JPH02168221A - パターン発生装置 - Google Patents
パターン発生装置Info
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- JPH02168221A JPH02168221A JP1217647A JP21764789A JPH02168221A JP H02168221 A JPH02168221 A JP H02168221A JP 1217647 A JP1217647 A JP 1217647A JP 21764789 A JP21764789 A JP 21764789A JP H02168221 A JPH02168221 A JP H02168221A
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は放射エネルギービームを照射する装置の分野に
関するものであり、更に詳しくいえば、加工物にビーム
を照射するレーザ光学装置における非点収差と、インフ
ォーカルバイアスト、楕円率とを補正する装置の分野に
関するものである。
関するものであり、更に詳しくいえば、加工物にビーム
を照射するレーザ光学装置における非点収差と、インフ
ォーカルバイアスト、楕円率とを補正する装置の分野に
関するものである。
本発明の好適表実施例は、本発明の譲受人である、アメ
リカ合衆国オレゴン州ビーバートン（Ｂｅａｖｅｒｔｏ
ｎ）所在のアテツク・コーポレーション（Ａｔｅｑ Ｃ
ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ）によりＣ０ＲＥ−２０００と
いう商標の下に市販されているパターン発生装置のよう
な装置における非点収差と、インフォーカルバイアスと
、楕円率との諸問題を補正するために設計される。
リカ合衆国オレゴン州ビーバートン（Ｂｅａｖｅｒｔｏ
ｎ）所在のアテツク・コーポレーション（Ａｔｅｑ Ｃ
ｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ）によりＣ０ＲＥ−２０００と
いう商標の下に市販されているパターン発生装置のよう
な装置における非点収差と、インフォーカルバイアスと
、楕円率との諸問題を補正するために設計される。
Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置は、いくつかの米
国特許出願において好適な実施例として説明されている
。それらの米国特許出願には、１９８８年３月２８日に
出願され、本発明の譲受人へ譲渡された、「ア・レーザ
・パターンーゼネレーション・アパレイタス（Ａ Ｌａ
５ｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ａｐ
ｐａｒａｔｕｓ ） Ｊという名称の未決の出願第１７
８，８６８号が含まれる。この米国特許出願は、１９８
６年５月２７日に出願され、本発明の譲受人へ譲渡され
たが、今は放棄された、［レーザーパターン−ゼネレー
ション・アパレイタス（Ｌａｍｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎ
Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）Ｊという
名称の出１１＠８６７．２０５号の継続出願である。こ
の米国％許出願第８６７．２０５号は、１９８５年７月
２４日に出願され、本発明の１譲受人へ譲渡されたが、
今は放棄された、［レーザーパターン・ゼネレーション
・アパレイタス（Ｌａ５ｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｇｅｎ
ｅｒａｔｉｏｎ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ）Ｊ という名
称の出願第７５８．３４４号の継続出願である。また、
Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置は、１９８５年１
０月４日に出願され、本発明の譲受人へ譲渡され念、「
ラスタライザ・フォー・パターンｅゼネレータ（Ｒａ５
ｔｅｒｉｚｅｒ Ｆｏｒ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｇｅｎａｒ
ａｔｏｒ ） Ｊ という名称の未決の出願第７８４
，８５６号にも好適な実施例として説明されている。
国特許出願において好適な実施例として説明されている
。それらの米国特許出願には、１９８８年３月２８日に
出願され、本発明の譲受人へ譲渡された、「ア・レーザ
・パターンーゼネレーション・アパレイタス（Ａ Ｌａ
５ｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ａｐ
ｐａｒａｔｕｓ ） Ｊという名称の未決の出願第１７
８，８６８号が含まれる。この米国特許出願は、１９８
６年５月２７日に出願され、本発明の譲受人へ譲渡され
たが、今は放棄された、［レーザーパターン−ゼネレー
ション・アパレイタス（Ｌａｍｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎ
Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）Ｊという
名称の出１１＠８６７．２０５号の継続出願である。こ
の米国％許出願第８６７．２０５号は、１９８５年７月
２４日に出願され、本発明の１譲受人へ譲渡されたが、
今は放棄された、［レーザーパターン・ゼネレーション
・アパレイタス（Ｌａ５ｅｒ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｇｅｎ
ｅｒａｔｉｏｎ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ）Ｊ という名
称の出願第７５８．３４４号の継続出願である。また、
Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置は、１９８５年１
０月４日に出願され、本発明の譲受人へ譲渡され念、「
ラスタライザ・フォー・パターンｅゼネレータ（Ｒａ５
ｔｅｒｉｚｅｒ Ｆｏｒ Ｐａｔｔｅｒｎ Ｇｅｎａｒ
ａｔｏｒ ） Ｊ という名称の未決の出願第７８４
，８５６号にも好適な実施例として説明されている。
Ｃ０ＲＥ−２０００パターン発生装置と上記米国特許出
願は本願比類が知っている最も適切な従来技術である。
願は本願比類が知っている最も適切な従来技術である。
また、出願人は、半導体レーザから放出された発散する
ビームを処理するビーム整形光学装置を説明している米
国ＩＴｆ許第４，３１８，５９４号と、半導体レーザか
ら放出された発散するビームを処理する丸めの米国性Ｆ
Ｆ第４，２０３，６５２号と、レーザのビームのステア
リング効果とビームのフィラメント効果に比較的鈍感な
、光学部品の調節可能な小型アレイを説明している米国
時！′ｒ！３，９７４，５０７号とを知っている。この
米国特許第３，９７４．５０７号は、開示されているレ
ーザの光出力ビームが非点収差と楕円横断面を示すこと
を開示している。更に、出願人は、Ｐ−Ｎ接合層を含む
半導体物質のブロックにより形成された固体レーザを含
む半導体レーザ構造を記述する米国特許第３，３９６，
３４４号も知っている。前記Ｐ−Ｎ接合層は、光学的に
研磨されて、共振器反射器として相互に平行な向き合う
２つのＡＮＤ面を有する。ＡＮＤ面の一方は、レーザが
励起された時に放射光を放出する面であって、前記コリ
メータレンズおよび平面−円筒レンズに組合わされる。
ビームを処理するビーム整形光学装置を説明している米
国ＩＴｆ許第４，３１８，５９４号と、半導体レーザか
ら放出された発散するビームを処理する丸めの米国性Ｆ
Ｆ第４，２０３，６５２号と、レーザのビームのステア
リング効果とビームのフィラメント効果に比較的鈍感な
、光学部品の調節可能な小型アレイを説明している米国
時！′ｒ！３，９７４，５０７号とを知っている。この
米国特許第３，９７４．５０７号は、開示されているレ
ーザの光出力ビームが非点収差と楕円横断面を示すこと
を開示している。更に、出願人は、Ｐ−Ｎ接合層を含む
半導体物質のブロックにより形成された固体レーザを含
む半導体レーザ構造を記述する米国特許第３，３９６，
３４４号も知っている。前記Ｐ−Ｎ接合層は、光学的に
研磨されて、共振器反射器として相互に平行な向き合う
２つのＡＮＤ面を有する。ＡＮＤ面の一方は、レーザが
励起された時に放射光を放出する面であって、前記コリ
メータレンズおよび平面−円筒レンズに組合わされる。
本発明の目的は、パターン発生装置における非点収差と
、イソフォーカルバイアスと、楕円率トのＭ問題を解決
する方法と装置を開発することである。
、イソフォーカルバイアスと、楕円率トのＭ問題を解決
する方法と装置を開発することである。
本発明は、放射エネルギービームを発生するビーム汀を
有するパターン発生装置における非点収差問題と、イソ
７オーカルバイアス問題と、楕円率問題を補正する装置
を開示するものである。
有するパターン発生装置における非点収差問題と、イソ
７オーカルバイアス問題と、楕円率問題を補正する装置
を開示するものである。
本発明の改良は、パターン発生装置の非点収差問題と楕
円率問題を補償する光学装置を含む。好適な実施例の光
学部５ｔは、放射エネルギービーム源と加工物の間で変
位させられる４枚のレンズを有する。とくに１４枚のレ
ンズは、放射エネルキービーム源とビーム分割器の間で
変位させられる。
円率問題を補償する光学装置を含む。好適な実施例の光
学部５ｔは、放射エネルギービーム源と加工物の間で変
位させられる４枚のレンズを有する。とくに１４枚のレ
ンズは、放射エネルキービーム源とビーム分割器の間で
変位させられる。
ビーム分割器は放射エネルギービームを複数のビームに
分割するために用いられる。
分割するために用いられる。
本発明の第２の面として、変調手段を制御するための回
路が設けられる。元のビームが複数のビームに分割され
た後で、変調手段は、加工物への個々の放射エネルギー
ビームの供給を制御する。
路が設けられる。元のビームが複数のビームに分割され
た後で、変調手段は、加工物への個々の放射エネルギー
ビームの供給を制御する。
開示されている回路は、パターン発生装置におけるイン
フォーカルバイアスの諸問題を補正するために用いられ
る。
フォーカルバイアスの諸問題を補正するために用いられ
る。
この回路は、強さレベル発生手段を制御するために用い
られるクロック信号を遅延させる遅延発生手段を含む。
られるクロック信号を遅延させる遅延発生手段を含む。
強さレベル発生手段は個々のビームの強さレベルを制御
するために用いられる。遅延発生手段は、入力として強
さデータを受け、出力として状態データを供給する状態
マシンを有する。遅延発生手段は、遅延値を格納する遅
延ルックアップテーブルと、遅延されたクロ７２１５号
を発生する遅延発生器とを更に有する。
するために用いられる。遅延発生手段は、入力として強
さデータを受け、出力として状態データを供給する状態
マシンを有する。遅延発生手段は、遅延値を格納する遅
延ルックアップテーブルと、遅延されたクロ７２１５号
を発生する遅延発生器とを更に有する。
この明細書においては、光学的スチグメータと、ビーム
の起動を制御する回路について説明する。
の起動を制御する回路について説明する。
本発明を完全に理解できるようＫするために１以下の説
明においては、レンズの特性、データフィールド中のビ
ット数等のような特定の事項の詳細について数多く述べ
である。しかし、そのような特定の詳細事項なしに本発
明を実施できることが当業者には明らかであろう。その
他の場合には、本発明を不必要に詳しく説明して本発明
をあい壕いにしないようにするために、周知の回路、構
造および技術は説明しない。
明においては、レンズの特性、データフィールド中のビ
ット数等のような特定の事項の詳細について数多く述べ
である。しかし、そのような特定の詳細事項なしに本発
明を実施できることが当業者には明らかであろう。その
他の場合には、本発明を不必要に詳しく説明して本発明
をあい壕いにしないようにするために、周知の回路、構
造および技術は説明しない。
本発明は全体として、放射エネルギービームを映像平面
へ供給する装置に関するものである。それらの装置にお
いては、映像平面上のビームの集束における一貫した予
測可能な結果をもたらすことが望ましい。しかし、公知
の装置においては、非点収差、ビーム楕円率およびイン
フォーカルバイアスを含むいくつかの望ましくない特性
の１つまたは複数個を有することがあるう そのような公矧装蓋の１つが、アメリカ合衆国オレゴン
州ビーバートン（Ｂｅａｖｅｒｔｏｎ ）所在の１本発
明の壇受入であるアテク社（Ａｔｅｑ Ｃｏｒｐ。
へ供給する装置に関するものである。それらの装置にお
いては、映像平面上のビームの集束における一貫した予
測可能な結果をもたらすことが望ましい。しかし、公知
の装置においては、非点収差、ビーム楕円率およびイン
フォーカルバイアスを含むいくつかの望ましくない特性
の１つまたは複数個を有することがあるう そのような公矧装蓋の１つが、アメリカ合衆国オレゴン
州ビーバートン（Ｂｅａｖｅｒｔｏｎ ）所在の１本発
明の壇受入であるアテク社（Ａｔｅｑ Ｃｏｒｐ。
ｒａｔｔｏｎ）により製造されている。Ｃ０ＲＩｙ２０
００パタ一ン発生装置のような装置には加工物の生産に
おける非点収差の問題が生ずる。とくに、そのような加
工物に描く物体の形状が小さくなるにつれてとくにその
ような間頌が生ずる。ＣＯＲｇ−２０００パタ一ン発生
装置のような放射エネルギー集束装置を具体化している
装置における非点収差の問題を出願人が現在理解するよ
うに、それらの問題はビームの集束の調節の狂いから生
ずる。とくに、本発明の好適な実施例においては、スト
ライプ方向におけるビームの光集束高さとは異なる走査
方向におけるビームの光集束高さによってそのような非
点収差はひき起されるようである。
００パタ一ン発生装置のような装置には加工物の生産に
おける非点収差の問題が生ずる。とくに、そのような加
工物に描く物体の形状が小さくなるにつれてとくにその
ような間頌が生ずる。ＣＯＲｇ−２０００パタ一ン発生
装置のような放射エネルギー集束装置を具体化している
装置における非点収差の問題を出願人が現在理解するよ
うに、それらの問題はビームの集束の調節の狂いから生
ずる。とくに、本発明の好適な実施例においては、スト
ライプ方向におけるビームの光集束高さとは異なる走査
方向におけるビームの光集束高さによってそのような非
点収差はひき起されるようである。
「走査方向」と１ストライプ方向」という用語は、１ｔ
ｌＶｉ人の未決ノ米国特許１ｆｊ！１１７８．８６８号
に記載されているように、走査軸に沿う方向と、ストラ
イプ軸に沿う方向を指すものでおる。走査方向は放射エ
ネルギービームが動く方向と考えられ、ストライプ方向
は書込み動作中に加工物が動く方向と考えることができ
る。
ｌＶｉ人の未決ノ米国特許１ｆｊ！１１７８．８６８号
に記載されているように、走査軸に沿う方向と、ストラ
イプ軸に沿う方向を指すものでおる。走査方向は放射エ
ネルギービームが動く方向と考えられ、ストライプ方向
は書込み動作中に加工物が動く方向と考えることができ
る。
ＵＫ、Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置のような装
置には、印刷されたパターンから推測されるように、ポ
ットの寸法が、最良の走査方向焦点における走査方向で
は、最良のストライプ方向焦点におけるストライプ方向
のスポット寸法と異るようになる、見かけのビームの楕
円率の問題が起る。
置には、印刷されたパターンから推測されるように、ポ
ットの寸法が、最良の走査方向焦点における走査方向で
は、最良のストライプ方向焦点におけるストライプ方向
のスポット寸法と異るようになる、見かけのビームの楕
円率の問題が起る。
楕円率は、イソフォーカル露光以外の露光において、ス
トライプ方向と走査方向の間で臨界寸法（ＣＤ）バイア
スを生じさせる。インフォーカル露光は、走査方向のＣ
Ｄもストライプ方向のＣＤも焦点とともに変化しないよ
う々露光レベルのことである。
トライプ方向と走査方向の間で臨界寸法（ＣＤ）バイア
スを生じさせる。インフォーカル露光は、走査方向のＣ
Ｄもストライプ方向のＣＤも焦点とともに変化しないよ
う々露光レベルのことである。
そのような楕円率は、Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生
装′１においてはレーザのようなビーム源により、音響
−光学変調器（ＡＤｂｘ）により、またはある別のビー
ム源によυひき起されることがある。
装′１においてはレーザのようなビーム源により、音響
−光学変調器（ＡＤｂｘ）により、またはある別のビー
ム源によυひき起されることがある。
更に、Ｃｏ１ｄ−２０００パタ一ン発生装置の現在入手
できる商用実施例においては、加工物上に形成すべきパ
ターンを決定するラスタライザーからのデータを受ける
ため、および加工物に書込むためのビームを制御するた
めの回路が採用される。
できる商用実施例においては、加工物上に形成すべきパ
ターンを決定するラスタライザーからのデータを受ける
ため、および加工物に書込むためのビームを制御するた
めの回路が採用される。
その回路は未決の米国特許出願第７８４，８５６号ＫＫ
詳しく記載されている。Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発
生装置のビームは、走査線を加工物に書く喪めのブラシ
を形成する重なり合った８本のビームを含む。８本の各
ビームの起動の間で時間遅れが生ずるようにビームを制
御せねばならないことが知られている。その制御が行わ
れないとすると、ビームの制御されない干渉が生じて「
きれいな」走査線を阻止する。Ｃ０ＲＥ−２０００パタ
一ン発生装置は、ビームの投射領域が重なシ合ったとし
てもビームが重なシ合わないようにするために、八〇Ｍ
と関連する制御回路を含む回路を用いる。Ｃ０ＲＥ−２
０００パタ一ン発生装置によシ用いられるビームが重な
υ合わないようにする方法は、個々の各ビームの起動の
間で入ＤＭに時間遅延を持たせることである。これによ
シ、ビームによシ発生されたブラシがきれいな走を線を
形成できるようにされる。
詳しく記載されている。Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発
生装置のビームは、走査線を加工物に書く喪めのブラシ
を形成する重なり合った８本のビームを含む。８本の各
ビームの起動の間で時間遅れが生ずるようにビームを制
御せねばならないことが知られている。その制御が行わ
れないとすると、ビームの制御されない干渉が生じて「
きれいな」走査線を阻止する。Ｃ０ＲＥ−２０００パタ
一ン発生装置は、ビームの投射領域が重なシ合ったとし
てもビームが重なシ合わないようにするために、八〇Ｍ
と関連する制御回路を含む回路を用いる。Ｃ０ＲＥ−２
０００パタ一ン発生装置によシ用いられるビームが重な
υ合わないようにする方法は、個々の各ビームの起動の
間で入ＤＭに時間遅延を持たせることである。これによ
シ、ビームによシ発生されたブラシがきれいな走を線を
形成できるようにされる。
しかし、Ｃ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置のような
装置には、イソフォーカル露光時には走査方向の臨界寸
法（ＣＤ）がストライプ方向のＣＤとわずかに異なるこ
とになる、イソ７オーカルバイアスの問題が生ずる。こ
のＣＤバイアスの原因を、今のところ出願人は、少くと
も一部は、加工物に照射されたビームのターンオン／タ
ーンオフのサイクル時間の非直線性にあると理解してい
る。
装置には、イソフォーカル露光時には走査方向の臨界寸
法（ＣＤ）がストライプ方向のＣＤとわずかに異なるこ
とになる、イソ７オーカルバイアスの問題が生ずる。こ
のＣＤバイアスの原因を、今のところ出願人は、少くと
も一部は、加工物に照射されたビームのターンオン／タ
ーンオフのサイクル時間の非直線性にあると理解してい
る。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず、未決の米国特許出願第１７８，８６８号に記載さ
れているよりなｃｏＲｇ−２０００の現在入手できる商
用型によシ利用できる光学装置が示されている第１図を
参照する。持続レーザ１０が、振動数が３６３．８ｎｍ
である１００〜２００ｍＷの放射を供給する。レーザか
らのビームは、ビームを分割する用意のために１通常の
ビーム圧縮器１２によシ圧縮される。現在市販されてい
るＣ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置のビーム圧縮器
は２枚のレンズを有する。ビーム分割器１３がレーザ１
０からのビームを８本の別々のビームに分割する。分割
器からの８本のビーム（まとめて「ブラシ」と呼ぶ）は
リレーレンズ１４を通る。リレーレンズは分割器１３か
らのビームを効果的に集束してｊｉＩませる。
れているよりなｃｏＲｇ−２０００の現在入手できる商
用型によシ利用できる光学装置が示されている第１図を
参照する。持続レーザ１０が、振動数が３６３．８ｎｍ
である１００〜２００ｍＷの放射を供給する。レーザか
らのビームは、ビームを分割する用意のために１通常の
ビーム圧縮器１２によシ圧縮される。現在市販されてい
るＣ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置のビーム圧縮器
は２枚のレンズを有する。ビーム分割器１３がレーザ１
０からのビームを８本の別々のビームに分割する。分割
器からの８本のビーム（まとめて「ブラシ」と呼ぶ）は
リレーレンズ１４を通る。リレーレンズは分割器１３か
らのビームを効果的に集束してｊｉＩませる。
それらのビームは約２分の１だけ縮められる。
市販されている音響−光変調器（ＡＤＭ）１６を用いて
光ビームを変調する。ＡＤＭからの８本のビームはダブ
プリズム１７を通じて送られる。そのダブプリズムはブ
ラシを回転させ、実際にビームを第１図の紙面から傾け
るために用いられる。
光ビームを変調する。ＡＤＭからの８本のビームはダブ
プリズム１７を通じて送られる。そのダブプリズムはブ
ラシを回転させ、実際にビームを第１図の紙面から傾け
るために用いられる。
ブームによυ形成された最終的なブラシは、ビームの間
の干渉のない各ビームの重なシ合った投射を含む。その
理由は、プリズム１１からの回転に加えて、各ビームの
起動の間に時間遅延が用いられるからである。この時間
遅延は、ＡＤＭを制御するために用いられるＡＤＭデー
タ板中の回路により生じさせられる。
の干渉のない各ビームの重なシ合った投射を含む。その
理由は、プリズム１１からの回転に加えて、各ビームの
起動の間に時間遅延が用いられるからである。この時間
遅延は、ＡＤＭを制御するために用いられるＡＤＭデー
タ板中の回路により生じさせられる。
ビーム１７からのビームはリレーレンズ１８を通ってス
テアリング鏡２０上の光点に集束する。
テアリング鏡２０上の光点に集束する。
ステアリング鏡２０は電気的に制御可能である。
ステアリング鏡により、反射ｅ１２４を含む多面体上で
ビームの角度を動かすことができる（調節できる）。ス
テアリング鏡２０から反射されたビームはズームレンズ
２２を通る。そのズームレンズにより加工物上でビーム
をより太くでき、かつ更に隔てることができ、あるいは
よシ細＜シ、かつ接近させることができる。
ビームの角度を動かすことができる（調節できる）。ス
テアリング鏡２０から反射されたビームはズームレンズ
２２を通る。そのズームレンズにより加工物上でビーム
をより太くでき、かつ更に隔てることができ、あるいは
よシ細＜シ、かつ接近させることができる。
回転多角鏡２４はビームを走査させる。
Ｆシータレンズ２６を用いて走査後の中間映像平面を形
成する。そのＦシータレンズ２６はビームを、縮少レン
ズ３２に照射して加工物３４に照射する最終的なビーム
を構成する。中間映像平面内にビーム分割器２８が配置
される。そのビーム分割器２８はビーム分割器２８から
のビームの１つを多面体検出回路へ分割するために用い
られる。
成する。そのＦシータレンズ２６はビームを、縮少レン
ズ３２に照射して加工物３４に照射する最終的なビーム
を構成する。中間映像平面内にビーム分割器２８が配置
される。そのビーム分割器２８はビーム分割器２８から
のビームの１つを多面体検出回路へ分割するために用い
られる。
その多面体検出回路は回転多角形鏡２４上の多面体位置
を示すためのパルスを供給する。これによ、９ＡＤＭ１
Ｂ からのパターンデータを反射鏡の回転番で同期させ
ることができる。加工物の走査中、または装置の較正中
のような他の選択された時間を除き、光が加工物に達す
ることを阻止するために、中間映像平面にはシャッタ３
Ｇも配置される。
を示すためのパルスを供給する。これによ、９ＡＤＭ１
Ｂ からのパターンデータを反射鏡の回転番で同期させ
ることができる。加工物の走査中、または装置の較正中
のような他の選択された時間を除き、光が加工物に達す
ることを阻止するために、中間映像平面にはシャッタ３
Ｇも配置される。
本発明は、ビーム圧縮器１２の現在の商用例の代りをす
る改良した光学装Ｍを提供するものである。この改良し
た光学装置は、レーザ１０と、Ａ［）Ｍ２Ｓと、ダブプ
リズム１７とによｐひき起されることがある非点収差と
楕円率の問題を補正するために機能する。本発明は、イ
ソフォーカルバイアスを補償および修正するためにＡＤ
Ｍデータ板により採用される回路も開示するものである
。
る改良した光学装Ｍを提供するものである。この改良し
た光学装置は、レーザ１０と、Ａ［）Ｍ２Ｓと、ダブプ
リズム１７とによｐひき起されることがある非点収差と
楕円率の問題を補正するために機能する。本発明は、イ
ソフォーカルバイアスを補償および修正するためにＡＤ
Ｍデータ板により採用される回路も開示するものである
。
第２図に示すように、Ｃ０１−２０００パタ一ン発生装
置はデータをラスタライザーで発生する。
置はデータをラスタライザーで発生する。
好適な実施例のラスタライザーが、未決の米国特許出願
第７８４，８５６号により詳しく記載されている。デー
タの８ビツトが８枚のＡＤＭデータ板２０１ によυ、
１枚のデータ板で１ビツトずつ受けられる。現在市販さ
れているＣ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置において
は、ＡＤＭデータ板２０１は、ラスタライザーから受け
たデータをＡＤＭ変調器２０２へ送ることを遅らせるよ
うに作用する。
第７８４，８５６号により詳しく記載されている。デー
タの８ビツトが８枚のＡＤＭデータ板２０１ によυ、
１枚のデータ板で１ビツトずつ受けられる。現在市販さ
れているＣ０ＲＥ−２０００パタ一ン発生装置において
は、ＡＤＭデータ板２０１は、ラスタライザーから受け
たデータをＡＤＭ変調器２０２へ送ることを遅らせるよ
うに作用する。
この遅延の目的は、加工物が走査される時に平行でない
８本のビームを修正することである。次に１ＡＤＭ変調
器２０２は、単結晶の表面上に形成されている８個のト
ランスデユーサへ信号を供給する。信号の存在は、ビー
ムがその結晶を通じて加工物へ回折されるかどうか、お
よび更Ｋ、信号の振幅がビームの強さを決定するがどう
かを判定する。
８本のビームを修正することである。次に１ＡＤＭ変調
器２０２は、単結晶の表面上に形成されている８個のト
ランスデユーサへ信号を供給する。信号の存在は、ビー
ムがその結晶を通じて加工物へ回折されるかどうか、お
よび更Ｋ、信号の振幅がビームの強さを決定するがどう
かを判定する。
光学装置
本発明は、第１図のビーム圧５５１２内の２枚のレンズ
の代りに用いられる光学装置ヲ含む新規なビーム圧縮器
を開示するものである。本発明の光学装置は、レーザと
、ＡＤＭおよびダブプリズムによりひき起された非点収
差と楕円率を補正するために、可変】の補償非点収差と
可変１の楕円率とを導入するように機能する。本発明を
、好適な実施例により用いられる光学装置（でついて説
明することにするが、上記の非点収差の問題と楕円率の
間物を補正する別の光学装置を刑用できることを当業者
は理解できるであろう。そのような光学装置は、たとえ
ば、円筒レンズと、プリズムと、傾斜板との組合わせを
使用できる。
の代りに用いられる光学装置ヲ含む新規なビーム圧縮器
を開示するものである。本発明の光学装置は、レーザと
、ＡＤＭおよびダブプリズムによりひき起された非点収
差と楕円率を補正するために、可変】の補償非点収差と
可変１の楕円率とを導入するように機能する。本発明を
、好適な実施例により用いられる光学装置（でついて説
明することにするが、上記の非点収差の問題と楕円率の
間物を補正する別の光学装置を刑用できることを当業者
は理解できるであろう。そのような光学装置は、たとえ
ば、円筒レンズと、プリズムと、傾斜板との組合わせを
使用できる。
次に第３図を＃照する。この図には好適な実施例の光学
装置３００が示されている。本発明の好適な実施例は４
枚のレンズ３０２，３０３，３０４゜３０５を有する。
装置３００が示されている。本発明の好適な実施例は４
枚のレンズ３０２，３０３，３０４゜３０５を有する。
ビーム圧縮器のこの設定においては、ビーム圧縮器の焦
点３１０に約１５．２ｍ （６インチ）の非点収差が生
じ、円柱パワー（ｃｙｌｉｎｄｅｒ ｐｏｗｅｒ）の軸
線内の焦点におけるビーム直径は約０．０２４９ｃｍ
（０，００９０８インチ）であシ、非円柱パワーの軸線
内の焦点におけるビームの直径は約０．０３８６６ｃｙ
ｎ （０，０１５２２インチ）である。
点３１０に約１５．２ｍ （６インチ）の非点収差が生
じ、円柱パワー（ｃｙｌｉｎｄｅｒ ｐｏｗｅｒ）の軸
線内の焦点におけるビーム直径は約０．０２４９ｃｍ
（０，００９０８インチ）であシ、非円柱パワーの軸線
内の焦点におけるビームの直径は約０．０３８６６ｃｙ
ｎ （０，０１５２２インチ）である。
レンズ３０２はレーザビーム源３０１ の仮想ウェスト
から約２２４．６４α（約８８．４４２インチ）の所に
設定される。レーザ波長は３６４ｎｍであシ、ウェスト
の直径は約０．１０４９ｃｍ（０，０４１３インチ）で
ある。し／ズ３０２は、ビーム３１０ が入射する凸面
と、ビーム３１０が出る平面とを有する。このレンズ３
０２の屈折率は約１．４７５で、凸面の半径は約５．０
８３ｚ（約２００１インチ）である。このレンズの最も
厚い点の厚さは約０．５０８３ｃｆＲ（約０．２０００
インチ）である。
から約２２４．６４α（約８８．４４２インチ）の所に
設定される。レーザ波長は３６４ｎｍであシ、ウェスト
の直径は約０．１０４９ｃｍ（０，０４１３インチ）で
ある。し／ズ３０２は、ビーム３１０ が入射する凸面
と、ビーム３１０が出る平面とを有する。このレンズ３
０２の屈折率は約１．４７５で、凸面の半径は約５．０
８３ｚ（約２００１インチ）である。このレンズの最も
厚い点の厚さは約０．５０８３ｃｆＲ（約０．２０００
インチ）である。
第２のレンズ３０３がレンズ３０２ の平らな百から約
１２．２４ｃｍ （４，８１９インチ）離れて配置され
る。レンズ３０３ はビーム３１０ が入射スル平らな
面と、ビーム３１０が出る円柱凸面とを有する。レンズ
３０３の屈折率は約１．４７５で、凸面の半径が約３．
４４７譚（約１．３５ フインチ）、厚さが約０．５０
８３ｃｌＩ＠（０，２０００インチ）である。
１２．２４ｃｍ （４，８１９インチ）離れて配置され
る。レンズ３０３ はビーム３１０ が入射スル平らな
面と、ビーム３１０が出る円柱凸面とを有する。レンズ
３０３の屈折率は約１．４７５で、凸面の半径が約３．
４４７譚（約１．３５ フインチ）、厚さが約０．５０
８３ｃｌＩ＠（０，２０００インチ）である。
第３のレンズ３０４が第２のレンズの凸面から約１．０
１７ｍ（約０．４００５インチ）講される。第３のレン
ズ３０４はビーム３１０が入射する平らな表面と、ビー
ム３１０が出る凸面とを有する。
１７ｍ（約０．４００５インチ）講される。第３のレン
ズ３０４はビーム３１０が入射する平らな表面と、ビー
ム３１０が出る凸面とを有する。
第３のレンズ３０４の屈折率は約１．４７５ で、半
径は約１．５３０ｍ（約０．６０２４インチ）、厚さが
約０．５０８３ ｃｍ （約０．２０００インチ）であ
る。
径は約１．５３０ｍ（約０．６０２４インチ）、厚さが
約０．５０８３ ｃｍ （約０．２０００インチ）であ
る。
第４のレンズ３０５は第３のレンズ３０４の凸面から約
０．６９４１８ ｃｍ （約２．２７３３インチ）隔て
られる。第４のレンズはビーム３１０が入射する平らな
面と、ビーム３１０が出る円柱凹面とを有する。第４の
し／ズ３０５ の屈折率は約１．４７５で、厚さは約０
．５０８３国（約０．２０００インチ）である。第４の
レンズの半径は約４．１３５１ｃｍ（約１．６２８０イ
ンチ）で、第１のビーム分割器１３から約１１．８５ｍ
（約４．６６５インチ）だけ隔てられる。
０．６９４１８ ｃｍ （約２．２７３３インチ）隔て
られる。第４のレンズはビーム３１０が入射する平らな
面と、ビーム３１０が出る円柱凹面とを有する。第４の
し／ズ３０５ の屈折率は約１．４７５で、厚さは約０
．５０８３国（約０．２０００インチ）である。第４の
レンズの半径は約４．１３５１ｃｍ（約１．６２８０イ
ンチ）で、第１のビーム分割器１３から約１１．８５ｍ
（約４．６６５インチ）だけ隔てられる。
上記の光学装置を利用すると、本発明の好適な実施例は
、し〜ザ源１０と、ＡＤＭ１６と、グブプリズム（第１
図）によりひき起されるビーム３１０の非点収差と清円
率の問題をｖＩ慣する。レンズ要素３０３と ３０４の
間、レンズ蓼累３０４ と３０５の間の空隙を変化する
ことによシ、変化する量の非潰収蓬と楕円率を焦点３１
０に導入でさる。導入された非点収差と楕円率はパター
ン発生装置の最後の映像面へ移される。
、し〜ザ源１０と、ＡＤＭ１６と、グブプリズム（第１
図）によりひき起されるビーム３１０の非点収差と清円
率の問題をｖＩ慣する。レンズ要素３０３と ３０４の
間、レンズ蓼累３０４ と３０５の間の空隙を変化する
ことによシ、変化する量の非潰収蓬と楕円率を焦点３１
０に導入でさる。導入された非点収差と楕円率はパター
ン発生装置の最後の映像面へ移される。
次に、本発明の好適な￥流側の光学装遁Ｏ分解図が示さ
れている第４図を参照する。光学装置４００は、第１図
にビーム圧縮器１２と示されている、レーザ源１０とビ
ーム分割器１３の間の場所において第１図のレーザパタ
ーン発生装置内を移動させられる。光学装置４００は、
レンズ４０２゜４０３．４０４，４０５を保持するレン
ズホルダを結合するために複数の場所４１１ を有する
ベース４２０を含む。レンズ４０２，４０３，４０４．
４０５は第３図のレンズ３０２，３０３，３０４，３０
５にそれぞれ対応する。好適な実施例においては、各レ
ンズ４０２゜４０３．４０４，４０５ は取付は手段４
１２，４１３，４１４．４１５によυそれぞれベース４
２０へ取付けられる。
れている第４図を参照する。光学装置４００は、第１図
にビーム圧縮器１２と示されている、レーザ源１０とビ
ーム分割器１３の間の場所において第１図のレーザパタ
ーン発生装置内を移動させられる。光学装置４００は、
レンズ４０２゜４０３．４０４，４０５を保持するレン
ズホルダを結合するために複数の場所４１１ を有する
ベース４２０を含む。レンズ４０２，４０３，４０４．
４０５は第３図のレンズ３０２，３０３，３０４，３０
５にそれぞれ対応する。好適な実施例においては、各レ
ンズ４０２゜４０３．４０４，４０５ は取付は手段４
１２，４１３，４１４．４１５によυそれぞれベース４
２０へ取付けられる。
本発明の好適な実施例は第１図のＡＤＭ１６ を肖；
ｊ御する回路を開示する。本発明の好適な実施例は、加
工物が走査きれていない時は平行でないパターン発生装
置の８本のビームを補正するラスタライザーからのデー
タのＡＤＭへの供給’を遅らせるために用いられる回路
を利用する。本発明の進歩的な特徴として、ビームのタ
ーンオン／ターンオフにおける非直線性によりひき起さ
れるＣＤバイアスを補正するために別の回路が用いられ
る。
ｊ御する回路を開示する。本発明の好適な実施例は、加
工物が走査きれていない時は平行でないパターン発生装
置の８本のビームを補正するラスタライザーからのデー
タのＡＤＭへの供給’を遅らせるために用いられる回路
を利用する。本発明の進歩的な特徴として、ビームのタ
ーンオン／ターンオフにおける非直線性によりひき起さ
れるＣＤバイアスを補正するために別の回路が用いられ
る。
次に、好適な実施例においてＣＤバイアスを補正するた
めに用いられる回路がブロック図で示されている第５図
を参照する。データの２ビツトが線５０１ を介して
状聾マシン５０２へ入力される。
めに用いられる回路がブロック図で示されている第５図
を参照する。データの２ビツトが線５０１ を介して
状聾マシン５０２へ入力される。
そのデータの２ビツトはビームの希望の強さを示す。第
１表を参照して、本発明の一実旅し１］においでａ、線
５０１ を介して人力されるデータの２ビツトのうちの
１ビツトが遅延回路によシ実効果的に無視される。この
場合には、残りのビットが０であれば、ビームの強さは
オフであると解される。
１表を参照して、本発明の一実旅し１］においでａ、線
５０１ を介して人力されるデータの２ビツトのうちの
１ビツトが遅延回路によシ実効果的に無視される。この
場合には、残りのビットが０であれば、ビームの強さは
オフであると解される。
ビット値が１であれば、ビームの強さは完全にオンであ
ると解される。
ると解される。
第 ■ 表
本発明の第２の実施例においては、線５０１ 上の側
方のビット入力はビームの強さレベルを決定するのに用
いられる。この第２の実施例においては、ビット値は第
■表により示される意味を有する。第２の実施例によっ
てオフ、１／２の強さおよび完全な強さの３つのレベル
が定められる。
方のビット入力はビームの強さレベルを決定するのに用
いられる。この第２の実施例においては、ビット値は第
■表により示される意味を有する。第２の実施例によっ
てオフ、１／２の強さおよび完全な強さの３つのレベル
が定められる。
１／２の強さはＯｌまたは１０で表すことができる。
第 ■ 表
ビット値 強 さ
００ オフ
０１ １／２強さ
１０ ”７２強さ
１１ 完全オン
公亦狼さルックアツプ表値
Ｆ
Ｆ
Ｆ
０ オフ ００
完全オン
Ｆ
本発明の第３の実施例においては、オフ、し３強さ、２
／′３強さ、完全強さの４つのりｉさレペルルを利用で
きる。第３の実施例においてはそれらの各強さレベルに
関連するビット値が第■表に示されている。
／′３強さ、完全強さの４つのりｉさレペルルを利用で
きる。第３の実施例においてはそれらの各強さレベルに
関連するビット値が第■表に示されている。
第■表
００ オフ ００
０１ ’／３強さ ５５１０ ２／３
強さ ＡＡ ｌｌ 完全オン ＦＦ 第５図の状態マシン５０２はデータの２ビツトを入力と
して線５０１ を介して受け、かつ前のクロックサイク
ルにおいて線５０１へ与えられたデータの２ビツトを入
力として受ける。前のクロックサイクルからのデータの
２ビツトは線５０３上でリサイクルされる。データのそ
れらの４ビツト（すなわち、現在のクロックサイクルか
らの２ビツトと、前のりｇツクサイクルからの２ビツト
）が遅延ルックアツプ表５０８への入力として用いられ
る。好適な実施例の状態マシン５０２はＭＣ１０Ｈ１４
１４ビツトユニバーサルシフトレジスタを含む。
強さ ＡＡ ｌｌ 完全オン ＦＦ 第５図の状態マシン５０２はデータの２ビツトを入力と
して線５０１ を介して受け、かつ前のクロックサイク
ルにおいて線５０１へ与えられたデータの２ビツトを入
力として受ける。前のクロックサイクルからのデータの
２ビツトは線５０３上でリサイクルされる。データのそ
れらの４ビツト（すなわち、現在のクロックサイクルか
らの２ビツトと、前のりｇツクサイクルからの２ビツト
）が遅延ルックアツプ表５０８への入力として用いられ
る。好適な実施例の状態マシン５０２はＭＣ１０Ｈ１４
１４ビツトユニバーサルシフトレジスタを含む。
第■表は、本発明の上記３つの各実施例について状態マ
シン５０２から出力できる各状態の解釈を示すものであ
る。第■表において、ＢＯとＡＯは現在のクロックサイ
クルからのデータを表１゜Ｂ１とＡ１は前のクロックサ
イクルからのデータを表す。ｒＡｏ、ＡＩだけ」と示さ
れている欄は第１の実施例における状態を表す。ｒ １
０＆ ０１＝１／２強さ」と示されている欄は第２の実
施例に対する状態を表１、ｒｏ１＝１／３強さ、 １０
＝２／３強さ」 と示されている欄は第３の実施例に対
する状態を示す。
シン５０２から出力できる各状態の解釈を示すものであ
る。第■表において、ＢＯとＡＯは現在のクロックサイ
クルからのデータを表１゜Ｂ１とＡ１は前のクロックサ
イクルからのデータを表す。ｒＡｏ、ＡＩだけ」と示さ
れている欄は第１の実施例における状態を表す。ｒ １
０＆ ０１＝１／２強さ」と示されている欄は第２の実
施例に対する状態を表１、ｒｏ１＝１／３強さ、 １０
＝２／３強さ」 と示されている欄は第３の実施例に対
する状態を示す。
第１の実施例においては、ＢＯビットとＢ１ビットは実
効的に無視され、ＡＯビットとＡ１ビットだけが状態の
決定に用いられる。たとえば、１６進値０．２，８．Ａ
は安定なオフ遅れ場所である。
効的に無視され、ＡＯビットとＡ１ビットだけが状態の
決定に用いられる。たとえば、１６進値０．２，８．Ａ
は安定なオフ遅れ場所である。
更（（、第２の実施例においては、１０と０１は同じ強
さを示す。したがって、例として、１６進値１と２は、
１／２強さからオフへの移行である、同じ状態を表す。
さを示す。したがって、例として、１６進値１と２は、
１／２強さからオフへの移行である、同じ状態を表す。
第３の実施例においては、各１６進値は異なる状態を表
す。
す。
第■表
１６進 ビット値
へ から ＡＯ、Ａｌ １０＆０１＝安定オフ 安
定オフ 立下り縁部し叶吋７ 安定オフ し２→オフ 立下り縁部完全〒オフ 立上グ縁部オフ−ｉ 安定オン 安定棒 立上り縁部安定に 安定オン 完全→に 安定オフ オフ→Ａ 立下ダ縁部安定輪 安定オフ 安定ｉ 立下り縁部完全→凭 立上ダ縁部オフ畦全 安定オン μ−完全 立上訪縁部騒一完全 安定オフ 安定完全 ０１＝ｉ強さ 安定オフ ！る→オフ ｈ→オフ 完全→オフ オフ→ｉ 安定 話 始→ｉ 完全→Ａ オフ→ｈ 弛→輪 安定 ｈ 完全→ｈ オフ→完全 Ａ→完全 始→完全 安定完全 状態マシン５０２からの４ビツト値が、遅延値を探す念
めのアドレスとして遅延ルックアツプ表５０８へ入力さ
れる。好適な実施例においては、遅延ルックアツプ表５
０８は１６個までの８ビツト値を格納するために１６×
８メモリアレイを有する。本発明の好適な実施例は２つ
のＭ（：’１０Ｈ１４５デ一タＲＡＭを有する。特定の
任意の状態に対応する４ピツトによりアドレスされる遅
延ルックアツプ表内の値はその状態に対して望ましい遅
延値である。その遅延値は８ビツト値として線５０９
へ出力される。
定オフ 立下り縁部し叶吋７ 安定オフ し２→オフ 立下り縁部完全〒オフ 立上グ縁部オフ−ｉ 安定オン 安定棒 立上り縁部安定に 安定オン 完全→に 安定オフ オフ→Ａ 立下ダ縁部安定輪 安定オフ 安定ｉ 立下り縁部完全→凭 立上ダ縁部オフ畦全 安定オン μ−完全 立上訪縁部騒一完全 安定オフ 安定完全 ０１＝ｉ強さ 安定オフ ！る→オフ ｈ→オフ 完全→オフ オフ→ｉ 安定 話 始→ｉ 完全→Ａ オフ→ｈ 弛→輪 安定 ｈ 完全→ｈ オフ→完全 Ａ→完全 始→完全 安定完全 状態マシン５０２からの４ビツト値が、遅延値を探す念
めのアドレスとして遅延ルックアツプ表５０８へ入力さ
れる。好適な実施例においては、遅延ルックアツプ表５
０８は１６個までの８ビツト値を格納するために１６×
８メモリアレイを有する。本発明の好適な実施例は２つ
のＭ（：’１０Ｈ１４５デ一タＲＡＭを有する。特定の
任意の状態に対応する４ピツトによりアドレスされる遅
延ルックアツプ表内の値はその状態に対して望ましい遅
延値である。その遅延値は８ビツト値として線５０９
へ出力される。
第Ｖ表は、遅延ルックアツプ表内のアドレス場所に格納
できる遅延値の数に対応する時間遅延を示す。たとえば
、遅延ルックアツプ表中のアドレスにおける１６進値Ｏ
は、第５図の回路からの出力の呈示のＯピコ秒の遅延を
与える。１６進値の１は５８．８ピコ秒の遅延を示し、
１６進値ＦＦは１５．０ナノ秒の遅延を示す。本発明の
要旨範囲を逸脱することなしに別の遅延値を利用できる
ことが当業者には明らかである。
できる遅延値の数に対応する時間遅延を示す。たとえば
、遅延ルックアツプ表中のアドレスにおける１６進値Ｏ
は、第５図の回路からの出力の呈示のＯピコ秒の遅延を
与える。１６進値の１は５８．８ピコ秒の遅延を示し、
１６進値ＦＦは１５．０ナノ秒の遅延を示す。本発明の
要旨範囲を逸脱することなしに別の遅延値を利用できる
ことが当業者には明らかである。
第７表
００ ０ ｐｇ
ｌ １ ５８．８ｐｓ２５５
ＦＦ １５．０ｎｓ線５０
９上の８ピツト出力は、第ｖ表の遅延を生ずる遅延発生
器５１１ へ入力される。好適々実施例の遅延発生器は
プルツクスツ’） （Ｂｒｏｏｋｓｔｒｅｅ ）
６０１ （Ｂｔ ６０１ ） タイミング縁部バー
ニヤを有する。遅延発生器５１１ は、ＷＪ５図の回路
の出力レジスタ５１５をクロックするためのパルスを出
力として供給する。そのパルスは線５１２へ供給される
。
ＦＦ １５．０ｎｓ線５０
９上の８ピツト出力は、第ｖ表の遅延を生ずる遅延発生
器５１１ へ入力される。好適々実施例の遅延発生器は
プルツクスツ’） （Ｂｒｏｏｋｓｔｒｅｅ ）
６０１ （Ｂｔ ６０１ ） タイミング縁部バー
ニヤを有する。遅延発生器５１１ は、ＷＪ５図の回路
の出力レジスタ５１５をクロックするためのパルスを出
力として供給する。そのパルスは線５１２へ供給される
。
第６図を簡単に参照して、本発明の好適な実施例は２つ
のＢｔ ６０１ タイミング起部バーニヤ回路６４０，
６４１ を有する。好適な実施例において２つのＢｔ
６０２タイミング縁部バーニヤ梳用することにより、そ
れらの回路の回復時間が補償される。好適な実施例にお
いては、Ｂｔ６０１回路はＤＱラッテ６５０からの信号
出力によってクロックされる。Ｂｔ６０１回路６４０は
ラッチ６５０のＱ出力によってクロックされ、Ｂｔ８０
１回路６４１はラッテ６５０のＱ出力によりクロックさ
れる。
のＢｔ ６０１ タイミング起部バーニヤ回路６４０，
６４１ を有する。好適な実施例において２つのＢｔ
６０２タイミング縁部バーニヤ梳用することにより、そ
れらの回路の回復時間が補償される。好適な実施例にお
いては、Ｂｔ６０１回路はＤＱラッテ６５０からの信号
出力によってクロックされる。Ｂｔ６０１回路６４０は
ラッチ６５０のＱ出力によってクロックされ、Ｂｔ８０
１回路６４１はラッテ６５０のＱ出力によりクロックさ
れる。
ＤＱラッテ６５０はプリントクロックによってクロック
される。第５図の勝５１２ に対応する遅延されるクロ
ック線６５２へはＢｔ６０１回路６４０と６４１ から
パルスが交互に供給される。
される。第５図の勝５１２ に対応する遅延されるクロ
ック線６５２へはＢｔ６０１回路６４０と６４１ から
パルスが交互に供給される。
再び第５図を参照して、状態マシンによシ供給される各
状態に関連する出力強さレベルを強さルックアツプ表５
２０が格納する。再び第１表、第■表、第■表を参照し
て、本発明は現在３つの実施例を可卵にする。８１表に
より示されている第１の実施例に幹いては、強さルック
アツプ表中の各場所内の強さルックアツプ表値は、ビー
ムがオフであることを示す１６進００ま六はビームが完
全にオンであることを示す１６進ＦＦに公称セットされ
る。第■表に示されている第２の実施例においては３つ
の強さレベルがある。強さルックアツプ表アドレス場所
は、ビームがオフであることを示す１６進０Ｏ１１／２
＠さを示す１６進７Ｆ、または完全強さを示す１６進Ｆ
Ｆに公称セットされる。第■表に示されている第３の実
施例においては、強さルックアツプ表は４つの公称値を
有する。１６ａＯＯＯはビームがオフであることを示し
、１６進５５は１／３強さレベルを示し、 １６進ＡＡ
は２／３強さレベルを示し、１６進Ｆ’Ｆは完全強さを
示す。この回路、好適な実施例、の出力は次の式を用い
て計算できる。
状態に関連する出力強さレベルを強さルックアツプ表５
２０が格納する。再び第１表、第■表、第■表を参照し
て、本発明は現在３つの実施例を可卵にする。８１表に
より示されている第１の実施例に幹いては、強さルック
アツプ表中の各場所内の強さルックアツプ表値は、ビー
ムがオフであることを示す１６進００ま六はビームが完
全にオンであることを示す１６進ＦＦに公称セットされ
る。第■表に示されている第２の実施例においては３つ
の強さレベルがある。強さルックアツプ表アドレス場所
は、ビームがオフであることを示す１６進０Ｏ１１／２
＠さを示す１６進７Ｆ、または完全強さを示す１６進Ｆ
Ｆに公称セットされる。第■表に示されている第３の実
施例においては、強さルックアツプ表は４つの公称値を
有する。１６ａＯＯＯはビームがオフであることを示し
、１６進５５は１／３強さレベルを示し、 １６進ＡＡ
は２／３強さレベルを示し、１６進Ｆ’Ｆは完全強さを
示す。この回路、好適な実施例、の出力は次の式を用い
て計算できる。
出力レベル＝ ０．８ Ｖ ｘ （ＴＴＬＤＡＣ／２５
５ｔｏ ）Ｘ（ＯＵＴＬｇＶＥＬ／２５５ｓｏ’）この
式においては、０．８ボルトは好適な実施例の回路のた
めに利用できる最高出力電圧レベルである。０ＵＴＬＥ
ＶＥＬは第５図の強さルックアツプ表５２０から得られ
る値を示し、ＴＴＬＤＡＣ値は、本発明の回路において
セットされるレジスタから得られる。このレジスタの値
は、回路の０．８■レベルを因数に分解するため、出力
の最大値をセットするために用いられる。したがって、
ＴτＬＤＡＣレジスタにより供給される出力分解能は３
、ｘ４ｍｖ（すなわち、０．８Ｖを２５５のレベルで除
したもの）である。
５ｔｏ ）Ｘ（ＯＵＴＬｇＶＥＬ／２５５ｓｏ’）この
式においては、０．８ボルトは好適な実施例の回路のた
めに利用できる最高出力電圧レベルである。０ＵＴＬＥ
ＶＥＬは第５図の強さルックアツプ表５２０から得られ
る値を示し、ＴＴＬＤＡＣ値は、本発明の回路において
セットされるレジスタから得られる。このレジスタの値
は、回路の０．８■レベルを因数に分解するため、出力
の最大値をセットするために用いられる。したがって、
ＴτＬＤＡＣレジスタにより供給される出力分解能は３
、ｘ４ｍｖ（すなわち、０．８Ｖを２５５のレベルで除
したもの）である。
強さルックアツプ表５２０からの８ビツト出力はバッフ
ァレジスタ５３０へ入力として供給される。そのバッフ
ァレジスタは、表のルックアップアクセス中は第５図の
強さルックアツプ表の出力を保持する。
ァレジスタ５３０へ入力として供給される。そのバッフ
ァレジスタは、表のルックアップアクセス中は第５図の
強さルックアツプ表の出力を保持する。
以上、パターン発生装置における非点収差の問題と、イ
ンフォーカルバイアスの問題と、楕円率の問題を補償す
る装置について説明した。
ンフォーカルバイアスの問題と、楕円率の問題を補償す
る装置について説明した。
第１図は本発明により利用できる公知のパターン発生装
置における全体的な光路を示す光学的な略図、第２図は
本発明により利用できる、音響光変調データをパターン
発生装置へ供給する公知の装Ｅｌを示すブロック図、第
３図は本発明により利用できる光学的レンズ系°を示す
ブロックＭ１第４図は本発明により利用できる光学的レ
ンズ組立体の分解図、第５図は本発明により利用できる
回路のブロック図、第６図は第５図に示されている回路
の一部のブロック図である。 ３００．４００ ・・・・光学装置、３０２，３０３
゜３０４．３０５，４０２，４０３，４０４，４０５・
・串・レン、ｌ’、５０２ ・・・・状態マシン、５０
８・・・拳遅延ルックアップ表、５１１・・・・ 遅延
発生器、５１５０曇・Φ出力レジスタ、５２０ ・・・
・ 強さルックアツプ表、５３０・・・・ブランキング
・マルチプレクサ、６４０，８４１ −―・・ タイミ
ング縁部バーニヤ、６５０ φΦ・・ラッチ。
置における全体的な光路を示す光学的な略図、第２図は
本発明により利用できる、音響光変調データをパターン
発生装置へ供給する公知の装Ｅｌを示すブロック図、第
３図は本発明により利用できる光学的レンズ系°を示す
ブロックＭ１第４図は本発明により利用できる光学的レ
ンズ組立体の分解図、第５図は本発明により利用できる
回路のブロック図、第６図は第５図に示されている回路
の一部のブロック図である。 ３００．４００ ・・・・光学装置、３０２，３０３
゜３０４．３０５，４０２，４０３，４０４，４０５・
・串・レン、ｌ’、５０２ ・・・・状態マシン、５０
８・・・拳遅延ルックアップ表、５１１・・・・ 遅延
発生器、５１５０曇・Φ出力レジスタ、５２０ ・・・
・ 強さルックアツプ表、５３０・・・・ブランキング
・マルチプレクサ、６４０，８４１ −―・・ タイミ
ング縁部バーニヤ、６５０ φΦ・・ラッチ。
Claims (3)
- （１）加工物上にパターンを発生するために放射エネル
ギービームを供給する放射エネルギー源を有するパター
ン発生装置において、前記放射エネルギービーム中の非
点収差と楕円率を補正するための光学的ステイグメータ
手段を備えることを特徴とするパターン発生装置。 - （２）加工物上にパターンを発生するために放射エネル
ギービームを供給する放射エネルギー源と、前記放射エ
ネルギービームを複数のビームに分割するビーム分割手
段と、前記複数のビームを変調する変調手段とを有する
パターン発生装置において、前記変調手段を制御する制
御手段を備え、この制御手段は、 第１の線に第１のクロック信号を供給するクロック手段
と、 前記第１の線へ結合され、前記第１のクロック信号から
遅延させられた第２のクロック信号を第２の線へ供給す
る遅延発生手段と、 この遅延発生手段へ結合され、輝度レベルを前記変調手
段へ供給する輝度レベル発生手段と、を備えることを特
徴とするパターン発生装置。 - （３）加工物上にパターンを発生するために放射エネル
ギービームを供給する放射エネルギー源と、前記放射エ
ネルギービームを複数のビームに分割するビーム分割手
段と、前記複数の放射ビームを変調して、前記加工物へ
の前記複数のビームの呈示を制御する変調手段とを有す
るパターン発生装置において、このパターン発生装置に
おける非点収差と、イソフォーカルバイアスと、楕円率
との諸問題を制御するために、 前記パターン発生装置内の非点収差と楕円率を修正する
光学的ステイグメータと、 前記変調手段を制御し、ビームのターンオンとターンオ
フにおける非直線性によりひき起されるバイアスを補正
する制御手段と、 を備えることを特徴とするパターン発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US237753 | 1988-08-26 | ||
| US07/237,753 US4956650A (en) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | Pattern generation system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168221A true JPH02168221A (ja) | 1990-06-28 |
| JP3047240B2 JP3047240B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=22895023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217647A Expired - Lifetime JP3047240B2 (ja) | 1988-08-26 | 1989-08-25 | パターン発生装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4956650A (ja) |
| JP (1) | JP3047240B2 (ja) |
| DE (1) | DE3927732C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US5153608A (en) * | 1991-09-27 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Skew and bow correction system for an image scanner |
| US5386221A (en) * | 1992-11-02 | 1995-01-31 | Etec Systems, Inc. | Laser pattern generation apparatus |
| AU5410294A (en) * | 1992-11-02 | 1994-05-24 | Etec Systems, Inc. | Rasterizer for a pattern generation apparatus |
| WO1994020301A1 (en) * | 1993-03-10 | 1994-09-15 | Pease Richard W | Light beam image recording and input apparatus and method |
| US5393987A (en) * | 1993-05-28 | 1995-02-28 | Etec Systems, Inc. | Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography |
| US5751588A (en) * | 1995-04-28 | 1998-05-12 | International Business Machines Corporation | Multi-wavelength programmable laser processing mechanisms and apparatus utilizing vaporization detection |
| US5620618A (en) * | 1995-04-28 | 1997-04-15 | International Business Machines Corporation | Multi-wavelength programmable laser processing mechanisms and apparatus |
| JPH09109458A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-04-28 | Hitachi Koki Co Ltd | 電子写真装置 |
| DE19745280A1 (de) * | 1997-10-15 | 1999-04-22 | Daimler Chrysler Ag | Verfahren zur Fein- und Mikrobearbeitung von Werkstücken mittels Laserstrahlen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US6271514B1 (en) * | 1999-03-19 | 2001-08-07 | Etec Systems, Inc. | Multi-beam scanner including a dove prism array |
| US6645677B1 (en) | 2000-09-18 | 2003-11-11 | Micronic Laser Systems Ab | Dual layer reticle blank and manufacturing process |
| WO2006101558A2 (en) * | 2004-12-21 | 2006-09-28 | Imago Scientific Instruments Corporation | Laser atom probes |
| US7551359B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-06-23 | 3M Innovative Properties Company | Beam splitter apparatus and system |
| US10495943B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-12-03 | Harris Corporation | Multi-channel phase-capable acousto-optic modulator (AOM) including beam stabilizer and related methods |
| US9915851B1 (en) | 2016-11-03 | 2018-03-13 | Harris Corporation | Multi-channel phase-capable acousto-optic modulator (AOM) and related methods |
| US10509245B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-12-17 | Harris Corporation | Multi-channel laser system including an acousto-optic modulator (AOM) with beam stabilizer and related methods |
| US9958711B1 (en) | 2016-11-03 | 2018-05-01 | Harris Corporation | Control system using a phase modulation capable acousto-optic modulator for diverting laser output intensity noise to a first order laser light beam and related methods |
| US9958710B1 (en) | 2016-11-03 | 2018-05-01 | Harris Corporation | Multi-channel laser system including an acousto-optic modulator (AOM) and related methods |
| US10466516B2 (en) | 2016-11-03 | 2019-11-05 | Harris Corporation | Control system including a beam stabilizer and a phase modulation capable acousto-optic modulator for diverting laser output intensity noise to a first order laser light beam and related methods |
| US10754223B2 (en) | 2016-11-03 | 2020-08-25 | Harris Corporation | Multi-channel laser system including an acoustic-optic modulator (AOM) with atom trap and related methods |
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| JPS6244246A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | 宮島 隆志 | 歯および口の洗浄液および洗浄装置 |
| JPS62128272A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Ricoh Co Ltd | 記録装置 |
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| US3974507A (en) * | 1975-09-29 | 1976-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Conversion of stripe-geometry junction laser emission to a spherical wavefront |
| US4318594A (en) * | 1977-02-15 | 1982-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Beam shaping optical system |
| JPS61199374A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Ricoh Co Ltd | ドツト補正のレ−ザプリンタ |
| JPS61285867A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 網点画像記録方法並びに装置 |
| DE3624163C2 (de) * | 1985-07-24 | 2001-05-17 | Ateq Corp | Gerät zur Erzeugung eines Musters auf einem eine strahlungsempfindliche Schicht aufweisenden Werkstück |
| US4796038A (en) * | 1985-07-24 | 1989-01-03 | Ateq Corporation | Laser pattern generation apparatus |
| US4806921A (en) * | 1985-10-04 | 1989-02-21 | Ateq Corporation | Rasterizer for pattern generator |
-
1988
- 1988-08-26 US US07/237,753 patent/US4956650A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-08-23 DE DE3927732A patent/DE3927732C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-25 JP JP1217647A patent/JP3047240B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4956650A (en) | 1990-09-11 |
| DE3927732C2 (de) | 2003-10-09 |
| DE3927732A1 (de) | 1990-03-01 |
| JP3047240B2 (ja) | 2000-05-29 |
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