JPH02175154A - 半導体ウェハーマーキング装置 - Google Patents
半導体ウェハーマーキング装置Info
- Publication number
- JPH02175154A JPH02175154A JP33011788A JP33011788A JPH02175154A JP H02175154 A JPH02175154 A JP H02175154A JP 33011788 A JP33011788 A JP 33011788A JP 33011788 A JP33011788 A JP 33011788A JP H02175154 A JPH02175154 A JP H02175154A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- marking
- wafer
- side wall
- pulse motor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 36
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は半導体装＠製造において個々の半導体ウェハー
の処理条件、Ｂ歴等の管理のために半導体ウェハーに管
理コード等を記入する半導体ウェハーのマーキング装置
の改良に関する。
の処理条件、Ｂ歴等の管理のために半導体ウェハーに管
理コード等を記入する半導体ウェハーのマーキング装置
の改良に関する。
従来、この種のマーキング装置は第３図に示すように、
Ｘ−Ｙステージ１４に真空チャック２を介して真空吸着
された半導体ウェハー１の表面ないし裏面に対して集束
させたレーザビーム８を当てスポット加熱により半導体
ウェハー１を部分的に蒸発させる動作を、Ｘ−Ｙステー
ジ１４及びシャッタ６を制御機構４により連動させるこ
とにより、マーキングを行っていた。７はＹＡＧ レー
ザー、９はレンズ、１０は排気ダクト、１３はミラーで
ある。
Ｘ−Ｙステージ１４に真空チャック２を介して真空吸着
された半導体ウェハー１の表面ないし裏面に対して集束
させたレーザビーム８を当てスポット加熱により半導体
ウェハー１を部分的に蒸発させる動作を、Ｘ−Ｙステー
ジ１４及びシャッタ６を制御機構４により連動させるこ
とにより、マーキングを行っていた。７はＹＡＧ レー
ザー、９はレンズ、１０は排気ダクト、１３はミラーで
ある。
上述した従来の半導体ウェハーマーキング装置はスポッ
ト加熱により半導体ウェハーを蒸発させるため、半導体
ウェハーに凹凸が生じ、また蒸発した半導体ウェハー材
料の一部が半導体ウェハーへパーティクルとなって再付
着する現象があり、この凹凸及びパーティクルにより発
生する基板のうねり及びホトレジスト等の塗布膜厚の変
化は半導体ウェハー表面へ微細なパターンを形成するた
めの障害となる問題があった。
ト加熱により半導体ウェハーを蒸発させるため、半導体
ウェハーに凹凸が生じ、また蒸発した半導体ウェハー材
料の一部が半導体ウェハーへパーティクルとなって再付
着する現象があり、この凹凸及びパーティクルにより発
生する基板のうねり及びホトレジスト等の塗布膜厚の変
化は半導体ウェハー表面へ微細なパターンを形成するた
めの障害となる問題があった。
また、半導体ウェハー表面にマーキングを行った場合、
マーキング領域の半導体素子は不良となる問題がある。
マーキング領域の半導体素子は不良となる問題がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体ウェハーマー
キング装置を提供することにある。
キング装置を提供することにある。
上述した従来の半導体ウェハーマーキング装置に対して
、本発明は半導体ウェハー側壁に対してマーキングを行
うという相違点を有する。
、本発明は半導体ウェハー側壁に対してマーキングを行
うという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は半導体ウェハーにマ
ーキングするマーキング機構を備えた半導体ウェハーマ
ーキング装置において、半導体ウェハーを固定する固定
機構と、該固定機構を回転駆動するパルスモータとを有
し、さらに前記マーキング機構を、半導体ウェハーの側
壁にマーキングする位置に配設したものである。
ーキングするマーキング機構を備えた半導体ウェハーマ
ーキング装置において、半導体ウェハーを固定する固定
機構と、該固定機構を回転駆動するパルスモータとを有
し、さらに前記マーキング機構を、半導体ウェハーの側
壁にマーキングする位置に配設したものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、本発明の半導体ウェハーマーキング装置は
半導体ウェハー１を固定する真空チャック２と、真空チ
ャック２を回転駆動するパルスモータ５と、半導体ウェ
ハー１の側壁にレーザービーム８にてマーキングするＹ
ＡＧ レーザー７と、制御機構４と、シャッタ６と、レ
ンズ９と、＃１′気ダクトｌＯと、 ＯＦ検出機構３と
を有する。
半導体ウェハー１を固定する真空チャック２と、真空チ
ャック２を回転駆動するパルスモータ５と、半導体ウェ
ハー１の側壁にレーザービーム８にてマーキングするＹ
ＡＧ レーザー７と、制御機構４と、シャッタ６と、レ
ンズ９と、＃１′気ダクトｌＯと、 ＯＦ検出機構３と
を有する。
半導体ウェハー１を真空チャック２に中心軸を合せて真
空吸着した後、ＯＦ （オリエンテーションフラット）
検出機構３により半導体ウェハー１のＯＦ位置を検出し
、検出されたＯＦ位置を原点として制御機構４により真
空チャック２に直結されたパルスモータ５を１パルス単
位で０．７２’回転させ。
空吸着した後、ＯＦ （オリエンテーションフラット）
検出機構３により半導体ウェハー１のＯＦ位置を検出し
、検出されたＯＦ位置を原点として制御機構４により真
空チャック２に直結されたパルスモータ５を１パルス単
位で０．７２’回転させ。
パルスモータ５の回転停止と連動して、シャッタ６を開
くことによりＹＡＧレーザ−７より発するレーザービー
ム８をレンズ９にて半導体ウェハー１の側壁１ａに集束
させることにより半導体ウェハー１の側壁１ａをスポッ
ト加熱し、半導体ウェハー材料の一部を蒸発させること
により、マーキングを行い、又はシャッタ６を閉じたま
まとすることによりマーキングを行わない動作を半導体
ウェハー１に割り当てられた２進数コードに対応して実
施する。
くことによりＹＡＧレーザ−７より発するレーザービー
ム８をレンズ９にて半導体ウェハー１の側壁１ａに集束
させることにより半導体ウェハー１の側壁１ａをスポッ
ト加熱し、半導体ウェハー材料の一部を蒸発させること
により、マーキングを行い、又はシャッタ６を閉じたま
まとすることによりマーキングを行わない動作を半導体
ウェハー１に割り当てられた２進数コードに対応して実
施する。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
本実施例は半導体ウェハー１の側壁１ａへのマーキング
をホトレジストを含ませたフェルトペン送り機構１２に
より駆動して行うものであり、実施例１に対して適用す
る時期がウェハー１を側壁を含めてエツチングする工程
の直前に限定される欠点を有する反面、半導体ウェハー
１の受けるダメージが少ないという利点を有する。
をホトレジストを含ませたフェルトペン送り機構１２に
より駆動して行うものであり、実施例１に対して適用す
る時期がウェハー１を側壁を含めてエツチングする工程
の直前に限定される欠点を有する反面、半導体ウェハー
１の受けるダメージが少ないという利点を有する。
以上説明したように本発明は半４体ウェハーの側壁にマ
ーキングを行うことにより、スポット加熱により蒸発し
た半導体材料の半導体ウェハー表面あるいは裏面への再
付着を防止し、またスポット加熱の際に生ずる凹凸も側
壁にあるために特に問題とならず、半導体ウェハー表面
の半導体素子を不良にすることなく、半導体ウェハーに
マーキングを行うことができる効果を有する。
ーキングを行うことにより、スポット加熱により蒸発し
た半導体材料の半導体ウェハー表面あるいは裏面への再
付着を防止し、またスポット加熱の際に生ずる凹凸も側
壁にあるために特に問題とならず、半導体ウェハー表面
の半導体素子を不良にすることなく、半導体ウェハーに
マーキングを行うことができる効果を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の半導体ウェ
ハーマーキング装置を示す構成図である。
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来の半導体ウェ
ハーマーキング装置を示す構成図である。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハーにマーキングするマーキング機構
を備えた半導体ウェハーマーキング装置において、半導
体ウェハーを固定する固定機構と、該固定機構を回転駆
動するパルスモータとを有し、さらに前記マーキング機
構を、半導体ウェハーの側壁にマーキングする位置に配
設したことを特徴とする半導体ウェハーマーキング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33011788A JPH02175154A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体ウェハーマーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33011788A JPH02175154A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体ウェハーマーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02175154A true JPH02175154A (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=18228988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33011788A Pending JPH02175154A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 半導体ウェハーマーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02175154A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196280A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウエハのマーキング方法 |
| US6777820B2 (en) | 1999-01-28 | 2004-08-17 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Semiconductor wafer |
| US6877668B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-04-12 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Marking method for semiconductor wafer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582018A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Toshiba Corp | ウエハ及び半導体装置の製造方法 |
| JPS58197815A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nec Corp | 半導体ウエハ−の識別記号形成装置 |
| JPS5923512A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP33011788A patent/JPH02175154A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582018A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | Toshiba Corp | ウエハ及び半導体装置の製造方法 |
| JPS58197815A (ja) * | 1982-05-14 | 1983-11-17 | Nec Corp | 半導体ウエハ−の識別記号形成装置 |
| JPS5923512A (ja) * | 1982-07-30 | 1984-02-07 | Toshiba Corp | 半導体ウエハ−のレ−ザマ−キング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777820B2 (en) | 1999-01-28 | 2004-08-17 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Semiconductor wafer |
| JP2001196280A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウエハのマーキング方法 |
| US6877668B1 (en) | 1999-10-26 | 2005-04-12 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Marking method for semiconductor wafer |
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