JPH02168746A - 高周波重畳形発光駆動回路 - Google Patents
高周波重畳形発光駆動回路Info
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- JPH02168746A JPH02168746A JP63322086A JP32208688A JPH02168746A JP H02168746 A JPH02168746 A JP H02168746A JP 63322086 A JP63322086 A JP 63322086A JP 32208688 A JP32208688 A JP 32208688A JP H02168746 A JPH02168746 A JP H02168746A
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- Japan
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- high frequency
- semiconductor laser
- error amplifier
- current
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、例えば先送(8装置において半導体レーザを
高周波重畳方式により発光駆動する場合に使用する高周
波重畳形発光駆動回路に関する。
高周波重畳方式により発光駆動する場合に使用する高周
波重畳形発光駆動回路に関する。
(従来の技術)
映像信号を直接輝度変調してマルチモード光ファイバに
より光伝送すると、伝送路上でモーダルノイズ(モード
雑音)が発生して映像信号のS/N劣化を招く。一方、
ディジタル伝送(パルス伝送)においても、既設の光フ
ァイバを使用することによりマルチモード光ファイバと
シングルモト光ファイバとを接続して光伝送を行なう場
合には、空間的フィルタリングが顕著に起きるため、モ
ーダルノイズか増大して符号誤り率を著しく劣化させる
場合かある。
より光伝送すると、伝送路上でモーダルノイズ(モード
雑音)が発生して映像信号のS/N劣化を招く。一方、
ディジタル伝送(パルス伝送)においても、既設の光フ
ァイバを使用することによりマルチモード光ファイバと
シングルモト光ファイバとを接続して光伝送を行なう場
合には、空間的フィルタリングが顕著に起きるため、モ
ーダルノイズか増大して符号誤り率を著しく劣化させる
場合かある。
そこで、従来てはモーダルノイズの発生を低減する駆動
方式として例えば高周波重畳方式を採用している。第5
図はこの種の方式を適用した発光駆動回路の構成の一例
(特願昭58243579号)を示すものである。この
回路は、入力パルス信号aを平滑回路1で平滑したのち
誤差増幅器2に導入するとともに、例えばフォトダイオ
ードからなるモニタ用受光素子′3によりレザダイオー
ド4の光出力レベルをモニタ検出してその検出信号すを
平滑回路5で平滑したのち誤差増幅器2に導入している
。そして、この誤差増幅器2で上記人力パルス信号とモ
ニタ検出信号との電流値の差分を検出し、この差電流C
をバイアス電流として上記レーザダイオード4に帰還供
給している。すなわち、これによりレーザダイオード4
のしきい値の温度変化に対して平均光出力か一定となる
ようにAPC(Au t oma t i cPowe
r Con t ro l)動作を行な一〕ティる
。また、発光駆動回路は発振器6および振幅変調器7を
有している。そして、この振幅変調器7により発振器6
の高周波発振出力を」1記入力パルス信号Isて振幅変
調し、この変調された高周波信号dを電流加算器8で前
記バイアス電流Cに重畳しく駆動154号eと1.てレ
ーザダイオード4に供給し了゛いる。L、たがって、レ
ーザダイオード4からは]二記駆動信号eの高周波に応
じて図中fに示すよ5な高周波光出力が発生される。こ
のように高周波光信号fをレーザダイオード4から発生
させることにより、レーザダイオード4のコヒーレンシ
ーは低ド11、これにより伝送路上でのモーダルノイズ
の発ノドは低減される。尚、」二記高周波光信号は伝送
路の8)域制限および光受信器の帯域制限を受けるので
、受信後には![;、均化されて高周波成分を含まない
元のパルス波形となる。
方式として例えば高周波重畳方式を採用している。第5
図はこの種の方式を適用した発光駆動回路の構成の一例
(特願昭58243579号)を示すものである。この
回路は、入力パルス信号aを平滑回路1で平滑したのち
誤差増幅器2に導入するとともに、例えばフォトダイオ
ードからなるモニタ用受光素子′3によりレザダイオー
ド4の光出力レベルをモニタ検出してその検出信号すを
平滑回路5で平滑したのち誤差増幅器2に導入している
。そして、この誤差増幅器2で上記人力パルス信号とモ
ニタ検出信号との電流値の差分を検出し、この差電流C
をバイアス電流として上記レーザダイオード4に帰還供
給している。すなわち、これによりレーザダイオード4
のしきい値の温度変化に対して平均光出力か一定となる
ようにAPC(Au t oma t i cPowe
r Con t ro l)動作を行な一〕ティる
。また、発光駆動回路は発振器6および振幅変調器7を
有している。そして、この振幅変調器7により発振器6
の高周波発振出力を」1記入力パルス信号Isて振幅変
調し、この変調された高周波信号dを電流加算器8で前
記バイアス電流Cに重畳しく駆動154号eと1.てレ
ーザダイオード4に供給し了゛いる。L、たがって、レ
ーザダイオード4からは]二記駆動信号eの高周波に応
じて図中fに示すよ5な高周波光出力が発生される。こ
のように高周波光信号fをレーザダイオード4から発生
させることにより、レーザダイオード4のコヒーレンシ
ーは低ド11、これにより伝送路上でのモーダルノイズ
の発ノドは低減される。尚、」二記高周波光信号は伝送
路の8)域制限および光受信器の帯域制限を受けるので
、受信後には![;、均化されて高周波成分を含まない
元のパルス波形となる。
(発明が解決しようとする課題)
ところか、このような従来の高周波重畳群発光駆動回路
は、高周波信号を発生し重畳するために発振器6、振幅
変調器7および電流加算器8を必要とする。このため、
構成が複雑となり回路規模か大きくなる欠点があった。
は、高周波信号を発生し重畳するために発振器6、振幅
変調器7および電流加算器8を必要とする。このため、
構成が複雑となり回路規模か大きくなる欠点があった。
そこで本発明はこの点に着目し、高周波重畳を行なうた
めの発振器や振幅変調器等を不要にし、これにより回路
構成の簡単化および回路規模の小形化を図り得る高周波
重畳群発光駆動回路を提供することを目的とする。
めの発振器や振幅変調器等を不要にし、これにより回路
構成の簡単化および回路規模の小形化を図り得る高周波
重畳群発光駆動回路を提供することを目的とする。
「発明の構成J
(課題を解決するための手段)
本発明は、入力信号に高周波信号を重畳した駆動信号に
より半導体レーザを発光駆動する高周波重畳群発光駆動
回路において、上記人力信号レベルに比例した参照電流
を発生する参照電流発生回路と、上記半導体レーザの光
出力の一部をモニタ検出する受光素子と、上記参照電流
とこの受光素rのモニタ電流との差電流を前記半導体レ
ーザに広・:1)域帰還する誤差増幅器とを備え、この
誤差増幅器を」1記半導体レーザの光出力が一部しベル
以」二のときは正帰還動作して高周波自励発振し、かつ
半導体レーザの光出力レベルが一定値未満のときには負
帰還動作するように構成したものである。
より半導体レーザを発光駆動する高周波重畳群発光駆動
回路において、上記人力信号レベルに比例した参照電流
を発生する参照電流発生回路と、上記半導体レーザの光
出力の一部をモニタ検出する受光素子と、上記参照電流
とこの受光素rのモニタ電流との差電流を前記半導体レ
ーザに広・:1)域帰還する誤差増幅器とを備え、この
誤差増幅器を」1記半導体レーザの光出力が一部しベル
以」二のときは正帰還動作して高周波自励発振し、かつ
半導体レーザの光出力レベルが一定値未満のときには負
帰還動作するように構成したものである。
(作用)
この結果本発明によれば、半導体レーザの光出力レベル
に応じて誤差増幅器自身から高周波駆動信号が発生され
この信号により半導体レーザが発光駆動されることにな
る。このため、高周波発振器や振幅変調器等の高周波駆
動信号を発生ずるための回路は不要となり、これにより
その分回路構成を簡単化しかつ回路規模を小形化するこ
とができる。
に応じて誤差増幅器自身から高周波駆動信号が発生され
この信号により半導体レーザが発光駆動されることにな
る。このため、高周波発振器や振幅変調器等の高周波駆
動信号を発生ずるための回路は不要となり、これにより
その分回路構成を簡単化しかつ回路規模を小形化するこ
とができる。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例における高周波重畳群発光駆
動回路の概略構成図である。尚、同図において前記第5
図と同一部分には同一符号を付し、である。
動回路の概略構成図である。尚、同図において前記第5
図と同一部分には同一符号を付し、である。
この回路は、レーザダイオード4およびモニタ用の受光
素′J″−3からなる発光モジュールと、入力パルス信
号aのレベルに比例する参照電流Ijnを発生する参照
電流発生回路9と、広帯域帰還増幅器からなる誤差増幅
器10とから構成される。このうち誤差増幅器10は、
上記参照電流1inとモニタ用受光索子Bにより得られ
たモニタ電流Imとの差分を求め、その差信号1 ou
tを駆動信号とし′CCレーダイオード4に供給するも
のである。
素′J″−3からなる発光モジュールと、入力パルス信
号aのレベルに比例する参照電流Ijnを発生する参照
電流発生回路9と、広帯域帰還増幅器からなる誤差増幅
器10とから構成される。このうち誤差増幅器10は、
上記参照電流1inとモニタ用受光索子Bにより得られ
たモニタ電流Imとの差分を求め、その差信号1 ou
tを駆動信号とし′CCレーダイオード4に供給するも
のである。
この誤差増幅器]0は、
A“I out / I in
なる電流増幅率を有1.ている。
ところで、いまレーザダイオ−1・4の駆動電流I o
utに対するモニタ電流rmの微分変換効率をηmとす
ると、駆動電流10旧およびモニタ電MLznは rout =A (in−Im )Im = η
m I out ・−(1)と表4
つされる。したかって、1011才1out =A−I
tn/(1+ nm A) =−(2)となり
、さらにηm A>]とすれは 1out’=(1/η川 )Ii口
・・−(3)なる式か得られる。
utに対するモニタ電流rmの微分変換効率をηmとす
ると、駆動電流10旧およびモニタ電MLznは rout =A (in−Im )Im = η
m I out ・−(1)と表4
つされる。したかって、1011才1out =A−I
tn/(1+ nm A) =−(2)となり
、さらにηm A>]とすれは 1out’=(1/η川 )Ii口
・・−(3)なる式か得られる。
ここで、
コ+ηmA>0
であれば、誤差増幅器10は負帰還動作状態となり、こ
のときの開ループにおける電流増幅率I out /
I inの周波数特性は例えば第2図の曲線■になる。
のときの開ループにおける電流増幅率I out /
I inの周波数特性は例えば第2図の曲線■になる。
また閉ループでは
20 log (]+nm A)
なる帰還量か発生するので、電流増幅率の周波数特性は
第2図の破線に示すようになる。この場合、第2ボール
までは帰還かかからないので回路は負帰還動作状態とな
る。この動作は、第3図に示す1ノーサダイオードの駆
動電流対先出力特性上では、一般に1ノ一ザ発振状態に
ある微分変換効率η1の領域で行なわれる。
第2図の破線に示すようになる。この場合、第2ボール
までは帰還かかからないので回路は負帰還動作状態とな
る。この動作は、第3図に示す1ノーサダイオードの駆
動電流対先出力特性上では、一般に1ノ一ザ発振状態に
ある微分変換効率η1の領域で行なわれる。
これに対し、いま例えば電流増幅率の周波数特性を変化
させて第2図の曲線@に示す特性に設定し、たとすると
、第2ボールまで帰還がかかるので、位相が180度回
軸回転周波数f。において発振が起こる。つまり、誤差
増幅器10は自励発振動作状態となる。したがって、こ
の状態では誤差増幅器]0からは高周波信号e′が川内
されて駆動信号としてレーザダイオード4に供給される
。このため、レーザダイオード4は第1図中のf′のよ
うな高周波光信号を発する。
させて第2図の曲線@に示す特性に設定し、たとすると
、第2ボールまで帰還がかかるので、位相が180度回
軸回転周波数f。において発振が起こる。つまり、誤差
増幅器10は自励発振動作状態となる。したがって、こ
の状態では誤差増幅器]0からは高周波信号e′が川内
されて駆動信号としてレーザダイオード4に供給される
。このため、レーザダイオード4は第1図中のf′のよ
うな高周波光信号を発する。
一方、この状態で参照電流l1nO値が低下してレーザ
ダイオード4のしきい値以下になるように設定すると、
レーザダイオード4の微分変換効率は第3図に示すη2
になる。このため、電流増幅率の周波数特性は第2図の
■に示すように変化り、、この結果誤差増幅器10は自
励発振動作を停止する。したがって、このとき誤差増幅
器]0からはバイアス電流のみが出力され、これにより
レーザダイオ−F’ 4は発光動作を停止する。
ダイオード4のしきい値以下になるように設定すると、
レーザダイオード4の微分変換効率は第3図に示すη2
になる。このため、電流増幅率の周波数特性は第2図の
■に示すように変化り、、この結果誤差増幅器10は自
励発振動作を停止する。したがって、このとき誤差増幅
器]0からはバイアス電流のみが出力され、これにより
レーザダイオ−F’ 4は発光動作を停止する。
第4図は第1図に示した駆動回路の具体的な回路構成を
示すものである。すなわち、参照電流発生回路9は、ト
ランジスタQ1のエミッタを抵抗R1を介して電源V2
に接続したもので、トランジスタQ1のベースに入力パ
ルス信号aを入力し、かつコレクタ電流を参照電流Ii
nとして誤差増幅器10に出力している。誤差増幅器]
0は、トランジスタQ2.Q3.Q4、抵抗R2,R3
゜R+:および抵抗R「とコンデンサCrとの並列回路
を図示する如く接続して並列帰還形の負帰還増幅器を構
成したもので、参照電流Iinとモニタ電流Il′Nと
の差信号電流をトランジスタQ2に入力して、抵抗Rf
により電圧信号に変換し、ている。
示すものである。すなわち、参照電流発生回路9は、ト
ランジスタQ1のエミッタを抵抗R1を介して電源V2
に接続したもので、トランジスタQ1のベースに入力パ
ルス信号aを入力し、かつコレクタ電流を参照電流Ii
nとして誤差増幅器10に出力している。誤差増幅器]
0は、トランジスタQ2.Q3.Q4、抵抗R2,R3
゜R+:および抵抗R「とコンデンサCrとの並列回路
を図示する如く接続して並列帰還形の負帰還増幅器を構
成したもので、参照電流Iinとモニタ電流Il′Nと
の差信号電流をトランジスタQ2に入力して、抵抗Rf
により電圧信号に変換し、ている。
ソシて、この電圧信号をトランジスタQ4およびそのエ
ミッタ抵抗Rt=により電流信号に変換し、この電流信
号を駆動電流1 outとしてレーザダイオード4に供
給している。
ミッタ抵抗Rt=により電流信号に変換し、この電流信
号を駆動電流1 outとしてレーザダイオード4に供
給している。
ところで、この回路において開ループの周波数特性を第
2図に示した曲線@に設定するには、次のように行なえ
ばよい。すなわち、周波数特性の第1ポールは入力イン
ピーダンスとコンデンサCFの容量とにより決り、また
第2ボールはその他の回路またはモニタ用の受光素子3
の応答速度により決まる。したがって、回路の周波数特
性を■から@に変化させるためには、例えばコンデンサ
C「の容量を減らして適宜調節すればよい。
2図に示した曲線@に設定するには、次のように行なえ
ばよい。すなわち、周波数特性の第1ポールは入力イン
ピーダンスとコンデンサCFの容量とにより決り、また
第2ボールはその他の回路またはモニタ用の受光素子3
の応答速度により決まる。したがって、回路の周波数特
性を■から@に変化させるためには、例えばコンデンサ
C「の容量を減らして適宜調節すればよい。
このような構成であれば、誤差増幅器1oは第2図の曲
線@に示すような開ループの特性を有することになる。
線@に示すような開ループの特性を有することになる。
このため、入力パルス信号が“H”レベルのときには誤
差増幅器1oは正帰還動作状態となって所定の周波数で
自励発振し、この結果高周波信号か駆動信号としてレー
ザダイオード4に供給され、これによりレーザダイオー
ド4がら] 0 は高周波光パルス信号が出力される。これに対し入力パ
ルス信号が“L”レベルのときには、参照電流finが
減少し、それに伴いレーザダイオード4の駆動電流がし
きい値11)+以下に減少するので、レーザグイオート
4を含むループの特性は第2図の曲線■に示すようにな
る。このため、誤差増幅器10は自励発振を停止し、こ
の結果レーザグイオート4は高周波光出力の発生を停止
1−する。
差増幅器1oは正帰還動作状態となって所定の周波数で
自励発振し、この結果高周波信号か駆動信号としてレー
ザダイオード4に供給され、これによりレーザダイオー
ド4がら] 0 は高周波光パルス信号が出力される。これに対し入力パ
ルス信号が“L”レベルのときには、参照電流finが
減少し、それに伴いレーザダイオード4の駆動電流がし
きい値11)+以下に減少するので、レーザグイオート
4を含むループの特性は第2図の曲線■に示すようにな
る。このため、誤差増幅器10は自励発振を停止し、こ
の結果レーザグイオート4は高周波光出力の発生を停止
1−する。
このように本実施例であれば、入力パルス信号の論理レ
ベルに応して誤差増幅器10が自励発振のオンオフ動作
を行ない、これによりレーザグイオート4から高周波光
信号か出力されるので、従来必要だった高周波発振器、
振幅変調器および電流加算器を不要にすることができ、
その分回路構成を簡単化しかつ小形にすることができる
。
ベルに応して誤差増幅器10が自励発振のオンオフ動作
を行ない、これによりレーザグイオート4から高周波光
信号か出力されるので、従来必要だった高周波発振器、
振幅変調器および電流加算器を不要にすることができ、
その分回路構成を簡単化しかつ小形にすることができる
。
尚、本実施例の回路では帰還ループに同調回路が入って
いないため発振周波数は多少安定性に欠ける。しかし、
一般に高周波重畳方式によりレザダイオードのコヒーレ
ンシーを低下させるに必要な周波数は約200MHz以
上であればよい。した1] かって、例えば誤差増幅器10の自励発振周波数foを
500MHzに設定したとすれば、この発振周波数かた
とえ±100MHz程度変動したとしても、レーザグイ
オートのコヒーレンシーの低減効果にはほとんと影響を
及はさす、実用上は全く影響ない。
いないため発振周波数は多少安定性に欠ける。しかし、
一般に高周波重畳方式によりレザダイオードのコヒーレ
ンシーを低下させるに必要な周波数は約200MHz以
上であればよい。した1] かって、例えば誤差増幅器10の自励発振周波数foを
500MHzに設定したとすれば、この発振周波数かた
とえ±100MHz程度変動したとしても、レーザグイ
オートのコヒーレンシーの低減効果にはほとんと影響を
及はさす、実用上は全く影響ない。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば、上記実施例ではディジタル信号により半導体レー
ザを駆動する場合を例にとって説明したか、半導体ルー
プをアナログ信号駆動する場合や直流駆動する場合にも
適用できる。また、先ファイバ通信用だけてはなく、ビ
デオディスク等の光記録媒体のアクセス用光源として適
用してもよい。このような用途に適用すれば、半導体レ
ーザのコヒーレンシーを低減させ、これにより反射光の
影響を低減することができる。その他、具体的な回路構
成や半導体ループおよびモニタ用受光素子の種類、用途
等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できる。
えば、上記実施例ではディジタル信号により半導体レー
ザを駆動する場合を例にとって説明したか、半導体ルー
プをアナログ信号駆動する場合や直流駆動する場合にも
適用できる。また、先ファイバ通信用だけてはなく、ビ
デオディスク等の光記録媒体のアクセス用光源として適
用してもよい。このような用途に適用すれば、半導体レ
ーザのコヒーレンシーを低減させ、これにより反射光の
影響を低減することができる。その他、具体的な回路構
成や半導体ループおよびモニタ用受光素子の種類、用途
等についても、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変
形して実施できる。
] 2
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、入力信号に高周波
信号を重畳した駆動信号により半導体レーザを発光駆動
する高周波重畳形発光駆動回路において、」1記入力信
号レベルに比例した参照電流を発生する参照電流発生回
路と、上記半導体レザの光出力の一部をモニタ検出する
受光素子と、上記参照電流とこの受光素子のモニタ電流
との差電流を前記半導体レーザに広帯域帰還する誤差増
幅器とを備え、この誤差増幅器を上記半導体レザの光出
力が一部レベル以上のときは正帰還動作して高周波自励
発振し、かつ半導体レーザの光出力レベルが一定値未満
のときには負帰還動作するように構成したことによって
、商用波重畳を行なうだめの発振器や振幅変調器等を不
要にすることかでき、これにより回路構成の簡単化およ
び回路規模の小形化を図り得る高周波重畳形発光駆動回
路を提供することができる。
信号を重畳した駆動信号により半導体レーザを発光駆動
する高周波重畳形発光駆動回路において、」1記入力信
号レベルに比例した参照電流を発生する参照電流発生回
路と、上記半導体レザの光出力の一部をモニタ検出する
受光素子と、上記参照電流とこの受光素子のモニタ電流
との差電流を前記半導体レーザに広帯域帰還する誤差増
幅器とを備え、この誤差増幅器を上記半導体レザの光出
力が一部レベル以上のときは正帰還動作して高周波自励
発振し、かつ半導体レーザの光出力レベルが一定値未満
のときには負帰還動作するように構成したことによって
、商用波重畳を行なうだめの発振器や振幅変調器等を不
要にすることかでき、これにより回路構成の簡単化およ
び回路規模の小形化を図り得る高周波重畳形発光駆動回
路を提供することができる。
第1図は本発明の一実施例における高周波型] 3
前影発光駆動回路の概略構成を示す回路ブロック図、第
2図は誤差増幅器における′小流増幅率の周波数特性図
、第3図はレーザダイオードの駆動電流に対する光出力
特性の一例を示す図、第4図は第1図に示した回路の具
体的な回路構成例を示した図、第5図は従来の高周波重
畳形発光回路のブロック構成図である。 3・・・モニタ用の受光素子、4・・・レーザグイオー
ト、9・・・参照電流発生回路、]0・・誤差増幅器。
2図は誤差増幅器における′小流増幅率の周波数特性図
、第3図はレーザダイオードの駆動電流に対する光出力
特性の一例を示す図、第4図は第1図に示した回路の具
体的な回路構成例を示した図、第5図は従来の高周波重
畳形発光回路のブロック構成図である。 3・・・モニタ用の受光素子、4・・・レーザグイオー
ト、9・・・参照電流発生回路、]0・・誤差増幅器。
Claims (1)
- 入力信号に高周波信号を重畳した駆動信号により半導体
レーザを発光駆動する高周波重畳形発光駆動回路におい
て、前記入力信号レベルに比例した参照電流を発生する
参照電流発生回路と、前記半導体レーザの光出力の一部
をモニタ検出する受光素子と、前記参照電流とこの受光
素子のモニタ電流との差電流を前記半導体レーザに広帯
域帰還する誤差増幅器とを備え、この誤差増幅器は前記
半導体レーザの光出力が一定レベル以上のときは正帰還
動作して高周波自励発振し、かつ半導体レーザの光出力
レベルが一定値未満のときには負帰還動作することを特
徴とする高周波重畳形発光駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322086A JPH02168746A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 高周波重畳形発光駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63322086A JPH02168746A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 高周波重畳形発光駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168746A true JPH02168746A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18139758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63322086A Pending JPH02168746A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 高周波重畳形発光駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203580A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-13 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動装置 |
| US6377597B1 (en) | 1997-03-07 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63322086A patent/JPH02168746A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203580A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-13 | Canon Inc | 半導体レーザ駆動装置 |
| US6377597B1 (en) | 1997-03-07 | 2002-04-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device |
| US6956882B2 (en) | 1997-03-07 | 2005-10-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride semiconductor light emitting device having multi-quantum-well structure active layer, and semiconductor laser light source device |
| US7183569B2 (en) | 1997-03-07 | 2007-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride semiconductor light emitting device having multi-quantum-well structure active layer, and semiconductor laser light source device |
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