
より発しＺ−方向無限遠方に向う磁界及びＺ＋無
限遠方よりＳ極に入る磁界が存在する。同様のこ
とが水平断面についても生ずる。即ち第２図ｃに
於て集束主磁界は磁気ヨーク２３，２３′間にＺ
＋方向に形成されるが磁気ヨーク２３端からＺ−
方向に向う磁界及びＺ＋から磁気ヨーク２３′に
向う磁界が存在する。第２図ｄはサイドビーム孔
２１Ｒ軸上の磁界分布の概略を示すものでBxは
ビームに偏向効果を与える成分である。第３図ａ
は永久磁石３１を４個とし、サイドビーム通過孔
３２Ｂ，３２Ｒ近傍の上下に配置したものであ
る。この構成は第２図ａよりも上述のBx成分即
ち偏向磁界成分が減少する。さらに第３図ｂ，ｃ
に示す如く、永久磁石３１の前後に３ビームをと
りまく共通ヨーク３４を所定の長さに設定するこ
とにより、上述の偏向成分は大巾に減少させるこ
とが出来る。以上のように磁気ヨークの形状、永
久磁石の配置等によりほとんど偏向成分をもたな
い磁界を形成することが出来る。
本発明は以上述べた如きほとんど偏向磁界成分
を有しない磁気集束装置に於て、さらに３ビーム
集中を実施させるものである。
を有しない磁気集束装置に於て、さらに３ビーム
集中を実施させるものである。
以下、本発明につき詳細に説明する。
第４図は本発明の原理図である。電子ビーム４
１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは前述の如く、ほとんど偏
向成分のない磁気ヨーク４２及び４３内部を通り
磁気ヨークギヤツプ部４４に入射する。磁気ヨー
クギヤツプ部４４に於ける主磁界は、図示する如
くＺ＋（スクリーン）方向を向きかつ４１Ｒ，４
１Ｂ上ではビーム進行方向に対し所定の角θをも
ち外向き磁界成分Bxを含むようにする。当然の
ことながら電子ビーム４１Ｇ上ではＺ＋方向磁界
のみである。この時のビームの受ける力を第４図
ｂに示す。電子ビームの速度はVzのみであり、
上述のBxにより４１ＲではＹ−（下）向きに４１
ｂではＹ＋（上）向きに力を受ける。従つて、磁
気ヨークギヤツプ４４通過後は電子ビーム４１Ｒ
はＹ−（下）向き電子ビーム４１ｂはＹ＋（上）向
きの速度成分を有することとなる。陰極（ネツク
部端）側（Ｚ−）及びスクリーン側（Ｚ＋）側に
配置するヨーク４２，４２′については非対称形
状となす。即ち陰極側ヨーク４２は充分な均一磁
界を得るよう充分なＺ方向長さを有しスクリーン
側ヨーク４２′は所定の長さとする。このため第
４図aB−B′断面に於ては磁界のシールド、整形
が弱くBx成分が残つている。第４図ｃはＢ−
B′断面に於けるビームが受ける力の説明図であ
る。前述する如くこの断面での電子ビーム４１Ｒ
はVz及び−Vyである。一方磁界は、−Bz及び−
Bxをもつ。従つてビームの受ける力は、FY＝−
（−VY）×（−Bz）、FY＝（−Vz）×（−Bx）であ
り、Ｘ−方向及びＹ＋方向の力を受ける。従つ
て、電子ビーム４１Ｒは、Ｘ−方向速度とＹ＋方
向速度を得る。Ｙ＋方向速度はＡ−A′断面で受
けたＹ−方向速度成分と打ち消し合い全体として
はＹ方向速度成分が零でＸ−方向速度成分のみが
残ることとなる。逆位置にあるビーム４１Ｂでは
同様にＸ＋方向速度成分を得る。以上の様に両サ
イドビームはセンタービーム方向に集中効果を受
けることとなる。第５図は本発明に係る一実施例
の磁気ヨーク部水平断面図である。５１は陰極側
に配した３ビーム共通磁気ヨーク、５２，５２′
は本発明に係る相対向する磁気ヨーク、５１′は
スクリーン側磁気ヨークである。本発明に係る相
対向する磁気ヨーク５２，５２′は互いに対向す
る面に３ビーム独立に円筒部５３，５４及び５
３′，５４′を有する。この円筒部はセンター円筒
５３，５３′は所定の高さを有する単純円筒であ
るが両サイド円筒は傾斜した開口を有する。即
ち、陰極側磁気ヨーク５２に於ては磁気ヨーク中
心に向うに従つて高さが増加するように傾斜した
開口を有し、スクリーン側磁気ヨーク５２′に於
ては逆に磁気ヨーク中心に向うに従つて高さが減
少するように傾斜した開口をもつ、かかる形状の
磁気ヨーク５２，５２′により整形される磁界は
磁気抵抗が最小となるように磁力線が進むから、
両磁気ヨーク５２，５２′間ギヤツプの最小方向
に向きを変じる。この結果磁気ヨーク５２，５
２′間に形成される磁界は、サイド円筒５４，５
４′部では外向き成分をもつ。当然のことながら
永久磁石の極性が反転すれば逆となる。陰極側磁
気ヨーク５１はその内部の磁界を充分均一としビ
ームが実際上ほとんど偏向されないものであれば
よく３ビーム共通の磁気ヨークに限られるわけで
はない。またスクリーン側磁気ヨーク５１′はそ
の高さや形状によりスクリーン側漏えい磁界の偏
向成分を所定の値に制御するものであればよい。
１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂは前述の如く、ほとんど偏
向成分のない磁気ヨーク４２及び４３内部を通り
磁気ヨークギヤツプ部４４に入射する。磁気ヨー
クギヤツプ部４４に於ける主磁界は、図示する如
くＺ＋（スクリーン）方向を向きかつ４１Ｒ，４
１Ｂ上ではビーム進行方向に対し所定の角θをも
ち外向き磁界成分Bxを含むようにする。当然の
ことながら電子ビーム４１Ｇ上ではＺ＋方向磁界
のみである。この時のビームの受ける力を第４図
ｂに示す。電子ビームの速度はVzのみであり、
上述のBxにより４１ＲではＹ−（下）向きに４１
ｂではＹ＋（上）向きに力を受ける。従つて、磁
気ヨークギヤツプ４４通過後は電子ビーム４１Ｒ
はＹ−（下）向き電子ビーム４１ｂはＹ＋（上）向
きの速度成分を有することとなる。陰極（ネツク
部端）側（Ｚ−）及びスクリーン側（Ｚ＋）側に
配置するヨーク４２，４２′については非対称形
状となす。即ち陰極側ヨーク４２は充分な均一磁
界を得るよう充分なＺ方向長さを有しスクリーン
側ヨーク４２′は所定の長さとする。このため第
４図aB−B′断面に於ては磁界のシールド、整形
が弱くBx成分が残つている。第４図ｃはＢ−
B′断面に於けるビームが受ける力の説明図であ
る。前述する如くこの断面での電子ビーム４１Ｒ
はVz及び−Vyである。一方磁界は、−Bz及び−
Bxをもつ。従つてビームの受ける力は、FY＝−
（−VY）×（−Bz）、FY＝（−Vz）×（−Bx）であ
り、Ｘ−方向及びＹ＋方向の力を受ける。従つ
て、電子ビーム４１Ｒは、Ｘ−方向速度とＹ＋方
向速度を得る。Ｙ＋方向速度はＡ−A′断面で受
けたＹ−方向速度成分と打ち消し合い全体として
はＹ方向速度成分が零でＸ−方向速度成分のみが
残ることとなる。逆位置にあるビーム４１Ｂでは
同様にＸ＋方向速度成分を得る。以上の様に両サ
イドビームはセンタービーム方向に集中効果を受
けることとなる。第５図は本発明に係る一実施例
の磁気ヨーク部水平断面図である。５１は陰極側
に配した３ビーム共通磁気ヨーク、５２，５２′
は本発明に係る相対向する磁気ヨーク、５１′は
スクリーン側磁気ヨークである。本発明に係る相
対向する磁気ヨーク５２，５２′は互いに対向す
る面に３ビーム独立に円筒部５３，５４及び５
３′，５４′を有する。この円筒部はセンター円筒
５３，５３′は所定の高さを有する単純円筒であ
るが両サイド円筒は傾斜した開口を有する。即
ち、陰極側磁気ヨーク５２に於ては磁気ヨーク中
心に向うに従つて高さが増加するように傾斜した
開口を有し、スクリーン側磁気ヨーク５２′に於
ては逆に磁気ヨーク中心に向うに従つて高さが減
少するように傾斜した開口をもつ、かかる形状の
磁気ヨーク５２，５２′により整形される磁界は
磁気抵抗が最小となるように磁力線が進むから、
両磁気ヨーク５２，５２′間ギヤツプの最小方向
に向きを変じる。この結果磁気ヨーク５２，５
２′間に形成される磁界は、サイド円筒５４，５
４′部では外向き成分をもつ。当然のことながら
永久磁石の極性が反転すれば逆となる。陰極側磁
気ヨーク５１はその内部の磁界を充分均一としビ
ームが実際上ほとんど偏向されないものであれば
よく３ビーム共通の磁気ヨークに限られるわけで
はない。またスクリーン側磁気ヨーク５１′はそ
の高さや形状によりスクリーン側漏えい磁界の偏
向成分を所定の値に制御するものであればよい。
以上のように本発明に適用される磁気ヨークの
３ビームに与える効果は第４図を用いて説明した
通りであり詳細な説明は省略する。尚、本発明は
両サイドの傾斜開口の角度を変えることにより磁
界傾角を適宜変化させることが出来るから、３ビ
ーム集束効果も適宜に設定することが出来その汎
用性は広く製作も容易である。尚円筒部が対向す
る磁気ヨークの内部に形成されている場合であつ
ても同様の効果があることは言うまでもない。
３ビームに与える効果は第４図を用いて説明した
通りであり詳細な説明は省略する。尚、本発明は
両サイドの傾斜開口の角度を変えることにより磁
界傾角を適宜変化させることが出来るから、３ビ
ーム集束効果も適宜に設定することが出来その汎
用性は広く製作も容易である。尚円筒部が対向す
る磁気ヨークの内部に形成されている場合であつ
ても同様の効果があることは言うまでもない。
以上の様に本発明によれば磁気集束装置自身に
より３ビーム集中が実施され、磁気集束方式の利
点を最大限活かし、良好で信頼性の高い磁気集束
型陰極線装置が提供できる。
より３ビーム集中が実施され、磁気集束方式の利
点を最大限活かし、良好で信頼性の高い磁気集束
型陰極線装置が提供できる。
第１図は磁気集束型陰極線管装置の一例を示す
概略構成図、第２図ａ及び第３図ａは第１図の永
久磁石配置例を示すネツク断面図、第２図ｂ乃至
ｄ及び第３図ｂ乃至ｃは同じくネツク側面図及び
磁界分布を説明する為の概略図、第４図ａ乃至ｃ
は本発明の原理を説明するための側面図及び断面
図、第５図は本発明の一実施例に係る磁気ヨーク
部を示す概略水平断面図である。 ４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ……電子ビーム、４
２，４２′，４３，４３′……磁気ヨーク、４４…
…磁気ヨークギヤツプ部、５１，５１′……共通
磁気ヨーク、５２，５２′……相対向磁気ヨーク、
５３，５３′，５４，５４′……円筒部。
概略構成図、第２図ａ及び第３図ａは第１図の永
久磁石配置例を示すネツク断面図、第２図ｂ乃至
ｄ及び第３図ｂ乃至ｃは同じくネツク側面図及び
磁界分布を説明する為の概略図、第４図ａ乃至ｃ
は本発明の原理を説明するための側面図及び断面
図、第５図は本発明の一実施例に係る磁気ヨーク
部を示す概略水平断面図である。 ４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ……電子ビーム、４
２，４２′，４３，４３′……磁気ヨーク、４４…
…磁気ヨークギヤツプ部、５１，５１′……共通
磁気ヨーク、５２，５２′……相対向磁気ヨーク、
５３，５３′，５４，５４′……円筒部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 硝子製外囲器とこの外囲器ネツク部内に封入
されインライン配列の３個の電子ビームを射出
し、制御手段を備えた電子銃と前記外囲器パネル
内面に塗布形成された螢光面及び螢光面近傍に配
設したシヤドウマスクを主たる要素として構成さ
れる陰極線管であつて、前記電子ビームの集束手
段として管軸方向磁界発生用永久磁石と磁界整形
用磁気ヨークを備えた磁気集束型陰極線管装置に
於て、互いに対向する前記磁気ヨークは少くとも
３個の円筒状部分を有し、かつ前記円筒状部分の
うち両サイド円筒の形状は前記ネツク部端側の磁
気ヨークに於ては、センター円筒側の高さが他方
の高さより高くなるように傾斜した開孔を有し、
他方の磁気ヨークに於てはセンター円筒側の高さ
が他方の高さより低くなるように傾斜した開孔を
有していることを特徴とする磁気集束型陰極線管
装置。 ２ 電子ビームを射出する陰極から一対の相対向
する磁気ヨーク間の領域に於てはサイドビーム軸
上ラジアル磁界成分が極力小さくまた、上記一対
の相対向する磁気ヨークとスクリーン間に於ては
サイドビーム軸上に所定のラジアル磁界成分が形
成されるように磁気ヨークを前後で非対称とした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気集束型陰極線管装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13700881A JPS5840754A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 磁気集束型陰極線管装置 |
| US06/411,364 US4495439A (en) | 1981-09-02 | 1982-08-25 | Magnetic focusing type cathode ray tube |
| EP82107819A EP0073472B1 (en) | 1981-09-02 | 1982-08-25 | Magnetic focusing type cathode ray tube |
| DE8282107819T DE3275332D1 (en) | 1981-09-02 | 1982-08-25 | Magnetic focusing type cathode ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13700881A JPS5840754A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 磁気集束型陰極線管装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840754A JPS5840754A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH0216543B2 true JPH0216543B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=15188647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13700881A Granted JPS5840754A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 磁気集束型陰極線管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840754A (ja) |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13700881A patent/JPS5840754A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840754A (ja) | 1983-03-09 |
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