JPH02177315A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH02177315A JPH02177315A JP63328828A JP32882888A JPH02177315A JP H02177315 A JPH02177315 A JP H02177315A JP 63328828 A JP63328828 A JP 63328828A JP 32882888 A JP32882888 A JP 32882888A JP H02177315 A JPH02177315 A JP H02177315A
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- JP
- Japan
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- exposure
- stage
- wafer
- light
- exposed
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ａ業上の利用分野］
本発明は、パルス光を射出する光源を露光光源とする露
光装置の露光方法に関する。
光装置の露光方法に関する。
［従来の技術］
従来、光りソグラフイによる露光装置には、ｇ線やｉ線
等の連続光を露光光源とするものが多く使用されてきた
。一方、近年では半導体素子の微細化に伴い、ｇ線やｉ
線に比較して波長の短い光を発生するもの、例えば”エ
キシマレーザなどが露光装置に利用されてきている。こ
の種の短波長レーザは、パルス状に発振するものが多い
ことが特徴の一つである。
等の連続光を露光光源とするものが多く使用されてきた
。一方、近年では半導体素子の微細化に伴い、ｇ線やｉ
線に比較して波長の短い光を発生するもの、例えば”エ
キシマレーザなどが露光装置に利用されてきている。こ
の種の短波長レーザは、パルス状に発振するものが多い
ことが特徴の一つである。
第２図は光源としてエキシマレーザを使用した従来の露
光装置の構成図、第３図はその動作を説明するためのフ
ローチャートである。
光装置の構成図、第３図はその動作を説明するためのフ
ローチャートである。
第２図において、１は露光光源であるところのエキシマ
レーザである。エキシマレーザ１から射出した光束は、
ビーム整形光学系２を経て、全反射ミラー３で全反射さ
れ、ハーフミラ−４に至る。光束の一部はこのハーフミ
ラ−４で反射され露光制御における露光量積算のための
デテクタ５で検出される。一方、ハーフミラ−４を透過
した光束は、全反射ミラー７で全反射し、照明光学系８
を通って回路素子の原版であるレチクル９を照明する。
レーザである。エキシマレーザ１から射出した光束は、
ビーム整形光学系２を経て、全反射ミラー３で全反射さ
れ、ハーフミラ−４に至る。光束の一部はこのハーフミ
ラ−４で反射され露光制御における露光量積算のための
デテクタ５で検出される。一方、ハーフミラ−４を透過
した光束は、全反射ミラー７で全反射し、照明光学系８
を通って回路素子の原版であるレチクル９を照明する。
そして、レチクル９上に描かれている回路パターンが投
影レンズ１０を介してウェハ１１に転写される。
影レンズ１０を介してウェハ１１に転写される。
６は露光制御部、１７はシーケンスコントローラ、１８
は入力装置である。また、１２はウェハ搬送系、１３は
θＺステージ、１４はＸステージ、１５はＹステージ、
１６はステージ制御部である。
は入力装置である。また、１２はウェハ搬送系、１３は
θＺステージ、１４はＸステージ、１５はＹステージ、
１６はステージ制御部である。
次に、第３図のフローチャートを参照して、第２図の装
置の動作を説明する。まず、ステップＳ３１のスタート
待ちにおいては、シーケンスコントローラ１７はアイド
リング状態である。このとぎ入力装置１８からスタート
指令なる命令が入力されると、ステップＳ３２でこれを
判別し、処理はステップ３３３へ進む。
置の動作を説明する。まず、ステップＳ３１のスタート
待ちにおいては、シーケンスコントローラ１７はアイド
リング状態である。このとぎ入力装置１８からスタート
指令なる命令が入力されると、ステップＳ３２でこれを
判別し、処理はステップ３３３へ進む。
ステップ３３３で、シーケンスコントローラ１７はエキ
シマレーザ１に発振命令を出力し、光路上の光学部材お
よびディテクタ５などの各部材のつオームアップを行な
う。
シマレーザ１に発振命令を出力し、光路上の光学部材お
よびディテクタ５などの各部材のつオームアップを行な
う。
ウオームアツプが終了した後、ステップＳ３４で、シー
ケンスコントローラ１７はウェハ搬送系１２にウェハ搬
入命令を出力し、これによりウェハ１１がウェハ搬送系
１２からθＺステージ１３上へと渡される。次に、ステ
ップＳ３５で、更にステージ制御部１６に第”１ショッ
ト送り込み命令を出力し、Ｘステージ１４およびＹステ
ージＩ５を駆動してウェハ１１の第１シヨツト領域を投
影レンズ１０の下の焼付位置に移動する。次に、ステッ
プ３３６でシーケンスコントローラ１７はエキシマレー
ザ１に発振命令を出力し、露光を開始する。
ケンスコントローラ１７はウェハ搬送系１２にウェハ搬
入命令を出力し、これによりウェハ１１がウェハ搬送系
１２からθＺステージ１３上へと渡される。次に、ステ
ップＳ３５で、更にステージ制御部１６に第”１ショッ
ト送り込み命令を出力し、Ｘステージ１４およびＹステ
ージＩ５を駆動してウェハ１１の第１シヨツト領域を投
影レンズ１０の下の焼付位置に移動する。次に、ステッ
プ３３６でシーケンスコントローラ１７はエキシマレー
ザ１に発振命令を出力し、露光を開始する。
ステップＳ３７ではウェハ１１の全ショットの露光が終
了したか否かを判別し、未だ全ショットが終了していな
い場合はステップ３３８で次のショットへ移動した後、
ステップＳ３６に戻る。このようにステップアンドリピ
ート動作を行ない、ステップＳ３７で全ショットの露光
が終了したならば、ステップＳ３９でウェハ搬送系１２
によってウェハ１１を搬出する。そして、ステップＳ４
０で処理すべきウェハがあれば再びステップＳ３３に戻
ってつオームアップ以降の動作を繰り返す。全ウェハの
処理が終了した場合は、ステップ５３１に戻りて再びス
タート待ちとなる。
了したか否かを判別し、未だ全ショットが終了していな
い場合はステップ３３８で次のショットへ移動した後、
ステップＳ３６に戻る。このようにステップアンドリピ
ート動作を行ない、ステップＳ３７で全ショットの露光
が終了したならば、ステップＳ３９でウェハ搬送系１２
によってウェハ１１を搬出する。そして、ステップＳ４
０で処理すべきウェハがあれば再びステップＳ３３に戻
ってつオームアップ以降の動作を繰り返す。全ウェハの
処理が終了した場合は、ステップ５３１に戻りて再びス
タート待ちとなる。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、前述の第３図ステップＳ３３に示したつオー
ムアップ動作は、露光初期において照明系および投影系
の光学特性や露光量積算のためのデテクタおよびその周
辺の部材の特性が変化するという知見に基づき、実際に
露光を行なう前に各部材に露光光を照射してウオームア
ツプすることによって、露光初期における各部材の諸特
性の変化の影響を最小限に抑えることにある。そして、
その際露光光およびその散乱光のウェハへの誤照射を避
けるために、ウェハをＸＹステージに搬入する以前にレ
ーザ光源を発振させ、前記光学部材などに露光光を照射
してつオームアップを実施している。
ムアップ動作は、露光初期において照明系および投影系
の光学特性や露光量積算のためのデテクタおよびその周
辺の部材の特性が変化するという知見に基づき、実際に
露光を行なう前に各部材に露光光を照射してウオームア
ツプすることによって、露光初期における各部材の諸特
性の変化の影響を最小限に抑えることにある。そして、
その際露光光およびその散乱光のウェハへの誤照射を避
けるために、ウェハをＸＹステージに搬入する以前にレ
ーザ光源を発振させ、前記光学部材などに露光光を照射
してつオームアップを実施している。
しかしながら、この方法では、つオームアップと実際の
露光との間に ■ウェハをＸＹステージ上へ搬入する時間、■ＸＹＸス
テージ１４へをウェハ搬入位置から第１シヨツトの位置
へ移動する時間、が入る。そのため、これらのインター
バルで前記光学系その他の諸特性がつオームアップ以前
の状態へ戻り始め、つオームアップの効果が十分に反映
されないという欠点があった。
露光との間に ■ウェハをＸＹステージ上へ搬入する時間、■ＸＹＸス
テージ１４へをウェハ搬入位置から第１シヨツトの位置
へ移動する時間、が入る。そのため、これらのインター
バルで前記光学系その他の諸特性がつオームアップ以前
の状態へ戻り始め、つオームアップの効果が十分に反映
されないという欠点があった。
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑み、露光初
期における各部材の諸特性の変化の影響を低減させるた
めのウオームアツプと実際の露光との間のインターバル
によるウオームアツプの効果低減を抑え、ウオームアツ
プの効果が十分反映されるようにするとともに、つオー
ムアップ時の時間を有効に利用する露光方法を提供する
ことを目的とする。
期における各部材の諸特性の変化の影響を低減させるた
めのウオームアツプと実際の露光との間のインターバル
によるウオームアツプの効果低減を抑え、ウオームアツ
プの効果が十分反映されるようにするとともに、つオー
ムアップ時の時間を有効に利用する露光方法を提供する
ことを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明は、パルス状に発光
する光源から射出されたパルス光を露光光として露光す
る露光方法において、あらかじめウェハなどの被露光物
を搬入し、この被露光物に対する露光以前に被露光物（
あるいは被露光物を載置したＸＹステージ）を露光位置
以外の特にステージ上に設けられた露光光の照度を計る
照度計が露光位置にくるような位置に移動し、その後露
光光源を動作させ、照明系、露光量積算用デテクタおよ
びその周辺の投影系などの露光光路中の部材にパルス光
を照射していわゆるウオームアツプを実施し、そしてそ
のウオームアツプ時にはウオームアツプのためのパルス
光の照度を計ることにより実際の露光時の露光光の照度
および照度ムラ補正に反映させることとしている。
する光源から射出されたパルス光を露光光として露光す
る露光方法において、あらかじめウェハなどの被露光物
を搬入し、この被露光物に対する露光以前に被露光物（
あるいは被露光物を載置したＸＹステージ）を露光位置
以外の特にステージ上に設けられた露光光の照度を計る
照度計が露光位置にくるような位置に移動し、その後露
光光源を動作させ、照明系、露光量積算用デテクタおよ
びその周辺の投影系などの露光光路中の部材にパルス光
を照射していわゆるウオームアツプを実施し、そしてそ
のウオームアツプ時にはウオームアツプのためのパルス
光の照度を計ることにより実際の露光時の露光光の照度
および照度ムラ補正に反映させることとしている。
これにより、ウオームアツプと実際の露光との間のイン
ターバルを短縮し、ウオームアツプの効果が十分に反映
される。そしてまた、ウオームアツプ時間を有効に使え
る。したがって、露光初期などにおける各部材の特性変
化による影響を低減させ適正な露光が可能で、かつスル
ーブツトの向上が可能となる。
ターバルを短縮し、ウオームアツプの効果が十分に反映
される。そしてまた、ウオームアツプ時間を有効に使え
る。したがって、露光初期などにおける各部材の特性変
化による影響を低減させ適正な露光が可能で、かつスル
ーブツトの向上が可能となる。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を説明する
ためのフローチャートであり、半導体露光装置における
いわゆる１、ｓｔマスクモードでの動作フローである。
ためのフローチャートであり、半導体露光装置における
いわゆる１、ｓｔマスクモードでの動作フローである。
ここで説明する本実施例に係る露光方法は、本発明を第
゛２図および第４図に示した構成の露光装置に通用した
ものである。
゛２図および第４図に示した構成の露光装置に通用した
ものである。
なお、第４図は、第２図で示される露光装置構成におけ
るＸ−Ｙ−θステージの概略図である。
るＸ−Ｙ−θステージの概略図である。
第２図と同番号のものについては同一のものを示す、２
０はウェハチャック、１９はステージに一体的に設けら
れた照度計である。
０はウェハチャック、１９はステージに一体的に設けら
れた照度計である。
第１図において、まずステップＳ１では露光装置はスタ
ート待ち状態であり、装置およびシーケンスコントロー
ラ！７はアイドリンク状態にある。入力装置１８からス
タート指令なる命令が人力されると、ステップＳ２でこ
れを検知しステップＳ３に進む、ステップＳ３で、シー
ケンスコントローラ１７はウェハ搬送系１２にウェハ搬
入命令を出力し、ウェハ１１を０２ステージ１３上のウ
ェハチャック２０上に搬入する。
ート待ち状態であり、装置およびシーケンスコントロー
ラ！７はアイドリンク状態にある。入力装置１８からス
タート指令なる命令が人力されると、ステップＳ２でこ
れを検知しステップＳ３に進む、ステップＳ３で、シー
ケンスコントローラ１７はウェハ搬送系１２にウェハ搬
入命令を出力し、ウェハ１１を０２ステージ１３上のウ
ェハチャック２０上に搬入する。
次に、ステップＳ４でシーケンスコントローラ１７はス
テージ制御部１６に対してステージ退避命令を出力する
。ステージ制御部１６は、これを受けてＸステージ１４
およびＹステージ１５を駆動し、ウェハ１１を投影レン
ズ１０の直下の露光位置とは別の位置であってかつウェ
ハ１１に露光光およびその散乱光が照射されない位置で
しかも、ステージ上の照度計１９が露光位置へ来るよう
な位置へ退避させる。なお、ここで、照度計！９はそれ
が露光位置にあるとき同じステージ上のウェハが露光光
およびそれの散乱光を照射されない位置にあるようなウ
ェハとの位置関係になるようにステージ上の位置に設け
られている。この退避位置はあらかじめ入力装置１８な
どによりて入力されているものとする。
テージ制御部１６に対してステージ退避命令を出力する
。ステージ制御部１６は、これを受けてＸステージ１４
およびＹステージ１５を駆動し、ウェハ１１を投影レン
ズ１０の直下の露光位置とは別の位置であってかつウェ
ハ１１に露光光およびその散乱光が照射されない位置で
しかも、ステージ上の照度計１９が露光位置へ来るよう
な位置へ退避させる。なお、ここで、照度計！９はそれ
が露光位置にあるとき同じステージ上のウェハが露光光
およびそれの散乱光を照射されない位置にあるようなウ
ェハとの位置関係になるようにステージ上の位置に設け
られている。この退避位置はあらかじめ入力装置１８な
どによりて入力されているものとする。
次に、ステップＳ５でシーケンスコントローラ１７はエ
キシマレーザ１に発振命令を出力し、光路上の光学部材
およびデテクタ５などの各部材のウオームアツプを開始
する。そして、ステップＳ６において、露光位置におけ
る照度を測定する。
キシマレーザ１に発振命令を出力し、光路上の光学部材
およびデテクタ５などの各部材のウオームアツプを開始
する。そして、ステップＳ６において、露光位置におけ
る照度を測定する。
この照度測定は、照度計１９を用い、露光位置における
、−点または複数点測定し、その測定値はシーケンスコ
ントローラ１７によって記憶され、実際の露光時の照度
および照度ムラ補正に反映される。なお、つオームア”
ツブ時のレーザ１の出力が露光時と異なる場合も考慮し
て補正には反映される。ウオームアツプが終了すると、
シーケンスコントローラ１７はエキシマレーザ１に発振
停止命令を出力し、発振を停止させる。そして、ステッ
プＳ６で更にステージ制御部１６に第１ショット送り込
み命令を出力し、Ｘステージ１４およびＹステージ１５
を駆動して、退避位置に退避していたウェハ１１を第１
シヨツトの位置へ移動させる。
、−点または複数点測定し、その測定値はシーケンスコ
ントローラ１７によって記憶され、実際の露光時の照度
および照度ムラ補正に反映される。なお、つオームア”
ツブ時のレーザ１の出力が露光時と異なる場合も考慮し
て補正には反映される。ウオームアツプが終了すると、
シーケンスコントローラ１７はエキシマレーザ１に発振
停止命令を出力し、発振を停止させる。そして、ステッ
プＳ６で更にステージ制御部１６に第１ショット送り込
み命令を出力し、Ｘステージ１４およびＹステージ１５
を駆動して、退避位置に退避していたウェハ１１を第１
シヨツトの位置へ移動させる。
次に、ステップＳ７でシーケンスコントローラ１７はエ
キシマレーザ１に発振命令を出力し、露光を開始する。
キシマレーザ１に発振命令を出力し、露光を開始する。
ステップＳ８ではウェハ１１の全ショットの露光が終了
したか否かを判別し、未だ全ショットが終了していない
場合はステップＳ９で次のショットへ移動した後、ステ
ップＳ７に戻る。このようにステップアンドリピート動
作を行ない、ステップＳ８で全シ日ットの露光が終了し
たならば、ステップ３１０でウェハ搬送系１２によって
ウェハ１１を搬出する。そして、ステップ５１１で処理
すべきクエへがあれば再びステップＳ３に戻ってウェハ
搬入以降の動作を繰り返す、全りエへの処理が終了した
場合は、ステップＳ１に戻って再びスタート待ちとなる
。
したか否かを判別し、未だ全ショットが終了していない
場合はステップＳ９で次のショットへ移動した後、ステ
ップＳ７に戻る。このようにステップアンドリピート動
作を行ない、ステップＳ８で全シ日ットの露光が終了し
たならば、ステップ３１０でウェハ搬送系１２によって
ウェハ１１を搬出する。そして、ステップ５１１で処理
すべきクエへがあれば再びステップＳ３に戻ってウェハ
搬入以降の動作を繰り返す、全りエへの処理が終了した
場合は、ステップＳ１に戻って再びスタート待ちとなる
。
以上説明したように、本発明によれば、例えばクエへな
どの被露光体をあらかじめＸＹステージ上に搬入し、実
際のウェハ露光以前にこのクエへを退避して照明系およ
び投影系、露光量積算のためのデテクタおよびその周辺
の部材のウオームアツプを行なうこととしているので、
ウオームアツプと実際の露光との間のインターバルを短
縮せしめ、ウオームアツプの効果を十分に引き出せると
いう利点と、またＸＹステージの退避時にステージ上の
照度計を用いて照度を計測しているため、別途照度を測
定することがなく、スルーブツトが向上するという利点
がある。したがって、露光初期などにおける各部材の特
性変化の影響を極力小さくすることができ、かつスルー
ブツトの高い適正な露光が可能となる。
どの被露光体をあらかじめＸＹステージ上に搬入し、実
際のウェハ露光以前にこのクエへを退避して照明系およ
び投影系、露光量積算のためのデテクタおよびその周辺
の部材のウオームアツプを行なうこととしているので、
ウオームアツプと実際の露光との間のインターバルを短
縮せしめ、ウオームアツプの効果を十分に引き出せると
いう利点と、またＸＹステージの退避時にステージ上の
照度計を用いて照度を計測しているため、別途照度を測
定することがなく、スルーブツトが向上するという利点
がある。したがって、露光初期などにおける各部材の特
性変化の影響を極力小さくすることができ、かつスルー
ブツトの高い適正な露光が可能となる。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光方法を説明する
ためのフローチャート、 第２図は、光源としてエキシマレーザを使用した従来の
露光装置の構成図、 第３図は、従来の露光装置の動作を説明するためのフロ
ーチャート、 第４図は、第２図で示される露光装置構成におけるＸ−
Ｙ−θステージの概略図である。 １：エキシマレーザ、 ２：ビーム整形光学系、 ３．７：全反射ミラー ４：ハーフミラ− ５：デテクタ、 ６：露光制御部、 ８：照明光学系、 ９ニレチクル、 １０：投影レンズ、 １１：ウェハ、 １２：ウェハ搬送系、 １６：ステージ制御部、 １７：シーケンスコントローラ、 １８：入力装置。
ためのフローチャート、 第２図は、光源としてエキシマレーザを使用した従来の
露光装置の構成図、 第３図は、従来の露光装置の動作を説明するためのフロ
ーチャート、 第４図は、第２図で示される露光装置構成におけるＸ−
Ｙ−θステージの概略図である。 １：エキシマレーザ、 ２：ビーム整形光学系、 ３．７：全反射ミラー ４：ハーフミラ− ５：デテクタ、 ６：露光制御部、 ８：照明光学系、 ９ニレチクル、 １０：投影レンズ、 １１：ウェハ、 １２：ウェハ搬送系、 １６：ステージ制御部、 １７：シーケンスコントローラ、 １８：入力装置。
Claims (3)
- （１）パルス状に発光する光源から射出されたパルス光
を露光光として露光する露光方法において、被露光物に
対する露光以前に該被露光物を露光位置以外の位置に移
動し、その後露光光源を動作させ、露光光路中の部材に
パルス光を照射することを特徴とする露光方法。 - （２）前記被露光物を移動すべき露光位置以外の位置が
、露光光およびその散乱光の照射範囲外にある請求項１
に記載の露光方法。 - （３）前記被露光物を移動すべき露光位置以外の位置が
、外部から任意に指定可能である請求項１または２に記
載の露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63328828A JPH02177315A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63328828A JPH02177315A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177315A true JPH02177315A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18214538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63328828A Pending JPH02177315A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411368B1 (en) | 1997-07-22 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP63328828A patent/JPH02177315A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411368B1 (en) | 1997-07-22 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus |
| US6538722B2 (en) | 1997-07-22 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Projection exposure method, projection exposure apparatus, and methods of manufacturing and optically cleaning the exposure apparatus |
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