JPH02170611A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH02170611A JPH02170611A JP63324399A JP32439988A JPH02170611A JP H02170611 A JPH02170611 A JP H02170611A JP 63324399 A JP63324399 A JP 63324399A JP 32439988 A JP32439988 A JP 32439988A JP H02170611 A JPH02170611 A JP H02170611A
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- Japan
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- recess
- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- transducer
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
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- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、弾性表面波装置に係るもので、特にその励振
部および伝播部の封止構造の改良に関するものである。
部および伝播部の封止構造の改良に関するものである。
［発明の概要］
本発明は、圧電性基板上に励振部および伝播部が形成さ
れた凹部を設けることにより、高価な金属パッケージを
使用することなく、前記励振部および伝播部上に自由空
間を残して確実に樹脂モールドできるようにしたもので
ある。
れた凹部を設けることにより、高価な金属パッケージを
使用することなく、前記励振部および伝播部上に自由空
間を残して確実に樹脂モールドできるようにしたもので
ある。
［従来の技術］
従来、弾性表面波素子の励振部および伝播部−トに自由
空間を残した状態で素子を封止する場合。
空間を残した状態で素子を封止する場合。
第１４図および第１５図に示す封止構造が多く適用され
ている。
ている。
第１４図は金属パッケージで封止する場合を示したもの
で、１は弾性表面波素子、２は金属パッケージ、３は励
振用トランスデユーサ、４は入出力ビン、５は金属キャ
ップ、６は導電性ペーストであり１弾性表面波素子１は
金属パッケージ２のステム上に接着剤あるいは導電性ペ
ースト６によって固定され、励振用トランスデユーサ３
はパッケージの入出力ピン４にワイヤーボンディングで
電気的に接続され、全体は金属キャップ５をかぶせるこ
とにより封止され、前記励振部および伝播部表面の自由
空間が確保されるようになっている。
で、１は弾性表面波素子、２は金属パッケージ、３は励
振用トランスデユーサ、４は入出力ビン、５は金属キャ
ップ、６は導電性ペーストであり１弾性表面波素子１は
金属パッケージ２のステム上に接着剤あるいは導電性ペ
ースト６によって固定され、励振用トランスデユーサ３
はパッケージの入出力ピン４にワイヤーボンディングで
電気的に接続され、全体は金属キャップ５をかぶせるこ
とにより封止され、前記励振部および伝播部表面の自由
空間が確保されるようになっている。
第１５図は樹脂モールドにより封止する場合を示したも
ので、７は弾性表面波素子、８はリード端子、９は樹脂
モールド、１０は空隙、１１は導電性ペーストであり、
素子表面の電極がリード端子８にハンダまたは導電性ペ
ースト１１によって接続され、励振部および伝播部表面
にはモールド樹脂９によって封止する工程の前にワック
スが塗布され、樹脂モールドを施すと同時に空隙１０が
形成されるようになっている。
ので、７は弾性表面波素子、８はリード端子、９は樹脂
モールド、１０は空隙、１１は導電性ペーストであり、
素子表面の電極がリード端子８にハンダまたは導電性ペ
ースト１１によって接続され、励振部および伝播部表面
にはモールド樹脂９によって封止する工程の前にワック
スが塗布され、樹脂モールドを施すと同時に空隙１０が
形成されるようになっている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、第１４図に示す封止構造は、金属パッケージが
比較的高価であるため、コスト低減が困難である。
比較的高価であるため、コスト低減が困難である。
一方、第１５図に示す封止構造は、安価に得られるが、
表面波素子の表面を汚染するおそれがあり、また大面積
の空隙が必要な場合、ワックスを均一に塗布することが
戴しく、空隙の形成にばらつきが生じるため、歩留まり
が低下する欠点がある。
表面波素子の表面を汚染するおそれがあり、また大面積
の空隙が必要な場合、ワックスを均一に塗布することが
戴しく、空隙の形成にばらつきが生じるため、歩留まり
が低下する欠点がある。
［発明の目的］
本発明は、高価な金属パッケージを使用することなく、
弾性表面波素子上の励振部および伝播部上に空隙を残し
た状態で樹脂モールドすることが可能であり１弾性表面
波素子のコスト低減および歩留まりの向上が実現できる
弾性表面波装置を提供することを目的としているもので
ある。
弾性表面波素子上の励振部および伝播部上に空隙を残し
た状態で樹脂モールドすることが可能であり１弾性表面
波素子のコスト低減および歩留まりの向上が実現できる
弾性表面波装置を提供することを目的としているもので
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上記目的を達成するため、圧電性基板上に励
振部および伝播部を形成された・凹部を設け、その凹部
以外の基板上表面と凹部の励振部との間には、引き出し
電極を形成すると共に、前記凹部が板状の蓋体でおおう
構造とすることにより。
振部および伝播部を形成された・凹部を設け、その凹部
以外の基板上表面と凹部の励振部との間には、引き出し
電極を形成すると共に、前記凹部が板状の蓋体でおおう
構造とすることにより。
上述した問題点の解決を図ったものである。
［実施例］
第１図ないし第７図は、本発明を弾性表面波フィルタに
実施した例を示すものである。
実施した例を示すものである。
第１図は、本実施例で封止される弾性表面波フィルタの
斜視図であり、第２図はその（Ａ−Ａ、）線の断面図で
ある。同図において、弾性表面波を励振するトランスデ
ユーサ１２および伝播部は、圧電性基板１３の表面にエ
ツチング等によって形成した凹部１４に設けられている
。入出力電極バッド１５は凹部１４の外側（凸部とする
）に設けられ、トランスデユーサ１２のバスバーとパッ
ド１５は、凹部と凸部との境界である段差を横切る引き
出し電極１６によって接続されている。
斜視図であり、第２図はその（Ａ−Ａ、）線の断面図で
ある。同図において、弾性表面波を励振するトランスデ
ユーサ１２および伝播部は、圧電性基板１３の表面にエ
ツチング等によって形成した凹部１４に設けられている
。入出力電極バッド１５は凹部１４の外側（凸部とする
）に設けられ、トランスデユーサ１２のバスバーとパッ
ド１５は、凹部と凸部との境界である段差を横切る引き
出し電極１６によって接続されている。
前記トランスデユーサ１２および伝播部の封止は次のよ
うにして行う。まず、第３図に示すように、凹部１４の
周囲に絶縁性の接着剤１７を、またパッド１５上に導電
性ペースト１８を塗布する。
うにして行う。まず、第３図に示すように、凹部１４の
周囲に絶縁性の接着剤１７を、またパッド１５上に導電
性ペースト１８を塗布する。
更に不要な表面波の反射を吸収する吸音材１９を塗布す
る。
る。
次に、第４図に示すようなリード端子２０および基板の
凹部１４をおおう板状の蓋２１を用意し。
凹部１４をおおう板状の蓋２１を用意し。
第５図に示すように素子に密着させる。第６図は第４図
の（Ｂ−Ｂ）線の断面図であって、上記蓋２１で凹部１
４をおおうことにより、パ励振部および伝播部の上には
空隙２２が形成される。
の（Ｂ−Ｂ）線の断面図であって、上記蓋２１で凹部１
４をおおうことにより、パ励振部および伝播部の上には
空隙２２が形成される。
最後に、前記導電性ペースト、接着剤、吸音材が固化し
た後、第７図に示すように、全体に樹脂モールド２３を
施す、この第７図は第５図の（Ｃ−Ｃ）線に沿った断面
図を示したものである。
た後、第７図に示すように、全体に樹脂モールド２３を
施す、この第７図は第５図の（Ｃ−Ｃ）線に沿った断面
図を示したものである。
上記構成によれば、高価な金属パッケージを使用するこ
となく、弾性表面波素子の励振部および伝播部上に空隙
を残した状態で樹脂モールドすることが可能である。
となく、弾性表面波素子の励振部および伝播部上に空隙
を残した状態で樹脂モールドすることが可能である。
第８図は、凹部１４をおおう蓋の固定、および不要表面
波の吸収を、凹部１４の外周の段差をまたぐ帯状の領域
に塗布した吸音材２４によって兼用できる構造を示した
ものである。これによれば。
波の吸収を、凹部１４の外周の段差をまたぐ帯状の領域
に塗布した吸音材２４によって兼用できる構造を示した
ものである。これによれば。
工程数の削減が図れる。
第９図は、入出力リード端子と空隙形成用の蓋とを一体
形成のリードフレーム２５としたものを示し、第１０図
はこのリードフレーム２５を素子に密着させた状態を示
したものである。
形成のリードフレーム２５としたものを示し、第１０図
はこのリードフレーム２５を素子に密着させた状態を示
したものである。
上記の構成によれば、素子にリード端子および蓋を取付
ける工程が簡易化され、更に位置合わせが容易になる。
ける工程が簡易化され、更に位置合わせが容易になる。
また、蓋の部分が金属性であるため、ここから端子２６
を引き延ばし、アース端子とすることにより、シールド
板としての効果が生じ、特性を向上させることができる
。
を引き延ばし、アース端子とすることにより、シールド
板としての効果が生じ、特性を向上させることができる
。
第１１図は、素子を構成する圧電性基板を、半導体２７
とその上に積層した圧電薄膜２８とによる層状構造とし
た例の基板断面を示したものである。
とその上に積層した圧電薄膜２８とによる層状構造とし
た例の基板断面を示したものである。
上記の例では、所望する凹部１４の形状を半導体表面に
エツチング等により形成しておき、そこに圧電薄膜を積
層する１段差周辺の薄膜部分２９の膜質は異常成長等に
よって劣化する可能性があるが、この部分は本質的に素
子動作に影響を与えない領域であり、凹部領域に適当な
余裕をもたせることで１問題とはならない。
エツチング等により形成しておき、そこに圧電薄膜を積
層する１段差周辺の薄膜部分２９の膜質は異常成長等に
よって劣化する可能性があるが、この部分は本質的に素
子動作に影響を与えない領域であり、凹部領域に適当な
余裕をもたせることで１問題とはならない。
上記のように半導体との複合基板が使用できることによ
り、電気的な集積回路との一体化が可能となり、全体を
樹脂モールドすることができるため、安価な複合機能素
子を実現することができる。
り、電気的な集積回路との一体化が可能となり、全体を
樹脂モールドすることができるため、安価な複合機能素
子を実現することができる。
上記半導体と圧電薄膜との組み合わせとしては、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）薄１１ＬＩ／シリコン基板（Ｓｉ）、窒化
アルミニウム薄膜（ＡＱＮ）／サファイア基板（Ａｎａ
ｏ３）が用いられる。
鉛（ＺｎＯ）薄１１ＬＩ／シリコン基板（Ｓｉ）、窒化
アルミニウム薄膜（ＡＱＮ）／サファイア基板（Ａｎａ
ｏ３）が用いられる。
第１２図および第１３図は、本発明をモノリシック表面
弾性波コンボルバに実施した例を示すものである。
弾性波コンボルバに実施した例を示すものである。
第１２図は組立図、第１３図その（Ｄ−Ｄ）線の断面図
であって、図中３０は出力ゲート電極、３１は裏面電極
、３２は凹部１４をおおうシールド板、３３はＺｎＯ薄
膜、３４はＳｉｎ、酸化絶縁膜、３５はＳＬ基板、３６
は入力リード端子。
であって、図中３０は出力ゲート電極、３１は裏面電極
、３２は凹部１４をおおうシールド板、３３はＺｎＯ薄
膜、３４はＳｉｎ、酸化絶縁膜、３５はＳＬ基板、３６
は入力リード端子。
３７は出力リード端子、３８はモールド樹脂である。
即ち、ＺｎＯ／Ｓｉｎ、／ＳＬ表面弾性波コンポルパル
では、伝播部と出力信号発生部がほぼ同一領域に存在す
るため、基板には励振部、伝播部のほかに出力ゲート電
極３０が設けられ、また出力信号は基板裏面とゲート電
極間で取り出されるため。
では、伝播部と出力信号発生部がほぼ同一領域に存在す
るため、基板には励振部、伝播部のほかに出力ゲート電
極３０が設けられ、また出力信号は基板裏面とゲート電
極間で取り出されるため。
裏面アース電極３１が必要であり、これは凹部１４をお
おうシールド板３２と接続し、第１３図に示すように、
外部には１本の共通アース端子として取り出すことが可
能である。
おうシールド板３２と接続し、第１３図に示すように、
外部には１本の共通アース端子として取り出すことが可
能である。
［発明の効果］
以上に述べたように、本発明によれば、高価な金属パッ
ケージを使用することなく１弾性表面波素子の励振部お
よび伝播部上に空隙を残した状態で樹脂モールドするこ
とが可能であり１弾性表面波素子のコスト低減および歩
留まりの向上が実現できる。
ケージを使用することなく１弾性表面波素子の励振部お
よび伝播部上に空隙を残した状態で樹脂モールドするこ
とが可能であり１弾性表面波素子のコスト低減および歩
留まりの向上が実現できる。
第１図は本発明の一実施例を示す弾性表面波素子の斜視
図、第２図はその（Ａ−Ａ）線の断面図、第３図は接着
剤および吸音材を塗布した弾性表面波素子の斜視図、第
４図はリード端子および蓋の斜視図、第５図は蓋を取付
けた素子の斜視図、第６図はその（Ｂ−Ｂ）線の断面図
、第７図は（Ｃ−Ｃ＞線の断面図、第８図は他の実施例
を示す弾性表面波素子の斜視図、第９図はリードフレー
ムの斜視図、第１０図はリードフレームを取付けた素子
の斜視図、第１１図は他の実施例を示す基板構造の断面
図、第１２図は他の実施例を示す弾性表面波素子の組立
斜視図、第１３図はその（Ｄ−Ｄ）Ｍの断面図、第１４
図および第１５図は従来の弾性表面波装置の断面図であ
る。 １２・・・・・・・・・トランスデユーサ、１３・・・
・・・・・・圧電性基板、１４・・・・・・・・・凹部
、１５・・・・・・・・・入出力電極パッド、１６・・
・・・・・・・引き出し電極、１７・・・・・・・・・
接着剤、１８・・・・・・・・・導電性ペースト、１９
・・・・・・・・・吸音材、２０・・・・・・・・・リ
ード端子、２１・・・・・・・・・蓋、２２・・・・・
・・・・空隙、２３・・・・・・・・・樹脂モールド、
２４・・・・・・・・・吸音材、２５・・・・・・・・
・リードフレーム、２６・・・・・・・・・端子、２７
・・・・・・・・・半導体、２８・・・・・・・・・圧
電薄膜、２９・・・・・・・・・薄膜部分、３０・・・
・・・・・・出力ゲート電極、３１・・・・・・・・・
裏面電極、３２・・・・・・・・・シールド板、３３・
・・・・・・・・薄膜、３４・・・・・・・・・酸化絶
縁膜、３５・・・・・・・・・基板、３６・・・・・・
・・・入力リード端子、３７・・・・・・・・・出力リ
ード端子、３８・・・・・・・・・モールド樹脂。 特許出願人 クラリオン株式会社代理人 弁理士
永 １）武 三 部第 図 第 図 第５図 第４図 ００子夕が子：コ 方） 第６ 図 第Ｓ図 １■ 第９ 図 第１２ｒＡ 第１０図 第１１図 第１３門 第１４図 第１５図
図、第２図はその（Ａ−Ａ）線の断面図、第３図は接着
剤および吸音材を塗布した弾性表面波素子の斜視図、第
４図はリード端子および蓋の斜視図、第５図は蓋を取付
けた素子の斜視図、第６図はその（Ｂ−Ｂ）線の断面図
、第７図は（Ｃ−Ｃ＞線の断面図、第８図は他の実施例
を示す弾性表面波素子の斜視図、第９図はリードフレー
ムの斜視図、第１０図はリードフレームを取付けた素子
の斜視図、第１１図は他の実施例を示す基板構造の断面
図、第１２図は他の実施例を示す弾性表面波素子の組立
斜視図、第１３図はその（Ｄ−Ｄ）Ｍの断面図、第１４
図および第１５図は従来の弾性表面波装置の断面図であ
る。 １２・・・・・・・・・トランスデユーサ、１３・・・
・・・・・・圧電性基板、１４・・・・・・・・・凹部
、１５・・・・・・・・・入出力電極パッド、１６・・
・・・・・・・引き出し電極、１７・・・・・・・・・
接着剤、１８・・・・・・・・・導電性ペースト、１９
・・・・・・・・・吸音材、２０・・・・・・・・・リ
ード端子、２１・・・・・・・・・蓋、２２・・・・・
・・・・空隙、２３・・・・・・・・・樹脂モールド、
２４・・・・・・・・・吸音材、２５・・・・・・・・
・リードフレーム、２６・・・・・・・・・端子、２７
・・・・・・・・・半導体、２８・・・・・・・・・圧
電薄膜、２９・・・・・・・・・薄膜部分、３０・・・
・・・・・・出力ゲート電極、３１・・・・・・・・・
裏面電極、３２・・・・・・・・・シールド板、３３・
・・・・・・・・薄膜、３４・・・・・・・・・酸化絶
縁膜、３５・・・・・・・・・基板、３６・・・・・・
・・・入力リード端子、３７・・・・・・・・・出力リ
ード端子、３８・・・・・・・・・モールド樹脂。 特許出願人 クラリオン株式会社代理人 弁理士
永 １）武 三 部第 図 第 図 第５図 第４図 ００子夕が子：コ 方） 第６ 図 第Ｓ図 １■ 第９ 図 第１２ｒＡ 第１０図 第１１図 第１３門 第１４図 第１５図
Claims (1)
- 圧電性基板上に励振部および伝播部を形成した凹部が設
けられ、その凹部以外の基板上表面と凹部の励振部との
間には引き出し電極が形成され、前記凹部が板状の蓋体
でおおわれ、さらに全体がモールドされていることを特
徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324399A JPH02170611A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 弾性表面波装置 |
| US07/455,163 US4993000A (en) | 1988-12-22 | 1989-12-22 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63324399A JPH02170611A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170611A true JPH02170611A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=18165363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63324399A Pending JPH02170611A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 弾性表面波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4993000A (ja) |
| JP (1) | JPH02170611A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-12-22 JP JP63324399A patent/JPH02170611A/ja active Pending
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1989
- 1989-12-22 US US07/455,163 patent/US4993000A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5128044B2 (ja) * | 1971-08-09 | 1976-08-17 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007049261A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4993000A (en) | 1991-02-12 |
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