JPH02167787A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH02167787A JPH02167787A JP63322077A JP32207788A JPH02167787A JP H02167787 A JPH02167787 A JP H02167787A JP 63322077 A JP63322077 A JP 63322077A JP 32207788 A JP32207788 A JP 32207788A JP H02167787 A JPH02167787 A JP H02167787A
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、レーザビーム、電子線ビーム等の光ビーム
を照射することにより、記録層のビーム照射部分に原子
配列の変化を生じさせて情報の記録・消去を繰返し行な
い、この原子配列の変化に伴う光学的特性の変化を検出
して情報を再生する情報記録媒体に関する。
を照射することにより、記録層のビーム照射部分に原子
配列の変化を生じさせて情報の記録・消去を繰返し行な
い、この原子配列の変化に伴う光学的特性の変化を検出
して情報を再生する情報記録媒体に関する。
（従来の技術）
従来、情報の消去が可能な情報記録媒体（例えば、イレ
ーサブル光ディスク）として、所謂相変化型のものが知
られている。このような情報記録媒体は、ガラス又はプ
ラスチック材料（ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリ
カーボネート樹脂等）からなる基板と、この基板上に形
成された記録層とを備えている。また、必要に応じて基
板と記録層との間、又は記録層の上に誘電体等からなる
保護層を備えている。記録層を形成する材料としてはＴ
ｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ等の金属若しくは半金属、
又はこれらの合金、例えばＧｅＴｅ５ｂＳ、ＡｓＴｅＧ
ｅ、５ｎＴｅＳｅ。
ーサブル光ディスク）として、所謂相変化型のものが知
られている。このような情報記録媒体は、ガラス又はプ
ラスチック材料（ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリ
カーボネート樹脂等）からなる基板と、この基板上に形
成された記録層とを備えている。また、必要に応じて基
板と記録層との間、又は記録層の上に誘電体等からなる
保護層を備えている。記録層を形成する材料としてはＴ
ｅ、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｓｎ等の金属若しくは半金属、
又はこれらの合金、例えばＧｅＴｅ５ｂＳ、ＡｓＴｅＧ
ｅ、５ｎＴｅＳｅ。
５ｂＴｅＳｅが知られている。
このような材料で形成された記録層においては、異なる
条件の光ビームが照射されることにより、照射部分が結
晶性の高い状態（原子が比較的正しく配列された状態、
以下結晶状態と呼ぶ）と、結晶性が低下した状態（原子
配列が乱れた状態、以下非晶質と呼ぶ）との間で可逆的
に変化する。これら二つの状態は、反対率及び透過率等
の光学的特性が異なるので、このような状態の変化を利
用して情報を記録・消去し、この変化に伴う光学特性を
検出することにより情報を再生することができる。
条件の光ビームが照射されることにより、照射部分が結
晶性の高い状態（原子が比較的正しく配列された状態、
以下結晶状態と呼ぶ）と、結晶性が低下した状態（原子
配列が乱れた状態、以下非晶質と呼ぶ）との間で可逆的
に変化する。これら二つの状態は、反対率及び透過率等
の光学的特性が異なるので、このような状態の変化を利
用して情報を記録・消去し、この変化に伴う光学特性を
検出することにより情報を再生することができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した記録層材料は、結晶化速度が小
さいため消去速度が遅いという欠点がある。また、記録
状態の安定性が低く、耐酸化性が悪いという不具合もあ
る。更に、再生信号が十分とはいえず、また感度も低い
という欠点もある。
さいため消去速度が遅いという欠点がある。また、記録
状態の安定性が低く、耐酸化性が悪いという不具合もあ
る。更に、再生信号が十分とはいえず、また感度も低い
という欠点もある。
従って、このような材料は、記Ｂ層として実用化が困難
であった。
であった。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって
、消去速度が大きく、記録状態の安定性及び耐酸化性が
高く、再生信号及び記録感度が大きい情報記録媒体を提
供することを目的とする。
、消去速度が大きく、記録状態の安定性及び耐酸化性が
高く、再生信号及び記録感度が大きい情報記録媒体を提
供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明に係る情報記録媒体は、基板と、光ビームの照
射により原子配列の変化が生じ層で情報が記録及び消去
される記録とを有する情報記録媒体であって、前記記録
層は、−数式（Ｉ ｎＸ ５ｂｌｏｏ−ｘ ）、１００
−ａ Ｓｅａ （ただしＳａ。
射により原子配列の変化が生じ層で情報が記録及び消去
される記録とを有する情報記録媒体であって、前記記録
層は、−数式（Ｉ ｎＸ ５ｂｌｏｏ−ｘ ）、１００
−ａ Ｓｅａ （ただしＳａ。
Ｘは原子％であり、２０くａ≦６０．４８≦Ｘ≦５２の
範囲内である）で表される組成の合金を主体とすること
を特徴とする。
範囲内である）で表される組成の合金を主体とすること
を特徴とする。
（作用）
Ｉｎ−３ｂ合金は、パルス光を吸収し、非晶質と結晶と
の間で容易に変化し、これらの間で光学的特性（反射率
、透過率）の変化量が極めて大きい材料である。また、
ＳｅがＩｎ−３ｂ合金に適量添加されることにより、記
録感度が大きくなり、再生信号が一層増加し、非晶質状
態が安定化し、結晶化速度が増加し、また耐酸化性を大
きくすることができる。従って、記録層を前述の組成範
囲にすることにより、極めて特性が良好な情報記録媒体
を得ることができる。
の間で容易に変化し、これらの間で光学的特性（反射率
、透過率）の変化量が極めて大きい材料である。また、
ＳｅがＩｎ−３ｂ合金に適量添加されることにより、記
録感度が大きくなり、再生信号が一層増加し、非晶質状
態が安定化し、結晶化速度が増加し、また耐酸化性を大
きくすることができる。従って、記録層を前述の組成範
囲にすることにより、極めて特性が良好な情報記録媒体
を得ることができる。
（実施例）
以下、添附図面を参照してこの発明の実施例について説
明する。第１図はこの発明の一実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図である。基板１は透明で経時変化が少な
い材料、例えばガラス又はポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート等の樹脂でつくられている。この基板
１の上には、情報を記録するための記録層２が形成され
ている。
明する。第１図はこの発明の一実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図である。基板１は透明で経時変化が少な
い材料、例えばガラス又はポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート等の樹脂でつくられている。この基板
１の上には、情報を記録するための記録層２が形成され
ている。
この記録層２は、
（Ｉ ｎｘ Ｓｂ＋ｏｏ−ｘ ） １００−＊ Ｓｅａ
（ただし、ａ。
（ただし、ａ。
Ｘは原子％であり、２０くａ≦６０．４８≦Ｘ≦５２の
範囲内である）で表される組成の合金を主体としている
。このような組成の合金は、条件が異なる光ビームを照
射することにより結晶と非晶質との間で可逆的に相変化
し得る。また、再生信号及び記録感度が高く、記録状態
としての非晶質状態の安定性が高く、耐酸化性が高いと
いう特徴を有している。更に、結晶化速度が大きいので
初期化速度及び消去速度が大きい。ここで、Ｉｎ及びｓ
ｂの合計量に対するＩｎ含有量が３０〜６０原子％であ
れば記録層として適用可能であるが、十分な再生信号及
び結晶化速度を得るためには上述のように４８〜５２原
子％にする。また、Ｓｅ量は２０原子％より小さいと安
定性が低下し、６０原子％を超えると結晶と非晶質との
間のコントラストが小さくなり、再生信号が小さくなる
。
範囲内である）で表される組成の合金を主体としている
。このような組成の合金は、条件が異なる光ビームを照
射することにより結晶と非晶質との間で可逆的に相変化
し得る。また、再生信号及び記録感度が高く、記録状態
としての非晶質状態の安定性が高く、耐酸化性が高いと
いう特徴を有している。更に、結晶化速度が大きいので
初期化速度及び消去速度が大きい。ここで、Ｉｎ及びｓ
ｂの合計量に対するＩｎ含有量が３０〜６０原子％であ
れば記録層として適用可能であるが、十分な再生信号及
び結晶化速度を得るためには上述のように４８〜５２原
子％にする。また、Ｓｅ量は２０原子％より小さいと安
定性が低下し、６０原子％を超えると結晶と非晶質との
間のコントラストが小さくなり、再生信号が小さくなる
。
従って、Ｓｅの量を上述の範囲に規定する。なお、この
記録層２は、真空蒸着又はスパッタリング等により形成
することができる。
記録層２は、真空蒸着又はスパッタリング等により形成
することができる。
記録層２の上には有機物保護層３が形成されている。こ
の保護層３は情報記録媒体を扱う際の表面の傷やほこり
を防止するために配設されるものであり、紫外線硬化樹
脂辱で構成されている。
の保護層３は情報記録媒体を扱う際の表面の傷やほこり
を防止するために配設されるものであり、紫外線硬化樹
脂辱で構成されている。
また、第２図に示すように、記録層２の両側を無機物保
護層４．５で挟むように構成することもセきる。この場
合に、保：ＪＷＩＩ４．５としては、金属若しくは半金
属の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等で形成すること
ができる。これら保護層４．５は記録層２の経時変化を
防止するために配設される。
護層４．５で挟むように構成することもセきる。この場
合に、保：ＪＷＩＩ４．５としては、金属若しくは半金
属の酸化物、弗化物、硫化物、窒化物等で形成すること
ができる。これら保護層４．５は記録層２の経時変化を
防止するために配設される。
更に、第３図に示すように、基板１上に、上述の記録層
２を構成する合金（第３図中Ａで示す）を保護層４．５
を構成する材料（第３図中Ｂで示す）中に分散させた記
録層６を設けるように構成することもできる。
２を構成する合金（第３図中Ａで示す）を保護層４．５
を構成する材料（第３図中Ｂで示す）中に分散させた記
録層６を設けるように構成することもできる。
次に、第４図及び第５図を参照してこの発明に係る情報
記録媒体における記録層の成膜方法の一例について説明
する。第４図は記録層を形成するために使用されるスパ
ッタリングの概略構成を示す縦断面図、第５図はその横
断面図である。図中１１は真空容器を示し、この真空容
器１１はその底面にガス排出ボート１２及びガス導入ボ
ート１３を有している。ガス排出ボート１２は排気装置
２５に接続されており、この排出装置２５により真空容
器１１内を排気するようになっている。
記録媒体における記録層の成膜方法の一例について説明
する。第４図は記録層を形成するために使用されるスパ
ッタリングの概略構成を示す縦断面図、第５図はその横
断面図である。図中１１は真空容器を示し、この真空容
器１１はその底面にガス排出ボート１２及びガス導入ボ
ート１３を有している。ガス排出ボート１２は排気装置
２５に接続されており、この排出装置２５により真空容
器１１内を排気するようになっている。
ガス導入ボート１３はアルゴンガスボンベ１４に接続さ
れており、このボンベ１４からガス導入ボート１３を介
してスパッタリングガスとしてんのアルゴンガスが容器
１１内に導入される。円板状の基板１５は支持装置１８
により、真空容器１１内の上部にその面を水平にして支
持されており、成膜時に図示しないモータにより回転さ
れるようになっている。また、真空容器１１内の底部近
傍には、基板１５に対向するように、夫々記録層を構成
する各元素で形成されたスパッタ源１つ、２０．２１が
配設されており、各スパッタ源には図示しない高周波電
源が接続されている。これらスパッタ源１９．２０．２
１の上方には、夫々モニタ装置２２．２３．２４が設け
られており、各スパッタ源からの元素のスパッタ量をモ
ニタし、記録層が所定の組成になるように各スパッタ源
に投入する電力量を調節するようになっている。
れており、このボンベ１４からガス導入ボート１３を介
してスパッタリングガスとしてんのアルゴンガスが容器
１１内に導入される。円板状の基板１５は支持装置１８
により、真空容器１１内の上部にその面を水平にして支
持されており、成膜時に図示しないモータにより回転さ
れるようになっている。また、真空容器１１内の底部近
傍には、基板１５に対向するように、夫々記録層を構成
する各元素で形成されたスパッタ源１つ、２０．２１が
配設されており、各スパッタ源には図示しない高周波電
源が接続されている。これらスパッタ源１９．２０．２
１の上方には、夫々モニタ装置２２．２３．２４が設け
られており、各スパッタ源からの元素のスパッタ量をモ
ニタし、記録層が所定の組成になるように各スパッタ源
に投入する電力量を調節するようになっている。
このようなスパッタリング装置においては、先ず、排気
装置２５により真空容器１１内を例えば１０−６Ｔｏｒ
ｒオーダーの高真空まで排気する。次いで、ガス導入ボ
ート１３からアルゴンガスを導入しつつ排気装置２５の
排気量を調節して真空容器１１内を所定の圧力のアルゴ
ン雰囲気に保持する。
装置２５により真空容器１１内を例えば１０−６Ｔｏｒ
ｒオーダーの高真空まで排気する。次いで、ガス導入ボ
ート１３からアルゴンガスを導入しつつ排気装置２５の
排気量を調節して真空容器１１内を所定の圧力のアルゴ
ン雰囲気に保持する。
この状態で基板１５を回転させつつスパッタ源１９．２
０．２１に所定時間、所定の電力を投入してスパッタリ
ングを行う。これにより、基板１５に記録層が形成され
る。
０．２１に所定時間、所定の電力を投入してスパッタリ
ングを行う。これにより、基板１５に記録層が形成され
る。
なお、無機質保護層を形成する場合には、スパッタ源を
保護層の組成に調節されたスパッタ源を用いて上述と同
様の方法で行うことができる。また、有機物保護層を紫
外線硬化樹脂で形成する場合には、スピンコード法で紫
外線硬化樹脂を塗布した後、紫外線を照射して硬化させ
る。
保護層の組成に調節されたスパッタ源を用いて上述と同
様の方法で行うことができる。また、有機物保護層を紫
外線硬化樹脂で形成する場合には、スピンコード法で紫
外線硬化樹脂を塗布した後、紫外線を照射して硬化させ
る。
次に、この発明の情報記録媒体における記録層の初期化
、並びに情報の記録、消去、及び再生について説明する
。
、並びに情報の記録、消去、及び再生について説明する
。
初期化
記録層２は成膜直後には通常非晶質であるが、情報を記
録するためには結晶である必要があるので、記録層２に
光ビームを全面照射して加熱・徐冷し、結晶化する。
録するためには結晶である必要があるので、記録層２に
光ビームを全面照射して加熱・徐冷し、結晶化する。
記録
高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層２に照射し、
点対部分を加熱・急冷して非晶質に変化させ、記録マー
クを形成する。
点対部分を加熱・急冷して非晶質に変化させ、記録マー
クを形成する。
消去
記録層２に記録時よりも低パワーの光ビームを照射して
記録マークを結晶に変化させ、情報を消去する。
記録マークを結晶に変化させ、情報を消去する。
再生
情報を記録した記録層２に消去時よりも更に低パワーの
光ビームを照射し、記録マークと非記録部との間の光学
特性、例えば反射率の差を検出して一情報を再生する。
光ビームを照射し、記録マークと非記録部との間の光学
特性、例えば反射率の差を検出して一情報を再生する。
なお、この発明に係る情報記録媒体は、結晶化速度が大
きいことから、オーバーライドが可能である。オーバー
ライドとは、単一の光源から放射されるレーザビーム等
の光ビームを、第６図に示すように２段階のパワーレベ
ルＰＥ （消去）及びＰｗ （記録）の間でパワー
変調して、消去パワーレベルの光ビームに記録パワーレ
ベルのパルスを重畳させ、既に記録された情報を消去し
ながら新しい情報を重ね書きすることである。
きいことから、オーバーライドが可能である。オーバー
ライドとは、単一の光源から放射されるレーザビーム等
の光ビームを、第６図に示すように２段階のパワーレベ
ルＰＥ （消去）及びＰｗ （記録）の間でパワー
変調して、消去パワーレベルの光ビームに記録パワーレ
ベルのパルスを重畳させ、既に記録された情報を消去し
ながら新しい情報を重ね書きすることである。
次に、この発明に係る情報記録媒体を実際に製造して試
験した試験例について説明する。
験した試験例について説明する。
試験例１
真空容器内にＩｎ、、Ｓｂ、Ｓｅの各スバッタ源を設け
、容器内を８ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒまで排気した。次に
、アルゴンガスを導入し、容器内を４ Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒに調節した。容器内に外径１３０１１１１％厚み
１．２ｍｍの円板状ポリカーボネート基板を十分に洗浄
した状態で設置した。この基板を６０ ｒｐｍで回転さ
せつつ、モニタにより各スパッタ源の各元素のスパッタ
量をモニタして各スパッタ源に投入する電力をコントロ
ールしながらスパッタリングを行い、基板に膜厚が１０
００入になるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した
。
、容器内を８ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒまで排気した。次に
、アルゴンガスを導入し、容器内を４ Ｘ １０−３Ｔ
ｏｒｒに調節した。容器内に外径１３０１１１１％厚み
１．２ｍｍの円板状ポリカーボネート基板を十分に洗浄
した状態で設置した。この基板を６０ ｒｐｍで回転さ
せつつ、モニタにより各スパッタ源の各元素のスパッタ
量をモニタして各スパッタ源に投入する電力をコントロ
ールしながらスパッタリングを行い、基板に膜厚が１０
００入になるまで各元素を堆積させて記録層を成膜した
。
次いで、記録層の上に保護層として紫外線硬化樹脂をス
ピンコータにより約１０μｍオーバーコートシ、紫外線
を照射して硬化させた。これにより所望組成の記録層を
有する情報記録媒体を形成した。
ピンコータにより約１０μｍオーバーコートシ、紫外線
を照射して硬化させた。これにより所望組成の記録層を
有する情報記録媒体を形成した。
このような方法で、記録層の組成が
（１ｎ４ｓｓ ｂｓ２） ＋００−Ｘ Ｓ ｅｘでＸが
夫々１０．２０．３０．４０原子％のサンプルを作成し
た。
夫々１０．２０．３０．４０原子％のサンプルを作成し
た。
これらを示差走査熱量計（Ｄ Ｓ Ｃ）により熱分析し
た結果、第７図に示すような結果が得られた。
た結果、第７図に示すような結果が得られた。
第７図は、横軸にＳｅの添加量をとり、縦軸に結晶化温
度をとって、これらの関係を示すグラフである。この図
に示すように、Ｓｅの添加量が増加するに従って結晶化
温度が増加することが確認された。すなわち、Ｓｅの増
加に伴って記録状態としての非晶質の安定性が増加する
ことが確認された。
度をとって、これらの関係を示すグラフである。この図
に示すように、Ｓｅの添加量が増加するに従って結晶化
温度が増加することが確認された。すなわち、Ｓｅの増
加に伴って記録状態としての非晶質の安定性が増加する
ことが確認された。
試験例２
（Ｉ ｎ４ｓＳ ｂｓｚ） ｔｏｏ−ｘ Ｓ ｅｘでＸ
が夫々１０．２０．３０．４０．６０原子％の記録層を
有し、第２図に示す構造の光デイスクサンプルを作成し
た。記録層の両側を挾む保護層として厚み１０００大の
５ｉ０２を用いた。この場合に、記録層及び有機物保護
層は試験例１と同様に作成し、５ｉ０２保護層は試験例
１と同様な装置で、スパッタ源を５ｉ０２にしてスパッ
タリングにより形成した。
が夫々１０．２０．３０．４０．６０原子％の記録層を
有し、第２図に示す構造の光デイスクサンプルを作成し
た。記録層の両側を挾む保護層として厚み１０００大の
５ｉ０２を用いた。この場合に、記録層及び有機物保護
層は試験例１と同様に作成し、５ｉ０２保護層は試験例
１と同様な装置で、スパッタ源を５ｉ０２にしてスパッ
タリングにより形成した。
この試験例では、これらサンプルについて実用的な試験
装置を用いて試験を行った。第８図はこの試験に用いた
装置を示す概略構成図である。光デイスクサンプル３１
は、スピンドルモータ３２に固定され、所定の回転数で
回転される。サンプル３１の上部にはサンプル３１上に
レーザ光を集光するための光学系３３が配設されている
。この光学系３３は、コリメータレンズ３５、ビームス
プリッタ３６、λ／４波長板３７、及び対物レンズ３８
を備えており、半導体レーザ３４から出力された光は、
コリメータレンズ３５で平行光となり、ビームスプリッ
タ３６及びλ／４波長板３７を通って対物レンズ３８に
よりサンプル３１の記録層に集光照射される。サンプル
３１からの反射光はビームスプリッタ３６で分けられ、
検出レンズ３９を通って受光器４０に入り検出信号とな
る。
装置を用いて試験を行った。第８図はこの試験に用いた
装置を示す概略構成図である。光デイスクサンプル３１
は、スピンドルモータ３２に固定され、所定の回転数で
回転される。サンプル３１の上部にはサンプル３１上に
レーザ光を集光するための光学系３３が配設されている
。この光学系３３は、コリメータレンズ３５、ビームス
プリッタ３６、λ／４波長板３７、及び対物レンズ３８
を備えており、半導体レーザ３４から出力された光は、
コリメータレンズ３５で平行光となり、ビームスプリッ
タ３６及びλ／４波長板３７を通って対物レンズ３８に
よりサンプル３１の記録層に集光照射される。サンプル
３１からの反射光はビームスプリッタ３６で分けられ、
検出レンズ３９を通って受光器４０に入り検出信号とな
る。
この信号は一方で対物レンズ３８を駆動するための駆動
コイル４１に電流を流すサーボ系４２にも供給される。
コイル４１に電流を流すサーボ系４２にも供給される。
これにより常にサンプルとの距離を一定に保ちつつサン
プル３１に集光スポットを結像することができる。
プル３１に集光スポットを結像することができる。
このような装置を用い、前述の各サンプルについて、７
００ｒｐ履で回転させながら、サンプルに６ｍＷの連続
光を１回転分照射し、反射率が一定になるまで繰返した
。その結果、各サンプルについてこのような操作を４回
繰返したところで反射率が一定となった。すなわち、こ
れにより照射部分が結晶化した。次に、結晶化した部分
にレーザ光のパワー及びパルス幅を変化させて記録した
。
００ｒｐ履で回転させながら、サンプルに６ｍＷの連続
光を１回転分照射し、反射率が一定になるまで繰返した
。その結果、各サンプルについてこのような操作を４回
繰返したところで反射率が一定となった。すなわち、こ
れにより照射部分が結晶化した。次に、結晶化した部分
にレーザ光のパワー及びパルス幅を変化させて記録した
。
その結果、所定条件で照射部分の反射率が元の状態に戻
ること、すなわち非晶質に戻ることが確認された。これ
を第９図に示す。第９図は、横軸にＳｅの添加量をとり
、縦軸に記録の際（反射率が元に戻るための）に必要な
最低のレーザ光のエネルギをとって、これらの間の関係
を示すグラフである。この図に示すように、Ｓｅの添加
量が増加するに従って、記録のために必要なエネルギが
小さくて良いことが確認された。
ること、すなわち非晶質に戻ることが確認された。これ
を第９図に示す。第９図は、横軸にＳｅの添加量をとり
、縦軸に記録の際（反射率が元に戻るための）に必要な
最低のレーザ光のエネルギをとって、これらの間の関係
を示すグラフである。この図に示すように、Ｓｅの添加
量が増加するに従って、記録のために必要なエネルギが
小さくて良いことが確認された。
試験例３
記録層が（Ｉ ｎ４ｇ５ ｂｓ２） Ｉｏｏ−ｘ Ｓ
ｅｘにおいてＸが夫々１０，２０．３０，４０．６０．
８０原子％であり、試験例２のサンプルと同様の層構成
を有するサンプルを、試験例と同様の方法で作成した。
ｅｘにおいてＸが夫々１０，２０．３０，４０．６０．
８０原子％であり、試験例２のサンプルと同様の層構成
を有するサンプルを、試験例と同様の方法で作成した。
このサンプルを試験例２で示した装置内に設置し、９０
０ ｒｐｍで回転させながら、所定のパワー及びパルス
幅のレーザ光を照射して信号を記録した。そして、この
記録部分の反射率の変化量を測定した。第１０図は、横
軸にＳｅ添加量をとり、縦軸に記録部分の反射率と初期
反射との比（コントラスト比）をとって、これらの関係
を示すグラフである。このグラフで示すように、Ｓｅの
添加によりコントラスト比が増加し、特にＳｅ添加量が
２０〜６０原子％の範囲で良好なコントラスト比が得ら
れることが確認された。
０ ｒｐｍで回転させながら、所定のパワー及びパルス
幅のレーザ光を照射して信号を記録した。そして、この
記録部分の反射率の変化量を測定した。第１０図は、横
軸にＳｅ添加量をとり、縦軸に記録部分の反射率と初期
反射との比（コントラスト比）をとって、これらの関係
を示すグラフである。このグラフで示すように、Ｓｅの
添加によりコントラスト比が増加し、特にＳｅ添加量が
２０〜６０原子％の範囲で良好なコントラスト比が得ら
れることが確認された。
［発明の効果］
この発明によれば、光ビームの照射による原子配列の変
化により情報を記録・消去できるＩｎ−５ｂ合金にＳｅ
を適量添加したので、記録層における非晶質状態の安定
性及び耐酸化性が増加し、結晶化速度が増加し、再生信
号を一層大きくすることができる。従って、特性が良好
で十分に実用に耐え得る情報記録媒体を得ることができ
る。
化により情報を記録・消去できるＩｎ−５ｂ合金にＳｅ
を適量添加したので、記録層における非晶質状態の安定
性及び耐酸化性が増加し、結晶化速度が増加し、再生信
号を一層大きくすることができる。従って、特性が良好
で十分に実用に耐え得る情報記録媒体を得ることができ
る。
第１図乃至第３図はこの発明の実施例に係る情報記録媒
体を示す断面図、第４図は記録層を形成するための装置
の概略構成を示す縦断面図、第５図はその横断面図、第
６図はオーバーライドの際のレーザ光のパワーを示す図
、第７図は記録層のＳｅ添加量と結晶化温度との関係を
示すグラフ図、第８図は記録装置の概略構成図、第９図
は記録層のＳｅ添加量と記録のためのレーザパワーとの
関係を示すグラフ図、第１０図は記録層のＳｅ添加量と
コントラスト比との関係を示すグラフ図である。 １；基板、２．６；記録層、３．４．５：保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第６図 第２図 加 ω ε乙＠Ａ−ｚ Ｓｅ＝＆ｓ口Ｉ（、ｉ”？’／、）第７
図 第３図 第８ 図 の ω ３乙４Ｑ−＋５ｅ４７７０ｔ（＆−’５’／−）第 図 ω ω ６１４Ｍ１ｑＳｅ４．ＩＩｏ量＜＊、’ｒ−”ｔ、＞第
１０図
体を示す断面図、第４図は記録層を形成するための装置
の概略構成を示す縦断面図、第５図はその横断面図、第
６図はオーバーライドの際のレーザ光のパワーを示す図
、第７図は記録層のＳｅ添加量と結晶化温度との関係を
示すグラフ図、第８図は記録装置の概略構成図、第９図
は記録層のＳｅ添加量と記録のためのレーザパワーとの
関係を示すグラフ図、第１０図は記録層のＳｅ添加量と
コントラスト比との関係を示すグラフ図である。 １；基板、２．６；記録層、３．４．５：保護層。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第１図 第６図 第２図 加 ω ε乙＠Ａ−ｚ Ｓｅ＝＆ｓ口Ｉ（、ｉ”？’／、）第７
図 第３図 第８ 図 の ω ３乙４Ｑ−＋５ｅ４７７０ｔ（＆−’５’／−）第 図 ω ω ６１４Ｍ１ｑＳｅ４．ＩＩｏ量＜＊、’ｒ−”ｔ、＞第
１０図
Claims (1)
- 基板と、光ビームの照射により原子配列の変化が生じて
情報が記録及び消去される記録層とを有する情報記録媒
体であって、前記記録層は、一般式（Ｉｎ＿ｘＳｂ＿１
＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿０＿−＿ａＳｅ＿ａ（た
だし、ａ、ｘは原子％であり、２０＜ａ≦６０、４８≦
ｘ≦５２の範囲内である）で表される組成の合金を主体
とすることを特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322077A JPH02167787A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
| DE3942163A DE3942163A1 (de) | 1988-12-22 | 1989-12-20 | Informationsspeichermedium |
| KR1019890019154A KR900010689A (ko) | 1988-12-22 | 1989-12-21 | 정보기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322077A JPH02167787A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167787A true JPH02167787A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18139663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322077A Pending JPH02167787A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02167787A (ja) |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63322077A patent/JPH02167787A/ja active Pending
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