JPH02170587A - 半導体レーザ装置と半導体光検出器及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置と半導体光検出器及びその製造方法Info
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- JPH02170587A JPH02170587A JP63326577A JP32657788A JPH02170587A JP H02170587 A JPH02170587 A JP H02170587A JP 63326577 A JP63326577 A JP 63326577A JP 32657788 A JP32657788 A JP 32657788A JP H02170587 A JPH02170587 A JP H02170587A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置と半導体光検出器及びその製
造方法に関し、特に光通信、光計測等に用いる半導体レ
ーザと半導体光検出器及びその製造方法に関するもので
ある。
造方法に関し、特に光通信、光計測等に用いる半導体レ
ーザと半導体光検出器及びその製造方法に関するもので
ある。
従来の技術
距離測定や表面の荒さ測定等の光計測及び光ファイバを
用いる多重通信や、コヒーレント光通信には、単一波長
で発振し、その発振波長が安定した半導体レーザが不可
欠である。単一波長での発振は、分布帰還型レーザダイ
オード（ＤＦＢ−ＬＤ）、分布反射型レーザダイオード
（ＤＢＲ−ＬＤ）によりほぼ実現している。一方レーザ
の発振波長の安定化（発振波長幅やドリフトの改１１）
には、ある基準の波長を設定してそれとの比較により、
負帰還をかける方法があり、基準波長は波長選別器とし
て主にファブリペロ−共感器、ガスの吸収線等を用いて
作られる。このような方法として例えば光技術］ンタク
トＶｏ１．２６Ｎｏ、 １（１９８８）第３５頁から第
４２頁に発表されていて、この方法を第５図に示す。
用いる多重通信や、コヒーレント光通信には、単一波長
で発振し、その発振波長が安定した半導体レーザが不可
欠である。単一波長での発振は、分布帰還型レーザダイ
オード（ＤＦＢ−ＬＤ）、分布反射型レーザダイオード
（ＤＢＲ−ＬＤ）によりほぼ実現している。一方レーザ
の発振波長の安定化（発振波長幅やドリフトの改１１）
には、ある基準の波長を設定してそれとの比較により、
負帰還をかける方法があり、基準波長は波長選別器とし
て主にファブリペロ−共感器、ガスの吸収線等を用いて
作られる。このような方法として例えば光技術］ンタク
トＶｏ１．２６Ｎｏ、 １（１９８８）第３５頁から第
４２頁に発表されていて、この方法を第５図に示す。
第５図は、半導体レーザの外部に、ブアブリペロー共振
器を波長選別器として用いて負帰還をかけることにより
、発振波長の安定化を行うブロック図である。半導体レ
ーザ８０５から出た光は、戻り光によるノイズを避ける
ためのアイソレータ８０９を通ってハーフミラ−８１２
で２方向に分けられる。一方の光はファブリペロ−共振
器８０８へ行き、もう一方の光は線幅測定装置８１０へ
行く。ファブリベロー共振器８０８は、共振器長に対応
する波長周期でその有効的な反射率、透過率の波長依存
性を示す。そのため、この共振器８０８の透過光と反射
光を各々光検出器８０７．８１１で検出すると、光の波
長の揺らぎ、中心の発振波長の検出ができる。各々の光
検出器８０７，８１１の電流変化として現れ、一方は電
圧増幅器８０６により増幅し、位相補償回路８０１で適
切な電流位相に補正して半導体レーザ８０５へと加え、
波長の揺らぎを抑える。他方は出力光制御用増幅器８０
４を通り、レーザ駆動電源８０２を制御してその中心波
長を安定化する。また半導体レーザ８０５は通常、駆動
電流（注入電流）や素子の温度によりその中心波長が変
化する。それを避けるためペルチェ素子からなる温度制
御器８０３を用いて±０．１℃以下の温度制御をして発
振波長をある程度安定化している。また電流についても
同様に注意が払われている。ここではそれでも避けきれ
ない中心波長のドリフトに対処している。ファブリベロ
ー共振器８０８や線幅測定装置８１０から戻って（る光
があると、半導体レーザ８０５の発振が不安定になり、
線幅の増加、モードの乱れなど良（ないことが起きる。
器を波長選別器として用いて負帰還をかけることにより
、発振波長の安定化を行うブロック図である。半導体レ
ーザ８０５から出た光は、戻り光によるノイズを避ける
ためのアイソレータ８０９を通ってハーフミラ−８１２
で２方向に分けられる。一方の光はファブリペロ−共振
器８０８へ行き、もう一方の光は線幅測定装置８１０へ
行く。ファブリベロー共振器８０８は、共振器長に対応
する波長周期でその有効的な反射率、透過率の波長依存
性を示す。そのため、この共振器８０８の透過光と反射
光を各々光検出器８０７．８１１で検出すると、光の波
長の揺らぎ、中心の発振波長の検出ができる。各々の光
検出器８０７，８１１の電流変化として現れ、一方は電
圧増幅器８０６により増幅し、位相補償回路８０１で適
切な電流位相に補正して半導体レーザ８０５へと加え、
波長の揺らぎを抑える。他方は出力光制御用増幅器８０
４を通り、レーザ駆動電源８０２を制御してその中心波
長を安定化する。また半導体レーザ８０５は通常、駆動
電流（注入電流）や素子の温度によりその中心波長が変
化する。それを避けるためペルチェ素子からなる温度制
御器８０３を用いて±０．１℃以下の温度制御をして発
振波長をある程度安定化している。また電流についても
同様に注意が払われている。ここではそれでも避けきれ
ない中心波長のドリフトに対処している。ファブリベロ
ー共振器８０８や線幅測定装置８１０から戻って（る光
があると、半導体レーザ８０５の発振が不安定になり、
線幅の増加、モードの乱れなど良（ないことが起きる。
そこでアイソレータ８０９は、逆から入ってくる光を遮
断するためのものである。
断するためのものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記の従来の構成では、装置が大型であり
、発振波長の温度安定性および高速変調時の周波数安定
性が良（ないという課題があった。上述の課題は以下の
理由で生ずる。
、発振波長の温度安定性および高速変調時の周波数安定
性が良（ないという課題があった。上述の課題は以下の
理由で生ずる。
すなわち第１にファブリベロー共振器では、熱膨張で共
娠周波数が変化してしまい、基準波長のずれが起きる。
娠周波数が変化してしまい、基準波長のずれが起きる。
そのため基準波長の温度安定性が悪いため、発振波長の
温度安定性が悪い。
温度安定性が悪い。
第２に光検出器から半導体レーザまでの配線が、ファブ
リペロ−共振やガスチューブ等の波長選別器の大きさ（
通常数備〜数十ｃｍ ）の分だけ長（なり、信号遅延が
生じる。そのため半導体レーザで高速変調する際、高速
変調時の安定化ができない。
リペロ−共振やガスチューブ等の波長選別器の大きさ（
通常数備〜数十ｃｍ ）の分だけ長（なり、信号遅延が
生じる。そのため半導体レーザで高速変調する際、高速
変調時の安定化ができない。
本発明は、上述の課題に鑑みて試されたもので、装置が
小型であり、発振波長の温度安定性が良く、高速変調時
の周波数安定性が良い半導体レーザ装置と半導体光検出
器及びその製造方法を提供することを目的とする。
小型であり、発振波長の温度安定性が良く、高速変調時
の周波数安定性が良い半導体レーザ装置と半導体光検出
器及びその製造方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上述の課題を解決するため、４ｆまたは５ｆ電
子を有する元素がドープされた光吸収層を有する半導体
光検出器に半導体レーザの出力光を吸収させ、前記半導
体光検出器の出力電流を前記半導体レーザの波長駆動電
流として帰還させ、前記半導体レーザの発振波長を安定
化させるという構成を備えたものである。
子を有する元素がドープされた光吸収層を有する半導体
光検出器に半導体レーザの出力光を吸収させ、前記半導
体光検出器の出力電流を前記半導体レーザの波長駆動電
流として帰還させ、前記半導体レーザの発振波長を安定
化させるという構成を備えたものである。
作用
本発明は上述の構成によって、ｆ電子準位間の遷移は４
ｆまたは５ｆ電子が内殻電子であるため、温度や添加す
る先の材料等の外部環境の影響を受けに（（、そのエネ
ルギーは受は入れ先の物質で一定となる。
ｆまたは５ｆ電子が内殻電子であるため、温度や添加す
る先の材料等の外部環境の影響を受けに（（、そのエネ
ルギーは受は入れ先の物質で一定となる。
またそのエネルギー幅も非常に狭い（１ｃ＋ａ−’以下
）。この遷移を用いると決まった狭い波長範囲の光に高
い感度を持つ半導体光検出器が実現できる。これを半導
体レーザと組み合わせた場合、半導体光検出器が検出す
る基準波長の温度安定性が良いため、半導体レーザの発
振波長の温度安定性を増すことができる。
）。この遷移を用いると決まった狭い波長範囲の光に高
い感度を持つ半導体光検出器が実現できる。これを半導
体レーザと組み合わせた場合、半導体光検出器が検出す
る基準波長の温度安定性が良いため、半導体レーザの発
振波長の温度安定性を増すことができる。
また半導体光検出器と半導体レーザを組み合わせること
により、光検出器と半導体レーザまでの配線が短（なり
、高速変調時の周波数安定性を増すことができる。
により、光検出器と半導体レーザまでの配線が短（なり
、高速変調時の周波数安定性を増すことができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザの斜視図
を示す。以下第１図を用いて説明する。
を示す。以下第１図を用いて説明する。
この半導体レーザは、波長選択性を持つ半導体光検出部
１００．半導体レーザ部２００．電子回路部４００をモ
ノリシック化したものである。
１００．半導体レーザ部２００．電子回路部４００をモ
ノリシック化したものである。
まず半導体レーザ部２００の構成と動作を説明する。
半導体レーザ部２００は、ＤＢＲ−ＬＤを示し、ファブ
リペロ−型レーザの発光部２０３と、同一光軸上に注入
電流（位相制御電流２３０）により有効的に光路長を変
化させる位相制御部２０２と、回折格子２０４を設置し
たＤＢＲ部２０１とを付加した構成になっている。
リペロ−型レーザの発光部２０３と、同一光軸上に注入
電流（位相制御電流２３０）により有効的に光路長を変
化させる位相制御部２０２と、回折格子２０４を設置し
たＤＢＲ部２０１とを付加した構成になっている。
また発光部２０３は、ストライブ型のレーザであり、ｎ
型１ｎＰ基板２１１上のｎ型クラッド層２１０と活性層
２０８が、ｎ型ブロック層２０７とｎ型ブロック層２０
９によって埋め込まれていて、その上にｎ型クラッド層
２０６．ｐ型電極２０５が形成されている。そして基板
２１１の裏面にはｎ型電極２１２が形成されている。
型１ｎＰ基板２１１上のｎ型クラッド層２１０と活性層
２０８が、ｎ型ブロック層２０７とｎ型ブロック層２０
９によって埋め込まれていて、その上にｎ型クラッド層
２０６．ｐ型電極２０５が形成されている。そして基板
２１１の裏面にはｎ型電極２１２が形成されている。
発光された光のうち、ＤＢＲ部２０１にある回折格子２
０４の周期に応じたブラッグ波長の光が選択的に、発光
部２０３に帰還されるため、回折格子の周期に対応する
単一波長でレーザ発振が起こる。位相制御部２０２に位
相制御電流２３０゜ＤＢＲ部２０１にＤＢＲ電流２２０
を同時に注入すると、それぞれの部分の屈折率が変化し
てＤＢＲ部２０１ではブラッグ波長が微少に変化し、単
−発振を保ちながら発振波長を連続的に可変できる。
０４の周期に応じたブラッグ波長の光が選択的に、発光
部２０３に帰還されるため、回折格子の周期に対応する
単一波長でレーザ発振が起こる。位相制御部２０２に位
相制御電流２３０゜ＤＢＲ部２０１にＤＢＲ電流２２０
を同時に注入すると、それぞれの部分の屈折率が変化し
てＤＢＲ部２０１ではブラッグ波長が微少に変化し、単
−発振を保ちながら発振波長を連続的に可変できる。
次に半導体光検出部１００の構成と動作を以下説明する
。
。
半導体光検出部１００は半導体レーザ部２００の発光部
２０３とほぼ同一の構成をしたフォトダイオードである
。ただしＩ ｎ（１，ｓ３Ｇ ａｏ、ｃｒＡ ｓからな
る光吸収層（活性層）２０８に、４ｆ電子を有する元素
としてエルビウム（Ｅｒ）を集束イオンビームを用いて
、Ｉ Ｘ １０Ｉ９／ｃ／ドープされていることが違う
。
２０３とほぼ同一の構成をしたフォトダイオードである
。ただしＩ ｎ（１，ｓ３Ｇ ａｏ、ｃｒＡ ｓからな
る光吸収層（活性層）２０８に、４ｆ電子を有する元素
としてエルビウム（Ｅｒ）を集束イオンビームを用いて
、Ｉ Ｘ １０Ｉ９／ｃ／ドープされていることが違う
。
第２図は、Ｉ ｎｏ、ｓ３ｃ ａｏ、＋７Ａ ｓ光吸収
層にＥｒをドープしたフォトダイオードの光吸収係数の
波長依存性を示す特性図である。
層にＥｒをドープしたフォトダイオードの光吸収係数の
波長依存性を示す特性図である。
ただし、第２図の波長範囲を１．４０μｍから１．７０
μｍに限定している。光吸収層２０８のエネルギーギャ
ブ（Ｅｇ）は、室温で（０，７３ｅＶ；１．７０μｍ）
であり、またＥｒの４ｆ準位間吸収の一つに０．８ｅＶ
（波長１．５５μｍ）がある。波長が１．５５μｍ付近
の光吸収過程は二種類あり、Ｅｇ （０，７３ｅＶ）に
相当する波長より短波長側にあり、広い波長領域にわた
る価電子帯と伝導帯間のバンド間遷移と、Ｅｒによる波
長１．５５μｍでの狭帯域の吸収である。このため、こ
のフォトダイオードの波長感度特性は、前記二つの過程
による吸収を重畳したものであり、波長１．５５μｍの
狭い波長領域において相対的に高い感度を持つ。
μｍに限定している。光吸収層２０８のエネルギーギャ
ブ（Ｅｇ）は、室温で（０，７３ｅＶ；１．７０μｍ）
であり、またＥｒの４ｆ準位間吸収の一つに０．８ｅＶ
（波長１．５５μｍ）がある。波長が１．５５μｍ付近
の光吸収過程は二種類あり、Ｅｇ （０，７３ｅＶ）に
相当する波長より短波長側にあり、広い波長領域にわた
る価電子帯と伝導帯間のバンド間遷移と、Ｅｒによる波
長１．５５μｍでの狭帯域の吸収である。このため、こ
のフォトダイオードの波長感度特性は、前記二つの過程
による吸収を重畳したものであり、波長１．５５μｍの
狭い波長領域において相対的に高い感度を持つ。
第３図は、第１図に示す半導体レーザの動作を示すブロ
ック図である。波長選択性を持つ半導体光検出部１００
と波長可変型車−波長発娠レーザである半導体レーザ部
２００と位相制御電流と、ＤＢＲ電流を制御する電子回
路部４００を組み合わせることにより、半導体レーデの
発振波長の安定化が行える。以下、半導体レーザの発振
波長の安定化の方法を示す。
ック図である。波長選択性を持つ半導体光検出部１００
と波長可変型車−波長発娠レーザである半導体レーザ部
２００と位相制御電流と、ＤＢＲ電流を制御する電子回
路部４００を組み合わせることにより、半導体レーデの
発振波長の安定化が行える。以下、半導体レーザの発振
波長の安定化の方法を示す。
駆動電流２４０により半導体レーザ部２００から発振光
を二方向に出力させ、ひとつはモニタ光として半導体光
検出部１００に入れて光検出電流（ｒｐ）１１０となる
。第４図（ａ） 〜（Ｃ）はそれぞれＩ ｎＯ，ｓ３Ｇ
ａｏ、４７Ａ Ｓ光吸収層にＥｒをドープしたフォト
ダイオードの光検出電流（Ｉｐ）の波長（λ１） 依存
性および光検出電流の波長に対する１階微分、２階微分
を示す特性図である。
を二方向に出力させ、ひとつはモニタ光として半導体光
検出部１００に入れて光検出電流（ｒｐ）１１０となる
。第４図（ａ） 〜（Ｃ）はそれぞれＩ ｎＯ，ｓ３Ｇ
ａｏ、４７Ａ Ｓ光吸収層にＥｒをドープしたフォト
ダイオードの光検出電流（Ｉｐ）の波長（λ１） 依存
性および光検出電流の波長に対する１階微分、２階微分
を示す特性図である。
ここで１ｐ＝ｉｐ（λ＋）、ｌ ｐ”＝ｄ２（ｉ ｐ）
／ｄλ１である。第４図（Ｃ）に示すように光検出電流
の波長に対する２階激分（Ｉｄ’）は、波長１．５５μ
ｍにおいて極値をとる。
／ｄλ１である。第４図（Ｃ）に示すように光検出電流
の波長に対する２階激分（Ｉｄ’）は、波長１．５５μ
ｍにおいて極値をとる。
前記光検出電流１１０を緩衝増幅器、微分回路、制御回
路などからなる電子回路部４００に入れて、−■ｐ
が極小になるように、位相制御電流２３０とＤＢＲ電流
２２０を制御するとレーザの発振波長が１．５５μｍと
なる。このレーザの発振波長の基準となるＥｒの吸収波
長は安定であるため、レーザの発振波長もまた安定であ
り温度特性が良い。また半導体レーザをモノリシック化
することにより、配線長の減少などによって高速変調特
性が良くなる。
路などからなる電子回路部４００に入れて、−■ｐ
が極小になるように、位相制御電流２３０とＤＢＲ電流
２２０を制御するとレーザの発振波長が１．５５μｍと
なる。このレーザの発振波長の基準となるＥｒの吸収波
長は安定であるため、レーザの発振波長もまた安定であ
り温度特性が良い。また半導体レーザをモノリシック化
することにより、配線長の減少などによって高速変調特
性が良くなる。
なお本実施例では波長選択性を持つ半導体光検出部の形
成手段として、４ｆ電子を有するＥｒを前記半導体光検
出部の光吸収層にドーピングして、Ｅｒが持つ４ｆ準位
間吸収の１つである０、８ｅＶを用いたが、その他の４
ｆ準位間吸収、例えば０．７２ｅＶ、１．ＯｅＶなどを
用いることもできる。また、ネオジウム（Ｎｄ）、ガド
リニウム（Ｇｄ）、イットリビウム（Ｙｂ）等の４ｆ準
１位間吸収を有する元素さらに、５ｆ準位間吸収を有す
る元素を用いることができることは言うまでもない。さ
らに半導体光検出部は、それ自身単体で半導体光検出器
として用いることができることは言うまでもない。
成手段として、４ｆ電子を有するＥｒを前記半導体光検
出部の光吸収層にドーピングして、Ｅｒが持つ４ｆ準位
間吸収の１つである０、８ｅＶを用いたが、その他の４
ｆ準位間吸収、例えば０．７２ｅＶ、１．ＯｅＶなどを
用いることもできる。また、ネオジウム（Ｎｄ）、ガド
リニウム（Ｇｄ）、イットリビウム（Ｙｂ）等の４ｆ準
１位間吸収を有する元素さらに、５ｆ準位間吸収を有す
る元素を用いることができることは言うまでもない。さ
らに半導体光検出部は、それ自身単体で半導体光検出器
として用いることができることは言うまでもない。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明は、４ｆまたは
５ｆ電子を有する元素を光吸収層１こドープして特定の
波長に高い感度を持ち、温度安定性の良い半導体光検出
器が、ｆ電子準位間の遷移エネルギー値が一定で、しか
もその幅が非常に狭いことを利用することにより実現で
きる。
５ｆ電子を有する元素を光吸収層１こドープして特定の
波長に高い感度を持ち、温度安定性の良い半導体光検出
器が、ｆ電子準位間の遷移エネルギー値が一定で、しか
もその幅が非常に狭いことを利用することにより実現で
きる。
また半導体レーザと前記半導体光検出器を組み合わせる
ことにより、前記半導体レーザの発振波長の安定化を行
うことにより、従来の大型の光学系が不必要となり、温
度安定性が良（さらに周波数応答性の大幅な向上が図れ
る効果を有するものである。
ことにより、前記半導体レーザの発振波長の安定化を行
うことにより、従来の大型の光学系が不必要となり、温
度安定性が良（さらに周波数応答性の大幅な向上が図れ
る効果を有するものである。
第１図は°本発明の一実施例による半導体レーザの斜視
図、第２図はＩ ｎ６．５３Ｇ ａ６，４７Ａ ｓ光吸
収層にＥｒをドープしたフォトダイオードの光吸収係数
の波長依存性を示す特性図、第３図は第１図に示す半導
体レーザの動作を示すブロック図、第４図（ａ）〜（Ｃ
）はそれぞれＩ ｎ（１，５ｓＧ ａｏ、４７Ａ Ｓ光
吸収層にＥｒをドープしたフォトダイオードの光検出電
流の波長依存性および光検出電流の波長に対する１階微
分、２階微分を示す特性図、第５図は従来技術による半
導体レーザの発振波長の安定化を行うブロック図である
。 １００・・・・・・半導体光検出部、１１０・・・・・
・光検出電流、２００・・・・・・半導体レーザ部、２
０１・・・・・・ＤＢＲ部、２０２・・・・・・位相制
御部、２０３・旧・・発光部、２０４・・・・・・回折
格子、２１０・旧・・活性１！ｌ（光吸収層）、２２０
・・・・・・ＤＢＲ電流、２３０・・・・・・位相制御
電流、２４０・・・・・・駆動電流、２５０・・・・・
・発娠光、４００・旧・・電子回路部。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか１名第２図 第 ３ 図 ２０θ４虞体ν−ヂ架 第 図 第 図
図、第２図はＩ ｎ６．５３Ｇ ａ６，４７Ａ ｓ光吸
収層にＥｒをドープしたフォトダイオードの光吸収係数
の波長依存性を示す特性図、第３図は第１図に示す半導
体レーザの動作を示すブロック図、第４図（ａ）〜（Ｃ
）はそれぞれＩ ｎ（１，５ｓＧ ａｏ、４７Ａ Ｓ光
吸収層にＥｒをドープしたフォトダイオードの光検出電
流の波長依存性および光検出電流の波長に対する１階微
分、２階微分を示す特性図、第５図は従来技術による半
導体レーザの発振波長の安定化を行うブロック図である
。 １００・・・・・・半導体光検出部、１１０・・・・・
・光検出電流、２００・・・・・・半導体レーザ部、２
０１・・・・・・ＤＢＲ部、２０２・・・・・・位相制
御部、２０３・旧・・発光部、２０４・・・・・・回折
格子、２１０・旧・・活性１！ｌ（光吸収層）、２２０
・・・・・・ＤＢＲ電流、２３０・・・・・・位相制御
電流、２４０・・・・・・駆動電流、２５０・・・・・
・発娠光、４００・旧・・電子回路部。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 ほか１名第２図 第 ３ 図 ２０θ４虞体ν−ヂ架 第 図 第 図
Claims (3)
- （１）４ｆまたは５ｆ電子を有する元素がドープされた
光吸収層を有する半導体光検出器に半導体レーザの出力
光を吸収させ、前記半導体光検出器の出力電流を前記半
導体レーザの波長駆動電流として帰還させ、前記半導体
レーザの発振波長を安定化させることを特徴とする半導
体レーザ装置。 - （２）４ｆまたは５ｆ電子を有する元素がドープされた
光吸収層を有し、４ｆまたは５ｆ内殻電子準位間遷移を
使用することにより波長選択性を持つことを特徴とする
半導体光検出器。 - （３）波長選択性を有する半導体光検出器を、前記半導
体光検出器の光吸収層に４ｆまたは５ｆ電子を有する元
素をイオン注入法によりドーピングすることにより形成
する半導体光検出器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32657788A JP2532632B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レ―ザ装置と半導体光検出器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32657788A JP2532632B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レ―ザ装置と半導体光検出器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170587A true JPH02170587A (ja) | 1990-07-02 |
| JP2532632B2 JP2532632B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=18189365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32657788A Expired - Fee Related JP2532632B2 (ja) | 1988-12-23 | 1988-12-23 | 半導体レ―ザ装置と半導体光検出器及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532632B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06506814A (ja) * | 1991-11-27 | 1994-07-28 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | アンテナビームのステアリング用・モノリシック集積化光遅延ネットワーク |
| JPH06291403A (ja) * | 1991-11-01 | 1994-10-18 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光トランスミッタ |
| JP2010050162A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長可変レーザ |
| JP2022123788A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変レーザ素子の制御方法、波長可変レーザ素子、およびレーザ装置 |
-
1988
- 1988-12-23 JP JP32657788A patent/JP2532632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291403A (ja) * | 1991-11-01 | 1994-10-18 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光トランスミッタ |
| JPH06506814A (ja) * | 1991-11-27 | 1994-07-28 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | アンテナビームのステアリング用・モノリシック集積化光遅延ネットワーク |
| JP2010050162A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長可変レーザ |
| JP2022123788A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 古河電気工業株式会社 | 波長可変レーザ素子の制御方法、波長可変レーザ素子、およびレーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2532632B2 (ja) | 1996-09-11 |
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