JPH02170552A - 半導体基板の分割方法 - Google Patents
半導体基板の分割方法Info
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- JPH02170552A JPH02170552A JP63325487A JP32548788A JPH02170552A JP H02170552 A JPH02170552 A JP H02170552A JP 63325487 A JP63325487 A JP 63325487A JP 32548788 A JP32548788 A JP 32548788A JP H02170552 A JPH02170552 A JP H02170552A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エアブリッジ配線（架空配線）構造を有する
電子回路が形成された半導体基板の分割方法に関する。
電子回路が形成された半導体基板の分割方法に関する。
半導体集積回路は、その集積規模の拡大に伴い、多層配
線構造を採るようになってきている。そして、多層配線
構造を採用した場合、重なり合う配線層間に寄生容量が
発生し、この寄生容量のために、信号伝播が遅延すると
いった問題が生じた。
線構造を採るようになってきている。そして、多層配線
構造を採用した場合、重なり合う配線層間に寄生容量が
発生し、この寄生容量のために、信号伝播が遅延すると
いった問題が生じた。
この信号伝播の遅延を改善するため、重なり合う配線層
間を空気で絶縁することが行われている。
間を空気で絶縁することが行われている。
すなわち、重なり合う配線のうち、上方に配置されるも
のの重なり部分を空間的に浮かせ、互いに重なり合う部
分の間に空隙を形成している。この様な構造を称して、
エアブリッジ配線構造若しくは架空配線構造という。
のの重なり部分を空間的に浮かせ、互いに重なり合う部
分の間に空隙を形成している。この様な構造を称して、
エアブリッジ配線構造若しくは架空配線構造という。
かかるエアブリッジ配線構造を有する半導体集積回路素
子は、ウェーハ状の半導体基板上に、フォトリソグラフ
ィ、イオン打ち込み、メツキ等の技術を駆使して複数形
成されるが、エアブリッジ配線構造は構造的に脆さを有
する。それゆえ、半導体Ｕ板をダイヤモンドブレード等
によって分割してチップ化する際に、研削水の水圧等に
よってエアブリッジ配線構造が破壊されることを防止す
べく、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形成されて
いる面に有機物質による保護膜を予め設けておいて、分
割後に半導体チップを有機溶剤に浸し、該保護膜を取り
除くことが行われている。
子は、ウェーハ状の半導体基板上に、フォトリソグラフ
ィ、イオン打ち込み、メツキ等の技術を駆使して複数形
成されるが、エアブリッジ配線構造は構造的に脆さを有
する。それゆえ、半導体Ｕ板をダイヤモンドブレード等
によって分割してチップ化する際に、研削水の水圧等に
よってエアブリッジ配線構造が破壊されることを防止す
べく、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形成されて
いる面に有機物質による保護膜を予め設けておいて、分
割後に半導体チップを有機溶剤に浸し、該保護膜を取り
除くことが行われている。
しかしながら、上述のように、有機物質によって保護膜
を形成し、分割後に有機溶剤によって保護膜を除去する
場合には、エキスパンドテープが該有機溶剤に弱いこと
から、エキスパンドテープに半導体チップを貼り付けた
ままの状態では、保護膜を除去することが出来ず、半導
体チップをエキスパンドテープから一つ一つ引き剥がし
て有機溶剤に浸さなければならなかった。
を形成し、分割後に有機溶剤によって保護膜を除去する
場合には、エキスパンドテープが該有機溶剤に弱いこと
から、エキスパンドテープに半導体チップを貼り付けた
ままの状態では、保護膜を除去することが出来ず、半導
体チップをエキスパンドテープから一つ一つ引き剥がし
て有機溶剤に浸さなければならなかった。
この為、該保護膜の除去に多大の工数を必要とし、生産
性向上の障害となっていた。また、有機溶剤による保護
膜除去の際に、半導体チップは、ばらばらになってしま
うため、ウェーハ状態でプローブ装置等によって検査・
測定した検査・測定結果との対応が取れなくなる不都合
があった。
性向上の障害となっていた。また、有機溶剤による保護
膜除去の際に、半導体チップは、ばらばらになってしま
うため、ウェーハ状態でプローブ装置等によって検査・
測定した検査・測定結果との対応が取れなくなる不都合
があった。
そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、エアブリッジ配
線構造を有する電子回路が形成された半導体基板を分割
する場合に、分割後に有機溶剤によって保護膜を除去す
る必要のない半導体基板の分割方法を提供することを目
的としている。
線構造を有する電子回路が形成された半導体基板を分割
する場合に、分割後に有機溶剤によって保護膜を除去す
る必要のない半導体基板の分割方法を提供することを目
的としている。
上述の目的を達成するため、本発明による半導体基板の
分割方法においては、半導体基板のエアブリッジ配線構
造が形成された面に保護テープを貼り付けた後、半導体
基板を分割することを特徴としている。
分割方法においては、半導体基板のエアブリッジ配線構
造が形成された面に保護テープを貼り付けた後、半導体
基板を分割することを特徴としている。
この様に、本発明による半導体基板の分割方法において
は、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形成された面
に保護テープを貼り付けた後、半導体基板を分割するこ
ととしているので、該エアブリッジ配線構造に損傷を与
えることなく半導体基板の分割をすることが出来る。
は、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形成された面
に保護テープを貼り付けた後、半導体基板を分割するこ
ととしているので、該エアブリッジ配線構造に損傷を与
えることなく半導体基板の分割をすることが出来る。
以下、本発明の実施例について添付図面（ａ）〜（ｇ）
を参照しつつ、説明する。
を参照しつつ、説明する。
図（ａ）〜（ｇ）は、本発明による半導体基板の分割方
法によって、半導体基板を分割する場合の半導体基板等
の断面を、その工程順に示している。
法によって、半導体基板を分割する場合の半導体基板等
の断面を、その工程順に示している。
図（ａ）に示したように、先ず、半導体基板１の裏面１
ｂに、エキスパンドテープ２を貼り付ける。この半導体
基板１の表面１ａには、エアブリッジ配線構造を有する
電子回路が多数形成されている。エキスパンドテープ２
は、基板１に接する面に粘着材が塗布された粘着テープ
であり、粘着材の粘着力によって基板１をしっかりと固
定する。
ｂに、エキスパンドテープ２を貼り付ける。この半導体
基板１の表面１ａには、エアブリッジ配線構造を有する
電子回路が多数形成されている。エキスパンドテープ２
は、基板１に接する面に粘着材が塗布された粘着テープ
であり、粘着材の粘着力によって基板１をしっかりと固
定する。
次に、図（ｂ）に示したように、半導体基板１の表面１
ａに保護テープ３を貼り付ける。この保護テープ３も、
基板１に接する面に粘着材が塗布された粘着テープであ
るが、その粘着材には、エキスパンドテープ２の場合に
比べ粘着力が弱く、かつ、保護テープ３を基板１から引
き剥がす際に、表面１ａに形成されているエアブリッジ
配線構造を損傷させることがない程度の粘着力の粘着材
が用いられている。なお、この粘着力は、エアブリッジ
配線構造を形成する材料や配線の太さ、形状に応じて異
なるので、これらを勘案して決定される。
ａに保護テープ３を貼り付ける。この保護テープ３も、
基板１に接する面に粘着材が塗布された粘着テープであ
るが、その粘着材には、エキスパンドテープ２の場合に
比べ粘着力が弱く、かつ、保護テープ３を基板１から引
き剥がす際に、表面１ａに形成されているエアブリッジ
配線構造を損傷させることがない程度の粘着力の粘着材
が用いられている。なお、この粘着力は、エアブリッジ
配線構造を形成する材料や配線の太さ、形状に応じて異
なるので、これらを勘案して決定される。
保護テープ３を基板表面１ａに貼り付けた後、図（Ｃ）
に示したように、スクライブライン５上の保護テープ３
を取り除く。このスクライブライン５上の保護テープ３
の除去は、具体的には、２枚の剃刀状のカッタ（図示せ
ず）をその刃先がスクライブライン５の幅に一致するよ
うに重ね合わせ、重ね合わせたカッタをスクライブライ
ン５上にあわせて引き、これによって保護テープ３に形
成される２本の切込みの間の保護テープ３を、基板１か
ら引き剥がすことによってなされる。
に示したように、スクライブライン５上の保護テープ３
を取り除く。このスクライブライン５上の保護テープ３
の除去は、具体的には、２枚の剃刀状のカッタ（図示せ
ず）をその刃先がスクライブライン５の幅に一致するよ
うに重ね合わせ、重ね合わせたカッタをスクライブライ
ン５上にあわせて引き、これによって保護テープ３に形
成される２本の切込みの間の保護テープ３を、基板１か
ら引き剥がすことによってなされる。
次に、図（ｄ）に示したように、基板１を分割する。こ
の分割は、回転するダイヤモンドブレード（図示せず）
等を用いて、切削水を供給しながら、スクライブライン
５に沿って、基板１にその表面から裏面まで貫通する溝
６を形成することによってなされる。このとき、エアブ
リッジ配線構造は、保護テープ３によって覆われており
、切削水の水圧等によっても損傷しないように保護され
ている。
の分割は、回転するダイヤモンドブレード（図示せず）
等を用いて、切削水を供給しながら、スクライブライン
５に沿って、基板１にその表面から裏面まで貫通する溝
６を形成することによってなされる。このとき、エアブ
リッジ配線構造は、保護テープ３によって覆われており
、切削水の水圧等によっても損傷しないように保護され
ている。
基板１の分割の後、図（ｅ）に示したように、エキスパ
ンドテープ２を引き伸ばして、溝６の幅を拡張させ、こ
の後、図（ｆ）に示したように、半導体基板１の表面ｌ
ａ側に保護テープ３のうえから、更に、剥離テープ７を
貼り付ける。剥離テープ７は、保護テープ３に接する面
に粘着材が塗布された粘着テープであるが、その粘着材
には、保護テープ３の粘着材より粘着力が強い粘着材が
用いられている。
ンドテープ２を引き伸ばして、溝６の幅を拡張させ、こ
の後、図（ｆ）に示したように、半導体基板１の表面ｌ
ａ側に保護テープ３のうえから、更に、剥離テープ７を
貼り付ける。剥離テープ７は、保護テープ３に接する面
に粘着材が塗布された粘着テープであるが、その粘着材
には、保護テープ３の粘着材より粘着力が強い粘着材が
用いられている。
従って、剥離テープ７を一旦貼り付けた後、図（ｇ）に
示したように、剥離テープ７を基板１から剥離するよう
にすれば、保護テープ３の粘着力は、剥離テープ７の粘
着力より弱く、かつ、エキスパンドテープ２の粘着力よ
り弱いので、保護テープ３が剥離テープ７と共に、基盤
１から引き剥がされ、保護テープ３が基板１の表面１ａ
から除去される。ところで、保護テープ３の粘着力は、
上述したように、その剥離の際に、エアブリッジ配線構
造を損傷させることのない程度に抑えられているので、
この引き剥がしによって、エアブリッジ配線構造が損傷
することはないようになっている。
示したように、剥離テープ７を基板１から剥離するよう
にすれば、保護テープ３の粘着力は、剥離テープ７の粘
着力より弱く、かつ、エキスパンドテープ２の粘着力よ
り弱いので、保護テープ３が剥離テープ７と共に、基盤
１から引き剥がされ、保護テープ３が基板１の表面１ａ
から除去される。ところで、保護テープ３の粘着力は、
上述したように、その剥離の際に、エアブリッジ配線構
造を損傷させることのない程度に抑えられているので、
この引き剥がしによって、エアブリッジ配線構造が損傷
することはないようになっている。
上述の実施例においては、基板１に、先ず、エキスパン
ドテープ２を貼り付けた後、保護テープ３を貼り付ける
こととしているが、エキスパンドテープ２及び保護テー
プ３の基板１への貼り付は順序は、この逆であっても良
いし、また、同時であっても良い。
ドテープ２を貼り付けた後、保護テープ３を貼り付ける
こととしているが、エキスパンドテープ２及び保護テー
プ３の基板１への貼り付は順序は、この逆であっても良
いし、また、同時であっても良い。
また、上述の実施例においては、保護テープ３としては
、その粘着力が、保護テープ３を基板１の表面１ａから
引き剥がす際に、表面１ａに形成されているエアブリッ
ジ配線構造を破壊することのない程度のものを用（ごろ
こととしているが、剥離テープ７を保護テープ３の上か
ら貼り付ける前に、保護テープ３に紫外線を照射して、
保護テープ３の粘着力をエアブリッジ配線構造を破壊す
ることのない程度に弱めることとすれば、強い粘着力を
有する粘着テープを保護テープ３として用いることも可
能である。
、その粘着力が、保護テープ３を基板１の表面１ａから
引き剥がす際に、表面１ａに形成されているエアブリッ
ジ配線構造を破壊することのない程度のものを用（ごろ
こととしているが、剥離テープ７を保護テープ３の上か
ら貼り付ける前に、保護テープ３に紫外線を照射して、
保護テープ３の粘着力をエアブリッジ配線構造を破壊す
ることのない程度に弱めることとすれば、強い粘着力を
有する粘着テープを保護テープ３として用いることも可
能である。
上述のようにして、基板１を分割し、保護テープ３を除
去した後は、エキスパンドテープ２上で分割された半導
体チップは、パッケージ（図示せず）内に固定するダイ
ボンディング工程に至るまで、エキスパンドテープ２に
貼り付けたまま取り扱うことが可能である。
去した後は、エキスパンドテープ２上で分割された半導
体チップは、パッケージ（図示せず）内に固定するダイ
ボンディング工程に至るまで、エキスパンドテープ２に
貼り付けたまま取り扱うことが可能である。
以上説明したように、本発明による半導体基板の分割方
法においては、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形
成された面に保護テープを貼り付けた後、半導体基板を
分割することを特徴としているので、エアブリッジ配線
構造に損傷を与えることなく半導体基板の分割をするこ
とが出来、従来のように、分割後に、多大な工数を掛け
て、半導体チップを一つ一つエキスパンドテープから弓
き剥がし、有機溶剤に浸して有機保護膜を除去する必要
がなくなる。従って、生産性が向上すると共に、ウェー
ハ状態でプローブ装置等によって検査・ｎ１定した検査
・測定結果との対応が取りやすくなる。
法においては、半導体基板のエアブリッジ配線構造が形
成された面に保護テープを貼り付けた後、半導体基板を
分割することを特徴としているので、エアブリッジ配線
構造に損傷を与えることなく半導体基板の分割をするこ
とが出来、従来のように、分割後に、多大な工数を掛け
て、半導体チップを一つ一つエキスパンドテープから弓
き剥がし、有機溶剤に浸して有機保護膜を除去する必要
がなくなる。従って、生産性が向上すると共に、ウェー
ハ状態でプローブ装置等によって検査・ｎ１定した検査
・測定結果との対応が取りやすくなる。
図（ａ）〜（ｇ）は、本発明による半導体基板の分割方
法によって、半導体基板を分割する場合の半導体基板等
の断面をその工程順に示した断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・エキスパンドテープ、３
・・・保護テープ、５・・・スクライブライン、６・・
・溝、７・・・剥離テープ。 炙 大硬」 手続補正書（放） 事件の表示 昭和６３年 特許願 第３２５４８７号 発明の名称 半導体基板の分割方法 補正をする者 事件との関係
法によって、半導体基板を分割する場合の半導体基板等
の断面をその工程順に示した断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・エキスパンドテープ、３
・・・保護テープ、５・・・スクライブライン、６・・
・溝、７・・・剥離テープ。 炙 大硬」 手続補正書（放） 事件の表示 昭和６３年 特許願 第３２５４８７号 発明の名称 半導体基板の分割方法 補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エアブリッジ配線構造を有する電子回路が表面に形
成された半導体基板の分割方法であって、前記半導体基
板の裏面にエキスパンドテープを貼り付け、前記半導体
基板の表面に保護テープを貼り付けた後、前記半導体基
板を分割することを特徴とする半導体基板の分割方法。 ２、前記保護テープの粘着力は、これを前記半導体基板
から引き剥がす際に、前記エアブリッジ配線構造を破壊
することがない程度のものであることを特徴とする請求
項１記載の半導体基板の分割方法。 ３、請求項１記載の半導体基板の分割方法を用いて前記
半導体基板を分割した後、分割された半導体基板の表面
に貼り付けられている保護テープに紫外線を照射し、こ
の紫外線照射の後に前記保護テープを前記半導体基板か
ら引き剥がすことを特徴とする半導体基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325487A JPH02170552A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325487A JPH02170552A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170552A true JPH02170552A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18177427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325487A Pending JPH02170552A (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170552A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315445A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Nec Corp | 固体撮像装置の組み立て方法 |
| JPH06232257A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Nec Corp | 半導体チップの分割分離方法 |
| US6653731B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-11-25 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating same |
| KR20160019849A (ko) * | 2014-08-12 | 2016-02-22 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성재료 기판의 분단방법 및 분단장치 |
| JP2016104578A (ja) * | 2016-02-29 | 2016-06-09 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断装置 |
| JP2018133497A (ja) * | 2017-02-16 | 2018-08-23 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法 |
| US10276423B2 (en) | 2017-02-16 | 2019-04-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing element chip |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP63325487A patent/JPH02170552A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315445A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Nec Corp | 固体撮像装置の組み立て方法 |
| JPH06232257A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-19 | Nec Corp | 半導体チップの分割分離方法 |
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| US10276423B2 (en) | 2017-02-16 | 2019-04-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing element chip |
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