JPH02165618A - 半導体素子の製造装置 - Google Patents
半導体素子の製造装置Info
- Publication number
- JPH02165618A JPH02165618A JP63321674A JP32167488A JPH02165618A JP H02165618 A JPH02165618 A JP H02165618A JP 63321674 A JP63321674 A JP 63321674A JP 32167488 A JP32167488 A JP 32167488A JP H02165618 A JPH02165618 A JP H02165618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- supply
- nozzle
- developer
- check valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子の製造装置に関し、特にレジス
ト塗布装置ならびに現像装置のノズル部の機構に関する
ものである。
ト塗布装置ならびに現像装置のノズル部の機構に関する
ものである。
第２図は従来のレジスト塗布装置または現像装置の原理
図であり、第３図はそのレジストまたは現像液滴下用ノ
ズル部の断面図である。第２図及び第３図において、１
はノズル、１３はノズル流路、１４はＮ意供給ノズル、
１５はレジストまたは現像液のビン、１６はふた、１７
はレジストまたは現像液、１８はノズル１の固定アーム
、工９はウェハ、２０はウェハ吸引回転軸である。
図であり、第３図はそのレジストまたは現像液滴下用ノ
ズル部の断面図である。第２図及び第３図において、１
はノズル、１３はノズル流路、１４はＮ意供給ノズル、
１５はレジストまたは現像液のビン、１６はふた、１７
はレジストまたは現像液、１８はノズル１の固定アーム
、工９はウェハ、２０はウェハ吸引回転軸である。
次に動作について説明する。
第２図のＮｚ供給ノズル１４でレジストまたは現像液の
ビン１５を加圧すると、ビン１５はふた１６で密封され
ているので、レジストまたは現像液１７が押圧され、ノ
ズル１に供給される。固定アーム１８に固定された上記
ノズル１を通ったレジストまたは現像液１７はウェハ１
９上に滴下される。このとき、ウェハ１９はつ、エバ吸
引回転輪２０によって吸引されている。
ビン１５を加圧すると、ビン１５はふた１６で密封され
ているので、レジストまたは現像液１７が押圧され、ノ
ズル１に供給される。固定アーム１８に固定された上記
ノズル１を通ったレジストまたは現像液１７はウェハ１
９上に滴下される。このとき、ウェハ１９はつ、エバ吸
引回転輪２０によって吸引されている。
次に、ノズル１からのレジストまたは現像液の滴下を停
止するには、第２図のＮ、供給ノズル１４内のＮ２を減
圧すればよいが、このとき、第３図のノズル１の先端部
では、ノズル流１１１３内のレジストまたは現像液は外
気と接触したままである。
止するには、第２図のＮ、供給ノズル１４内のＮ２を減
圧すればよいが、このとき、第３図のノズル１の先端部
では、ノズル流１１１３内のレジストまたは現像液は外
気と接触したままである。
従来のレジスト塗布装置ならびに現像装置は上述のよう
なノズルを採用しているので、溶媒の蒸発によってノズ
ル内のレジストもしくは現像液の組成が変化したり、固
形物ができてノズル流路がつまるなどの問題点があった
。またゲル化した固形物を含むレジストを塗布して微細
パターンを転写すると、レジスト膜厚の不均一性が原因
となって寸法ばらつきが激しくなるという問題があった
。
なノズルを採用しているので、溶媒の蒸発によってノズ
ル内のレジストもしくは現像液の組成が変化したり、固
形物ができてノズル流路がつまるなどの問題点があった
。またゲル化した固形物を含むレジストを塗布して微細
パターンを転写すると、レジスト膜厚の不均一性が原因
となって寸法ばらつきが激しくなるという問題があった
。
この発明は、上記のような従来のものの問題点を解消す
るためになされたもので、ノズル流路に停留したレジス
トもしくは現像液の組成変動を抑えることのできる半導
体素子の製造装置を得ることを目的とする。
るためになされたもので、ノズル流路に停留したレジス
トもしくは現像液の組成変動を抑えることのできる半導
体素子の製造装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体素子の製造装置は、レジスト塗布
装置もしくは現像装置のノズル部において、レジストま
たは現像液滴下停止時は閉じている逆止弁を備えた第１
の供給部と、該逆止弁より先端、に残留したレジストま
たは現像液を洗浄し乾燥させる洗浄液及びＮ、を供給す
る第２の供給部とを備えるようにしたものである。
装置もしくは現像装置のノズル部において、レジストま
たは現像液滴下停止時は閉じている逆止弁を備えた第１
の供給部と、該逆止弁より先端、に残留したレジストま
たは現像液を洗浄し乾燥させる洗浄液及びＮ、を供給す
る第２の供給部とを備えるようにしたものである。
この発明に係る半導体素子の製造装置は、レジスト塗布
装置もしくは現像装置のノズル部において、逆止弁を備
えた第１の供給部と、該逆止弁より先端に残留したレジ
ストまたは現像液を洗浄し乾燥させる洗浄液及びＮ、を
供給する第２の供給部とを備えるようにしたので、待機
中のレジストまたは現像液を外気から遮断でき、その組
成を一定に保つことができる。
装置もしくは現像装置のノズル部において、逆止弁を備
えた第１の供給部と、該逆止弁より先端に残留したレジ
ストまたは現像液を洗浄し乾燥させる洗浄液及びＮ、を
供給する第２の供給部とを備えるようにしたので、待機
中のレジストまたは現像液を外気から遮断でき、その組
成を一定に保つことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト塗布装置の
ノズル部を示す図である６本実施例では、ノズル１はレ
ジスト供給部２と洗浄液及びＮ２供給部８とに分かれて
いる。逆止弁３とふた４はレジストが加圧されていない
時、すなわちレジストの滴下が停止している時にレジス
ト供給部２内のレジストと外気とを遮断するためのもの
である。
ノズル部を示す図である６本実施例では、ノズル１はレ
ジスト供給部２と洗浄液及びＮ２供給部８とに分かれて
いる。逆止弁３とふた４はレジストが加圧されていない
時、すなわちレジストの滴下が停止している時にレジス
ト供給部２内のレジストと外気とを遮断するためのもの
である。
上記ふた４はレジストを加圧しない時のレジスト圧に勝
るようにバネ５により逆止弁３に押しつけられる。ふた
４の円柱棒の内部を中空にし、そこにノズル１に固定し
たガイド棒６を設ける。レジストを塗布するとき、レジ
ストはレジスト供給部２から放出部７を通ってウェハ上
に放出される。
るようにバネ５により逆止弁３に押しつけられる。ふた
４の円柱棒の内部を中空にし、そこにノズル１に固定し
たガイド棒６を設ける。レジストを塗布するとき、レジ
ストはレジスト供給部２から放出部７を通ってウェハ上
に放出される。
レジストを塗布しないとき、放出部７内でレジストが乾
燥し固形化するのを防ぐため、洗浄及び乾燥を行う、そ
の洗浄及び乾燥用として、洗浄液及びＮ、供給部８、逆
止弁９、ふた１ｏ１バネ１１、ガイド棒１２を設ける。
燥し固形化するのを防ぐため、洗浄及び乾燥を行う、そ
の洗浄及び乾燥用として、洗浄液及びＮ、供給部８、逆
止弁９、ふた１ｏ１バネ１１、ガイド棒１２を設ける。
、：、（７）９，１０，１１．１２は上記３，４，５．
６と同じような働きをする。
６と同じような働きをする。
次に作用効果について説明する０以上の説明からもわか
るように、レジストを放出させる場合は、レジスト供給
部２のレジストを加圧するとレジストはふた４を押して
放出部７を満たし、ノズルの先端部より外へ放出される
。レジストの放出を停止させる場合は、レジスト供給部
２のレジストへの加圧を停止する。するとバネ５による
力でふた４は逆止弁３に押しあてられ、レジストを外気
から遮断する。放出部７に残留しているレジストは外気
に触れると乾燥して固形化してしまうので、これを洗い
流すため、洗浄液及びＮｚ供給部８に洗浄液を供給しな
がら加圧する。洗浄液はふた１０を押して放出部７を満
たし、そこに残留しているレジストとともに外へ放出さ
れる。その後電磁パルプ２１により洗浄液の供給をＮｔ
の供給に切り換え、洗浄液が乾燥するまでＮオを流す、
Ｎｔ供給を停止すると、バネ１１により逆止弁９にふた
１０が押しつけられる。
るように、レジストを放出させる場合は、レジスト供給
部２のレジストを加圧するとレジストはふた４を押して
放出部７を満たし、ノズルの先端部より外へ放出される
。レジストの放出を停止させる場合は、レジスト供給部
２のレジストへの加圧を停止する。するとバネ５による
力でふた４は逆止弁３に押しあてられ、レジストを外気
から遮断する。放出部７に残留しているレジストは外気
に触れると乾燥して固形化してしまうので、これを洗い
流すため、洗浄液及びＮｚ供給部８に洗浄液を供給しな
がら加圧する。洗浄液はふた１０を押して放出部７を満
たし、そこに残留しているレジストとともに外へ放出さ
れる。その後電磁パルプ２１により洗浄液の供給をＮｔ
の供給に切り換え、洗浄液が乾燥するまでＮオを流す、
Ｎｔ供給を停止すると、バネ１１により逆止弁９にふた
１０が押しつけられる。
このように本実施例では、ウエハヘレジストを塗布しな
い時は、逆止弁３とフタ４によりレジストと外気を遮断
し、放出部７内に残留しているレジストを供給部２より
供給される洗浄液により洗い流し、電磁パルプにより洗
浄液の供給をＮ８の供給に切り換えて洗浄液を乾燥させ
るようにしたので、外気との接触により組成が変化し固
形化したレジストでノズル先端が詰まったり、そのよう
なレジストがウェハ上に塗布されたりすることがない、
またウェハ上には常に一定の組成のレジストが均一な膜
厚で塗布されるので、レジストパターンの寸法制御性が
向上する。しかも本装置は簡単な機構で構成されている
ため安価である。
い時は、逆止弁３とフタ４によりレジストと外気を遮断
し、放出部７内に残留しているレジストを供給部２より
供給される洗浄液により洗い流し、電磁パルプにより洗
浄液の供給をＮ８の供給に切り換えて洗浄液を乾燥させ
るようにしたので、外気との接触により組成が変化し固
形化したレジストでノズル先端が詰まったり、そのよう
なレジストがウェハ上に塗布されたりすることがない、
またウェハ上には常に一定の組成のレジストが均一な膜
厚で塗布されるので、レジストパターンの寸法制御性が
向上する。しかも本装置は簡単な機構で構成されている
ため安価である。
なお、上記実施例ではレジストを供給する場合のみを示
したが、現像液を供給する場合であっても勿論よく、こ
の装置を用いて同様のプロセスで同様の効果を得ること
ができる。
したが、現像液を供給する場合であっても勿論よく、こ
の装置を用いて同様のプロセスで同様の効果を得ること
ができる。
以上のように、この発明に係る半導体素子の製造装置に
よれば、ノズル内に待機中のレジストまたは現像液を外
気から遮断し、ノズル先端部に残留したレジストまたは
現像液を洗浄し乾燥するようにしたので、レジストもし
くは現像液の成分の（経時）変化を抑えることができ、
その結果レジストパターンの寸法制御性が向上するとい
う効果がある。
よれば、ノズル内に待機中のレジストまたは現像液を外
気から遮断し、ノズル先端部に残留したレジストまたは
現像液を洗浄し乾燥するようにしたので、レジストもし
くは現像液の成分の（経時）変化を抑えることができ、
その結果レジストパターンの寸法制御性が向上するとい
う効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト塗布装置ま
たは現像装置のノズル部を示す図、第２図は従来のレジ
スト塗布装置または現像装置の原理図、第３図は第２図
の装置のノズル部の断面図である。 図において、１はノズル、２はレジスト供給部、３．９
は逆止弁、４．１０はふた、５，１１はバネ、６，１２
はガイド棒、７は放出部、８は洗浄液及びＮｔ供給部、
１３はノズル流路、１４はＮ。 供給ノズル、１５はレジストもしくは現像液のビン、１
６はふた、１７はレジストもしくは現像液、１８はノズ
ル固定アーム、１９はウェハ、２０はウェハ吸引回転軸
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １図 第２図 第３図 １９：り’ｘ／／ ２０： ）ｘ／ｌ＃ｓ’／ＢｌＮｙ ＩＡ
たは現像装置のノズル部を示す図、第２図は従来のレジ
スト塗布装置または現像装置の原理図、第３図は第２図
の装置のノズル部の断面図である。 図において、１はノズル、２はレジスト供給部、３．９
は逆止弁、４．１０はふた、５，１１はバネ、６，１２
はガイド棒、７は放出部、８は洗浄液及びＮｔ供給部、
１３はノズル流路、１４はＮ。 供給ノズル、１５はレジストもしくは現像液のビン、１
６はふた、１７はレジストもしくは現像液、１８はノズ
ル固定アーム、１９はウェハ、２０はウェハ吸引回転軸
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １図 第２図 第３図 １９：り’ｘ／／ ２０： ）ｘ／ｌ＃ｓ’／ＢｌＮｙ ＩＡ
Claims (1)
- （１）レジストまたは現像液をウェハ上に塗布するため
のレジスト塗布装置または現像装置のノズル部において
、 上記レジストまたは現像液を供給する第１の供給部と、 上記第１の供給部内に設けられ、上記レジストまたは現
像液を塗布しない時には上記レジストまたは現像液を外
気から遮断する逆止弁と、 上記逆止弁より先端の上記第１の供給部内に残留した上
記レジストまたは現像液を洗浄し、乾燥させる洗浄液及
びＮ＿２を供給する第２の供給部と、上記洗浄液とＮ＿
２の供給を切り換える電磁パルプとを備えたことを特徴
とする半導体素子の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321674A JPH02165618A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 半導体素子の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63321674A JPH02165618A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 半導体素子の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02165618A true JPH02165618A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18135150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63321674A Pending JPH02165618A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 半導体素子の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02165618A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456327U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-14 | ||
| JP2001293397A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63321674A patent/JPH02165618A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456327U (ja) * | 1990-09-25 | 1992-05-14 | ||
| JP2001293397A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-23 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
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