JPH02170967A - 電子ビーム蒸着装置 - Google Patents

電子ビーム蒸着装置

Info

Publication number
JPH02170967A
JPH02170967A JP163089A JP163089A JPH02170967A JP H02170967 A JPH02170967 A JP H02170967A JP 163089 A JP163089 A JP 163089A JP 163089 A JP163089 A JP 163089A JP H02170967 A JPH02170967 A JP H02170967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
filament
electron beam
vapor deposition
magnet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP163089A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Sumiyoshi
住吉 政夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPH02170967A publication Critical patent/JPH02170967A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、金属、半導体、絶縁物の各種材i′lを基
板などに真空蒸着するのに用いられる電子ビーム蒸着装
置に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置の製造プロセスにおいて、例えば電極などを
形成するとき、基板上に金属などの1睨を多層に形成す
るが、これらの膜を作るのに電子ビーム蒸着装置が用い
られている。第5図は従来の電子ビーム蒸着装置の基本
的構成を示す斜視図であり、図において、(1)はるつ
ぼ、t21はるつぼ(1)に凹状に形成された収容部で
、ここに蒸着材料(3)を収容する。4)は蒸着材料(
3)を加熱するための電子を発生させるフィラメントで
、図示しないフィラメント用電源に接続されている。(
5)はフィラメント−1の近辺に磁界を作る偏向用磁石
、(6)は直流の高圧電源で、通常80FIOV〜l 
O(10(l V位の高電圧が用いられ、プラス側はる
つぼ(1)に、マイナス側がフィラメント4)に接続さ
れている。
次に動作について説明する。上記(1)〜(5)を真空
中に置き、膜を形成しようとする基板、例えば半導体ウ
ェハ(図示せず)をるつぼ(1)の図において上方に配
置する。フィラメント(/l)に通電、加熱すると電子
が発生する。フィラメント口)とるつげ(])の間には
フィラメント1)がマイナス、るつぼ(1)がプラスの
高電圧が印加されているので発生した電°r・はるつぼ
(1)の方へ引っ張られるが、高速でるつぼ(1)の側
壁(8)に街突するとそこが過熟損傷し、また、るつぼ
(1)の材料が蒸発してj模の中に不純物として混入す
るので、これを防1卜するため、フィシメン1〜伺)と
るつぼ]1)の側壁8)の間に図示しない金属板を設け
ている。フィラメンl−[4+から、図において」ニガ
に飛び出した電子は偏向用磁石(旬によって生じる磁界
で集束、偏向され、電子ビーム(7となってるつぼ(1
)の収容部(2の方へ導かれ、高圧電源によって生じる
電界で加速されて蒸着材料(3)に照射される。蒸着材
料(3)はこれにより加熱、熔解され、蒸着して半導体
ウェハ(図示せず)のに面に蒸着される。
ところで、半導体装置の電極などをt[S成するとき、
種々の材料の膜を次々と蒸着して多層の膜を形成する必
要がある。第6図は多層の膜を連続的に形成するために
従来から用いられている回転るつぼ式の電子ビーム蒸着
装置を示す斜視図、第7図はその断面図である。これら
の図において、(1)は円筒状のるつぼ、(21はるつ
ぼ(1)に凹状に形成された収容部で、るつぼ(1)の
中心に対する角度が90°のピッチで同一円周上に4つ
形成され、それぞれに異なる蒸着材料(3A)ないしく
30)の1つが収容されている。■)、(至)は第5図
の場合と同様のフィラメントおよび電子ビームである。
10向用磁石、高圧電源は図示を省略しているが、第5
図と同様にして用いる。(9)はるつぼ(1)の内部に
形成されてこれを冷却するための冷媒としての冷却水が
流れる中空部、01はるつぼ(1)の中心軸に沿って設
けられた軸穴、(11)は軸穴(101に挿入されたシ
ャフト、(+2A)、 (+20)はシャフト(11)
の中に形成された2つの冷媒通路、(13)は軸穴(1
0)の中で、シャフト(11)とるつぼ(])の間隙に
嵌合されてるつぼ(1)をシャツl〜(11)に対して
回転可能に支持するベアリング、(+4八)、 (14
B>、 (14C)はベアリング(13)と同様にシャ
ツl−(+11とるつぼ(1)の間隙に嵌合されて冷力
1水の洩れをIIJjぐシリ:lンゴム製の3つのOリ
ングで、(−)リング〈14^)と(+4旧の間で、開
口(+5A)。
(15C)によりるつぼ(1)の中空部(9)とシャツ
1−(II)の冷媒通路<12Alが連通し、また、0
リング<1411)と(14c)の間で、開口(15B
>、 (+50)により中空部(9)と冷媒通路(12
旧が連通している。(16)はるつぼ(1)、フィラメ
ント(/IIIGI向川磁石(5用などを包囲する隔壁
で、図においてこれより」二部を真空に保っており、シ
ャツl〜(11)が気密を保ちながらこれを貫通し、固
定されている。
上記の電子ビーム蒸着装置の動作について説明する。ま
ず、第5図の場合と同様にして、蒸着材料(3八)に電
子ビーム(7)を照射し、るつぼ(1)の上方に配置さ
れた半導体ウェハ(図示せず)の表面に改を形成する。
次に、モーター(図示せず)によりるつぼ(1)を時計
方向に90°回転させ、蒸着材料(30)に電子ビーム
(7)を照射し、上記膜の上に新たな膜を形成する。こ
れを繰り返して4種間までの多層の膜を連続的に形成す
ることができる。
更に、上記膜の形成に際し、るつぼ(1)が加熱して損
傷したり、るつぼ(1)の材料が蒸発して膜の中に不純
物どして混入したりするのを防止するため、第7図に示
すように冷媒として冷却水を流してるつば(1)を冷却
する。<17)は冷却水の流れで、シャフト(11)の
冷、媒通路(12八)から開1.1 (15C) 、 
(15八)を通ってるつぼ(1)の中空部(9)に入り
、るつぼ(1)を冷却して開D (15n)、 (+5
0)を通って冷媒通路(12B)カら出ていく。
〔発明が解決しようとする課題:1 従来の電子ビーム蒸着装置は以上のように構成されてい
て、るつぼがシャフトに対して回転可能で、かつ、るつ
ぼの中空部に冷却水を流すために、0リングを用いて冷
却水などの冷媒と真空の分離を行っているので、長期間
使用しているうぢにるつぼと0リングの間やシャフトと
0リングの間に水あかやごみが付着し、そのため、真空
中に冷却水などの冷媒が洩れ出して真空度が著しく低下
し、熔解している蒸着材料を酸化させたり、多層に蒸着
した膜に剥れを生じさせるなどの問題点があった。
この発明はF記のような問題点を解消するためになされ
たもので、3°J′空中への冷媒の洩れが生じない電−
rヒーム蒸着装置を得ることを目的とする。
(,3!題を解1大するための手段〕 この発明にかかる電子ビーノ、蒸着装置は、フィラメン
I・と偏向用磁石をるつぼの周囲で移動n[能としたも
のであり、また、るつぼに直結すると共に隔壁を回転可
能に+1通ずるシャフトを設けて、このシャフトにるつ
ぼの内部と連通ずる冷媒通路を形成するようにしたもの
である。
〔作  用〕
この発明における電子ビーム蒸着装置は、フィラメント
と偏向用磁石を移動可能としなのでるつぼは固定でき、
従って、冷媒は固定部のみを通って流れることができて
Oリングを用いる必要はなく、埜た、るつぼに直結した
シャフトに形成された冷媒通路を通ってるつぼの内部に
冷媒が流れるのでOリングで冷媒と真空の分離を行う必
要はない 〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による電子ビーム蒸着装置を示
す斜視図、第2図はこの断面図である0図において、(
1)は円筒状のるつぼ、(■、 1=11 。
(9,■はそれぞれ第5図ないし第7図の従来例と同様
の収容部、フィラメント、偏向用磁石、電子ビームであ
る。高圧電源は1゛4示を省略しているが、第5図と同
様にして用いている。(18)はっは状の回転板で、そ
の上にフィラメント(4)と偏向用磁石(句が設置され
ている。 (16>は隔壁で、図においてこれより上部
が真空に保たれている。るつぼ(1)は隔壁(16)上
に固定されている。(13)は回転板(18)を隔壁(
16)上に支持するベアリングで、回転板(18)をる
つぼ(1)の周囲で回転可能にしている。(9)はるつ
ば(1)の内部に形成され、冷却水を通してこれを冷却
するための中空部、(+9A)、 (1981は配管で
、気密を保ちながら隔壁(16)を貫通し、内部に形成
された冷媒通路(+2A)、 <121)はるつぼ(月
の底部に設けられた開I+ (1st1. (151>
を通じて中空部(9)と連通している。
次に動作について説明する。まず、第5図の場合と同様
にして、蒸着材11(3A)に電子ビーム(7)を照射
し、るつぽfll −h ’Hに配置された半導体ウェ
ハ(図示せず)のに面に膜を形成する。次に、モーター
(図示せず)により回転板(18)を反時計方向に90
°回転させると、その十に設置されたフィラメント(4
)と偏向用磁石(句も共に、るつぼ(1)の周囲で90
°回転移動し、蒸着材料(3B)に電子ビーム(7)を
照射することができ、1−泥膜のFに新たに蒸着材料(
3B)の膜が形成される。これを繰り返して蒸着材tl
 (3C) 、 (3DJにも電子ビーム(7)を照射
し、4種類までの多層の11分を連続的に形成すること
ができる。
また、るつぼ(])の冷却は、第21ii1の冷却水の
流れ(170ζ示ずように、冷媒通路(+2八)から開
「j(15E)を通じて中空部(9)へ冷却水が流入し
、開[1(15F)を通じて冷媒通路(1211)へ流
出することにより行われる。この際、冷却水は可動部を
流れることなく固定部のみを通って流れるので0リング
は用いる必要がない。
第3図はこの発明の池の実施例による電子ビーム蒸着装
置を示す断面図であり、図において、(1)は円筒状の
るつぼ、(21,(91,(+61は第7 I”itの
場合と同様の収容部、中空部、隔壁、C11)はるっ4
1’(1)に直結して設けられたシャフト、(+2A)
、 (1211)はシャフト目l)の中に形成された2
つの冷媒通路で、るつぼ(1)の中空部(9)と開n 
(15G)、 (+511)を通して連通している。 
(+6)はるつぼ(103よび第5図に示したようなフ
ィラメン?−(41i1M向用磁石(5)などを包囲す
る隔壁で、図においてこれより上部を真空に保っており
、シャフト(11)が貫通している。
(!3)はシャフト(11)が隔壁(16)を貫通ずる
部分に設けられたベアリングで、シャフト(11)を回
転i7f能に支持している。 (+4)は同じ部分に設
けられたOリングで、シャフト(IIHt通部の気密を
保っている。
次に動作について説明する。第6図、第7図の場合と同
様にして、多層のIl’Jを形成することができる。る
つぼ(1)の回転はシャツI〜(11)を図示しないモ
ーターでl<K動1−で行う、、るつぼ(1)を冷却す
るために冷媒として冷n!水を冷媒通路(12Δ)、 
(+2旧に往復して流す6即ち、冷却水はその流れ(1
7)で示すように、シャツ1−(11>の冷媒通路<+
2A)から開[1(15G )を通ってるつぼ(])の
中り;り部(9)へ入り、そしてるつぼ(1)を冷却し
、開1.1 (+5111を経て冷媒通路(120)か
ら出ていく。冷却水はるつぼ(1)とシャツ1〜(11
)の中、即ち、直結された部分を流れることになる。も
つとも、シャツI・(11)は回転するので、シャツ1
−(I+1の、図において下部に摺動部(図示せず)を
設ける必要があり、そこのシール部(図示せず)から冷
却水が洩れる可能性はあるが、洩れたとしても形成され
る膜の品督に影響を与えない、また、この実施例で、0
リンク(14)を用いているが、冷却水の流れ(17)
とは無関係の所に設けられているので、水あかやごみが
付着して真空中に冷却水が洩れ出すようなことは起らな
い。
なお、シャフト〈11)が隔壁(16)を11通ずる部
分に、第4図のように、ベアリング(13)とOリング
(14)を収納する軸受ユニット(20)を用いて隔壁
(16)の厚さを薄くしてもよいし、あるいは、隔壁(
16)を貫通ずる部分には0リング(14)のみを設け
、ベアリング(13)を装着した支持部(図示せず)を
別に設けてこれによりシャフト(11)を支持するよう
にしてもよい。また、上記実施例では冷媒とL2て冷却
水を用いたが、冷媒に直接触れる所に0リング(14)
を用いていないので、るつぼ(1)の冷却を良くするた
めに、冷媒としてフロンや液体窒素を用いることができ
る。即ち、シリコンゴム製のような0リング(14)が
過度に冷力lされると弾性がなくなってシール能力が低
下するが、」1記実施例のような構造ではそのようなこ
とはない。しかし、第3図のような場合はOリング(1
4)への熱伝導を悪くするためにシャツt−(11)の
肉厚を11<シたり、あるいは、第4図のように二重に
して間隙(21)を形成した構造にするのが好ましい。
〔発明の効果〕
以」二のように、この発明によれば、フィラメントと偏
向用磁石をるつぼの周囲で移動+il’能に構成したの
で、るつぼを固定でき、そのため、冷却水は固定部のみ
を通って流れることができてOリングを用いる必要がな
く、また、るつぼに直結すると共に隔壁を回転可能にv
j通するシャフトを設けてこのシャフトにるつぼの内部
と連通ずる冷媒通路を形成するよう構成したので、冷媒
は直結されたるつぼとシャフトの中を流れ、従って、扶
に、0リングの損傷による5′7:空中への冷媒の洩れ
が生じることはない。
4、図面のf!?i jil−な説明 第t +gはこの発明の−・実施例による電子ビーム蒸
着装置を示す斜視図、第214はその断面図、第3図は
この発明の他の実施例による主1ビーム蒸着装置を示す
断面図、第4図はこの発明の史に他の実施例による電子
ビーム蒸着装置を示す断面図、第5図は従来の電子ビー
ム蒸着装置ffの基本的構成を示す斜視図、第6図は従
来の電子ビーム蒸着装置を示す斜視図、第7図はその断
面図である。
図において、(1)はるつぼ、+21は収容部、(3Δ
)ないしく3D)は蒸着材料、←1)はフィラメン1−
1(5)は偏向用磁石、(7)は電子ビーム、(9)は
中空部、(11)はシャフト、(+2A)、 <12B
)は冷媒通路、(13)はベアリング、(16)は隔壁
、(17)は冷却水の流れ、(18)は回転板である。
なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 弁理士  大 岩 増 雄 第1図 第2図 /3 ベアリンク 第5図 −l 第6図 第3図 第4図 第7図 手続補正書(自発) 甲成  年  月

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)蒸着材料を収容する複数の収容部を有し、内部を
    流れる冷媒により冷却されるるつぼ、上記蒸着材料を加
    熱する電子を発生させるフィラメント、上記電子を上記
    収容部へ導く偏向用磁石、上記るつぼとフィラメントと
    偏向用磁石を包囲して内部を真空に保つ隔壁を備えたも
    のにおいて、、上記フィラメントと偏向用磁石を上記る
    つぼの周囲で移動可能としたことを特徴とする電子ビー
    ム蒸着装置。
  2. (2)蒸着材料を収容する複数の収容部を有し、内部を
    流れる冷媒により冷却されるるつぼ、上記蒸着材料を加
    熱する電子を発生させるフィラメント、上記電子を上記
    収容部へ導く偏向用磁石、上記るつぼとフィラメントと
    偏向用磁石を包囲して内部を真空に保つ隔壁を備えたも
    のにおいて、上記るつぼに直結すると共に上記隔壁を回
    転可能に貫通するシャフトを設け、このシャフトに上記
    るつぼの内部と連通して冷媒が往復して流れる冷媒通路
    を形成したことを特徴とする電子ビーム蒸着装置。
JP163089A 1988-09-14 1989-01-07 電子ビーム蒸着装置 Pending JPH02170967A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23082088 1988-09-14
JP63-230820 1988-09-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02170967A true JPH02170967A (ja) 1990-07-02

Family

ID=16913792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP163089A Pending JPH02170967A (ja) 1988-09-14 1989-01-07 電子ビーム蒸着装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02170967A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525613A (ja) * 1991-07-23 1993-02-02 Shibaura Eng Works Co Ltd 均熱部材の冷却方法
JP2007009313A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Seiko Epson Corp 真空蒸着装置及び電気光学装置の製造方法
KR101111352B1 (ko) * 2011-05-30 2012-02-24 주식회사 유니벡 다층 박막코팅용 타겟장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525613A (ja) * 1991-07-23 1993-02-02 Shibaura Eng Works Co Ltd 均熱部材の冷却方法
JP2007009313A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Seiko Epson Corp 真空蒸着装置及び電気光学装置の製造方法
KR101111352B1 (ko) * 2011-05-30 2012-02-24 주식회사 유니벡 다층 박막코팅용 타겟장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW495827B (en) A cylindrical carriage sputtering system
US4204942A (en) Apparatus for multilayer thin film deposition
TW201929144A (zh) 低溫冷卻的可旋轉靜電卡盤
US11251027B2 (en) Stage device and processing apparatus
US4014779A (en) Sputtering apparatus
WO2017221631A1 (ja) 保持装置
CA1208002A (en) Rotating liquid nitrogen cooled substrate holder
KR20180049057A (ko) 진공처리장치 및 진공처리기판 제조방법
US4298444A (en) Method for multilayer thin film deposition
US3933644A (en) Sputter coating apparatus having improved target electrode structure
US3845739A (en) System for vapor deposition of thin films
KR100608957B1 (ko) 성막 장치 및 이를 이용한 성막 방법
JPH02170967A (ja) 電子ビーム蒸着装置
KR950000311B1 (ko) 증착장치
US3861353A (en) System for vapor deposition of thin films
US3662708A (en) Apparatus for supporting a substrate holder
JP3056222B2 (ja) スパッタ装置およびスパッタ方法
JP6360986B2 (ja) デバイスの製造方法およびフィルムの製造方法
JPH10130815A (ja) 蒸着薄膜形成装置
KR930006121B1 (ko) 증착장치
JPS61269109A (ja) 高温顕微鏡
TWI765362B (zh) 用於閃爍體蒸鍍的基板固定裝置、包含其的基板蒸鍍裝置以及利用其的閃爍體的蒸鍍方法
JP2999353B2 (ja) 超高真空用回転流体供給装置
JPH03294480A (ja) 蒸着装置
JPH0828335B2 (ja) 半導体装置の製造装置