JPH02170967A - 電子ビーム蒸着装置 - Google Patents
電子ビーム蒸着装置Info
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- JPH02170967A JPH02170967A JP163089A JP163089A JPH02170967A JP H02170967 A JPH02170967 A JP H02170967A JP 163089 A JP163089 A JP 163089A JP 163089 A JP163089 A JP 163089A JP H02170967 A JPH02170967 A JP H02170967A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、金属、半導体、絶縁物の各種材i′lを基
板などに真空蒸着するのに用いられる電子ビーム蒸着装
置に関するものである。
板などに真空蒸着するのに用いられる電子ビーム蒸着装
置に関するものである。
半導体装置の製造プロセスにおいて、例えば電極などを
形成するとき、基板上に金属などの1睨を多層に形成す
るが、これらの膜を作るのに電子ビーム蒸着装置が用い
られている。第5図は従来の電子ビーム蒸着装置の基本
的構成を示す斜視図であり、図において、(1)はるつ
ぼ、t21はるつぼ(1)に凹状に形成された収容部で
、ここに蒸着材料(3)を収容する。4)は蒸着材料(
3)を加熱するための電子を発生させるフィラメントで
、図示しないフィラメント用電源に接続されている。(
5)はフィラメント−1の近辺に磁界を作る偏向用磁石
、(6)は直流の高圧電源で、通常80FIOV〜l
O(10(l V位の高電圧が用いられ、プラス側はる
つぼ(1)に、マイナス側がフィラメント4)に接続さ
れている。
形成するとき、基板上に金属などの1睨を多層に形成す
るが、これらの膜を作るのに電子ビーム蒸着装置が用い
られている。第5図は従来の電子ビーム蒸着装置の基本
的構成を示す斜視図であり、図において、(1)はるつ
ぼ、t21はるつぼ(1)に凹状に形成された収容部で
、ここに蒸着材料(3)を収容する。4)は蒸着材料(
3)を加熱するための電子を発生させるフィラメントで
、図示しないフィラメント用電源に接続されている。(
5)はフィラメント−1の近辺に磁界を作る偏向用磁石
、(6)は直流の高圧電源で、通常80FIOV〜l
O(10(l V位の高電圧が用いられ、プラス側はる
つぼ(1)に、マイナス側がフィラメント4)に接続さ
れている。
次に動作について説明する。上記(1)〜(5)を真空
中に置き、膜を形成しようとする基板、例えば半導体ウ
ェハ(図示せず)をるつぼ(1)の図において上方に配
置する。フィラメント(/l)に通電、加熱すると電子
が発生する。フィラメント口)とるつげ(])の間には
フィラメント1)がマイナス、るつぼ(1)がプラスの
高電圧が印加されているので発生した電°r・はるつぼ
(1)の方へ引っ張られるが、高速でるつぼ(1)の側
壁(8)に街突するとそこが過熟損傷し、また、るつぼ
(1)の材料が蒸発してj模の中に不純物として混入す
るので、これを防1卜するため、フィシメン1〜伺)と
るつぼ]1)の側壁8)の間に図示しない金属板を設け
ている。フィラメンl−[4+から、図において」ニガ
に飛び出した電子は偏向用磁石(旬によって生じる磁界
で集束、偏向され、電子ビーム(7となってるつぼ(1
)の収容部(2の方へ導かれ、高圧電源によって生じる
電界で加速されて蒸着材料(3)に照射される。蒸着材
料(3)はこれにより加熱、熔解され、蒸着して半導体
ウェハ(図示せず)のに面に蒸着される。
中に置き、膜を形成しようとする基板、例えば半導体ウ
ェハ(図示せず)をるつぼ(1)の図において上方に配
置する。フィラメント(/l)に通電、加熱すると電子
が発生する。フィラメント口)とるつげ(])の間には
フィラメント1)がマイナス、るつぼ(1)がプラスの
高電圧が印加されているので発生した電°r・はるつぼ
(1)の方へ引っ張られるが、高速でるつぼ(1)の側
壁(8)に街突するとそこが過熟損傷し、また、るつぼ
(1)の材料が蒸発してj模の中に不純物として混入す
るので、これを防1卜するため、フィシメン1〜伺)と
るつぼ]1)の側壁8)の間に図示しない金属板を設け
ている。フィラメンl−[4+から、図において」ニガ
に飛び出した電子は偏向用磁石(旬によって生じる磁界
で集束、偏向され、電子ビーム(7となってるつぼ(1
)の収容部(2の方へ導かれ、高圧電源によって生じる
電界で加速されて蒸着材料(3)に照射される。蒸着材
料(3)はこれにより加熱、熔解され、蒸着して半導体
ウェハ(図示せず)のに面に蒸着される。
ところで、半導体装置の電極などをt[S成するとき、
種々の材料の膜を次々と蒸着して多層の膜を形成する必
要がある。第6図は多層の膜を連続的に形成するために
従来から用いられている回転るつぼ式の電子ビーム蒸着
装置を示す斜視図、第7図はその断面図である。これら
の図において、(1)は円筒状のるつぼ、(21はるつ
ぼ(1)に凹状に形成された収容部で、るつぼ(1)の
中心に対する角度が90°のピッチで同一円周上に4つ
形成され、それぞれに異なる蒸着材料(3A)ないしく
30)の1つが収容されている。■)、(至)は第5図
の場合と同様のフィラメントおよび電子ビームである。
種々の材料の膜を次々と蒸着して多層の膜を形成する必
要がある。第6図は多層の膜を連続的に形成するために
従来から用いられている回転るつぼ式の電子ビーム蒸着
装置を示す斜視図、第7図はその断面図である。これら
の図において、(1)は円筒状のるつぼ、(21はるつ
ぼ(1)に凹状に形成された収容部で、るつぼ(1)の
中心に対する角度が90°のピッチで同一円周上に4つ
形成され、それぞれに異なる蒸着材料(3A)ないしく
30)の1つが収容されている。■)、(至)は第5図
の場合と同様のフィラメントおよび電子ビームである。
10向用磁石、高圧電源は図示を省略しているが、第5
図と同様にして用いる。(9)はるつぼ(1)の内部に
形成されてこれを冷却するための冷媒としての冷却水が
流れる中空部、01はるつぼ(1)の中心軸に沿って設
けられた軸穴、(11)は軸穴(101に挿入されたシ
ャフト、(+2A)、 (+20)はシャフト(11)
の中に形成された2つの冷媒通路、(13)は軸穴(1
0)の中で、シャフト(11)とるつぼ(])の間隙に
嵌合されてるつぼ(1)をシャツl〜(11)に対して
回転可能に支持するベアリング、(+4八)、 (14
B>、 (14C)はベアリング(13)と同様にシャ
ツl−(+11とるつぼ(1)の間隙に嵌合されて冷力
1水の洩れをIIJjぐシリ:lンゴム製の3つのOリ
ングで、(−)リング〈14^)と(+4旧の間で、開
口(+5A)。
図と同様にして用いる。(9)はるつぼ(1)の内部に
形成されてこれを冷却するための冷媒としての冷却水が
流れる中空部、01はるつぼ(1)の中心軸に沿って設
けられた軸穴、(11)は軸穴(101に挿入されたシ
ャフト、(+2A)、 (+20)はシャフト(11)
の中に形成された2つの冷媒通路、(13)は軸穴(1
0)の中で、シャフト(11)とるつぼ(])の間隙に
嵌合されてるつぼ(1)をシャツl〜(11)に対して
回転可能に支持するベアリング、(+4八)、 (14
B>、 (14C)はベアリング(13)と同様にシャ
ツl−(+11とるつぼ(1)の間隙に嵌合されて冷力
1水の洩れをIIJjぐシリ:lンゴム製の3つのOリ
ングで、(−)リング〈14^)と(+4旧の間で、開
口(+5A)。
(15C)によりるつぼ(1)の中空部(9)とシャツ
1−(II)の冷媒通路<12Alが連通し、また、0
リング<1411)と(14c)の間で、開口(15B
>、 (+50)により中空部(9)と冷媒通路(12
旧が連通している。(16)はるつぼ(1)、フィラメ
ント(/IIIGI向川磁石(5用などを包囲する隔壁
で、図においてこれより」二部を真空に保っており、シ
ャツl〜(11)が気密を保ちながらこれを貫通し、固
定されている。
1−(II)の冷媒通路<12Alが連通し、また、0
リング<1411)と(14c)の間で、開口(15B
>、 (+50)により中空部(9)と冷媒通路(12
旧が連通している。(16)はるつぼ(1)、フィラメ
ント(/IIIGI向川磁石(5用などを包囲する隔壁
で、図においてこれより」二部を真空に保っており、シ
ャツl〜(11)が気密を保ちながらこれを貫通し、固
定されている。
上記の電子ビーム蒸着装置の動作について説明する。ま
ず、第5図の場合と同様にして、蒸着材料(3八)に電
子ビーム(7)を照射し、るつぼ(1)の上方に配置さ
れた半導体ウェハ(図示せず)の表面に改を形成する。
ず、第5図の場合と同様にして、蒸着材料(3八)に電
子ビーム(7)を照射し、るつぼ(1)の上方に配置さ
れた半導体ウェハ(図示せず)の表面に改を形成する。
次に、モーター(図示せず)によりるつぼ(1)を時計
方向に90°回転させ、蒸着材料(30)に電子ビーム
(7)を照射し、上記膜の上に新たな膜を形成する。こ
れを繰り返して4種間までの多層の膜を連続的に形成す
ることができる。
方向に90°回転させ、蒸着材料(30)に電子ビーム
(7)を照射し、上記膜の上に新たな膜を形成する。こ
れを繰り返して4種間までの多層の膜を連続的に形成す
ることができる。
更に、上記膜の形成に際し、るつぼ(1)が加熱して損
傷したり、るつぼ(1)の材料が蒸発して膜の中に不純
物どして混入したりするのを防止するため、第7図に示
すように冷媒として冷却水を流してるつば(1)を冷却
する。<17)は冷却水の流れで、シャフト(11)の
冷、媒通路(12八)から開1.1 (15C) 、
(15八)を通ってるつぼ(1)の中空部(9)に入り
、るつぼ(1)を冷却して開D (15n)、 (+5
0)を通って冷媒通路(12B)カら出ていく。
傷したり、るつぼ(1)の材料が蒸発して膜の中に不純
物どして混入したりするのを防止するため、第7図に示
すように冷媒として冷却水を流してるつば(1)を冷却
する。<17)は冷却水の流れで、シャフト(11)の
冷、媒通路(12八)から開1.1 (15C) 、
(15八)を通ってるつぼ(1)の中空部(9)に入り
、るつぼ(1)を冷却して開D (15n)、 (+5
0)を通って冷媒通路(12B)カら出ていく。
〔発明が解決しようとする課題:1
従来の電子ビーム蒸着装置は以上のように構成されてい
て、るつぼがシャフトに対して回転可能で、かつ、るつ
ぼの中空部に冷却水を流すために、0リングを用いて冷
却水などの冷媒と真空の分離を行っているので、長期間
使用しているうぢにるつぼと0リングの間やシャフトと
0リングの間に水あかやごみが付着し、そのため、真空
中に冷却水などの冷媒が洩れ出して真空度が著しく低下
し、熔解している蒸着材料を酸化させたり、多層に蒸着
した膜に剥れを生じさせるなどの問題点があった。
て、るつぼがシャフトに対して回転可能で、かつ、るつ
ぼの中空部に冷却水を流すために、0リングを用いて冷
却水などの冷媒と真空の分離を行っているので、長期間
使用しているうぢにるつぼと0リングの間やシャフトと
0リングの間に水あかやごみが付着し、そのため、真空
中に冷却水などの冷媒が洩れ出して真空度が著しく低下
し、熔解している蒸着材料を酸化させたり、多層に蒸着
した膜に剥れを生じさせるなどの問題点があった。
この発明はF記のような問題点を解消するためになされ
たもので、3°J′空中への冷媒の洩れが生じない電−
rヒーム蒸着装置を得ることを目的とする。
たもので、3°J′空中への冷媒の洩れが生じない電−
rヒーム蒸着装置を得ることを目的とする。
(,3!題を解1大するための手段〕
この発明にかかる電子ビーノ、蒸着装置は、フィラメン
I・と偏向用磁石をるつぼの周囲で移動n[能としたも
のであり、また、るつぼに直結すると共に隔壁を回転可
能に+1通ずるシャフトを設けて、このシャフトにるつ
ぼの内部と連通ずる冷媒通路を形成するようにしたもの
である。
I・と偏向用磁石をるつぼの周囲で移動n[能としたも
のであり、また、るつぼに直結すると共に隔壁を回転可
能に+1通ずるシャフトを設けて、このシャフトにるつ
ぼの内部と連通ずる冷媒通路を形成するようにしたもの
である。
この発明における電子ビーム蒸着装置は、フィラメント
と偏向用磁石を移動可能としなのでるつぼは固定でき、
従って、冷媒は固定部のみを通って流れることができて
Oリングを用いる必要はなく、埜た、るつぼに直結した
シャフトに形成された冷媒通路を通ってるつぼの内部に
冷媒が流れるのでOリングで冷媒と真空の分離を行う必
要はない 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による電子ビーム蒸着装置を示
す斜視図、第2図はこの断面図である0図において、(
1)は円筒状のるつぼ、(■、 1=11 。
と偏向用磁石を移動可能としなのでるつぼは固定でき、
従って、冷媒は固定部のみを通って流れることができて
Oリングを用いる必要はなく、埜た、るつぼに直結した
シャフトに形成された冷媒通路を通ってるつぼの内部に
冷媒が流れるのでOリングで冷媒と真空の分離を行う必
要はない 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による電子ビーム蒸着装置を示
す斜視図、第2図はこの断面図である0図において、(
1)は円筒状のるつぼ、(■、 1=11 。
(9,■はそれぞれ第5図ないし第7図の従来例と同様
の収容部、フィラメント、偏向用磁石、電子ビームであ
る。高圧電源は1゛4示を省略しているが、第5図と同
様にして用いている。(18)はっは状の回転板で、そ
の上にフィラメント(4)と偏向用磁石(句が設置され
ている。 (16>は隔壁で、図においてこれより上部
が真空に保たれている。るつぼ(1)は隔壁(16)上
に固定されている。(13)は回転板(18)を隔壁(
16)上に支持するベアリングで、回転板(18)をる
つぼ(1)の周囲で回転可能にしている。(9)はるつ
ば(1)の内部に形成され、冷却水を通してこれを冷却
するための中空部、(+9A)、 (1981は配管で
、気密を保ちながら隔壁(16)を貫通し、内部に形成
された冷媒通路(+2A)、 <121)はるつぼ(月
の底部に設けられた開I+ (1st1. (151>
を通じて中空部(9)と連通している。
の収容部、フィラメント、偏向用磁石、電子ビームであ
る。高圧電源は1゛4示を省略しているが、第5図と同
様にして用いている。(18)はっは状の回転板で、そ
の上にフィラメント(4)と偏向用磁石(句が設置され
ている。 (16>は隔壁で、図においてこれより上部
が真空に保たれている。るつぼ(1)は隔壁(16)上
に固定されている。(13)は回転板(18)を隔壁(
16)上に支持するベアリングで、回転板(18)をる
つぼ(1)の周囲で回転可能にしている。(9)はるつ
ば(1)の内部に形成され、冷却水を通してこれを冷却
するための中空部、(+9A)、 (1981は配管で
、気密を保ちながら隔壁(16)を貫通し、内部に形成
された冷媒通路(+2A)、 <121)はるつぼ(月
の底部に設けられた開I+ (1st1. (151>
を通じて中空部(9)と連通している。
次に動作について説明する。まず、第5図の場合と同様
にして、蒸着材11(3A)に電子ビーム(7)を照射
し、るつぽfll −h ’Hに配置された半導体ウェ
ハ(図示せず)のに面に膜を形成する。次に、モーター
(図示せず)により回転板(18)を反時計方向に90
°回転させると、その十に設置されたフィラメント(4
)と偏向用磁石(句も共に、るつぼ(1)の周囲で90
°回転移動し、蒸着材料(3B)に電子ビーム(7)を
照射することができ、1−泥膜のFに新たに蒸着材料(
3B)の膜が形成される。これを繰り返して蒸着材tl
(3C) 、 (3DJにも電子ビーム(7)を照射
し、4種類までの多層の11分を連続的に形成すること
ができる。
にして、蒸着材11(3A)に電子ビーム(7)を照射
し、るつぽfll −h ’Hに配置された半導体ウェ
ハ(図示せず)のに面に膜を形成する。次に、モーター
(図示せず)により回転板(18)を反時計方向に90
°回転させると、その十に設置されたフィラメント(4
)と偏向用磁石(句も共に、るつぼ(1)の周囲で90
°回転移動し、蒸着材料(3B)に電子ビーム(7)を
照射することができ、1−泥膜のFに新たに蒸着材料(
3B)の膜が形成される。これを繰り返して蒸着材tl
(3C) 、 (3DJにも電子ビーム(7)を照射
し、4種類までの多層の11分を連続的に形成すること
ができる。
また、るつぼ(])の冷却は、第21ii1の冷却水の
流れ(170ζ示ずように、冷媒通路(+2八)から開
「j(15E)を通じて中空部(9)へ冷却水が流入し
、開[1(15F)を通じて冷媒通路(1211)へ流
出することにより行われる。この際、冷却水は可動部を
流れることなく固定部のみを通って流れるので0リング
は用いる必要がない。
流れ(170ζ示ずように、冷媒通路(+2八)から開
「j(15E)を通じて中空部(9)へ冷却水が流入し
、開[1(15F)を通じて冷媒通路(1211)へ流
出することにより行われる。この際、冷却水は可動部を
流れることなく固定部のみを通って流れるので0リング
は用いる必要がない。
第3図はこの発明の池の実施例による電子ビーム蒸着装
置を示す断面図であり、図において、(1)は円筒状の
るつぼ、(21,(91,(+61は第7 I”itの
場合と同様の収容部、中空部、隔壁、C11)はるっ4
1’(1)に直結して設けられたシャフト、(+2A)
、 (1211)はシャフト目l)の中に形成された2
つの冷媒通路で、るつぼ(1)の中空部(9)と開n
(15G)、 (+511)を通して連通している。
(+6)はるつぼ(103よび第5図に示したようなフ
ィラメン?−(41i1M向用磁石(5)などを包囲す
る隔壁で、図においてこれより上部を真空に保っており
、シャフト(11)が貫通している。
置を示す断面図であり、図において、(1)は円筒状の
るつぼ、(21,(91,(+61は第7 I”itの
場合と同様の収容部、中空部、隔壁、C11)はるっ4
1’(1)に直結して設けられたシャフト、(+2A)
、 (1211)はシャフト目l)の中に形成された2
つの冷媒通路で、るつぼ(1)の中空部(9)と開n
(15G)、 (+511)を通して連通している。
(+6)はるつぼ(103よび第5図に示したようなフ
ィラメン?−(41i1M向用磁石(5)などを包囲す
る隔壁で、図においてこれより上部を真空に保っており
、シャフト(11)が貫通している。
(!3)はシャフト(11)が隔壁(16)を貫通ずる
部分に設けられたベアリングで、シャフト(11)を回
転i7f能に支持している。 (+4)は同じ部分に設
けられたOリングで、シャフト(IIHt通部の気密を
保っている。
部分に設けられたベアリングで、シャフト(11)を回
転i7f能に支持している。 (+4)は同じ部分に設
けられたOリングで、シャフト(IIHt通部の気密を
保っている。
次に動作について説明する。第6図、第7図の場合と同
様にして、多層のIl’Jを形成することができる。る
つぼ(1)の回転はシャツI〜(11)を図示しないモ
ーターでl<K動1−で行う、、るつぼ(1)を冷却す
るために冷媒として冷n!水を冷媒通路(12Δ)、
(+2旧に往復して流す6即ち、冷却水はその流れ(1
7)で示すように、シャツ1−(11>の冷媒通路<+
2A)から開[1(15G )を通ってるつぼ(])の
中り;り部(9)へ入り、そしてるつぼ(1)を冷却し
、開1.1 (+5111を経て冷媒通路(120)か
ら出ていく。冷却水はるつぼ(1)とシャツ1〜(11
)の中、即ち、直結された部分を流れることになる。も
つとも、シャツI・(11)は回転するので、シャツ1
−(I+1の、図において下部に摺動部(図示せず)を
設ける必要があり、そこのシール部(図示せず)から冷
却水が洩れる可能性はあるが、洩れたとしても形成され
る膜の品督に影響を与えない、また、この実施例で、0
リンク(14)を用いているが、冷却水の流れ(17)
とは無関係の所に設けられているので、水あかやごみが
付着して真空中に冷却水が洩れ出すようなことは起らな
い。
様にして、多層のIl’Jを形成することができる。る
つぼ(1)の回転はシャツI〜(11)を図示しないモ
ーターでl<K動1−で行う、、るつぼ(1)を冷却す
るために冷媒として冷n!水を冷媒通路(12Δ)、
(+2旧に往復して流す6即ち、冷却水はその流れ(1
7)で示すように、シャツ1−(11>の冷媒通路<+
2A)から開[1(15G )を通ってるつぼ(])の
中り;り部(9)へ入り、そしてるつぼ(1)を冷却し
、開1.1 (+5111を経て冷媒通路(120)か
ら出ていく。冷却水はるつぼ(1)とシャツ1〜(11
)の中、即ち、直結された部分を流れることになる。も
つとも、シャツI・(11)は回転するので、シャツ1
−(I+1の、図において下部に摺動部(図示せず)を
設ける必要があり、そこのシール部(図示せず)から冷
却水が洩れる可能性はあるが、洩れたとしても形成され
る膜の品督に影響を与えない、また、この実施例で、0
リンク(14)を用いているが、冷却水の流れ(17)
とは無関係の所に設けられているので、水あかやごみが
付着して真空中に冷却水が洩れ出すようなことは起らな
い。
なお、シャフト〈11)が隔壁(16)を11通ずる部
分に、第4図のように、ベアリング(13)とOリング
(14)を収納する軸受ユニット(20)を用いて隔壁
(16)の厚さを薄くしてもよいし、あるいは、隔壁(
16)を貫通ずる部分には0リング(14)のみを設け
、ベアリング(13)を装着した支持部(図示せず)を
別に設けてこれによりシャフト(11)を支持するよう
にしてもよい。また、上記実施例では冷媒とL2て冷却
水を用いたが、冷媒に直接触れる所に0リング(14)
を用いていないので、るつぼ(1)の冷却を良くするた
めに、冷媒としてフロンや液体窒素を用いることができ
る。即ち、シリコンゴム製のような0リング(14)が
過度に冷力lされると弾性がなくなってシール能力が低
下するが、」1記実施例のような構造ではそのようなこ
とはない。しかし、第3図のような場合はOリング(1
4)への熱伝導を悪くするためにシャツt−(11)の
肉厚を11<シたり、あるいは、第4図のように二重に
して間隙(21)を形成した構造にするのが好ましい。
分に、第4図のように、ベアリング(13)とOリング
(14)を収納する軸受ユニット(20)を用いて隔壁
(16)の厚さを薄くしてもよいし、あるいは、隔壁(
16)を貫通ずる部分には0リング(14)のみを設け
、ベアリング(13)を装着した支持部(図示せず)を
別に設けてこれによりシャフト(11)を支持するよう
にしてもよい。また、上記実施例では冷媒とL2て冷却
水を用いたが、冷媒に直接触れる所に0リング(14)
を用いていないので、るつぼ(1)の冷却を良くするた
めに、冷媒としてフロンや液体窒素を用いることができ
る。即ち、シリコンゴム製のような0リング(14)が
過度に冷力lされると弾性がなくなってシール能力が低
下するが、」1記実施例のような構造ではそのようなこ
とはない。しかし、第3図のような場合はOリング(1
4)への熱伝導を悪くするためにシャツt−(11)の
肉厚を11<シたり、あるいは、第4図のように二重に
して間隙(21)を形成した構造にするのが好ましい。
以」二のように、この発明によれば、フィラメントと偏
向用磁石をるつぼの周囲で移動+il’能に構成したの
で、るつぼを固定でき、そのため、冷却水は固定部のみ
を通って流れることができてOリングを用いる必要がな
く、また、るつぼに直結すると共に隔壁を回転可能にv
j通するシャフトを設けてこのシャフトにるつぼの内部
と連通ずる冷媒通路を形成するよう構成したので、冷媒
は直結されたるつぼとシャフトの中を流れ、従って、扶
に、0リングの損傷による5′7:空中への冷媒の洩れ
が生じることはない。
向用磁石をるつぼの周囲で移動+il’能に構成したの
で、るつぼを固定でき、そのため、冷却水は固定部のみ
を通って流れることができてOリングを用いる必要がな
く、また、るつぼに直結すると共に隔壁を回転可能にv
j通するシャフトを設けてこのシャフトにるつぼの内部
と連通ずる冷媒通路を形成するよう構成したので、冷媒
は直結されたるつぼとシャフトの中を流れ、従って、扶
に、0リングの損傷による5′7:空中への冷媒の洩れ
が生じることはない。
4、図面のf!?i jil−な説明
第t +gはこの発明の−・実施例による電子ビーム蒸
着装置を示す斜視図、第214はその断面図、第3図は
この発明の他の実施例による主1ビーム蒸着装置を示す
断面図、第4図はこの発明の史に他の実施例による電子
ビーム蒸着装置を示す断面図、第5図は従来の電子ビー
ム蒸着装置ffの基本的構成を示す斜視図、第6図は従
来の電子ビーム蒸着装置を示す斜視図、第7図はその断
面図である。
着装置を示す斜視図、第214はその断面図、第3図は
この発明の他の実施例による主1ビーム蒸着装置を示す
断面図、第4図はこの発明の史に他の実施例による電子
ビーム蒸着装置を示す断面図、第5図は従来の電子ビー
ム蒸着装置ffの基本的構成を示す斜視図、第6図は従
来の電子ビーム蒸着装置を示す斜視図、第7図はその断
面図である。
図において、(1)はるつぼ、+21は収容部、(3Δ
)ないしく3D)は蒸着材料、←1)はフィラメン1−
1(5)は偏向用磁石、(7)は電子ビーム、(9)は
中空部、(11)はシャフト、(+2A)、 <12B
)は冷媒通路、(13)はベアリング、(16)は隔壁
、(17)は冷却水の流れ、(18)は回転板である。
)ないしく3D)は蒸着材料、←1)はフィラメン1−
1(5)は偏向用磁石、(7)は電子ビーム、(9)は
中空部、(11)はシャフト、(+2A)、 <12B
)は冷媒通路、(13)はベアリング、(16)は隔壁
、(17)は冷却水の流れ、(18)は回転板である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 弁理士 大 岩 増 雄
第1図
第2図
/3
ベアリンク
第5図
−l
第6図
第3図
第4図
第7図
手続補正書(自発)
甲成 年 月
Claims (2)
- (1)蒸着材料を収容する複数の収容部を有し、内部を
流れる冷媒により冷却されるるつぼ、上記蒸着材料を加
熱する電子を発生させるフィラメント、上記電子を上記
収容部へ導く偏向用磁石、上記るつぼとフィラメントと
偏向用磁石を包囲して内部を真空に保つ隔壁を備えたも
のにおいて、、上記フィラメントと偏向用磁石を上記る
つぼの周囲で移動可能としたことを特徴とする電子ビー
ム蒸着装置。 - (2)蒸着材料を収容する複数の収容部を有し、内部を
流れる冷媒により冷却されるるつぼ、上記蒸着材料を加
熱する電子を発生させるフィラメント、上記電子を上記
収容部へ導く偏向用磁石、上記るつぼとフィラメントと
偏向用磁石を包囲して内部を真空に保つ隔壁を備えたも
のにおいて、上記るつぼに直結すると共に上記隔壁を回
転可能に貫通するシャフトを設け、このシャフトに上記
るつぼの内部と連通して冷媒が往復して流れる冷媒通路
を形成したことを特徴とする電子ビーム蒸着装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23082088 | 1988-09-14 | ||
| JP63-230820 | 1988-09-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02170967A true JPH02170967A (ja) | 1990-07-02 |
Family
ID=16913792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP163089A Pending JPH02170967A (ja) | 1988-09-14 | 1989-01-07 | 電子ビーム蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02170967A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525613A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 均熱部材の冷却方法 |
| JP2007009313A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Seiko Epson Corp | 真空蒸着装置及び電気光学装置の製造方法 |
| KR101111352B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2012-02-24 | 주식회사 유니벡 | 다층 박막코팅용 타겟장치 |
-
1989
- 1989-01-07 JP JP163089A patent/JPH02170967A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525613A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-02 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 均熱部材の冷却方法 |
| JP2007009313A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Seiko Epson Corp | 真空蒸着装置及び電気光学装置の製造方法 |
| KR101111352B1 (ko) * | 2011-05-30 | 2012-02-24 | 주식회사 유니벡 | 다층 박막코팅용 타겟장치 |
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