JPH0216747A - 集積回路ウエハの目視検査方法 - Google Patents

集積回路ウエハの目視検査方法

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Publication number
JPH0216747A
JPH0216747A JP16733688A JP16733688A JPH0216747A JP H0216747 A JPH0216747 A JP H0216747A JP 16733688 A JP16733688 A JP 16733688A JP 16733688 A JP16733688 A JP 16733688A JP H0216747 A JPH0216747 A JP H0216747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microscope
chips
wafer
resin
defective
Prior art date
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Pending
Application number
JP16733688A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Ono
正典 大野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
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Publication of JPH0216747A publication Critical patent/JPH0216747A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、集積回路ウェハの目視検査方法に関するもの
である。
更に詳述すれば、本発明は、複数の集積回路チップが設
けられたウェハを顕微鏡を通して目視検査を行い不良チ
ップを選別する集積回路ウェハの目視検査方法に関する
ものである。
〈従来の技術〉 第2図は従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
図において、1はウェハステージで、ウェハ2を載せた
まま、図のXY力方向移動する。
3は金属顕微鏡、31は対物レンズである。
4はインカーである。
以上の構成において、複数の集積回路チップが設けられ
たウェハ2を金属顕微鏡3を通して目視検査を行い不良
チップを選別する。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、この様な装置においては、金属顕微鏡3
を用いて、比較的高倍率で、それぞれのチップの表面を
検査するなめに、対物レンズ31とウェハ2の間隔が狭
く、インカー4を対物レンズ31とウェハ2の間に入れ
る事が出来ない。
このため、チップ不良を発見した場合には、それを記憶
しておき、次の位置ヘウエハ2を移動してからインカー
4でインキを打つ、インカー4の動作はまったく確認出
来ないために、インク切れや、インク量の過大、過少の
ため、目視検査をやり直さなければならない事がある。
本発明は、この問題点を解決するものである。
本発明の目的は、不良チップを正確に選別しうる集積回
路ウェハの目視検査方法を提供するにある。
く課題を解決するための手段〉 この目的を達成するために、本発明は、複数の集積回路
チップが設けられたウェハを顕微鏡を°通して目視検査
を行い不良チップを選別する集積回路ウェハの目視検査
方法において、 目視検査対象ウェハの検査面に硬化前透明な紫外線硬化
樹脂を塗付した後、顕微鏡で目視検査を行い、不良チッ
プ発見時に、前記顕微鏡を通してあるいは前記顕g&鏡
の近傍から斜めに紫外光を照射する照射手段により紫外
光を該不良チップに照射し、目視検査対象ウェハの全チ
ップ検査終了後、未硬化の紫外線硬化樹脂を洗浄除去し
て不良チップを選別する集積回路ウェハの目視検査方法
を採用したものである。
く作用〉 以上の方法において、以下の手順で行う。
(1)まず、目視検査対象ウェハの検査面に硬化前透明
な紫外線硬化樹脂を塗付する。
(2)顕微鏡で目視検査を行う。
(3)不良チップ発見時に、顕微鏡を通してあるいは顕
微鏡の近傍から斜めに紫外光を照射する照射手段により
紫外光を不良チップに照射する。
(4)目視検査対象ウェハの全チップ検査終了後、未硬
化の紫外線硬化樹脂を洗浄除去して不良チンプを選別す
る。
以下、実施例に基つき詳細に説明する。
〈実施例〉 第1図は本発明の一実施例の要部構成説明図である。
図において、第2図と同一記号の構成は同一機能を表わ
す。
以下、第2図と相違部分のみ説明する。
32は接眼レンズ、33は可視光用光源、34は紫外光
用光源である。
35は紫外線カツトフィルター、36はハーフミラ−で
ある。
37は紫外光用光源34の光源口に設けられたシャッタ
ーである。
38はシャッター37の開閉を制御する制御装置で、3
81は制御装置38の押しボタンスイッチである。
5はウェハ2上に塗付された硬化前透明な紫外線硬化樹
脂である。
以上の構成において、以下の手順で実施される。
(1)まず、目視検査対象ウェハ2の検査面に硬化前透
明な紫外線硬化樹脂5を塗付する。
(2)顕微鏡3で目視検査を行う、この場合、シャター
37は閉じたままにしておく。
(3)不良チップ発見時に、シャター37を開いて、紫
外光を照射し、紫外線硬化樹脂5を硬化させる。硬化す
る様子を顕微鏡3で確認する。
(4)目視検査対象ウェハ2の全デツプ検査終了後、未
硬化の紫外線硬化樹脂を洗浄除去する。
この結果、不良チップのみに、硬化した樹脂か残り、良
チップ、不良チップの判定が容易につく。
したがって、不良チップを正確、容易に選別する事がで
きる。
なお、前述の実施例では、紫外光用光源34の開閉はシ
ャッター37で行うと説明したが、これに限ることはな
く、例えば、紫外光用光源34そのものをオンオフして
もよく、要するに、必要時に紫外光が得られればよい。
また−顕微鏡3の光学系はそのままにしておき、顕微鏡
3の近傍から斜めに紫外光を当て、顕微鏡3で目視して
いるチップ上の紫外線硬化樹脂5を硬化させるようにし
てもよい。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明は、複数の集積回路チップ
が設けられなウェハを顕FR鏡を通して目視検査を行い
不良チップを選別する集積回路ウェハの目視検査方法に
おいて、 目視検査対象ウェハの検査面に硬化前透明な紫外線硬化
樹脂を塗付した後、イ微鏡で目視検査を行い、不良チッ
プ発見時に、前記m微鏡を通してあるいは前記顕微鏡の
近傍から斜めに紫外光を照射する照射手段により紫外光
を該不良チップに照射し、目視検査対象ウェハの全チッ
プ検査終了後、未硬化の紫外線硬化樹脂を洗浄除去して
不良チップを選別する集積回路ウェハの目視検査方法を
採用した。
この結果、不良チップのみに、硬化した樹脂が残り、良
チップ、不良チップの判定か容易につく。
したがって、不良チップを正確、容易に選別する事がで
きる。
従って、本発明によれば、不良チップを正確に選別しつ
る集積回路ウェハの目視検査方法を実現することか出来
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の要部構成説明図、第2図は
従来より一般に使用されている従来例の構成説明図であ
る。 1・・・ウェハステージ、2・・・TCウェハ、3・・
・顕微鏡、31・・・対物レンズ、32・・・接眼レン
ズ、33・・・可視光用光源、34・・・紫外光用光源
、35・・・紫外線カツトフィルタ、36・・・ハーフ
ミラ−137・・・シャッタ、38・・・シャッタ開閉
の制御装置、381・・・押しボタンスイッチ、5・・
・紫外線硬化樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の集積回路チップが設けられたウェハを顕微鏡を通
    して目視検査を行い不良チップを選別する集積回路ウェ
    ハの目視検査方法において、目視検査対象ウェハの検査
    面に硬化前透明な紫外線硬化樹脂を塗付した後、顕微鏡
    で目視検査を行い、不良チップ発見時に、前記顕微鏡を
    通してあるいは前記顕微鏡の近傍から斜めに紫外光を照
    射する照射手段により紫外光を該不良チップに照射し、
    目視検査対象ウェハの全チップ検査終了後、未硬化の紫
    外線硬化樹脂を洗浄除去して不良チップを選別する集積
    回路ウェハの目視検査方法。
JP16733688A 1988-07-05 1988-07-05 集積回路ウエハの目視検査方法 Pending JPH0216747A (ja)

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JP (1) JPH0216747A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283488A (ja) * 1992-03-30 1993-10-29 Nec Corp 半導体装置
US5925260A (en) * 1997-01-02 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Removal of polyimide from dies and wafers
JP2001349848A (ja) * 2000-06-12 2001-12-21 Sony Corp 検査装置及び検査方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283488A (ja) * 1992-03-30 1993-10-29 Nec Corp 半導体装置
US5925260A (en) * 1997-01-02 1999-07-20 Micron Technology, Inc. Removal of polyimide from dies and wafers
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