JPH02173211A - 磁気特性の優れた一方向性珪素鋼板の製造方法 - Google Patents

磁気特性の優れた一方向性珪素鋼板の製造方法

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JPH02173211A
JPH02173211A JP32771588A JP32771588A JPH02173211A JP H02173211 A JPH02173211 A JP H02173211A JP 32771588 A JP32771588 A JP 32771588A JP 32771588 A JP32771588 A JP 32771588A JP H02173211 A JPH02173211 A JP H02173211A
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JP
Japan
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annealing
steel sheet
silicon steel
decarburization
cold rolling
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JP32771588A
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Isamu Ariga
有賀 勇
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JFE Steel Corp
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Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く産業上の利用分野〉 この発明は、磁気特性の優れた一方向性珪素鋼板の製造
方法に関するものである。
く従来の技術〉 周知のように一方向性珪素鋼板は主として変圧器その他
の電気機器に使用されるものであり、その磁気特性とし
ては磁化特性が優れていること、すなわちB 10値で
代表される磁束密度が高いこと、および鉄損値が小さい
ことが要求される.最近ではこの種の方向性珪素#Rj
Ji.の製造技術も進歩して、磁化特性としてB10値
が1.89T (テスラ)を越える高磁束密度のものが
得られるようになり、また鉄損特性としては、板厚0.
30mmの一方向性珪素鋼仮においてW,、、、、値、
すなわち磁束密度1.7T、周波数50I1zで磁化し
た場合の鉄を貝が材料1.0kg当たりi、iow以下
の低鉄tiが得られるようになり、変圧器の小形化、低
騒音化、効率化に大きく寄与している。
このように優れた磁気特性を有する一方向性珪素鋼板を
得るためには、最終焼鈍過程において[110) <o
o】>方位の2次再結晶粒を充分に発達させることが必
要である。そしてそのためには、2次再結晶過程で(1
10}{001>方位以外の好ましくない結晶方位を有
する結晶粒の成長を強く抑制するインヒビターを存在さ
せておくこと、および先鋭に揃った+1101 <00
1>方位の2次再結晶粒が充分に発達するに好適な集合
組織を予め形成しておくことが必要である。インヒビタ
ーとしては一般にはMnS、 MnSe+ AIN等の
微細析出物が用いられており、また必要に応じて粒界偏
析型元素であるSb+ As+ 81. Pbt Sn
等を添加してインヒビターの効果を補強することも行わ
れている。一方適切な集合組織の形成に関しては、従来
から熱延、冷延の各工程条件を適切に組合わせる方法が
採用されており、またこの目的から、中間焼鈍を挟む2
回の冷間圧延を施すような?y雑な工程も採用されてい
る。
ところで、従来好適な集合組織を予め形成しておくため
の手段として、最終冷間圧延前で中間焼鈍後のC含有量
を制’<TJすることが有効であることが特開昭59−
157224号公報に開示されている。これは中間焼鈍
後のC含有量を鋼板表面から板厚35%までを0.01
0〜0.030%の範囲とし、かつ残部中心層を0.0
25〜0.10%の範囲とするものである。
しかしながらこの技術は板表面層及び中心層のC′a度
を板厚にかかわらず一律に限定しており、最適範囲に必
ずしも制御されているとは言えない。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、板j7を考慮して中間焼鈍後のC含有
量を制御することにより、特開昭59−157224号
公報で開示されたものより、−層優れた磁気特性を有す
る一方向性珪素鋼板の安定した製造方法を従業するもの
である。
く課題を解決するための手段〉 本発明1よ、重量%で、C: 0.01〜0.06%、
Si:3.1〜4.5%、 Mn : 0.06〜O,
11%を含み、かつSb:  o、oos〜0.2%と
ともにS、Seのいずれか又は両方を合計でo、oos
〜0.1%含有する珪素鋼スラブを熱延し、次に均一化
焼鈍をしたのち、中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を
施し最終製品厚とし、次に脱炭を兼ねた1次再結晶焼鈍
を施し、さらに最終仕上げ焼鈍を施して+110) <
001>方位の2次再結晶粒を発達させる一連の工程よ
りなる一方向性珪素鋼板の製造方法において、最終冷間
圧延前の中間焼鈍において脱炭処理を施し、処理後の貫
通分析による炭素濃度C(%)を中間板厚L(m)に対
して、 の範囲に制御することを特徴とする特許れな一方向性珪
素鋼板の製造方法で、 但し、 Co:脱炭前C濃度(%)。
DECの拡散係数(cd/就) T:焼鈍時間(箪) である。
〈作 用〉 一般に、最終焼鈍の2次再結晶時において、ゴス方位粒
は、板厚の1 /10あるいはl/5厚より優先再結晶
すると考えられている.このゴス方位粒は、熱延時にで
きた[1101 <001>が冷間圧延により{111
1 <112>となり、更に焼鈍により再び(1101
 <ool>となると考えられている.従ってこの焼鈍
時に十分に(110) <001>を発達させるために
は、(111) <112>からの再結晶を十分に行う
必要があるが、これは冷間圧延時に導入された転位が重
要な役割を果たす。そしてこの転位は(C)の析出状態
によって左右される.すなわち、(fill <112
>→(1101 <001>への転換を行うためには、
適切な(C)析出サイズが必要であり、これは(C)濃
度と冷却速度によって決定される。
この中でも、板厚方向の(C3 illl度分布が重要
であり、本発明は板厚に応じて最適な分布にすることが
重要であることを明らかにしたものである。
C濃度分布の指標として本発明の場合、C/Coを採用
した.ここでCは中間焼鈍後の貫通分析によるC濃度を
重量%で表したものであり、COは中間焼鈍前のc1度
を1計%で表したものである。
同じC濃度でも板厚が変われば、冷却時の例えば1 /
IOJ¥あるいはl 1517での冷却速度が異なるた
め、同一の(C)析出サイズとはならないと考えられる
従って本発明では仮fit (w)に応じて、脱炭焼鈍
後のC濃度、即ちC/Coを、 (0,055t、/ Jア丁+0.45)以上、かつ(
0,055t/ JTfT+0.55)以下に限定する
ものである。但しDはCの拡散係数(cd1式)、Tは
焼鈍時間(−B)である。
C/Coが、 (o、o55t/ JTfT +0.45) 未満、あ
るいは(0,055t/ JT5T+0.55)超の場
合、いずれも磁気特性が劣化する。
第1図は中間厚での貫通分析値比C/Coと中間一中間
W−tで測定した鉄m値のベスト値からのすれを表示し
たものである。
次に、本発明の出発素材である珪素鋼片(素材)の含有
成分の限定理由について述べる。
Cは0.01%(重量%以下同じ)より少ないと熱延集
合&11織制御が困難で大きな伸長粒が形成されるため
磁気特性が劣化し、またCが0.06%より多いと脱炭
工程で脱炭に時間がかかり経済的でないので0.06%
以下にする必要がある。
Siは3.1%より少ないと電気抵抗が低く渦流tU失
増大に基づく鉄…失が大きくなり、一方4.5%より多
いと冷延の際に脆性割れを生じ易いため、3.1〜4゜
5%の範囲にすることが必要である。
Mn量は、一方向性珪素鋼板の二次再結晶を左右する分
散析出相のMnSあるいはnn5eを決定する重要な成
分である6 Mnfitが0.06%を下廻ると2次再
結晶を起こさせるのに必要なMnS等の絶対量が不足し
、不完全2次再結晶を起こすと同時に、ブリスターと呼
ばれる表面欠陥が増大する。一方Mnlが0.11%を
越えると、鋼片加熱時においてMnSなどの解離固溶が
困難になる。またかりに解離固溶が行われたとしても、
熱延時に析出する分散析出相は粗大化しやすく、抑制剤
として望まれる最適サイズ分布は損なわれ、磁気特性は
劣化するので、Mnは0.06〜0.11%にする必要
がある。
sbはv&量のSeまたはSとともに含有されることに
より、1次粒の成長が抑制されることが知られている。
Sbは0.005%より少ないと1次結晶粒抑制効果が
少なく、一方0.2%より多いと、磁束密度が低下し始
めて磁気特性を劣化させるのでsbはo、oos〜0.
2%の範囲内にする必要がある。
S、Seはいずれもインヒビター成分として添加され、
最終焼鈍において1次再結晶粒の成長を抑制し、+11
01 <001>方位の2次再結晶粒を先鋭に発達させ
るに必要な元素であり、S、Seのいずれか1種または
2種の合計量で0.005〜0.1%の範囲が必要であ
り、これ以外では充分なインヒビターの効果が得られな
くなる。
〈実施例〉 以下に本発明の実施例を記す。
素材成分中のSi、 Cを表1のケース隘7.8.9の
ような値で、かつインヒビターとしてMn0.073%
、Sb O,020%、S  0.003%、Se O
,02%を含む200m厚さの珪素鋼片をいずれも13
80°Cに1時間加熱後、2.5mに熱延し、コイルに
巻き取った0次いでこれらの熱延コイルを980℃に3
0秒焼鈍後、表1に示す中間板厚に冷延し、引き続き9
50℃×80秒間の中間焼鈍時にその連続焼鈍雰囲気を
公知の方法でPH!O/PH1−0,003〜0.35
の範囲で変化させて処理して、脱炭後の貫通分析による
炭素濃度を中間板厚L(fiIm)に対して上限をむ うに制御した。但しCo:脱炭前の〔C)濃度、D:拡
散係数−0,0003c+i/sec、T:中間焼鈍脱
炭時間−80就である。その後さらに表1に示すような
板厚に最終冷延圧下率60%で冷延した0次いで800
°C湿水素中で脱炭焼鈍を施した後、)’IgOを主体
とする焼鈍分離剤を塗布し、最終焼鈍として昇温過程の
860’Cで30時間保定を、引続き1200℃×10
時間の焼鈍を行い、その後絶縁コーティングを塗布して
一方向性電磁鋼板の製品を得た。これらの製品の磁気特
性の測定結果を表1に示す。
次に従来例を示す。
素材成分中のSi、 Cを表1のケースN(11,2,
3に示す値にし、かついずれもインヒビターとしてMn
 : o、o7%、Se : 0.03%、Sb : 
0.03%を含む200m厚さの連鋳スラブを、いずれ
も1380°Cに1時間加熱後、2.5M厚に熱延し、
コイルに巻きとった0次いでこれらの熱延コイルを98
0’Cに30秒焼鈍後、表1に示す中間板厚に冷延し、
引き続き950″CX2分間の中間焼鈍時にその連続焼
鈍雰囲気を公知の方法で円+tO/P11□−0,00
3〜0.35の範囲で変化させて処理して、鋼板表面か
ら板厚35%の範囲のclを0.004〜0.052%
に、中心層のC量を0.008〜0.055%となるよ
うに調整し、その後さらに最終冷延圧下率60%で冷延
した。最終仕上げ焼鈍は前述の実施例と同様に行った0
表1にそれぞれのC濃度と、磁気特性を示した。
次に他の従来例を示す。
素材成分中のSi、 Cを表1のケースNα4.5.6
に示す値にし、かついずれもインヒビターとしてMn 
O,07%およびS 0.025%を含む200mn1
Wさの連鋳スラブを溶製し、いずれも1360°Cに1
時間加熱後、2.5鵬厚に熱延し、コイルに巻取った。
次いでこれらの熱延コイルを酸洗後0.75am厚に冷
延し、引続き900’CX S分間の中間焼鈍時にその
連続焼鈍雰囲気を公知の方法でPM!O/pH!”0.
003〜0.35の範囲で変化させて処理して、鋼板表
面から板厚35%の範囲のC量を0.044〜0.05
0%、残部中心層のC量を0.006〜0.052%と
なるように調整し、その後さらに0.30au*I!さ
に最終冷延して最終冷延圧下率を60%とした6次いで
800“C湿水素中で脱炭焼鈍を施した後、MgOを主
体とする焼鈍分離剤を塗布し、箱焼鈍にて直ちに115
0°Cに昇温しで15時間保定する最終焼鈍を施して一
方向性珪素鋼板の製品を得た。これらの製品について磁
気特性を調べた結果をそれぞれの0%と共に第1表に示
す。
またこれら実施例を中間板厚tに対応させて貫通分析値
比C/Coをプロットしたものが第2図である。
表1によると、本発明の場合は従来例と比較して磁気特
性が確実に優れていることが明らかであ〈発明の効果〉 以上の説明で明らかなように本発明によれば、Gi1気
特性の優れた一方向性型m #Fi、を確実かつ安定し
て得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は中間厚での貫通分析値と、中間厚をも重ねたグ
ラフ、第2図は中間焼鈍前後の炭素濃度比C/ Coを
中間焼鈍時の板厚tとの関係について表1のケースにつ
いてプロットしたものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 重量%で、C:0.01〜0.06%、Si:3.1〜
    4.5%、Mn:0.06〜0.11%を含み、かつS
    b:0.005〜0.2%とともにS、Seのいずれか
    又は両方を合計で0.005〜0.1%含有する珪素鋼
    スラブを熱延し、次に均一化焼鈍をしたのち、中間焼純
    を挟む2回以上の冷間圧延を施し最終製品厚とし、次に
    脱炭を兼ねた1次再結晶焼鈍を施し、さらに最終仕上げ
    焼鈍を施して{110}{001}方位の2次再結晶粒
    を発達させる一連の工程よりなる一方向性珪素鋼板の製
    造方法において、最終冷間圧延前の中間焼純において脱
    炭処理を施し、処理後の貫通分析による炭素濃度C(%
    )を中間板厚t(mm)に対して、 0.055t/√(DT)+0.45≦C/Co≦0.
    055t/√(DT)+0.55 の範囲に制御することを特徴とする磁気特性の優れた一
    方向性珪素鋼板の製造方法。 但し、Co:脱炭前C濃度(%)、 D:Cの拡散係数(cm^2/sec)、 T:焼鈍時間(sec)である。
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