JPH02168614A - Ｘ線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法Info
- Publication number
- JPH02168614A JPH02168614A JP1054917A JP5491789A JPH02168614A JP H02168614 A JPH02168614 A JP H02168614A JP 1054917 A JP1054917 A JP 1054917A JP 5491789 A JP5491789 A JP 5491789A JP H02168614 A JPH02168614 A JP H02168614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- membrane
- mask pattern
- ray
- support frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔章業上の利用分野〕
この発明は、Ｘ線の照射により基板へのパターンの転写
を行うＸ線リソグラフィに用いられるＸ線露光用マスク
と、それを用いた露光方法に関する。
を行うＸ線リソグラフィに用いられるＸ線露光用マスク
と、それを用いた露光方法に関する。
一般に、Ｘ線リソグラフィは０．３μｍ程度以下の超微
細のパターンを基板に転写する技術として知られている
。
細のパターンを基板に転写する技術として知られている
。
第１０図はこのような超＠細のパターンを基板に転写す
るために用いられる従来のＸ線露光用マスクの平面図で
ある。第１１図は第１０図の■■線に沿う断面図であっ
て、後述される支持枠がエツチングされる前の状態を示
す図であり、第１２図は同じく第１０図の■−■線に沿
う断面図であって、支持枠がエツチングされた後の状態
を示す図である。これらの図に示されるＸ線露光用マス
ク（２）は、窒化ケイ素のようにＸ線を透過する性質を
有する材料からなるメンブレン（４）と、このメンブレ
ン（４）の上面に形成され且つタングステンのようにＸ
線を吸収する性質を有する材料からなるマスクパターン
（６）と、メンブレン（４）の下面に形成されてメンブ
レン（４）を機械的に支持すると共にＳｉからなる支持
枠（８）と、この支持枠（８）の下面に設けられてその
支持枠（８）をエツチングするためのエツチング用マス
クく１０）とを有している。
るために用いられる従来のＸ線露光用マスクの平面図で
ある。第１１図は第１０図の■■線に沿う断面図であっ
て、後述される支持枠がエツチングされる前の状態を示
す図であり、第１２図は同じく第１０図の■−■線に沿
う断面図であって、支持枠がエツチングされた後の状態
を示す図である。これらの図に示されるＸ線露光用マス
ク（２）は、窒化ケイ素のようにＸ線を透過する性質を
有する材料からなるメンブレン（４）と、このメンブレ
ン（４）の上面に形成され且つタングステンのようにＸ
線を吸収する性質を有する材料からなるマスクパターン
（６）と、メンブレン（４）の下面に形成されてメンブ
レン（４）を機械的に支持すると共にＳｉからなる支持
枠（８）と、この支持枠（８）の下面に設けられてその
支持枠（８）をエツチングするためのエツチング用マス
クく１０）とを有している。
このような構成を有する従来のＸｆｉ露光用マスク（２
）にあっては、メンブレン（４）と、マスクパターンく
６）とが順次真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法
などにより数μｍ程度の極めて蕩い膜厚に形成される。
）にあっては、メンブレン（４）と、マスクパターンく
６）とが順次真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法
などにより数μｍ程度の極めて蕩い膜厚に形成される。
このため、第１１図のように、円盤形状の支持枠（８）
の上面にメンブレン（４）とマスクパターン〈６）とを
形成すると共に下面にエツチング用マスク（１０）を形
成した後、エツチング用マスク（１０）を用いて支持枠
く８）の中心部を第１２図のようにエツチングしたとき
には、メンブレン（４）やマスクパターン（６）の内部
応力が緩和して薄いメンブレン（４）が第１２図のよう
に変形してしまう、その結果、メンブレン（４）の上面
に形成されているマスクパターン（６）が所要の正規の
位置からずれてしまい、いわゆるパターン歪みが生じる
という問題がある。
の上面にメンブレン（４）とマスクパターン〈６）とを
形成すると共に下面にエツチング用マスク（１０）を形
成した後、エツチング用マスク（１０）を用いて支持枠
く８）の中心部を第１２図のようにエツチングしたとき
には、メンブレン（４）やマスクパターン（６）の内部
応力が緩和して薄いメンブレン（４）が第１２図のよう
に変形してしまう、その結果、メンブレン（４）の上面
に形成されているマスクパターン（６）が所要の正規の
位置からずれてしまい、いわゆるパターン歪みが生じる
という問題がある。
また、Ｘ線露光用マスク（２）の周囲の温度変化の影響
で支持枠（８）、メンブレン（４）、マスクパターン（
６）のそれぞれが熱歪みを生じ、これによりパターン歪
みが生じることもある。
で支持枠（８）、メンブレン（４）、マスクパターン（
６）のそれぞれが熱歪みを生じ、これによりパターン歪
みが生じることもある。
このようなパターン歪みによるマスクパターン（６）の
位置状態を第１３図に示す。第１３国では、マスクパタ
ーン（６）の全体の平面形状を模式的に正方形で示すと
ともに、それを２５個の分割パターンで表している。そ
して、破線で囲まれた各分割パターンＡ、、Ａ、、Ａ、
・・・ が正規の位置にある分割パターンであり、実線
で囲まれた各分割パターンＢ、、Ｂ２．Ｂ、・・・ は
パターン歪みにより正規の位置からずれた位置にある分
割パターンであり、特にハツチング領域はパターン歪み
により位置ずれしたマスクパターン（６）を示している
。
位置状態を第１３図に示す。第１３国では、マスクパタ
ーン（６）の全体の平面形状を模式的に正方形で示すと
ともに、それを２５個の分割パターンで表している。そ
して、破線で囲まれた各分割パターンＡ、、Ａ、、Ａ、
・・・ が正規の位置にある分割パターンであり、実線
で囲まれた各分割パターンＢ、、Ｂ２．Ｂ、・・・ は
パターン歪みにより正規の位置からずれた位置にある分
割パターンであり、特にハツチング領域はパターン歪み
により位置ずれしたマスクパターン（６）を示している
。
このように正規の位置から位置ずれしたマスクパターン
（６）を有するＸ線露光用マスク（２）を用いて基板へ
の回路パターンの転写を行うと、基板に対する回路パタ
ーンの重ね合わせ精度がきわめて低くなり、特に超＠細
のパターンを高い精度で基板に形成することが困難にな
るという問題がある。
（６）を有するＸ線露光用マスク（２）を用いて基板へ
の回路パターンの転写を行うと、基板に対する回路パタ
ーンの重ね合わせ精度がきわめて低くなり、特に超＠細
のパターンを高い精度で基板に形成することが困難にな
るという問題がある。
このような問題を解消するものとして例えば特開昭６２
−１２２２１６号公報には、支持枠に電気歪素子または
磁気歪素子を接着剤でもって貼着し、これらの素子を変
形させてマスクの歪を補正するＸ線露光用マスクが開示
されている。ところが、このような構造のマスクでは、
第１に電気歪または磁気歪素子の繰り返し振動により、
接着剤が剥離してその素子が支持枠から脱落する恐れが
大きく、ｉ械的な構造上での信頼性が低いという問題と
、第２に支持枠への素子の貼着作業にかなりの手間がか
かるという問題もある。
−１２２２１６号公報には、支持枠に電気歪素子または
磁気歪素子を接着剤でもって貼着し、これらの素子を変
形させてマスクの歪を補正するＸ線露光用マスクが開示
されている。ところが、このような構造のマスクでは、
第１に電気歪または磁気歪素子の繰り返し振動により、
接着剤が剥離してその素子が支持枠から脱落する恐れが
大きく、ｉ械的な構造上での信頼性が低いという問題と
、第２に支持枠への素子の貼着作業にかなりの手間がか
かるという問題もある。
この発明はこのような開題点を解消するためになされた
もので、正規の位置からずれた状態にあるマスクパター
ンを容易に正規の位置に補正することができると共にそ
のｉ械的な信頼性が高く且つ容易に製作することのでき
るＸ ＃ｊＡ ’ｌ光用マスクを提供するとともに、そ
のＸ線露光用マスクを用いた露光方法を提供することを
目的とする。
もので、正規の位置からずれた状態にあるマスクパター
ンを容易に正規の位置に補正することができると共にそ
のｉ械的な信頼性が高く且つ容易に製作することのでき
るＸ ＃ｊＡ ’ｌ光用マスクを提供するとともに、そ
のＸ線露光用マスクを用いた露光方法を提供することを
目的とする。
この発明に係るＸ線露光用マスクは、Ｘ線透過材料から
形成されるメンブレンと、このメンブレンの面上に形成
されると共にＸ線吸収材料から形成されたマスクパター
ンと、外部信号を印加することにより機械的に変形する
材料から形成されると共にメンブレンを支持する支持枠
とを備えたものである。
形成されるメンブレンと、このメンブレンの面上に形成
されると共にＸ線吸収材料から形成されたマスクパター
ンと、外部信号を印加することにより機械的に変形する
材料から形成されると共にメンブレンを支持する支持枠
とを備えたものである。
また、この発明に係る露光方法は、Ｘ線透過材料から形
成されるメンブレンと、このメンブレンの面上に形成さ
れると共にＸ線吸収材料から形成されたマスクパターン
と、外部信号を印加することにより機械的に変形する材
料から形成されると共にメンブレンを支持する支持枠と
を備えたＸｍ露光用マスクを基板上に重ねて配直し、そ
のマスクの支持枠に外部信号を印加してマスクのマスク
パターンの歪を補正し、 マスクを通して基板にＸ線を照射することによりマスク
のマスクパターンを基板に転写する方法である。
成されるメンブレンと、このメンブレンの面上に形成さ
れると共にＸ線吸収材料から形成されたマスクパターン
と、外部信号を印加することにより機械的に変形する材
料から形成されると共にメンブレンを支持する支持枠と
を備えたＸｍ露光用マスクを基板上に重ねて配直し、そ
のマスクの支持枠に外部信号を印加してマスクのマスク
パターンの歪を補正し、 マスクを通して基板にＸ線を照射することによりマスク
のマスクパターンを基板に転写する方法である。
この発明のＸ！！露光用マスクにおいては、メンブレン
を支持するための支持枠が外部信号の印加に応じて変形
し、これによりマスクパターンの歪が補正される。
を支持するための支持枠が外部信号の印加に応じて変形
し、これによりマスクパターンの歪が補正される。
また、この発明の露光方法においては、上記のＸａＢ光
用マスクの支持枠に外部信号を印加することによりマス
クパターンの歪が補正された状態で、Ｘ線照射による基
板へのマスクパターンの転写が行なわれる。
用マスクの支持枠に外部信号を印加することによりマス
クパターンの歪が補正された状態で、Ｘ線照射による基
板へのマスクパターンの転写が行なわれる。
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの平
面図、第２図は第１図の１−１線に沿う断面図である。
面図、第２図は第１図の１−１線に沿う断面図である。
このＸ線露光用マスク（１２）は、窒化ケイ素のように
Ｘ線を透過する性質を有する材料からなる円盤形状のメ
ンブレン（４）と、このメンブレン（４）の一方の面の
中心部上に形成され且つタングステンのようにＸ線を吸
収する性質を有する材料からなるマスクパターン（６）
とを有している。メンブレン（４）のこの面上にはその
外周部に沿って＾１あるいは＾Ｕからなる第１の電極（
１４）が環状に形成されている。また、メンブレン（４
）の他方の面上には、その外周部に沿って環状に形成さ
れると共にメンブレン（４）を機械的に支持する支持枠
（１８）の一端面が接合されている。
Ｘ線を透過する性質を有する材料からなる円盤形状のメ
ンブレン（４）と、このメンブレン（４）の一方の面の
中心部上に形成され且つタングステンのようにＸ線を吸
収する性質を有する材料からなるマスクパターン（６）
とを有している。メンブレン（４）のこの面上にはその
外周部に沿って＾１あるいは＾Ｕからなる第１の電極（
１４）が環状に形成されている。また、メンブレン（４
）の他方の面上には、その外周部に沿って環状に形成さ
れると共にメンブレン（４）を機械的に支持する支持枠
（１８）の一端面が接合されている。
この支持枠（１８）は例えばチタン酸バリウムとか、チ
タン酸ジルコン酸鉛などの電気歪材料から形成されてい
る。支持枠（１８）の他端面上には八１あるいは＾Ｕか
らなる環状の第２の電極（１０）が形成されている。こ
の第２の電極（１０）は、その周に沿って１６個の分割
電極（１０ｉ〜（ｔｏ、ｉ）に等分されており、第１の
電極（１４）はこれらの分割電極（１０１）〜（１ｏｓ
ｓ）に共通に対応する電極となっている。
タン酸ジルコン酸鉛などの電気歪材料から形成されてい
る。支持枠（１８）の他端面上には八１あるいは＾Ｕか
らなる環状の第２の電極（１０）が形成されている。こ
の第２の電極（１０）は、その周に沿って１６個の分割
電極（１０ｉ〜（ｔｏ、ｉ）に等分されており、第１の
電極（１４）はこれらの分割電極（１０１）〜（１ｏｓ
ｓ）に共通に対応する電極となっている。
このような構成のＸ線露光用マスク（１２）は例えば次
のようにして作成することができる。まず、電気歪材料
により厚さ４〜５ＩＩ１ｍの円盤形状の支持枠（１８）
を形成し、この支持枠（１８）の一方の面上に真空蒸着
法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法等で窒化ケイ素
からなるメンブレン（４）を数μｍの厚さに形成する。
のようにして作成することができる。まず、電気歪材料
により厚さ４〜５ＩＩ１ｍの円盤形状の支持枠（１８）
を形成し、この支持枠（１８）の一方の面上に真空蒸着
法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法等で窒化ケイ素
からなるメンブレン（４）を数μｍの厚さに形成する。
その後、メンブレン（４）の面上及び支持枠（１８）の
他方の面上にそれぞれその外周部に沿って環状に＾１あ
るいは＾Ｕからなる第１及び第２の電極（１４）及び（
１０）を１μｍ程度の厚さに形成する。これらの電極（
１４）及び（１０）はメンブレン（４）と同様に真空蒸
着法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法により形成さ
れる。また、このとき第２の電極（１０）はまだ分割さ
れず、連続した円環形状を有している。
他方の面上にそれぞれその外周部に沿って環状に＾１あ
るいは＾Ｕからなる第１及び第２の電極（１４）及び（
１０）を１μｍ程度の厚さに形成する。これらの電極（
１４）及び（１０）はメンブレン（４）と同様に真空蒸
着法、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法により形成さ
れる。また、このとき第２の電極（１０）はまだ分割さ
れず、連続した円環形状を有している。
次に、第１の電極（１４）で囲まれたメンブレン（４）
の中心部の上に所望のパターンを有し且つタングステン
からなるマスクパターン（６）を真空蒸着法、スパッタ
リング法あるいはＣＶＤ法により形成する。さらに、支
持枠（１８）の他方の面上に環状に形成された第２の電
極（１０）をマスクとして支持枠（１８）の中心部をエ
ツチング除去する。
の中心部の上に所望のパターンを有し且つタングステン
からなるマスクパターン（６）を真空蒸着法、スパッタ
リング法あるいはＣＶＤ法により形成する。さらに、支
持枠（１８）の他方の面上に環状に形成された第２の電
極（１０）をマスクとして支持枠（１８）の中心部をエ
ツチング除去する。
その後、第２の電ｉ（１０）を分割してこれを１６個の
分割電極（１０、）〜（１０＋ｓ）とする。
分割電極（１０、）〜（１０＋ｓ）とする。
次に、このＸ線露光用マスク（１２）の作用を述べる。
上述したように第２の電１（１０）をマスクとして支持
枠（１８）の中心部をエツチングした結果、メンブレン
（４）が変形して第１３図に示したように、マスクパタ
ーン（６）がその正規の位置からずれたものとする。こ
のとき、マスク（１２）の第１の電極く１４）と第２の
電極（１０）の各分割電極（１０１）〜（１０＋ｓ）と
の間にそれぞれ所要の電圧■、〜Ｖ１６を外部信号とし
て印加する。これにより、第１及び第２の電極く１４）
及び〈１０）間に電界が形成される。また、支持枠（１
８）は電気歪材料から形成されると共に環状に形成され
ているので、第２の電極（１０）の各分割電極（ｉｏ＋
）〜（１０、、）に対応する支持枠（１８）の各部分に
は第３図に矢印Ｆ＋〜Ｆ１６で示すように放射方向の力
が作用する。その結果、支持枠（１８）はその円環が拡
大されるように変形し、メンブレン（４）上に形成され
たマスクパターン（６）の各分割パターンＢ ＋ 、
Ｂ ２ 、 Ｂ ３・・・ は第３図のように正規の位
置Ａ ＋ 、 Ａ ２ 、 Ａ ：ｌ・・・ に補正さ
れる。
枠（１８）の中心部をエツチングした結果、メンブレン
（４）が変形して第１３図に示したように、マスクパタ
ーン（６）がその正規の位置からずれたものとする。こ
のとき、マスク（１２）の第１の電極く１４）と第２の
電極（１０）の各分割電極（１０１）〜（１０＋ｓ）と
の間にそれぞれ所要の電圧■、〜Ｖ１６を外部信号とし
て印加する。これにより、第１及び第２の電極く１４）
及び〈１０）間に電界が形成される。また、支持枠（１
８）は電気歪材料から形成されると共に環状に形成され
ているので、第２の電極（１０）の各分割電極（ｉｏ＋
）〜（１０、、）に対応する支持枠（１８）の各部分に
は第３図に矢印Ｆ＋〜Ｆ１６で示すように放射方向の力
が作用する。その結果、支持枠（１８）はその円環が拡
大されるように変形し、メンブレン（４）上に形成され
たマスクパターン（６）の各分割パターンＢ ＋ 、
Ｂ ２ 、 Ｂ ３・・・ は第３図のように正規の位
置Ａ ＋ 、 Ａ ２ 、 Ａ ：ｌ・・・ に補正さ
れる。
第４図はこのＸ線露光用マスク（１２）を用いた露光装
置のブロック図であり、この図を用いて露光方法を説明
する。ステージ（２０）上にウェハ（２１）が保持され
、このウェハ（２１）の直上数十μｍ程度の位置にＸ線
露光用マスク（１２）が配置されている。さらに、マス
ク（１２）の上方にプラズマＸ線源あるいはＳＯＲ（シ
ンクロトロン軌道放射〉源等のＸ線源（２２）が配置さ
れている。また、マスク（１２）にはマスクパターン（
６）の周辺部に第５図に示すような複数の位置合わせマ
ーク（２３）がメンブレンく４）をエツチングすること
により形成されており、ウェハ（２１）上には第６図の
ようにマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）に対
応した位置に複数の位置合わせマーク（２４）が形成さ
れている。ウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４〉
は、ウェハ（２１）の他の表面に比べて光の反射率が異
なるように形成されている。
置のブロック図であり、この図を用いて露光方法を説明
する。ステージ（２０）上にウェハ（２１）が保持され
、このウェハ（２１）の直上数十μｍ程度の位置にＸ線
露光用マスク（１２）が配置されている。さらに、マス
ク（１２）の上方にプラズマＸ線源あるいはＳＯＲ（シ
ンクロトロン軌道放射〉源等のＸ線源（２２）が配置さ
れている。また、マスク（１２）にはマスクパターン（
６）の周辺部に第５図に示すような複数の位置合わせマ
ーク（２３）がメンブレンく４）をエツチングすること
により形成されており、ウェハ（２１）上には第６図の
ようにマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）に対
応した位置に複数の位置合わせマーク（２４）が形成さ
れている。ウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４〉
は、ウェハ（２１）の他の表面に比べて光の反射率が異
なるように形成されている。
第４図において、マスク（１２）の位置合わせマーク（
２３）の上方にそれぞれハーフミラ−（２５）を介して
レーザ光源等の光源（２６）が配置されている。各ハー
フミラ−（２５）の側方にはそれぞれ光検出器（２７）
が配置され、これら光検出器（２７）が制御装置ｆ（２
８）に接続されている。また、マスク（１２）の第１の
電極（１４）と第２の電極（１０）の各分割電極（１０
、）〜（１０＋ｓ）との間にはこれらの間に電圧を印加
するための電圧印加装置（２９）が接続されている。さ
らに、ウェハ（２１）が保持されているステージ（２０
）にはこのステージ（２０）を水平方向に移動するため
のステージ駆動装置（３０）が接続されている。そして
、これら電圧印加装置（２９）及びステージ駆動装置く
３０）は制御装置（２８）に接続されている。
２３）の上方にそれぞれハーフミラ−（２５）を介して
レーザ光源等の光源（２６）が配置されている。各ハー
フミラ−（２５）の側方にはそれぞれ光検出器（２７）
が配置され、これら光検出器（２７）が制御装置ｆ（２
８）に接続されている。また、マスク（１２）の第１の
電極（１４）と第２の電極（１０）の各分割電極（１０
、）〜（１０＋ｓ）との間にはこれらの間に電圧を印加
するための電圧印加装置（２９）が接続されている。さ
らに、ウェハ（２１）が保持されているステージ（２０
）にはこのステージ（２０）を水平方向に移動するため
のステージ駆動装置（３０）が接続されている。そして
、これら電圧印加装置（２９）及びステージ駆動装置く
３０）は制御装置（２８）に接続されている。
動作時には、まず各光源（２６）からハーフミラ−（２
５）及びマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）を
介してウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４）にそ
れぞれ平行光線が照射される。これらの光線は、ウェハ
（２１）の各位置合わせマーク（２４）で反射した後、
再びマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）を通っ
てハーフミラ−（２５）で反射され、それぞれ対応する
光検出器（２７）へ入射する。
５）及びマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）を
介してウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４）にそ
れぞれ平行光線が照射される。これらの光線は、ウェハ
（２１）の各位置合わせマーク（２４）で反射した後、
再びマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）を通っ
てハーフミラ−（２５）で反射され、それぞれ対応する
光検出器（２７）へ入射する。
このときのマスク（１２）の位置合わせマーク（２３）
とウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４）の各中心
点が上方からみて第７図に示すように合致している場合
と、第８図のようにずれている場合とでは、ウェハ（２
１）の位置合わせマーク（２４）の反射率に起因して光
検出器（２７）で検出される光量に違いが出てくる。す
なわち、ウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４）が
ウェハ（２１）の他の部分より小さな反射率を有する場
合には、第７図のように双方のマーク（２３）及び（２
４）の位置が合ったときに光検出器（２７）で検出され
る光景は最大となり、一方大きな反射率を有する場合に
は最小となる。
とウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４）の各中心
点が上方からみて第７図に示すように合致している場合
と、第８図のようにずれている場合とでは、ウェハ（２
１）の位置合わせマーク（２４）の反射率に起因して光
検出器（２７）で検出される光量に違いが出てくる。す
なわち、ウェハ（２１）の位置合わせマーク（２４）が
ウェハ（２１）の他の部分より小さな反射率を有する場
合には、第７図のように双方のマーク（２３）及び（２
４）の位置が合ったときに光検出器（２７）で検出され
る光景は最大となり、一方大きな反射率を有する場合に
は最小となる。
そこで、各光検出器（２７）からの信号を入力した制御
装置（２８）は、各光検出器く２７）で検出される光量
が最大あるいは最小となって双方のマーク（２３）及び
く２４）の位置が合うように、ステージ駆動装置（３０
）及び電圧印加装置（２９）に制御信号を出力する。そ
の結果、ステージ駆動装置（３０）によりウェハ（２１
）とマスク（１２）との位置合わせがなされると共に電
圧印加装置（２９）によりマスク（１２）の第１及び第
２の電極（１４）及び（１０）間に電圧が印加されてマ
スク（１２）の歪が補正される。
装置（２８）は、各光検出器く２７）で検出される光量
が最大あるいは最小となって双方のマーク（２３）及び
く２４）の位置が合うように、ステージ駆動装置（３０
）及び電圧印加装置（２９）に制御信号を出力する。そ
の結果、ステージ駆動装置（３０）によりウェハ（２１
）とマスク（１２）との位置合わせがなされると共に電
圧印加装置（２９）によりマスク（１２）の第１及び第
２の電極（１４）及び（１０）間に電圧が印加されてマ
スク（１２）の歪が補正される。
このようにして、マスク（１２）とウェハ（２１）との
位置合わせ及びマスク（１２）の歪補正がなされた後、
Ｘ線源（２２）からマスク（１２）を通してウェハ（２
１）にＸ線が照射され、これによりウェハ（２１）への
パターンの転写が行なわれる。
位置合わせ及びマスク（１２）の歪補正がなされた後、
Ｘ線源（２２）からマスク（１２）を通してウェハ（２
１）にＸ線が照射され、これによりウェハ（２１）への
パターンの転写が行なわれる。
尚、上記の実施例では支持枠（１８）に接合された第２
の電極（１０）を分割したが、メンブレンく４）上に形
成された第１の電極（１４）を分割すると共に第２の電
極〈１０）を分割せずに共通電極としてもよい。
の電極（１０）を分割したが、メンブレンく４）上に形
成された第１の電極（１４）を分割すると共に第２の電
極〈１０）を分割せずに共通電極としてもよい。
さらに、分割電極の数は１６個に限定されるものではな
く、任意に設定することができるが、分割の数が多い程
、歪の補正精度及びパターンの転写精度は優れたものと
なる。
く、任意に設定することができるが、分割の数が多い程
、歪の補正精度及びパターンの転写精度は優れたものと
なる。
第９図に他の実施例に係るＸ線露光用マスク（３２）の
断面を示す、このマスク（３２）は、アルフェル合金、
ニッケル・銅系フェライト等の磁気歪材料からなる環状
の支持枠（３８）を有している。
断面を示す、このマスク（３２）は、アルフェル合金、
ニッケル・銅系フェライト等の磁気歪材料からなる環状
の支持枠（３８）を有している。
この支持枠く３８）の上にメンブレン（４）が形成され
、さらにメンブレン（４）の上にマスクパターン（６）
が形成されている。
、さらにメンブレン（４）の上にマスクパターン（６）
が形成されている。
第９図に示すように、このような構成のマスク（３２）
の支持枠（３８）をその両端面側からはさむように複数
の電磁コイル対（３３，）、（３３２）、・を支持枠（
３８）の周に沿って等間隔に配置し、これらの電磁コイ
ル対（３３、）、（３３□）、にそれぞれ電流を供給す
るための電流供給装置（３４）を接続する。そして、電
流供給袋！（３４）から各電磁コイル対（３３、）、（
３３□）、・・・に電流を供給してその電磁コイル対に
よりはさまれた支持枠（３８）部分を磁力線が貫くよう
に磁界Ｂを形成する。この磁界の強さを制御することに
より、磁気歪材料からなる支持枠（３８）が変形し、マ
スク（３２）の歪が補正される。
の支持枠（３８）をその両端面側からはさむように複数
の電磁コイル対（３３，）、（３３２）、・を支持枠（
３８）の周に沿って等間隔に配置し、これらの電磁コイ
ル対（３３、）、（３３□）、にそれぞれ電流を供給す
るための電流供給装置（３４）を接続する。そして、電
流供給袋！（３４）から各電磁コイル対（３３、）、（
３３□）、・・・に電流を供給してその電磁コイル対に
よりはさまれた支持枠（３８）部分を磁力線が貫くよう
に磁界Ｂを形成する。この磁界の強さを制御することに
より、磁気歪材料からなる支持枠（３８）が変形し、マ
スク（３２）の歪が補正される。
この実繕例のように、磁気歪材料から支持枠（３８）を
形成する場合には、第１の実施例で用いた第１及び第２
の電１（１４）及び（１０）は不要となる。ただし、第
９図における支持枠（３８）の下面上にはこの支持枠（
３８）をエツチングする際のマスクとなる環状のエツチ
ング用マスク（３５）が設けられている。
形成する場合には、第１の実施例で用いた第１及び第２
の電１（１４）及び（１０）は不要となる。ただし、第
９図における支持枠（３８）の下面上にはこの支持枠（
３８）をエツチングする際のマスクとなる環状のエツチ
ング用マスク（３５）が設けられている。
尚、この発明のＸ線露光用マスクでは、支持枠そのもの
を電気歪材料や磁気歪材料のように外部信号によって変
形し得る材料で形成したので、支持枠に電気歪素子等を
貼着した従来例のように支持枠からその電気歪素子等が
脱落する恐れは全くなく、機械的な椙遣上の信頼性が向
上するのみならず、マスクの製作に手間のかからないも
のとなる。
を電気歪材料や磁気歪材料のように外部信号によって変
形し得る材料で形成したので、支持枠に電気歪素子等を
貼着した従来例のように支持枠からその電気歪素子等が
脱落する恐れは全くなく、機械的な椙遣上の信頼性が向
上するのみならず、マスクの製作に手間のかからないも
のとなる。
以上説明したようにこの発明のＸ線露光用マスクは、Ｘ
線透過材料から形成されるメンブレンと、このメンブレ
ンの面上に形成されると共にＸ線吸収材料から形成され
たマスクパターンと、外部信号を印加することによりｗ
械的に変形する材料から形成されると共にメンブレンを
支持する支持枠とを備えているので、正規の位置からず
れた状態にあるマスクパターンを容易に正規の位置に補
正することができると共にその機械的な信頼性が向上し
且つ容易に製作することができる。
線透過材料から形成されるメンブレンと、このメンブレ
ンの面上に形成されると共にＸ線吸収材料から形成され
たマスクパターンと、外部信号を印加することによりｗ
械的に変形する材料から形成されると共にメンブレンを
支持する支持枠とを備えているので、正規の位置からず
れた状態にあるマスクパターンを容易に正規の位置に補
正することができると共にその機械的な信頼性が向上し
且つ容易に製作することができる。
また、この発明の露光方法は、Ｘ線透過材料から形成さ
れるメンブレンと、このメンブレンの面上に形成される
と共にＸ線吸収材料から形成されたマスクパターンと、
外部信号を印加することにより機械的に変形する材料か
ら形成されると共にメンブレンを支持する支持枠とを備
えたＸ線露光用マスクを基板上に重ねて配置し、そのマ
スクの支持枠に外部信号を印加してマスクのマスクパタ
ーンの歪を補正し、マスクを通して基板にＸ線を瞭射す
ることによりマスクのマスクパターンを基板に転写する
ので、マスクパターンの基板への転写精度が向上する。
れるメンブレンと、このメンブレンの面上に形成される
と共にＸ線吸収材料から形成されたマスクパターンと、
外部信号を印加することにより機械的に変形する材料か
ら形成されると共にメンブレンを支持する支持枠とを備
えたＸ線露光用マスクを基板上に重ねて配置し、そのマ
スクの支持枠に外部信号を印加してマスクのマスクパタ
ーンの歪を補正し、マスクを通して基板にＸ線を瞭射す
ることによりマスクのマスクパターンを基板に転写する
ので、マスクパターンの基板への転写精度が向上する。
第１図は本発明の一実施例に係るＸ線露光用マスクの平
面図、第２図は第１図の！−１線に沿う断面図、第３図
は正規の位置へ補正された状態にあるマスクパターンの
平面図、第４図は第１図のＸ線露光用マスクを用いた露
光方法を実施するための装置のブロック図、第５図はＸ
線露光用マスクに設けられた位置合わせマークを示す平
面図、第６図はウェハに設けられた位置合わせマークを
示す平面図、第７図及び第８図はＸ線露光用マスクとウ
ェハとの位置合わせ時の位置合わせマークの状態を示す
平面図、第９図は他の実施例を示す断面図、第１０図は
従来のＸ ｔｉ ｎ充用マスクの平面図、第１１図は支
持枠のエツチング前における第１０図の■−■線に沿う
断面図、第１２図は支持枠のエツチング後における第１
０図の■−■線に沿う断面図、第１３図は支持枠のエツ
チングにより正規の位置からずれた位置にあるマスクパ
ターンの平面図である。 図において、（４）はメンブレン、（６）はマスクパタ
ーン、（１０）は第２の電極、（１４）は第１の電極、
（１８）及び（３８）は支持枠、（２１）はウェハ、（
２２）はＸ線源、（２９）は電圧印加装置、（３３、）
及び（３３２）は電磁コイル対、（３４）は電流供給装
置である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
面図、第２図は第１図の！−１線に沿う断面図、第３図
は正規の位置へ補正された状態にあるマスクパターンの
平面図、第４図は第１図のＸ線露光用マスクを用いた露
光方法を実施するための装置のブロック図、第５図はＸ
線露光用マスクに設けられた位置合わせマークを示す平
面図、第６図はウェハに設けられた位置合わせマークを
示す平面図、第７図及び第８図はＸ線露光用マスクとウ
ェハとの位置合わせ時の位置合わせマークの状態を示す
平面図、第９図は他の実施例を示す断面図、第１０図は
従来のＸ ｔｉ ｎ充用マスクの平面図、第１１図は支
持枠のエツチング前における第１０図の■−■線に沿う
断面図、第１２図は支持枠のエツチング後における第１
０図の■−■線に沿う断面図、第１３図は支持枠のエツ
チングにより正規の位置からずれた位置にあるマスクパ
ターンの平面図である。 図において、（４）はメンブレン、（６）はマスクパタ
ーン、（１０）は第２の電極、（１４）は第１の電極、
（１８）及び（３８）は支持枠、（２１）はウェハ、（
２２）はＸ線源、（２９）は電圧印加装置、（３３、）
及び（３３２）は電磁コイル対、（３４）は電流供給装
置である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）Ｘ線透過材料から形成されるメンブレンと、前記
メンブレンの面上に形成されると共にＸ線吸収材料から
形成されたマスクパターンと、外部信号を印加すること
により機械的に変形する材料から形成されると共に前記
メンブレンを支持する支持枠と を備えたＸ線露光用マスク。 - （２）Ｘ線透過材料から形成されるメンブレンと、前記
メンブレンの面上に形成されると共にＸ線吸収材料から
形成されたマスクパターンと、外部信号を印加すること
により機械的に変形する材料から形成されると共に前記
メンブレンを支持する支持枠とを備えたＸ線露光用マス
クを基板上に重ねて配置し、 前記マスクの支持枠に前記外部信号を印加して前記マス
クのマスクパターンの歪を補正し、前記マスクを通して
前記基板にＸ線を照射することにより前記マスクのマス
クパターンを前記基板に転写する 露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1054917A JPH02168614A (ja) | 1988-09-27 | 1989-03-09 | Ｘ線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-243103 | 1988-09-27 | ||
| JP24310388 | 1988-09-27 | ||
| JP1054917A JPH02168614A (ja) | 1988-09-27 | 1989-03-09 | Ｘ線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168614A true JPH02168614A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=26395755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1054917A Pending JPH02168614A (ja) | 1988-09-27 | 1989-03-09 | Ｘ線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168614A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567562A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-03-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 倍率可変型マスク |
| WO2007145025A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 光学素子及び光学装置 |
| JP2010500776A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ光学器械 |
| JP2010147253A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 位置合わせ方法、ホトマスクおよびウエハ |
-
1989
- 1989-03-09 JP JP1054917A patent/JPH02168614A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0567562A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-03-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 倍率可変型マスク |
| WO2007145025A1 (ja) * | 2006-06-12 | 2007-12-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 光学素子及び光学装置 |
| JP2010500776A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ光学器械 |
| JP2010147253A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 位置合わせ方法、ホトマスクおよびウエハ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4887283A (en) | X-ray mask and exposure method employing the same | |
| EP0769817B1 (en) | Method of manufacturing a photoelectric conversion apparatus | |
| US10078271B2 (en) | Optical component | |
| US6835508B2 (en) | Large-area membrane mask and method for fabricating the mask | |
| JP3244894B2 (ja) | マスク保持方法、マスク及びマスクチャック、ならびにこれを用いた露光装置とデバイス製造方法 | |
| JP3224157B2 (ja) | Ｘ線マスクとその製造方法、並びに該ｘ線マスクを用いたデバイス製造方法とｘ線露光装置 | |
| JPH0934103A (ja) | 荷電粒子線転写用マスク | |
| JPH0360013A (ja) | Ｘ線リソグラフイ用薄膜構造体 | |
| KR100294561B1 (ko) | 마스크유지장치,노광장치,디바이스제조장치및마스크구조체 | |
| JPH02168614A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよびそれを用いた露光方法 | |
| JP3450648B2 (ja) | 倍率補正装置および倍率補正装置を搭載したｘ線露光装置ならびにデバイス製造方法 | |
| JP2002305138A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP2001148335A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH04179116A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| CN100533204C (zh) | 可变形镜 | |
| US6459090B1 (en) | Reticles for charged-particle-beam microlithography that exhibit reduced warp at pattern-defining regions, and semiconductor-device-fabrication methods using same | |
| EP0453133B1 (en) | Method and apparatus for manufacture of X-ray mask | |
| JPS6386430A (ja) | パタ−ン転写方法 | |
| JP2007019248A (ja) | 偏向器、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3327784B2 (ja) | マスク構造体、マスク保持方法、ならびにデバイス生産方法 | |
| JPH10289870A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001068405A (ja) | 駆動機構付き転写マスク及びそれを備えた電子線投影露光装置 | |
| JP2751981B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JP2007019242A (ja) | 偏向器、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2000260690A (ja) | Ｘ線露光装置 |