JPH02168669A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH02168669A JPH02168669A JP63288262A JP28826288A JPH02168669A JP H02168669 A JPH02168669 A JP H02168669A JP 63288262 A JP63288262 A JP 63288262A JP 28826288 A JP28826288 A JP 28826288A JP H02168669 A JPH02168669 A JP H02168669A
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- JP
- Japan
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- light
- photoelectric conversion
- reflected
- incident
- solid
- Prior art date
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- Pending
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体撮像素子、特に裏面入射型の固体撮像
素子に関し、さらに詳しくは、クロストークを抑制でき
て、しかも光感度を向上し得るようにした裏面入射型の
固体撮像素子の改良に係るものである。
素子に関し、さらに詳しくは、クロストークを抑制でき
て、しかも光感度を向上し得るようにした裏面入射型の
固体撮像素子の改良に係るものである。
光学的な画像を電気的な信号に変換するための装置構成
には、一般に固体撮像素子が使用されており、この種の
固体撮像素子としては、従来から半導体基板および金属
珪化物からなるショットキ接合を用いた複数の光電変換
素子と、電荷転送素子（ＣＯＤ）とを、同一の半導体基
板上に集積化して構成される裏面入射型の赤外線固体撮
像素子がある。
には、一般に固体撮像素子が使用されており、この種の
固体撮像素子としては、従来から半導体基板および金属
珪化物からなるショットキ接合を用いた複数の光電変換
素子と、電荷転送素子（ＣＯＤ）とを、同一の半導体基
板上に集積化して構成される裏面入射型の赤外線固体撮
像素子がある。
こＳで、この従来例による裏面入射型の赤外線固体撮像
素子における光電変換素子回りの配置構成の概要を第４
図に示し、また、同第４図Ｖ−Ｖ線部での模式的に表わ
した断面構成を第５図に示す。
素子における光電変換素子回りの配置構成の概要を第４
図に示し、また、同第４図Ｖ−Ｖ線部での模式的に表わ
した断面構成を第５図に示す。
すなわち、まず、第４図に示す従来例での光電変換素子
回りの配置構成において、符号ｌは光電変換素子として
の白金珪化物を用いて相互に隣接するように配置された
複数のショットキバリアダイオード光検出器であり、２
は赤外光検出によって光電変換素子で生じた各信号電荷
を、図示しない電荷転送素子に送るためのトランスファ
ーゲートを示し、また、３はこれらの各光検出器１間に
あって信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤのチャ
ネル、４は同上アルミを用いた垂直走査線である。つい
で、第５図に示す同上断面構成において、５はシリコン
半導体基板であり、また、６は素子間分離用の酸化珪素
膜、７は絶縁用の酸化珪素膜をそれぞれに示し、さらに
、８は各光検出器ｌ上に対向して設けられるアルミを用
いた光反射膜である。
回りの配置構成において、符号ｌは光電変換素子として
の白金珪化物を用いて相互に隣接するように配置された
複数のショットキバリアダイオード光検出器であり、２
は赤外光検出によって光電変換素子で生じた各信号電荷
を、図示しない電荷転送素子に送るためのトランスファ
ーゲートを示し、また、３はこれらの各光検出器１間に
あって信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤのチャ
ネル、４は同上アルミを用いた垂直走査線である。つい
で、第５図に示す同上断面構成において、５はシリコン
半導体基板であり、また、６は素子間分離用の酸化珪素
膜、７は絶縁用の酸化珪素膜をそれぞれに示し、さらに
、８は各光検出器ｌ上に対向して設けられるアルミを用
いた光反射膜である。
次に、前記構成による赤外線固体撮像素子の動作につい
て簡単に述べる。
て簡単に述べる。
ｐ型シリコン基板５の下部、つまり裏面から入射される
赤外光は、ショットキバリアダイオード光検出器ｌに到
達し、そこで光電変換されて信号電荷を生じ、この信号
電荷がショットキ接合に蓄積される。そして、この蓄積
された信号電荷は、トランスファーゲート２を開くこと
により垂直ＣＣＤのチャネル３に移され、かつこの垂直
ＣＯＤによって垂直方向に転送される。ついで、この信
号電荷は、水平ＣＯＤによって水平方向に転送された後
、電荷検出部から映像信号として外部に読み出される。
赤外光は、ショットキバリアダイオード光検出器ｌに到
達し、そこで光電変換されて信号電荷を生じ、この信号
電荷がショットキ接合に蓄積される。そして、この蓄積
された信号電荷は、トランスファーゲート２を開くこと
により垂直ＣＣＤのチャネル３に移され、かつこの垂直
ＣＯＤによって垂直方向に転送される。ついで、この信
号電荷は、水平ＣＯＤによって水平方向に転送された後
、電荷検出部から映像信号として外部に読み出される。
すなわち、このようにして、この素子構成では、赤外光
検出部に入射される赤外光量に対応した映像信号が得ら
れるのである。
検出部に入射される赤外光量に対応した映像信号が得ら
れるのである。
また、この赤外光の検出に際して、アルミを用いた光反
射膜８は、ショットキバリアダイオード光検出器ｌで吸
収されずに透過した赤外光を、再度、光検出器ｌに入射
させるように反射して、光検出感度の改善を図るのであ
る。
射膜８は、ショットキバリアダイオード光検出器ｌで吸
収されずに透過した赤外光を、再度、光検出器ｌに入射
させるように反射して、光検出感度の改善を図るのであ
る。
しかしながら、前記のように構成される従来の裏面入射
型の赤外線固体撮像素子においては、固体撮像素子に入
射した後、そのショットキバリアダイオード光検出器１
で吸収されずに透過した赤外光が、アルミを用いた光反
射膜８で反射される場合にあって、例えば、矢印ｂ１で
示すように、その反射光が、隣接する光検出器１に入射
されてクロストークの原因になったり、あるいはまた、
矢印ｂ２に見られるように、その反射光が、同様にアル
ミを用いた垂直走査線４の上面４ａで再反射されて、光
検出器ｌには再入射されずに外部へ逃逸することがあり
、このために入射赤外光の有効利用を図れなくなると云
う不都合があった。
型の赤外線固体撮像素子においては、固体撮像素子に入
射した後、そのショットキバリアダイオード光検出器１
で吸収されずに透過した赤外光が、アルミを用いた光反
射膜８で反射される場合にあって、例えば、矢印ｂ１で
示すように、その反射光が、隣接する光検出器１に入射
されてクロストークの原因になったり、あるいはまた、
矢印ｂ２に見られるように、その反射光が、同様にアル
ミを用いた垂直走査線４の上面４ａで再反射されて、光
検出器ｌには再入射されずに外部へ逃逸することがあり
、このために入射赤外光の有効利用を図れなくなると云
う不都合があった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、アルミ光反
射膜で反射される赤外光を隣接する光検出器に入射させ
ないようにして、クロストークを低減させ、併せて入射
赤外光の有効利用を図って光感度を向上させ得るように
した。この種の固体撮像素子、こＳでは裏面入射型の赤
外線固体撮像素子を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、アルミ光反
射膜で反射される赤外光を隣接する光検出器に入射させ
ないようにして、クロストークを低減させ、併せて入射
赤外光の有効利用を図って光感度を向上させ得るように
した。この種の固体撮像素子、こＳでは裏面入射型の赤
外線固体撮像素子を提供することである。
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成するために、この発明に係る固体撮像素
子は、電荷転送素子の一部を形成する垂直走査線をして
、光反射膜からの反射光を再反射させて、対応する各光
電変換素子に再入射し得る断面形状に形成させたもので
ある。
子は、電荷転送素子の一部を形成する垂直走査線をして
、光反射膜からの反射光を再反射させて、対応する各光
電変換素子に再入射し得る断面形状に形成させたもので
ある。
すなわち、この発明は、光入射により信号電荷を発生し
て蓄積する相互に隣接さねた複数の光電変換素子、およ
び各光電変換素子に対向して形成された光反射膜と、こ
れらの光電変換素子群に蓄積された信号電荷を順次に読
み出す電荷転送素子とを、少なくとも同一半導体基板上
に集積化した裏面入射型の固体撮像素子において、前記
各光電変換素子間を区分するようにして設けられ、電荷
転送素子の一部となる垂直走査線を、前記光反射膜から
の反射光を再反射させて、対応する各光電変換素子に再
入射し得る断面形状に形成させたことを特徴とする固体
撮像素子である。
て蓄積する相互に隣接さねた複数の光電変換素子、およ
び各光電変換素子に対向して形成された光反射膜と、こ
れらの光電変換素子群に蓄積された信号電荷を順次に読
み出す電荷転送素子とを、少なくとも同一半導体基板上
に集積化した裏面入射型の固体撮像素子において、前記
各光電変換素子間を区分するようにして設けられ、電荷
転送素子の一部となる垂直走査線を、前記光反射膜から
の反射光を再反射させて、対応する各光電変換素子に再
入射し得る断面形状に形成させたことを特徴とする固体
撮像素子である。
〔作 用〕
従って、この発明においては、固体撮像素子に入射され
る赤外光を光電変換素子により検出して信号電荷を発生
するが、一方、この光電変換素子に吸収されずに透過し
た赤外光が、光反射膜によって正反射以外の異方向に反
射されると、その反射光は、垂直走査線に与えられてい
る断面形状により再反射されて、対応する光電変換素子
に再入射されることになり、これによって、従来例構成
でのように、隣接する光電変換素子に入射されてクロス
トークの原因になったり、再入射されずに外部へ逃逸し
たりするような惧れを改善できるもので、結果的に入射
光の存効利用を図り得るのである。
る赤外光を光電変換素子により検出して信号電荷を発生
するが、一方、この光電変換素子に吸収されずに透過し
た赤外光が、光反射膜によって正反射以外の異方向に反
射されると、その反射光は、垂直走査線に与えられてい
る断面形状により再反射されて、対応する光電変換素子
に再入射されることになり、これによって、従来例構成
でのように、隣接する光電変換素子に入射されてクロス
トークの原因になったり、再入射されずに外部へ逃逸し
たりするような惧れを改善できるもので、結果的に入射
光の存効利用を図り得るのである。
以下、この発明に係る固体撮像素子の各別の実施例につ
き、第１図ないし第３図を参照して詳細に説明する。
き、第１図ないし第３図を参照して詳細に説明する。
第１図、第２図および第３図はこの発明の第１、第２お
よび第３実施例を適用した裏面入射型の赤外線固体撮像
素子における光電変換素子回りの概要構成を模式的に示
したそれぞれに断面図であり、これらの第１図ないし第
３図に示す各実施例構成において、前記第４図および第
５図に示す従来例構成と同一符号は同一または相当部分
を表わしている。
よび第３実施例を適用した裏面入射型の赤外線固体撮像
素子における光電変換素子回りの概要構成を模式的に示
したそれぞれに断面図であり、これらの第１図ないし第
３図に示す各実施例構成において、前記第４図および第
５図に示す従来例構成と同一符号は同一または相当部分
を表わしている。
すなわち、これらの第１図、第２図および第３図に示す
各実施例での光電変換素子回りの配置構成においても、
符号ｌは光電変換素子としての白金珪化物を用いて相互
に隣接するように配置された複数のショットキバリアダ
イオード光検出器であり、また、４Ｉは第１実施例での
アルミを用いた垂直走査線、４２は同様に第２実施例で
のアルミを用いた垂直走査線、４３は同様に第３実施例
でのアルミを用いた垂直走査線である。さらに、５はシ
リコン半導体基板であり、６は素子間分離のための、こ
Ｘでは光電変換素子となる隣接された各光検出器１．１
の相互間を分離するための酸化珪素膜、７は絶縁用の酸
化珪素膜をそれぞれに示し、８はこれらの各光検出器ｌ
上に対向して設けられるアルミを用いた光反射膜である
。
各実施例での光電変換素子回りの配置構成においても、
符号ｌは光電変換素子としての白金珪化物を用いて相互
に隣接するように配置された複数のショットキバリアダ
イオード光検出器であり、また、４Ｉは第１実施例での
アルミを用いた垂直走査線、４２は同様に第２実施例で
のアルミを用いた垂直走査線、４３は同様に第３実施例
でのアルミを用いた垂直走査線である。さらに、５はシ
リコン半導体基板であり、６は素子間分離のための、こ
Ｘでは光電変換素子となる隣接された各光検出器１．１
の相互間を分離するための酸化珪素膜、７は絶縁用の酸
化珪素膜をそれぞれに示し、８はこれらの各光検出器ｌ
上に対向して設けられるアルミを用いた光反射膜である
。
こ）で、これらの各実施例構成の場合、第１実施例での
アルミを用いた垂直走査線４１については、隣接する光
検出器１．１の相互間を分離する酸化珪素膜６上にあっ
て、本来の垂直ＣＣＤの走査の役割りを果すと共に、こ
れらの隣接する光検出器１．１間を区分し、かつ透過光
を反射する光反射膜８からの反射光を再反射して対応す
る各光検出器１，１に再入射させるべく、それぞれの側
に平面的な反射面４１ａ、４１ａを有して直立型式の仕
切り壁状をなす断面形状に形成されており、また、第２
実施例でのアルミを用いた垂直走査線４２についても同
様に、それぞれの側に外側へ弯曲した曲面的な反射面４
２ａ、４２ａを有し、かつ内部に絶縁膜９を介して逆Ｕ
字弧面型式の仕切り壁状をなす断面形状に形成されてお
り、さらに、第３実施例でのアルミを用いた垂直走査線
４３についても同様に、それぞれの側に内側へ弯曲した
曲面的な反射面４３ａ。
アルミを用いた垂直走査線４１については、隣接する光
検出器１．１の相互間を分離する酸化珪素膜６上にあっ
て、本来の垂直ＣＣＤの走査の役割りを果すと共に、こ
れらの隣接する光検出器１．１間を区分し、かつ透過光
を反射する光反射膜８からの反射光を再反射して対応す
る各光検出器１，１に再入射させるべく、それぞれの側
に平面的な反射面４１ａ、４１ａを有して直立型式の仕
切り壁状をなす断面形状に形成されており、また、第２
実施例でのアルミを用いた垂直走査線４２についても同
様に、それぞれの側に外側へ弯曲した曲面的な反射面４
２ａ、４２ａを有し、かつ内部に絶縁膜９を介して逆Ｕ
字弧面型式の仕切り壁状をなす断面形状に形成されてお
り、さらに、第３実施例でのアルミを用いた垂直走査線
４３についても同様に、それぞれの側に内側へ弯曲した
曲面的な反射面４３ａ。
４３ａを有し、かつこれらの反射面４３ａ、４３ａを外
側から光透過率の高い絶縁膜１０により塞ぐようにした
γ字弧面型式の仕切り壁状をなす断面形状に形成されて
いる。
側から光透過率の高い絶縁膜１０により塞ぐようにした
γ字弧面型式の仕切り壁状をなす断面形状に形成されて
いる。
そして、これらの各実施例構成においても、こ）ではそ
の平面配置を省略したが、前記した従来例構成の場合と
同様に、赤外光検出によって光電変換素子で生じた信号
電荷を、電荷転送素子に送るためのトランスファーゲー
ト２と、この信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ
のチャネル３とがそれぞれに設けられている。
の平面配置を省略したが、前記した従来例構成の場合と
同様に、赤外光検出によって光電変換素子で生じた信号
電荷を、電荷転送素子に送るためのトランスファーゲー
ト２と、この信号電荷を垂直方向に転送する垂直ＣＣＤ
のチャネル３とがそれぞれに設けられている。
従って、これらの第１．第２および第３の各実施例構成
における動作についても、前記した従来例構成の場合と
全く同様であって、シリコン半導体基板５の裏面から入
射される赤外光は、ショットキバリアダイオード光検出
器１に到達して光電変換され、このようにして発生され
る光信号電荷は、ショットキ接合に蓄積された上で、ト
ランスファーゲート２を開くことによって垂直ＣＣＤの
チャネル３に移され、この垂直ＣＣＤにより垂直方向に
転送されると共に、水平ＣＣＤにより水平方向に転送さ
れた後、電荷検出部から映像信号として外部に読み出さ
れるのであり、このようにして、赤外光検出部に入射さ
れる赤外光量に対応した映像信号が得られるのである。
における動作についても、前記した従来例構成の場合と
全く同様であって、シリコン半導体基板５の裏面から入
射される赤外光は、ショットキバリアダイオード光検出
器１に到達して光電変換され、このようにして発生され
る光信号電荷は、ショットキ接合に蓄積された上で、ト
ランスファーゲート２を開くことによって垂直ＣＣＤの
チャネル３に移され、この垂直ＣＣＤにより垂直方向に
転送されると共に、水平ＣＣＤにより水平方向に転送さ
れた後、電荷検出部から映像信号として外部に読み出さ
れるのであり、このようにして、赤外光検出部に入射さ
れる赤外光量に対応した映像信号が得られるのである。
しかして、前記赤外光の光検出に際して、第１図に示し
た第１実施例構成の場合には、固体撮像素子に入射され
た後、ショットキバリアダイオード光検出器ｌで吸収さ
れずに透過した赤外光は、アルミを用いた光反射膜８に
よって、正反射以外の異方向に反射されると、その反射
光は、矢印ａ。
た第１実施例構成の場合には、固体撮像素子に入射され
た後、ショットキバリアダイオード光検出器ｌで吸収さ
れずに透過した赤外光は、アルミを用いた光反射膜８に
よって、正反射以外の異方向に反射されると、その反射
光は、矢印ａ。
で示すように、垂直走査線４１の反射面４１ａで再反射
されて、これを対応する光検出器ｌに再入射させること
が可能になるもので、前記した従来例構成でのように、
反射光が隣接する光検出器Ｉに再入射されてクロストー
クの原因になったり、あるいは再入射されずに外部へ逃
逸したりするような惧れを完全に解消できて、入射赤外
光の有効利用を効果的に図り得るのであり、この作用、
効果はまた、第２図および第３図に示した第２および第
３実施例構成の場合においても、矢印ａ２およびａ３に
見られるように、その垂直走査線４２および４３の反射
面４２ａおよび４３ａによって、こ＼でも全く同様に果
し得るもので、かつまた、特に第３実施例構成の場合に
は、分離酸化珪素膜６を通した矢印ａ４に示す入射赤外
光についても、これを直接、垂直走査線４３の反射面４
３ａで反射させて、対応する光検出器ｌに入射させ得る
のである。
されて、これを対応する光検出器ｌに再入射させること
が可能になるもので、前記した従来例構成でのように、
反射光が隣接する光検出器Ｉに再入射されてクロストー
クの原因になったり、あるいは再入射されずに外部へ逃
逸したりするような惧れを完全に解消できて、入射赤外
光の有効利用を効果的に図り得るのであり、この作用、
効果はまた、第２図および第３図に示した第２および第
３実施例構成の場合においても、矢印ａ２およびａ３に
見られるように、その垂直走査線４２および４３の反射
面４２ａおよび４３ａによって、こ＼でも全く同様に果
し得るもので、かつまた、特に第３実施例構成の場合に
は、分離酸化珪素膜６を通した矢印ａ４に示す入射赤外
光についても、これを直接、垂直走査線４３の反射面４
３ａで反射させて、対応する光検出器ｌに入射させ得る
のである。
なお、前記各実施例構成において、垂直走査線を形成す
る材料としては、金属とか金属珪化物などのように、比
較的低抵抗でかつ光反射率の高い物質を用いるようにす
ればよく、また、第２および第３実施例での垂直走査線
内部および外部の絶縁膜としては、光の透過率が高い物
質を用いるようにすればよいもので、これらの場合にも
、同様な作用、効果が得られる。
る材料としては、金属とか金属珪化物などのように、比
較的低抵抗でかつ光反射率の高い物質を用いるようにす
ればよく、また、第２および第３実施例での垂直走査線
内部および外部の絶縁膜としては、光の透過率が高い物
質を用いるようにすればよいもので、これらの場合にも
、同様な作用、効果が得られる。
以上詳述したように、この発明によれば、光入射により
信号電荷を発生して蓄積する相互に隣接された複数の光
電変換素子、および各光電変換素子に対向して形成され
た光反射膜と、これらの光電変換素子群に蓄積された信
号電荷を順次に読み出す電荷転送素子とを、少なくとも
同一半導体基板上に集積化した裏面入射型の固体撮像素
子において、各光電変換素子間を区分するようにして設
けられ、かつ電荷転送素子の一部となる垂直走査線を、
光反射膜からの反射光を再反射させて、対応する各光電
変換素子に再入射し得る断面形状に形成させたので、光
電変換素子に吸収されずに透通し、かつ光反射膜で正反
射以外の異方向に反射された反射光を、この垂直走査線
に形成させた断面形状により再反射させて、これを対応
する光電変換素子に再入射させることができ、これによ
って、従来例構成でのように、反射光が隣接する光電変
換素子に入射されてクロストークの原因になったり、あ
るいは、再入射されずに外部へ逃逸したりするような慣
れを良好かつ効果的に改善し得て、入射光の有効利用、
ひいては素子自体の光感度を格段に向上でき、しかも構
造的にも比較的簡単で容易に実施し得るなどの優れた特
長を有するものである。
信号電荷を発生して蓄積する相互に隣接された複数の光
電変換素子、および各光電変換素子に対向して形成され
た光反射膜と、これらの光電変換素子群に蓄積された信
号電荷を順次に読み出す電荷転送素子とを、少なくとも
同一半導体基板上に集積化した裏面入射型の固体撮像素
子において、各光電変換素子間を区分するようにして設
けられ、かつ電荷転送素子の一部となる垂直走査線を、
光反射膜からの反射光を再反射させて、対応する各光電
変換素子に再入射し得る断面形状に形成させたので、光
電変換素子に吸収されずに透通し、かつ光反射膜で正反
射以外の異方向に反射された反射光を、この垂直走査線
に形成させた断面形状により再反射させて、これを対応
する光電変換素子に再入射させることができ、これによ
って、従来例構成でのように、反射光が隣接する光電変
換素子に入射されてクロストークの原因になったり、あ
るいは、再入射されずに外部へ逃逸したりするような慣
れを良好かつ効果的に改善し得て、入射光の有効利用、
ひいては素子自体の光感度を格段に向上でき、しかも構
造的にも比較的簡単で容易に実施し得るなどの優れた特
長を有するものである。
第１図、第２図および第３図はこの発明の第１、第２お
よび第３実施例を適用した裏面入射型の赤外線固体撮像
素子における光電変換素子回りの概要構成を模式的に示
したそれぞれに断面図であり、また、第４図は従来例に
よる同上裏面入射型の赤外線固体撮像素子における光電
変換素子回りの配置構成の概要を示す平面図、第５図は
同上第４図Ｖ−ＶＩＩＡ部における構成を模式的に示し
た断面図である。 ！・・・・光検出器（光電変換素子）、２・・・・トラ
ンスファーゲート、３・・・・垂直ＣＣＤのチャネル、
４１，４２．４３−−−−垂直走査線、４１ａ、４２ａ
、４３ａ ＝垂直走査線の反射面、５・・・・シリコン
半導体基板、６．７・・・・酸化珪素膜、８・・・・光
反射膜、９．１０・・・・絶縁膜。 代理人 大 岩 増 雄
よび第３実施例を適用した裏面入射型の赤外線固体撮像
素子における光電変換素子回りの概要構成を模式的に示
したそれぞれに断面図であり、また、第４図は従来例に
よる同上裏面入射型の赤外線固体撮像素子における光電
変換素子回りの配置構成の概要を示す平面図、第５図は
同上第４図Ｖ−ＶＩＩＡ部における構成を模式的に示し
た断面図である。 ！・・・・光検出器（光電変換素子）、２・・・・トラ
ンスファーゲート、３・・・・垂直ＣＣＤのチャネル、
４１，４２．４３−−−−垂直走査線、４１ａ、４２ａ
、４３ａ ＝垂直走査線の反射面、５・・・・シリコン
半導体基板、６．７・・・・酸化珪素膜、８・・・・光
反射膜、９．１０・・・・絶縁膜。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 光入射により信号電荷を発生して蓄積する相互に隣接さ
れた複数の光電変換素子、および各光電変換素子に対向
して形成された光反射膜と、これらの光電変換素子群に
蓄積された信号電荷を順次に読み出す電荷転送素子とを
、少なくとも同一半導体基板上に集積化した裏面入射型
の固体撮像素子において、前記各充電変換素子間を区分
するようにして設けられ、電荷転送素子の一部となる垂
直走査線を、前記光反射膜からの反射光を再反射させて
、対応する各光電変換素子に再入射し得る断面形状に形
成させたことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288262A JPH02168669A (ja) | 1988-09-14 | 1988-11-14 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-230809 | 1988-09-14 | ||
| JP23080988 | 1988-09-14 | ||
| JP63288262A JPH02168669A (ja) | 1988-09-14 | 1988-11-14 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168669A true JPH02168669A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=26529548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63288262A Pending JPH02168669A (ja) | 1988-09-14 | 1988-11-14 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168669A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110275A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型固体撮像素子 |
| JP2014060424A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-04-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型固体撮像素子 |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP63288262A patent/JPH02168669A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110275A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型固体撮像素子 |
| JP2010232495A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型固体撮像素子 |
| KR20110137376A (ko) * | 2009-03-27 | 2011-12-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 이면 입사형 고체 촬상 소자 |
| CN102365743A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-02-29 | 浜松光子学株式会社 | 背面入射型固体摄像元件 |
| EP2413361A4 (en) * | 2009-03-27 | 2013-04-17 | Hamamatsu Photonics Kk | REAR-LIGHTED FIXED BODY RECORDING DEVICE |
| US8624301B2 (en) | 2009-03-27 | 2014-01-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back-illuminated solid-state image pickup device |
| TWI470782B (zh) * | 2009-03-27 | 2015-01-21 | Hamamatsu Photonics Kk | Back-emitting type solid-state imaging element |
| JP2014060424A (ja) * | 2013-11-07 | 2014-04-03 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型固体撮像素子 |
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