JPH0216664B2 - - Google Patents
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- JPH0216664B2 JPH0216664B2 JP57051039A JP5103982A JPH0216664B2 JP H0216664 B2 JPH0216664 B2 JP H0216664B2 JP 57051039 A JP57051039 A JP 57051039A JP 5103982 A JP5103982 A JP 5103982A JP H0216664 B2 JPH0216664 B2 JP H0216664B2
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- Japan
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- switching element
- circuit
- switching
- control signal
- conductive
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
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- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インバータのアーム短絡が生じない
ようにしたスイツチング素子駆動回路に関する。
ようにしたスイツチング素子駆動回路に関する。
サイリスタ、GTOサイリスタ（ゲート・ター
ンオフ・サイリスタ）、トランジスタなどの半導
体スイツチング素子の性能向上に伴ない、商用交
流電源を一且、直流化したのち再び交流に変換す
ることにより任意の周波数の交流電源を得るよう
にした順変換一逆変換方式の静止型インバータが
誘導電動機（IMという）の駆動用などに広く用
いられるようになつてきた。
ンオフ・サイリスタ）、トランジスタなどの半導
体スイツチング素子の性能向上に伴ない、商用交
流電源を一且、直流化したのち再び交流に変換す
ることにより任意の周波数の交流電源を得るよう
にした順変換一逆変換方式の静止型インバータが
誘導電動機（IMという）の駆動用などに広く用
いられるようになつてきた。
このようなインバータの一例を第１図に示す。
図において、１は商用交流から直流を得るため
の順変換部、２は直流から３相交流を得る逆変換
部、３はIM、１０〜２０はダイオード、２２は
平滑用コンデンサ、３０〜４０はトランジスタ、
ゲート・ターンオフ・サイリスタなどのスイツチ
ング素子、４２〜５２はフリーホイールダイオー
ドである。
の順変換部、２は直流から３相交流を得る逆変換
部、３はIM、１０〜２０はダイオード、２２は
平滑用コンデンサ、３０〜４０はトランジスタ、
ゲート・ターンオフ・サイリスタなどのスイツチ
ング素子、４２〜５２はフリーホイールダイオー
ドである。
ダイオード１０〜２０は入力された三相の交流
を整流し、コンデンサ２２に供給する。従つて、
コンデンサ２２の端子間にはほぼ平滑化された直
流電圧が得られる。
を整流し、コンデンサ２２に供給する。従つて、
コンデンサ２２の端子間にはほぼ平滑化された直
流電圧が得られる。
スイツチング素子３０〜４０は図示していない
スイツチング制御回路から供給されるゲート信号
によつてオン・オフし、コンデンサ２２の端子間
に現われている直流電圧を三相の交流電圧に変換
してIM３に供給する。そして、上記したゲート
信号を制御することによりIM３に供給される三
相交流の周波数と電圧を任意に制御することがで
き、これによりIM３のトルクを一定に保つたま
までその回転速度を任意に制御することができ
る。
スイツチング制御回路から供給されるゲート信号
によつてオン・オフし、コンデンサ２２の端子間
に現われている直流電圧を三相の交流電圧に変換
してIM３に供給する。そして、上記したゲート
信号を制御することによりIM３に供給される三
相交流の周波数と電圧を任意に制御することがで
き、これによりIM３のトルクを一定に保つたま
までその回転速度を任意に制御することができ
る。
ところで、このようなインバータの逆変換部２
においては、それぞれ対をなしている第１と第２
のスイツチング素子３０と３２、３４と３６、３
８と４０とが直列に直流電圧＋Ｅと−Ｅの間に挿
入されている。
においては、それぞれ対をなしている第１と第２
のスイツチング素子３０と３２、３４と３６、３
８と４０とが直列に直流電圧＋Ｅと−Ｅの間に挿
入されている。
そして、このような対になつたスイツチング素
子（例えば、スイツチング素子３０と３２）から
なる直列回路をアームと呼んでおり、従つて、第
１図のインバータにおいては３本のアームを備
え、それらが全て直流電源間に接続されているこ
とになる。
子（例えば、スイツチング素子３０と３２）から
なる直列回路をアームと呼んでおり、従つて、第
１図のインバータにおいては３本のアームを備
え、それらが全て直流電源間に接続されているこ
とになる。
しかして、このようなインバータの逆変換部２
においては、第１図から明らかなように、各アー
ムを構成している第１と第２のスイツチング素
子、例えば３０と３２が同時に導通したとすれ
ば、直流電圧＋Ｅと−Ｅ間を短絡することにな
り、いわゆるアーム短絡となつて保護装置が作動
したり、スイツチング素子の破壊など大きな事故
の原因になつたりしてしまう。
においては、第１図から明らかなように、各アー
ムを構成している第１と第２のスイツチング素
子、例えば３０と３２が同時に導通したとすれ
ば、直流電圧＋Ｅと−Ｅ間を短絡することにな
り、いわゆるアーム短絡となつて保護装置が作動
したり、スイツチング素子の破壊など大きな事故
の原因になつたりしてしまう。
そのため、このようなインバータにおいては、
その逆変換部のアームを構成する対になつた第１
と第２のスイツチング素子が同時に導通してしま
うような事態を絶体に生じないようにしなければ
ならないため、例えば第２図に示すように、各ア
ームの第１と第２のスイツチング素子、例えば３
０と３２のスイツチング制御回路２４，２６を独
立に設け、第３図に示すように第１のスイツチン
グ素子３０の導通期間と第２のスイツチング素子
３２の導通期間に20〜100μS程度の非重なり期間
ｔを設けるような制御を行つている。なお、ここ
では、各アームを構成するスイツチング素子とし
て、トランジスタを例にとつて説明しているの
で、これに応じてゲート信号についても、以下、
ベース電流と表現しており、従つて、この第３図
の波形図でも、IB1はスイツチング素子３０のベ
ース電流を、そしてIB2はスイツチング素子３２
のベース電流をそれぞれ表わしている。
その逆変換部のアームを構成する対になつた第１
と第２のスイツチング素子が同時に導通してしま
うような事態を絶体に生じないようにしなければ
ならないため、例えば第２図に示すように、各ア
ームの第１と第２のスイツチング素子、例えば３
０と３２のスイツチング制御回路２４，２６を独
立に設け、第３図に示すように第１のスイツチン
グ素子３０の導通期間と第２のスイツチング素子
３２の導通期間に20〜100μS程度の非重なり期間
ｔを設けるような制御を行つている。なお、ここ
では、各アームを構成するスイツチング素子とし
て、トランジスタを例にとつて説明しているの
で、これに応じてゲート信号についても、以下、
ベース電流と表現しており、従つて、この第３図
の波形図でも、IB1はスイツチング素子３０のベ
ース電流を、そしてIB2はスイツチング素子３２
のベース電流をそれぞれ表わしている。
しかしながら、このように、各アームの第１と
第２のスイツチング素子ごとに独立したスイツチ
ング制御回路２４，２６を設け、かつ導通期間の
間に非重なり期間ｔを設けても、ときとして第３
図の破線で示すようなタイミングでベース電流が
流れることがあり、アーム短絡を完全に防止する
ことができなかつた。
第２のスイツチング素子ごとに独立したスイツチ
ング制御回路２４，２６を設け、かつ導通期間の
間に非重なり期間ｔを設けても、ときとして第３
図の破線で示すようなタイミングでベース電流が
流れることがあり、アーム短絡を完全に防止する
ことができなかつた。
この原因としては、次の２点が考えられてい
る。
る。
まず、１点としては、それぞれのスイツチング
制御回路２４，２６に対するノイズの混入であ
り、もう１点はスイツチング素子３０，３２の制
御電極と出力電極間に存在する容量、例えばトラ
ンジスタの場合ではベース・コレクタ間の容量
C0bのため、これら電極間での電位変化が急な場
合に、この電位変化dv／dtと容量C0bの積で決ま
る変位電流が流れ、第３図の破線のような数μS
から数10μSの長さの不要なベース電流を生じる
ことである。
制御回路２４，２６に対するノイズの混入であ
り、もう１点はスイツチング素子３０，３２の制
御電極と出力電極間に存在する容量、例えばトラ
ンジスタの場合ではベース・コレクタ間の容量
C0bのため、これら電極間での電位変化が急な場
合に、この電位変化dv／dtと容量C0bの積で決ま
る変位電流が流れ、第３図の破線のような数μS
から数10μSの長さの不要なベース電流を生じる
ことである。
そのため、従来は、これらのスイツチング制御
回路２４，２６として第４図のような回路を使用
していた。
回路２４，２６として第４図のような回路を使用
していた。
第４図において、PCaとPCbはフオトカプラな
どのいわゆる光結合制御型ゲート回路を構成して
いる発光ダイオードなどからなる発光素子とフオ
トトランジスタなどからなる受光素子であり、制
御信号が発光素子CPaに供給されると受光素子
CPbがオンし、トランジスタTR1がトランジスタ
TR2をオンさせてスイツチング素子３０に電源
E1からベース電流IB1を供給する。
どのいわゆる光結合制御型ゲート回路を構成して
いる発光ダイオードなどからなる発光素子とフオ
トトランジスタなどからなる受光素子であり、制
御信号が発光素子CPaに供給されると受光素子
CPbがオンし、トランジスタTR1がトランジスタ
TR2をオンさせてスイツチング素子３０に電源
E1からベース電流IB1を供給する。
そして、制御信号が供給されていないときに
は、トランジスタTR3がオンしていてスイツチン
グ素子３０にベース電流IB1が流れないようにす
る。
は、トランジスタTR3がオンしていてスイツチン
グ素子３０にベース電流IB1が流れないようにす
る。
そして、スイツチング素子３０のベース・エミ
ツタ間にコンデンサＣを並列に入れ、不要なベー
ス電流がスイツチング素子３０に流れこまないよ
うにバイパスしていた。
ツタ間にコンデンサＣを並列に入れ、不要なベー
ス電流がスイツチング素子３０に流れこまないよ
うにバイパスしていた。
しかしながら、この第４図の従来例では、コン
デンサＣとして充分に過渡インピーダンスの低い
ものが必要な上、スイツチング素子３０に充分に
接近して設ける必要があるため、コンデンサが大
形化し易く、取付も困難になるのでコストアツプ
となる。また、このコンデンサＣを取付けたこと
によりスイツチング素子３０のスイツチング速度
が低下し、温度上昇を生じ易いなどの性能面での
低下を伴なうなどの欠点があつた。
デンサＣとして充分に過渡インピーダンスの低い
ものが必要な上、スイツチング素子３０に充分に
接近して設ける必要があるため、コンデンサが大
形化し易く、取付も困難になるのでコストアツプ
となる。また、このコンデンサＣを取付けたこと
によりスイツチング素子３０のスイツチング速度
が低下し、温度上昇を生じ易いなどの性能面での
低下を伴なうなどの欠点があつた。
また、第５図は他の従来例で、電源E1の他に
電源E2を設け、抵抗Ｒを介してスイツチング素
子３０のベースを常時逆バイアスしておくように
したものであり、フオトカプラの受光素子CPbが
オンし、トランジスタTR2を介して電源E1から
スイツチング素子３０にベース電流IB1が供給さ
れたとき以外のときには、スイツチング素子３０
のベースが負の電位に保たれているようにしたも
のである。
電源E2を設け、抵抗Ｒを介してスイツチング素
子３０のベースを常時逆バイアスしておくように
したものであり、フオトカプラの受光素子CPbが
オンし、トランジスタTR2を介して電源E1から
スイツチング素子３０にベース電流IB1が供給さ
れたとき以外のときには、スイツチング素子３０
のベースが負の電位に保たれているようにしたも
のである。
しかしながら、この第４図の従来例では、直流
電源E1の外に直流電源E2も必要になるため、装
置が大形化し易い上、コストアツプが著しいとい
う欠点があつた。
電源E1の外に直流電源E2も必要になるため、装
置が大形化し易い上、コストアツプが著しいとい
う欠点があつた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除
き、簡単な構成で確実にアーム短絡の発生を防止
することのできるローコストのスイツチング素子
駆動回路を提供するにある。
き、簡単な構成で確実にアーム短絡の発生を防止
することのできるローコストのスイツチング素子
駆動回路を提供するにある。
この目的を達成するため、本発明は、アームを
構成する第１と第２のスイツチング素子の一方に
対する導通制御に対応して、他方の導通を阻止す
るためのインターロツク機能を得るため、フオト
カプラなどの光結合制御型ゲート回路を各スイツ
チング素子ごとに２個１組、アームごとに２組用
い、各組の光結合制御型ゲート回路の発光素子を
直列に接続して各スイツチング素子の導通制御信
号が供給されるようにし、各組の光結合制御型ゲ
ート回路の一方の出力で一方のスイツチング素子
を導通制御すると共に、他方の出力で他方のスイ
ツチング素子の導通を阻止するようにした点を特
徴とする。
構成する第１と第２のスイツチング素子の一方に
対する導通制御に対応して、他方の導通を阻止す
るためのインターロツク機能を得るため、フオト
カプラなどの光結合制御型ゲート回路を各スイツ
チング素子ごとに２個１組、アームごとに２組用
い、各組の光結合制御型ゲート回路の発光素子を
直列に接続して各スイツチング素子の導通制御信
号が供給されるようにし、各組の光結合制御型ゲ
ート回路の一方の出力で一方のスイツチング素子
を導通制御すると共に、他方の出力で他方のスイ
ツチング素子の導通を阻止するようにした点を特
徴とする。
以下、本発明によるスイツチング素子駆動回路
の実施例を図面について説明する。
の実施例を図面について説明する。
第６図は本発明の一実施例で、第１図及び第２
図と同一もしくは同等の部分には同じ符号を付し
てある。
図と同一もしくは同等の部分には同じ符号を付し
てある。
この第６図において、CPa３とCPb３、それに
CPa４とCPb４はそれぞれフオトカプラの発光素
子と受光素子である。なお、スイツチング制御回
路２４，２６は第４図の従来例と同じであるが、
コンデンサＣは設けられていないものとなつてお
り、さらにそれらの受光素子CPbに対する発光素
子はそれぞれCPa１，CPa２として示してある。
そして、発光素子CPa１とCPa３とは直列に接続
して第１の制御信号入力回路を構成し、この回路
には所定のタイミングごとにスイツチング素子３
０を導通させるための制御信号が供給されるよう
に構成すると共に、発光素子CPa２，CPa４も直
列に接続し、これにより第２の制御信号入力回路
を構成し、この回路には所定のタイミングごとに
スイツチング素子３２を導入させるための制御信
号が供給されるように構成してある。
CPa４とCPb４はそれぞれフオトカプラの発光素
子と受光素子である。なお、スイツチング制御回
路２４，２６は第４図の従来例と同じであるが、
コンデンサＣは設けられていないものとなつてお
り、さらにそれらの受光素子CPbに対する発光素
子はそれぞれCPa１，CPa２として示してある。
そして、発光素子CPa１とCPa３とは直列に接続
して第１の制御信号入力回路を構成し、この回路
には所定のタイミングごとにスイツチング素子３
０を導通させるための制御信号が供給されるよう
に構成すると共に、発光素子CPa２，CPa４も直
列に接続し、これにより第２の制御信号入力回路
を構成し、この回路には所定のタイミングごとに
スイツチング素子３２を導入させるための制御信
号が供給されるように構成してある。
次に、この実施例の動作について説明する。
スイツチング素子３０を導通すべきタイミング
ではCPa１に制御信号が供給され、発光素子CPa
１からの光信号により制御回路２４内の受光素子
CPb（第４図）がオンし、スイツチング素子３０
にはベース電流IB1が供給され導通状態に制御さ
れる。
ではCPa１に制御信号が供給され、発光素子CPa
１からの光信号により制御回路２４内の受光素子
CPb（第４図）がオンし、スイツチング素子３０
にはベース電流IB1が供給され導通状態に制御さ
れる。
また、スイツチング素子３２を導通すべきタイ
ミングになると、発光素子CPa２に制御信号が供
給され、このときには制御回路２６からベース電
流IB2がスイツチング素子３２に供給されて導通
状態に制御する。
ミングになると、発光素子CPa２に制御信号が供
給され、このときには制御回路２６からベース電
流IB2がスイツチング素子３２に供給されて導通
状態に制御する。
しかして、発光素子CPa１にはこれとは異なつ
たフオトカプラの発光素子CPa３が直列に接続さ
れているから、スイツチング素子３０を導通すべ
きタイミングにおいては発光素子CPa３も発光
し、その光によりアームの他方のスイツチング素
子３２のベース・エミツタ間に並列に接続してあ
る受光素子CPb３がオンされている。
たフオトカプラの発光素子CPa３が直列に接続さ
れているから、スイツチング素子３０を導通すべ
きタイミングにおいては発光素子CPa３も発光
し、その光によりアームの他方のスイツチング素
子３２のベース・エミツタ間に並列に接続してあ
る受光素子CPb３がオンされている。
同様に、スイツチング素子３２を導通すべきタ
イミングにおいては、発光素子CPa２に直列に接
続されている他のフオトカプラの発光素子CPa４
も一緒に発光し、この結果、スイツチング素子３
０のベース・エミツタ間に並列に接続してある受
光素子CPb４がオンされている。
イミングにおいては、発光素子CPa２に直列に接
続されている他のフオトカプラの発光素子CPa４
も一緒に発光し、この結果、スイツチング素子３
０のベース・エミツタ間に並列に接続してある受
光素子CPb４がオンされている。
即ち、この実施例においては、アームを構成す
る第１のスイツチング素子３０を導通すべき制御
信号がそれに供給されたときには、第２のスイツ
チング素子３２のベース・エミツタ間に対する入
力回路がほとんど短絡状態に保持され、同様に、
第２のスイツチング素子３２を導通すべき制御信
号がそれに供給されたときには、第１のスイツチ
ング素子３０のベース・エミツタ間に対する入力
回路がほとんど短絡状態にもたらしてしまうよう
に働くインターロツク機能が与えられていること
になる。
る第１のスイツチング素子３０を導通すべき制御
信号がそれに供給されたときには、第２のスイツ
チング素子３２のベース・エミツタ間に対する入
力回路がほとんど短絡状態に保持され、同様に、
第２のスイツチング素子３２を導通すべき制御信
号がそれに供給されたときには、第１のスイツチ
ング素子３０のベース・エミツタ間に対する入力
回路がほとんど短絡状態にもたらしてしまうよう
に働くインターロツク機能が与えられていること
になる。
従つて、この実施例によれば、アームを構成す
る対になつたスイツチング素子の一方、例えば第
１のスイツチング素子３０が導通しているきに
は、他方のスイツチング素子である第２のスイツ
チング素子３２のベース・エミツタ間にどのよう
な電圧が誘起しても、それはオン状態にある受光
素子CPb３によつて効果的にバイパスされ、第２
のスイツチング素子３２が導通する虞れは全くな
く、同様に、第２のスイツチング素子３２が導通
しているときに第１のスイツチング素子３０が導
通状態にもたらされる虞れも全く生じなくするこ
とができ、アーム短絡を完全に防止することがで
きる。
る対になつたスイツチング素子の一方、例えば第
１のスイツチング素子３０が導通しているきに
は、他方のスイツチング素子である第２のスイツ
チング素子３２のベース・エミツタ間にどのよう
な電圧が誘起しても、それはオン状態にある受光
素子CPb３によつて効果的にバイパスされ、第２
のスイツチング素子３２が導通する虞れは全くな
く、同様に、第２のスイツチング素子３２が導通
しているときに第１のスイツチング素子３０が導
通状態にもたらされる虞れも全く生じなくするこ
とができ、アーム短絡を完全に防止することがで
きる。
なお、この実施例によれば、それぞれの発光素
子CPa３，CPa４と受光素子CPb３，CPb４からな
る２組のフオトカプラを用いて上記したインター
ロツク機能を与えているため、それぞれのスイツ
チング制御回路２４，２６の入力回路と、各スイ
ツチング素子３０，３２のベース・エミツタ入力
回路間での電気的なアイソレーシヨンを容易にと
ることができ、回路構成が簡単になるという効果
が得られる。
子CPa３，CPa４と受光素子CPb３，CPb４からな
る２組のフオトカプラを用いて上記したインター
ロツク機能を与えているため、それぞれのスイツ
チング制御回路２４，２６の入力回路と、各スイ
ツチング素子３０，３２のベース・エミツタ入力
回路間での電気的なアイソレーシヨンを容易にと
ることができ、回路構成が簡単になるという効果
が得られる。
また、上記実施例では、フオトカプラの受光素
子CPb３とCPb４で直接スイツチング素子３０，
３２のベース・エミツタ間を短絡するようにして
いるが、短絡時のインピーダンスをさらに低くし
たいときには、これらの受光素子CPb３，CPb４
の出力で制御される他のスイツチング素子を設
け、これらによりスイツチング素子３０，３２の
ベース・エミツタ間をバイパスするようにしても
よい。
子CPb３とCPb４で直接スイツチング素子３０，
３２のベース・エミツタ間を短絡するようにして
いるが、短絡時のインピーダンスをさらに低くし
たいときには、これらの受光素子CPb３，CPb４
の出力で制御される他のスイツチング素子を設
け、これらによりスイツチング素子３０，３２の
ベース・エミツタ間をバイパスするようにしても
よい。
さらに、上記実施例では、インバータの逆変換
部におけるアームのうちの一つのアームについて
だけ説明したが、これは説明を簡単にするため
で、実際には逆変換部の全てのアームに設けるの
が望ましいのはいうまでもなく、例えば第１図の
インバータではＵ相のアームだけでなくＶ相とＷ
相のアーム、即ちスイツチング素子３４，３６，
３８，４０の駆動回路にも設ける必要があるのは
いうまでもないところである。
部におけるアームのうちの一つのアームについて
だけ説明したが、これは説明を簡単にするため
で、実際には逆変換部の全てのアームに設けるの
が望ましいのはいうまでもなく、例えば第１図の
インバータではＵ相のアームだけでなくＶ相とＷ
相のアーム、即ちスイツチング素子３４，３６，
３８，４０の駆動回路にも設ける必要があるのは
いうまでもないところである。
以上説明したように、本発明によれば、アーム
を構成する第１と第２のスイツチング素子のそれ
ぞれ一方に対する導通制御信号により他方のスイ
ツチング素子の導通を積極的に阻止するようなイ
ンターロツク機能が得られると共に、そのための
光結合制御型ゲート回路の発光素子が、一方のス
イツチング素子の導通制御用と他方のスイツチン
グ素子の導通阻止制御用とで直列に接続され、一
方のスイツチング素子を導通させる制御信号によ
り共通に動作されるように構成したので、インタ
ーロツク動作に時間的なずれを生じることが無く
なり、インターロツク機能が確実になると共に、
例えば第６図で、一方の光結合制御型ゲート回路
の発行素子CPa３、或いはCPa４が断線すると、
他方の発光素子CPa１、或いはCPa２も発光しな
くなるため、異常発生に際してのフエイルセーフ
が自動的に与えられ、高い信頼性を容易に得るこ
とが出来る。
を構成する第１と第２のスイツチング素子のそれ
ぞれ一方に対する導通制御信号により他方のスイ
ツチング素子の導通を積極的に阻止するようなイ
ンターロツク機能が得られると共に、そのための
光結合制御型ゲート回路の発光素子が、一方のス
イツチング素子の導通制御用と他方のスイツチン
グ素子の導通阻止制御用とで直列に接続され、一
方のスイツチング素子を導通させる制御信号によ
り共通に動作されるように構成したので、インタ
ーロツク動作に時間的なずれを生じることが無く
なり、インターロツク機能が確実になると共に、
例えば第６図で、一方の光結合制御型ゲート回路
の発行素子CPa３、或いはCPa４が断線すると、
他方の発光素子CPa１、或いはCPa２も発光しな
くなるため、異常発生に際してのフエイルセーフ
が自動的に与えられ、高い信頼性を容易に得るこ
とが出来る。
また、この結果、発光素子CPa１，CPa３から
なる制御信号入力回路と、発光素子CPa２，CPa
４からなる制御信号入力回路の双方に同時に制御
信号が入力されてしまつた場合には、３０と３２
のいずれのスイツチング素子も導通が阻止される
ので、このときにもアーム短絡に対しての完全な
フエイルセーフ機能が与えられることになり、従
つて、本発明によれば充分に安全性が保たれ、優
れた信頼性を容易に得ることができ、従来技術の
欠点を除き、簡単な構成でアーム短絡を確実に防
止することができるスイツチング素子駆動回路を
ローコストで提供することができる。
なる制御信号入力回路と、発光素子CPa２，CPa
４からなる制御信号入力回路の双方に同時に制御
信号が入力されてしまつた場合には、３０と３２
のいずれのスイツチング素子も導通が阻止される
ので、このときにもアーム短絡に対しての完全な
フエイルセーフ機能が与えられることになり、従
つて、本発明によれば充分に安全性が保たれ、優
れた信頼性を容易に得ることができ、従来技術の
欠点を除き、簡単な構成でアーム短絡を確実に防
止することができるスイツチング素子駆動回路を
ローコストで提供することができる。
第１図は交流電動機駆動用などに使用されるイ
ンバータの一例を示す回路図、第２図はその制御
動作を説明するためのブロツク図、第３図はその
動作説明用の波形図、第４図は制御回路の従来例
を示す回路図、第５図は同じく制御回路の他の従
来例を示す回路図、第６図は本発明によるスイツ
チング素子駆動回路の一実施例を示す回路図であ
る。 ２４，２６……スイツチング制御回路、３０，
３２……アームを構成する第１と第２のスイツチ
ング素子、CPa１，CPa２，CPa３，CPa４……フ
オトカプラの発光素子、CPb１，CPb２，CPb３、
CPb４……フオトカプラの受光素子。
ンバータの一例を示す回路図、第２図はその制御
動作を説明するためのブロツク図、第３図はその
動作説明用の波形図、第４図は制御回路の従来例
を示す回路図、第５図は同じく制御回路の他の従
来例を示す回路図、第６図は本発明によるスイツ
チング素子駆動回路の一実施例を示す回路図であ
る。 ２４，２６……スイツチング制御回路、３０，
３２……アームを構成する第１と第２のスイツチ
ング素子、CPa１，CPa２，CPa３，CPa４……フ
オトカプラの発光素子、CPb１，CPb２，CPb３、
CPb４……フオトカプラの受光素子。
Claims (1)
- １ 直列接続した第１と第２のスイツチング素子
からなる少なくとも１のアームを直流電源間に有
し、上記第１のスイツチング素子に導通信号を供
給する第１の光結合制御型ゲート回路と、上記第
２のスイツチング素子に導通信号を供給する第２
の光結合制御型ゲート回路と、上記第１のスイツ
チング素子を導通させるための制御信号の発生に
応じて上記第２のスイツチング素子に導通阻止信
号を供給する第３の光結合制御型ゲート回路と、
上記第２のスイツチング素子を導通させるための
制御信号の発生に応じて上記第１のスイツチング
素子に導通阻止信号を供給する第４の光結合制御
型ゲート回路とを備えたインバータのスイツチン
グ素子駆動回路において、上記第１の光結合制御
型ゲート回路の発光素子と上記第３の光結合制御
型ゲート回路の発光素子とを直列に接続した第１
の制御信号入力回路と、上記第２の光結合制御型
ゲート回路の発光素子と上記第４の光結合制御型
ゲート回路の発光素子とを直列に接続した第２の
制御信号入力回路とを設け、上記第１の制御信号
入力回路に上記第１のスイツチング素子を導通さ
せるための制御信号を供給すると共に、上記第２
の制御信号入力回路に上記第２のスイツチング素
子を導通させるための制御信号を供給するように
構成したことを特徴とするインバータのスイツチ
ング素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051039A JPS58170379A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | スイツチング素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57051039A JPS58170379A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | スイツチング素子駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170379A JPS58170379A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH0216664B2 true JPH0216664B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=12875654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57051039A Granted JPS58170379A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | スイツチング素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170379A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133518A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 負荷電流切り換え回路 |
| JPS63194590U (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-14 | ||
| JPH03169273A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | スイッチングデバイス駆動回路 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5833793B2 (ja) * | 1978-09-27 | 1983-07-22 | 株式会社日立製作所 | トランジスタインバ−タのトランジスタ駆動装置 |
| JPS5561282A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-08 | Nippon Soken Inc | Separate excitation type inverter circuit |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57051039A patent/JPS58170379A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58170379A (ja) | 1983-10-06 |
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