JPH02166283A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH02166283A JPH02166283A JP32129588A JP32129588A JPH02166283A JP H02166283 A JPH02166283 A JP H02166283A JP 32129588 A JP32129588 A JP 32129588A JP 32129588 A JP32129588 A JP 32129588A JP H02166283 A JPH02166283 A JP H02166283A
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- anode
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
プラズマ化学気相成長法を用いた絶縁膜の形成方法に関
し、 成長速度を低下させることなく、膜中の応力を連続可変
することを可能とし、絶縁膜の内部応力を任意に制御可
能とすることを目的とし、被処理基板を載置した第１の
電極と高周波電力を印加する第２の電極を所定の反応雰
囲気中に対向配置し、前記第２の電極に高周波電力を印
加して前記被処理基板に所望の絶縁膜を形成するに際し
、前記第１の電極に９の直流バイアスを印加することを
特徴とする。
し、 成長速度を低下させることなく、膜中の応力を連続可変
することを可能とし、絶縁膜の内部応力を任意に制御可
能とすることを目的とし、被処理基板を載置した第１の
電極と高周波電力を印加する第２の電極を所定の反応雰
囲気中に対向配置し、前記第２の電極に高周波電力を印
加して前記被処理基板に所望の絶縁膜を形成するに際し
、前記第１の電極に９の直流バイアスを印加することを
特徴とする。
〔産業上の利用分野］
本発明は、プラズマ化学気相成長法を用いた絶縁膜の形
成方法に関する。
成方法に関する。
近年のプラズマＣＶＤ技術の発展に伴い、この技術を用
いた大面積太陽電池、密着型センサや、画素駆動にａ−
３ｉｉ膜トランジスタを用いな大面積表示装置等が開発
され、商品化されている。
いた大面積太陽電池、密着型センサや、画素駆動にａ−
３ｉｉ膜トランジスタを用いな大面積表示装置等が開発
され、商品化されている。
これらのデバイスに用いる絶縁膜は、大面積のガラス基
板表面や、凹凸のある面に成膜されるため、下地との熱
膨張係数の違いや、各種ストレスによる内部応力が生し
、絶縁膜が破断する危険がある。そこで、絶縁膜内部に
生じる応力を自由に制御することが要求されている。
板表面や、凹凸のある面に成膜されるため、下地との熱
膨張係数の違いや、各種ストレスによる内部応力が生し
、絶縁膜が破断する危険がある。そこで、絶縁膜内部に
生じる応力を自由に制御することが要求されている。
「従来の技術］
この目的のため、放電周波数を低周波（２００Ｋｌ（、
ｚ）程度にすることにより、成膜時にイオンによる衝撃
を与えたり、被処理基板を通常はアノードにに置くのを
高周波を印加するカソード側に移してイオンによる衝撃
を増したり、或いは、反応ガスをＨ２（水素）ガスによ
り希釈したり、プラズマ放電電力を増加させたりしてい
た。
ｚ）程度にすることにより、成膜時にイオンによる衝撃
を与えたり、被処理基板を通常はアノードにに置くのを
高周波を印加するカソード側に移してイオンによる衝撃
を増したり、或いは、反応ガスをＨ２（水素）ガスによ
り希釈したり、プラズマ放電電力を増加させたりしてい
た。
このような従来方法では、膜中応力を連続的に変化する
ことが難しく、また、１］２ガスによる希釈等の技術を
用いると成膜速度が遅くなり、量産性が損なわれる。
ことが難しく、また、１］２ガスによる希釈等の技術を
用いると成膜速度が遅くなり、量産性が損なわれる。
「発明が解決しようとする課題〕
ヒ述した如〈従来方法では、膜中応力を連続的に制御す
ることができず、また成長速度が低下するといった問題
がある。
ることができず、また成長速度が低下するといった問題
がある。
本発明は、成長速度を低下させることなく、膜中の応力
を連続可変することを可能とし、絶縁膜の内部応力を任
意に制御可能とすることを目的とする。
を連続可変することを可能とし、絶縁膜の内部応力を任
意に制御可能とすることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は第１図に示すように、反応雰囲気中に第１の電
極（アノード）と第２の電極（カソード）を対向配置し
、このうち、被処理基板を載置した第１の電極を負電位
にバイアスして、第２の基板に高周波電力を印加するこ
とにより、上記被処理基板表面に所望の絶縁膜を形成す
る。
極（アノード）と第２の電極（カソード）を対向配置し
、このうち、被処理基板を載置した第１の電極を負電位
にバイアスして、第２の基板に高周波電力を印加するこ
とにより、上記被処理基板表面に所望の絶縁膜を形成す
る。
本発明では、−ヒ述の如く被処理基板側を負電位に保つ
ことにより、イオンを被処理基板表面に引き込み易くな
る。
ことにより、イオンを被処理基板表面に引き込み易くな
る。
第２図にプラズマ電位の変化を示す。
実線は従来の絶縁膜の形成方法による膜形成時における
プラズマ電位を示す。カソード側ではセルフバイアス効
果により負電位となって、イオンを呼び込み易い形とな
っているが、被処理基板が置いであるアノード側では、
接地電位となっている。従って、アノード側よりカソー
ド側の方がイオンの衝撃が大きい。
プラズマ電位を示す。カソード側ではセルフバイアス効
果により負電位となって、イオンを呼び込み易い形とな
っているが、被処理基板が置いであるアノード側では、
接地電位となっている。従って、アノード側よりカソー
ド側の方がイオンの衝撃が大きい。
これに対して本発明によりできるプラズマ電位は、アノ
ード側に負電位を印加することにより、破線で示すよう
に、アノード−カソード間のプラズマ電位を変化させる
ことなく、イオンの衝撃を増すことが可能となる。この
イオンの衝撃量はアノードの負電位を変えることによっ
て制御でき、従って外部の電位で制御が可能となる。
ード側に負電位を印加することにより、破線で示すよう
に、アノード−カソード間のプラズマ電位を変化させる
ことなく、イオンの衝撃を増すことが可能となる。この
イオンの衝撃量はアノードの負電位を変えることによっ
て制御でき、従って外部の電位で制御が可能となる。
〔実 施 例］
以下本発明の一実施例を第１ｕ〜第３図により説明する
。
。
第１図は本実施例に用いたプラズマＣＶＤ （化学気相
成長）装置を示す図で、反応室１内に対向配置したアノ
ード（第１の電極）２には、負バイアス電源７を接続し
て、アノードの電位を旬に保つ。このアノード２上に被
処理基板４を置き、反応室１内に反応ガス６を導入する
。
成長）装置を示す図で、反応室１内に対向配置したアノ
ード（第１の電極）２には、負バイアス電源７を接続し
て、アノードの電位を旬に保つ。このアノード２上に被
処理基板４を置き、反応室１内に反応ガス６を導入する
。
本実施例では、５ｉＨ＝（シラン）とＮ）Ｔ３ （アン
モニア）の混合ガスを導入し、反応圧力を例えば１０−
’Ｔｏ ｒ ｒに制御し、高周波電力源５から周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード３に供給してプ
ラズマＣＶＤ法を施し、被処理基板４表面にＳｉＮ膜を
形成した。
モニア）の混合ガスを導入し、反応圧力を例えば１０−
’Ｔｏ ｒ ｒに制御し、高周波電力源５から周波数１
３．５６ＭＨｚの高周波電力をカソード３に供給してプ
ラズマＣＶＤ法を施し、被処理基板４表面にＳｉＮ膜を
形成した。
ト記処理において、プラズマ電位は、第２図に実線■で
示す如くカソード３はセルフバイアス効果によって負□
電位となっても、アノード２を接地した場合にはアノー
ド２近傍の電位は下がらなかったのが、アノード２を負
電位に保つことによって、破線■で示すようにアノード
２近傍で負電位となり、反応室１内で生じた分解種が被
処理基板４表面に向かって強く引かれ、被処理基板４表
面にイオン衝撃を与える。
示す如くカソード３はセルフバイアス効果によって負□
電位となっても、アノード２を接地した場合にはアノー
ド２近傍の電位は下がらなかったのが、アノード２を負
電位に保つことによって、破線■で示すようにアノード
２近傍で負電位となり、反応室１内で生じた分解種が被
処理基板４表面に向かって強く引かれ、被処理基板４表
面にイオン衝撃を与える。
この反応において、アノード２の９電位を変えることに
よって、生成されたＳｉＮ膜の内部応力を種々変えるこ
とができる。第３図はアノード２の直流バイアスの値を
種々変えた場合に、得られたＳｉＮ膜の内部応力がどの
ように変化するかを示す図である。
よって、生成されたＳｉＮ膜の内部応力を種々変えるこ
とができる。第３図はアノード２の直流バイアスの値を
種々変えた場合に、得られたＳｉＮ膜の内部応力がどの
ように変化するかを示す図である。
同図の横軸は直流バイアス電圧、縦軸はＳｉＮ膜の内部
応力を示す。内部応力は引張応力を正とし、圧縮応力を
９として示す。
応力を示す。内部応力は引張応力を正とし、圧縮応力を
９として示す。
従来のアノード２を接地した条件の下では、得られたＳ
ｉＮ膜には同図にＡで示すように、大きな引張応力が存
在する。アノード２に加える負の直流バイアスを変えて
いくと、内部応力は次第に低下し、凡そ一３０Ｖを越え
たあたりから応力は貨、即ち圧縮応力に移行した。
ｉＮ膜には同図にＡで示すように、大きな引張応力が存
在する。アノード２に加える負の直流バイアスを変えて
いくと、内部応力は次第に低下し、凡そ一３０Ｖを越え
たあたりから応力は貨、即ち圧縮応力に移行した。
以北述べたように、本実施例では、被処理基板４例の電
極のアノード２を負電位とすることにより、プラズマＣ
ＶＤ法により得られた膜の内部応力を所望の値に制御す
ることができる。
極のアノード２を負電位とすることにより、プラズマＣ
ＶＤ法により得られた膜の内部応力を所望の値に制御す
ることができる。
但し、−上記第３図に示した得られた膜の応力のアノー
ドの電位に対する依存性は、各種条件によって変化する
ことは言うまでもないことである。
ドの電位に対する依存性は、各種条件によって変化する
ことは言うまでもないことである。
部応力を変化させることが可能となり、成長速度等の低
下も防ぐことができ、絶縁膜の剥離等の問題解決に寄与
するところが大きい。
下も防ぐことができ、絶縁膜の剥離等の問題解決に寄与
するところが大きい。
第１図は本発明一実施例の構成説明図、第２図は上記−
実施例の原理説明図、 第３図は上記一実施例の効果説明図である。 図において、１は反応室、２はアノード、３はカソード
、４は被処理基板、５は高周波電力源、６は反応ガス、
７は負バイアス電源を示す。 〔発明の効果〕 以北説明したように、本発明によればプラズマＣＶＤ装
置を僅かに変更するのみで、絶縁膜の内ントｊ力ぢ〔η
１偽−ブζ」ヂ七タリａｔ＼゛αしｔ丁〜Ｊ第１図 シトイト日耳−プじ廷例、、ｌ、！理りそ明２０第２図 不亮朝−虹施ｆｆＪｅｒ＋が呈説明ｍ 第３図
実施例の原理説明図、 第３図は上記一実施例の効果説明図である。 図において、１は反応室、２はアノード、３はカソード
、４は被処理基板、５は高周波電力源、６は反応ガス、
７は負バイアス電源を示す。 〔発明の効果〕 以北説明したように、本発明によればプラズマＣＶＤ装
置を僅かに変更するのみで、絶縁膜の内ントｊ力ぢ〔η
１偽−ブζ」ヂ七タリａｔ＼゛αしｔ丁〜Ｊ第１図 シトイト日耳−プじ廷例、、ｌ、！理りそ明２０第２図 不亮朝−虹施ｆｆＪｅｒ＋が呈説明ｍ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理基板を載置した第１の電極と高周波電力を印加す
る第２の電極を所定の反応雰囲気中に対向配置し、前記
第２の電極に高周波電力を印加して前記被処理基板に所
望の絶縁膜を形成するに際し、 前記第１の電極に負の直流バイアスを印加することを特
徴とする絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32129588A JPH02166283A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32129588A JPH02166283A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166283A true JPH02166283A (ja) | 1990-06-26 |
Family
ID=18130978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32129588A Pending JPH02166283A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166283A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291048A (ja) * | 1992-07-02 | 1994-10-18 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| WO1997010688A1 (en) * | 1995-09-13 | 1997-03-20 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for plasma cvd |
| US6136386A (en) * | 1996-06-27 | 2000-10-24 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method of coating polymer or glass objects with carbon films |
| US6893720B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-17 | Nissin Electric Co., Ltd. | Object coated with carbon film and method of manufacturing the same |
| DE112009004581T5 (de) | 2009-03-04 | 2012-09-06 | Fuji Electric Co., Ltd | Schichtherstellungsverfahren und Schichtherstellungsvorrichtung |
| CN106148917A (zh) * | 2015-04-03 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 利用pecvd工艺淀积薄膜的方法和pecvd装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153844A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-08 | Canon Inc | カメラの制御装置 |
| JPS6327018A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Nikon Corp | 光学素子 |
| JPS63103378A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Ricoh Co Ltd | 言語解析装置 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP32129588A patent/JPH02166283A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62153844A (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-08 | Canon Inc | カメラの制御装置 |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106148917A (zh) * | 2015-04-03 | 2016-11-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 利用pecvd工艺淀积薄膜的方法和pecvd装置 |
| CN106148917B (zh) * | 2015-04-03 | 2019-01-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 利用pecvd工艺淀积薄膜的方法和pecvd装置 |
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