JPH02175895A - 非導電体へのめっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電磁波シールド層をプラスチック等の非導電体
に形成する場合などに好適に採用される非導電体へのめ
っき方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、プラスチック等の非導電体に電磁波シールド層と
して銅めっき層やニッケルめっき層を形成することが知
られている。この場合、銅めっき層、ニッケルめっき層
の形成は、プラスチック等の非導電体へのめっき方法の
常法に従がい、脱脂、エツチング等を適宜行なった後、
非導電体表面に金属パラジウム核や金属銀核を形成する
活性化処理を行ない、次いで無電解銅めっき、無電解ニ
ッケルめっきを施すという方法が採用されている。

また、電磁波シールド層として、銅めっき層上に更にニ
ッケルめっき層を形成することも知られている（特許公
表６２−５００３４４号公報又は米国特許筒４，６６３
，２４０号公報）。これは、使用雰囲気中で銅めっき層
が酸化され、シールド効果が劣化するのをニッケルめっ
き層により防止するようにしたものであり、かかる銅−
ニッケルめっき層を形成する方法として、非導電体上に
金属粒子を分散させた有機バインダー層を形成し、その
上に無電解銅めっき層を形成し、更にその上に無電解ニ
ッケルめっき廖を形成する方法を採用している。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、従来は銅−ニッケルめっき層の二層からな
る電磁波シールド層を形成する場合、活性金属核を形成
した後、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっきを施す
ことが行なわれているが、これらの工程は当然それぞれ
別個の槽で行なわれ、しかもこれら各工程間には水洗、
酸洗活性化、水洗等の工程が必要であり、工程が長くな
る。このため、特に被めっき物が大型のプラスチックで
あるような場合、搬送に細心な注意を要求され、にもか
かわらず品物の落下機会も増大する。また、銅めっき層
上に無電解ニッケルめっきを施す場合、銅は無電解ニッ
ケルめっき液に対し本質的に触媒活性でないので、無電
解ニッケルめっきが析出し難いという問題がある。この
場合、無電解ニッケルめっきのスタートを早めるため、
還元剤量を増やしたり、錯化剤量を減らすと、めっき液
が不安定化する。

本発明は上記事情を改善するためになされたもので、一
つのめっき浴中で銅を主体とする高電導層とニッケルを
３０％（重量％、以下同じ）以上含有する耐食層との二
層を形成でき、工程が簡略化されると共に、めっき時間
も短縮することができる非導電体上へのめっき方法を提
供する。

〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明は上記目
的を達成するため、非導電体の表面に金属パラジウム核
又は金属銀核を付着させた後、該非導電体を銅塩とニッ
ケル塩とを含有しかつ還元剤を含有するめっき浴中に浸
漬しまず０．５Ａ／ｄｒｒｒ以下の低電流密度で電気め
っきを行なって銅を８０％以上、特に８５％以上含有す
る銅を主体とするめっき被膜を形成し、次いでＬＡ／ｄ
ｒｒｒ以上の高電流密度で電気めっきを行なってニッケ
ルを３０％以上含有するめっき被膜を形成するようにし
たものである。

即ち、本発明は、常法に従って金属パラジウム核又は金
属銀核を非導電体上に付着させた後、ます銅塩とニッケ
ル塩と還元剤とを含むめっき浴で０．５Ａ／ｄｍ以下の
低電流密度において電気めっきを施し、銅を主体とする
めっき被膜を形成するものである。この場合、金属パラ
ジウム核又は金属銀核は非導電体上に極めて薄く形成さ
れており、従来はこのためまず無電解めっきを行ない、
電気めっきを行なう場合は無電解めっき後に行なってい
たものであるが、本発明によれば、最初の電気めっきは
低電流密度で行なわれ、しかもめっき浴中に次亜リン酸
塩等の還元剤が添加されているので、電気めっきと同時
に無電解めっきも行なわれ、金属パラジウム核、金属銀
核が補強され、このため薄層の金属パラジウム核や金属
銀核に直接電気めっきを施しても支障がなく、しかも、
このように低電流密度で電気めっきを行なうため、めっ
き浴中に銅塩とニッケル塩とが共存していても、銅が優
先的に析出し、銅を主体とした、例えば銅の割合が８０
％以上のめっき層が形成される。

次いで、本発明は、このように銅を主体とするめっき層
を所定厚さに形成した後、被めっき物をめっき浴から引
き上げて別のめっき浴に移送することなく、そのまま同
一のめっき浴中で電流密度をＩＡ／ｄ＋ｒｒ以上に上げ
て電気めっきを行なう。この場合、このような高電流密
度でめっきを行なっても、既にその下地膜として銅めっ
き膜が形成されているので支障はなく、しかもこのよう
に高電流密度でめっきを行なうことにより、ニッケルを
３０％以上の割合で含む耐食性の良好なめっき層が形成
されるものである。

従って、本発明によれば、銅を主体とした高電導のめっ
き層とニッケルを３０％以上含む高耐食性のめっき層と
が同一めっき浴から単に電流密度を変えるだけで連続し
て形成され、工程が短縮され、しかも電気めっきにより
両層が形成されるので、めっき時間も短縮し得、両層が
スムーズにかつ確実に形成できる。

以下、本発明につき更に詳しく説明する。

本発明で被めっき物となる非導電体としては、プラスチ
ック、セラミック等であり、これらに本発明に従ってめ
っきを施す場合は、必要により脱脂、エツチング等の前
処理を行なった後、表面に金属パラジウム核又は金属銀
核を形成する活性化処理を行なう。この活性化処理は常
法によって行なうことができ、例えばパラジウム核を形
成する場合は、センシタイジングーアクチベイテイング
法、キヤタライジングーアクモレレイティング法等の方
法が採用でき、また銀核を形成する場合は銀鏡反応を利
用した方法が採用し得るなど、公知の方法を用いること
ができる。

次いで、本発明はこのように活性化処理した非導電体を
銅塩とニッケル塩とを含み、かつ還元剤を含むめっき浴
で電気めっきする。

ここで、めっき浴としては、銅の水溶性塩、ニッケルの
水溶性塩及び錯化剤を含有するものが好適に用いられる
が、銅塩としては硫酸銅、塩化第二銅等が使用され、ニ
ッケル塩としては硫酸ニッケル、塩化ニッケル等が使用
される。この場合、銅塩の濃度は０．００１〜０．２モ
ル／Ｑ、特に０．０１〜０．２モル／Ｑ、ニッケル塩の
濃度は０．００１〜０．２％、ｌＬｚ／ｆｌ、特に０．
０１〜０．２モル／Ｑとすることができる。また、錯化
剤としては、〇−配位のもの（例えば、酢酸、乳酸、ク
エン酸、酒石酸等の各種有機酸やその塩）。

Ｓ−配位のもの（例えば、チオグリコール酸、システィ
ン）、Ｎ−配位のもの（例えば、アンモニア、グリシン
、エチレンジアミン）などが適宜使用されるが、特に好
ましい錯化剤としては、クエン酸、酒石酸、チオグリコ
ール酸、グリシンやこれらの塩等が挙げられる。

これら錯化剤はその１種を単独で又は２種以上を組み合
わせて使用することができるが、その濃度は全金属塩濃
度に対し等モル以上であることが好ましく、更に好まし
くは２倍モル程度である。

また、上記めっき浴中には、更に還元剤を添加するもの
で、還元剤としてはＮａＨＰ　Ｏ，・Ｈ２Ｏ等の次亜リ
ン酸塩、ジメチルアミンボラン等のホウ素系還元剤など
が用いられ、その濃度は１モル／Ｑ以下、特に０．１〜
０．５モル／Ｑとすることが好ましい、更に、めっき浴
中には、ＰＨ調整剤、緩衝剤、安定剤、その他の添加剤
を必要に応じて添加し得る。

なお、めっき浴のＰＨは５〜１３、特に８〜１２とする
ことが望ましい。

本発明においては、上述したように金属パラジウム核又
は金属銀核を付着させた非導電体を上記めっき浴中に浸
漬し、まずＤｋｏ、５Ａ／ｄ−以下の低電流密度で電気
めっきする。これにより金属パラジウム核又は金属銀核
の薄層（通常０．ＩＩＡｎ以下）が形成された非導電体
上に直接電気めっきが施され、しかも銅を８０％以上、
特に８５％以上の銅を主体とするめっき被膜が形成され
る。銅分の多いめっき被膜を得る点からこの場合、電流
密度のより好適な範囲は０．０１〜０．５Ａ／ｄｒ＆で
あるが、めっき初期の電流密度をＯ，ＬＡ／ｄｒｒｒ以
下とし、その後定電圧制御等で０．１〜０．５Ａ／ｄｒ
ｆに上げることが好適である。

このＤｋｏ、５Ａ／ｄ−以下での電気めっきによる銅を
主体としためっき被膜の厚さは適宜選定され、特に限定
されるものではないが、電磁波シールド層を形成する場
合であれば、通常１〜ｌｏｐｍである。

次に１本発明においては、上記０．５Ａ／ｄｒｒｒ以下
での電気めっき後、そのまま同じめっき浴中で電流密度
をＬＡ／ｄｒｒｒ以上、好ましくは１〜５Ａ／ｄｎｒに
上げ、電気めっきを行なう。これにより、今度はニッケ
ルを３０％以上含む耐食性の良いめっき被膜が銅を主体
としためっき被膜上に形成される。このニッケルを３０
％以上含むめっき被膜の厚さも適宜選定されるが、電磁
波シールド層を形成する場合であれば、通常０．２〜５
−である。

なお、上述した電気めっきにおいて、めっき温度は１５
〜９０℃とすることができ、また必要により撹拌を行な
うことができる。この場合、撹拌を行なうことによって
めっき被膜中の銅含有量を高めることができ、撹拌を止
めることによりニッケル含有量を高めることができる。

更に、陽極としては、銅、ニッケル、銅−ニッケル合金
を使用することができ、また場合によっては不溶性陽極
を用いることもできる。

次に、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、
本発明は下記の実施例に制限されるものではない。

〔実施例〕

ＡＢＳ樹脂板（５０ｎｙｎＸ　１５ｍｍＸ　３ｕｗ）を
常法により脱脂、エツチングした後、下記の活性化液を
用いて表面に金属パラジウム核を形成した。

工程及び条件 ２、温水洗 ５０℃、２分 ４、酸洗　　　　　１０ｖｏ１％Ｈ，Ｓ　０４２５℃、
２分 ７：アクセラレータ　ＡＴ−１０６１０ｖｏ１％　２５
℃、５分本市販（上相工業■プラスチック前処理プロセ
ス）薬品使用次に、水洗後、下記めっき浴を用いて下記
の条件でめっきを行なった。

立ユ皇蚕 硫酸銅　　　　　　　　　　０．０５モル／Ｑ硫酸ニッ
ケル　　　　　　　０．０５　　　ＩＩ次亜リン酸ナト
リウム　　　Ｑ　、　３　　　　Ｎクエン酸ナトリウム
　　　　０　、２　　　ｎはう砂　　　　　　　　　０
．０５　　〃安定剤　　　　　　　　　　５　　　ρｐ
ｍｐ）ｌ　　　　　　　　　　　　　８　、３立ユ東条
止 めっき温度　　　　　　　　８０℃ 撹拌　　　　　　　　　　　なし 陽極　　　　　　　　　　　白金めっきチタン陰極電流
密度（Ｄｋ） ０分６分　　　　０．０５→０．５Ａ／ｄポロ→７分　
　　　　　　５　　Ａ／ｄボめっき膜厚（総計）　　　
　　　３．７　４以上の結果、電気めっきを最初の０分
から６分の間０．０５〜０．５Ａ／ｄｒｄ’で行なった
場合のめっき被膜中の銅分は約８５％であり１次の６分
から７分の間５Ａ／ｄｒｒｒでめっきを行なった場合の
めっき被膜中のニッケル分は約３５％であった。

また、得られためっき被膜の外観は良好であった。

なお、上記めっき浴を用いて種々の電流密度でめっきを
行なった場合のめっき被膜中のニッケル分と電流密度と
の関係を図面に示す。

〔発明の効果〕

本発明によれば、銅を主体とした高電導のめっき被膜、
ニッケルを３０％以上含む高耐食のめっき被膜の二層を
一つのめっき浴から被めっき物を取り出すことなく連続
的に形成でき、このため工程が簡略化されると共に、め
っき時間も短縮され、しかも薄い金属パラジウム核や金
属銀核上に予め無電解めっきを施すことなく直接電気め
っき皮膜を形成でき、従ってこの点でも工程の簡略化が
達成できる。このため１本発明はプラスチック等に電磁
波シールド層を形成する場合などに好適に採用される。

【図面の簡単な説明】

図面は実施例のめっき浴を用いた場合における種々の電
流密度とめっき被膜中のニッケル分量との関係を示すグ
ラフである。 出願人　　上　村　工　業　株式会社 代理人　　弁理士　小　島　隆　司

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、非導電体の表面に金属パラジウム核又は金属銀核を
   付着させた後、該非導電体を銅塩とニッケル塩とを含有
   しかつ還元剤を含有するめっき浴中に浸漬し、０．５Ａ
   ／ｄｍ＾２以下の低電流密度で電気めっきを行なって銅
   を８０重量％以上含有する銅を主体とするめっき被膜を
   形成し、次いで１Ａ／ｄｍ＾２以上の高電流密度で電気
   めっきを行なってニッケルを３０重量％以上含有するめ
   っき被膜を形成することを特徴とする非導電体へのめっ
   き方法。