JPH02177329A - マグネトロン型スパッタリング装置 - Google Patents
マグネトロン型スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH02177329A JPH02177329A JP63330900A JP33090088A JPH02177329A JP H02177329 A JPH02177329 A JP H02177329A JP 63330900 A JP63330900 A JP 63330900A JP 33090088 A JP33090088 A JP 33090088A JP H02177329 A JPH02177329 A JP H02177329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- magnet
- substrate
- type sputtering
- magnetron type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマグネトロン型スパッタリング装置に関し、特
にターゲット裏面の磁石の構造に関する。
にターゲット裏面の磁石の構造に関する。
従来のマグネトロン型スパッタリング装置は第３図に示
す様に、陰極１１上に設けられ、裏面側に棒状の磁石Ｉ
Ａと円筒状の磁石ＩＢとからなる磁石組合せ体１を有す
るターゲット２と、このターゲット２に対向して配設さ
れた陽極を兼ねる基板ホルダー９とから主に構成されて
おり、この基板ホルダー９に基板８を取り付けてターゲ
ット２からたたき出された２次電子４の運動により后の
イオン化を促進させ、形成された后イオン６をターゲッ
ト２に衝突させてターゲツト材をスパッタさせ、基板８
上に堆積させて薄膜を形成するように構成されていた。
す様に、陰極１１上に設けられ、裏面側に棒状の磁石Ｉ
Ａと円筒状の磁石ＩＢとからなる磁石組合せ体１を有す
るターゲット２と、このターゲット２に対向して配設さ
れた陽極を兼ねる基板ホルダー９とから主に構成されて
おり、この基板ホルダー９に基板８を取り付けてターゲ
ット２からたたき出された２次電子４の運動により后の
イオン化を促進させ、形成された后イオン６をターゲッ
ト２に衝突させてターゲツト材をスパッタさせ、基板８
上に堆積させて薄膜を形成するように構成されていた。
しかしながら、上述した従来のマグネトロン型スパッタ
装置では磁石組合せ体が１組しか用いられていないので
、ターゲラｌ−２の表面から出た電子を拘束するのに必
要な、ターゲット表面に平行な磁力線３が少ないという
欠点がある。しかも電子を拘束できるターゲット表面に
平行な磁力線３が限られている為、ターゲットの侵食部
１０が一部分のみとなる。このなめ、基板８に衝突する
ターゲツト材からなる粒子の飛ぶ方向が限られ、基板８
に形成される薄ｊ摸のステップカバレッジが悪くなり、
かつ、ターゲットの有効利用率が低くなるという欠点が
ある。
装置では磁石組合せ体が１組しか用いられていないので
、ターゲラｌ−２の表面から出た電子を拘束するのに必
要な、ターゲット表面に平行な磁力線３が少ないという
欠点がある。しかも電子を拘束できるターゲット表面に
平行な磁力線３が限られている為、ターゲットの侵食部
１０が一部分のみとなる。このなめ、基板８に衝突する
ターゲツト材からなる粒子の飛ぶ方向が限られ、基板８
に形成される薄ｊ摸のステップカバレッジが悪くなり、
かつ、ターゲットの有効利用率が低くなるという欠点が
ある。
本発明のマグネトロン型スパッタリング装置は、陰極上
に設けられ棒状の磁石と該棒状の磁石を囲む円筒状の磁
石とからなる磁石組合せ体が裏面に配設されたターゲッ
トと、前記ターゲットに対向して設けられ基板を取付け
るための陽極とを存するマグネトロン型スパッタリング
装置において、前記ターゲット表面に磁力線がほぼ均等
に形成されるように複数の磁石組合せ体を配設したもの
である。
に設けられ棒状の磁石と該棒状の磁石を囲む円筒状の磁
石とからなる磁石組合せ体が裏面に配設されたターゲッ
トと、前記ターゲットに対向して設けられ基板を取付け
るための陽極とを存するマグネトロン型スパッタリング
装置において、前記ターゲット表面に磁力線がほぼ均等
に形成されるように複数の磁石組合せ体を配設したもの
である。
次に、本発明の実施例に−）いて図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例のターゲラ）・・近傍の
」二面図及びＡ−Ａ′ＰＡ断面図である。
」二面図及びＡ−Ａ′ＰＡ断面図である。
第１図＜ａ＞、（ｂ）におイテ、陰極１１１：は裏板５
を介してターゲット２が設けられているが、この陰極１
１と丸板５の間には、１個の棒状磁石ＩＡと２個の円筒
状磁石ＩＢとからなる磁石組合せ体１がターゲラｌ、
２の表面に磁力線３がほぼ均等に形成されるように複数
個配設されている。
を介してターゲット２が設けられているが、この陰極１
１と丸板５の間には、１個の棒状磁石ＩＡと２個の円筒
状磁石ＩＢとからなる磁石組合せ体１がターゲラｌ、
２の表面に磁力線３がほぼ均等に形成されるように複数
個配設されている。
このように構成された第１の実施例によれば、ターゲッ
ト表面に形成される磁力線３は多くなり、しかしほぼ均
等に形成されるため、プラズマによりターゲット２はほ
ぼ均一にスパッタされ、侵食部１０もほぼ均一なものと
なる。
ト表面に形成される磁力線３は多くなり、しかしほぼ均
等に形成されるため、プラズマによりターゲット２はほ
ぼ均一にスパッタされ、侵食部１０もほぼ均一なものと
なる。
従って、第３図に示したように、陽極上に収付けられた
基板８上にはあらゆる方向からのターゲツト材からなる
粒子が堆積されるため、基板８上に形成される薄膜のス
テップカバレッジは良好なものとなる。またターゲット
２の使用効率ら向上する。
基板８上にはあらゆる方向からのターゲツト材からなる
粒子が堆積されるため、基板８上に形成される薄膜のス
テップカバレッジは良好なものとなる。またターゲット
２の使用効率ら向上する。
第２図は本発明の第２の実施例のターゲットの下面図で
ある。
ある。
水筒２の実施例においては、ターゲット２の裏面に回転
板に固定した３個の磁石組合せ体１を固定し、モーター
等により回転板を回転させるようにしたものである。
板に固定した３個の磁石組合せ体１を固定し、モーター
等により回転板を回転させるようにしたものである。
外周部の磁石組合せ体ｌを矢印方向に円周運動させるこ
とにより、磁力線がターゲット表面に均等に形成される
ようにし、集中したプラズマをターゲット全面に拡げ、
基板にあらゆる方向がらスパッタ粒子を衝突させる。あ
らゆる方向がら入射するスパッタ粒子が基板に堆積する
ことにより、第１の実施例と同様にターゲツト材による
薄膜のステップカバレッジは良くなり、また集中したプ
ラズマがターゲット全面に拡がることにより、ターゲツ
ト材の有効利用も可能となる。
とにより、磁力線がターゲット表面に均等に形成される
ようにし、集中したプラズマをターゲット全面に拡げ、
基板にあらゆる方向がらスパッタ粒子を衝突させる。あ
らゆる方向がら入射するスパッタ粒子が基板に堆積する
ことにより、第１の実施例と同様にターゲツト材による
薄膜のステップカバレッジは良くなり、また集中したプ
ラズマがターゲット全面に拡がることにより、ターゲツ
ト材の有効利用も可能となる。
尚、上記実施例においては１個の棒状磁石と２個の円筒
状磁石からなる磁石組合せ体を用いた場合について説明
したが、円筒状磁石は１個であってもよい。
状磁石からなる磁石組合せ体を用いた場合について説明
したが、円筒状磁石は１個であってもよい。
以上説明したように本発明は、マグネ１〜ｔ７ンｊ−リ
スバッタリング装置のターゲラ１〜の裏面に棒状の磁石
と円筒状の磁石からなる磁石組汗せ体を複数組設け、タ
ーゲット表面に磁力線をほぼ均′、９に形成させること
により、基板−Ｉ−に形成される薄膜のステップカバレ
ッジを良好にできる効果がある。
スバッタリング装置のターゲラ１〜の裏面に棒状の磁石
と円筒状の磁石からなる磁石組汗せ体を複数組設け、タ
ーゲット表面に磁力線をほぼ均′、９に形成させること
により、基板−Ｉ−に形成される薄膜のステップカバレ
ッジを良好にできる効果がある。
更に、スパッタによるターゲットの侵食が均一になるた
め、ターゲットの利用率を高めることができるという効
果もある。
め、ターゲットの利用率を高めることができるという効
果もある。
第１図（ａ、）、（ｂ）は本発明の第１の実施例のター
ゲット近傍の上面図およびｌ−Ａ’線断面図、第２図は
本発明の第２の実施例のターゲットの下面図、第３図は
従来のマグネトロン型スパッタリング装置の構成図であ
る。 １・・・磁石組合せ体、ＩＡ・・・棒状磁石、ＩＢ・・
・円筒状磁石、２・・・ターゲット、３・・・磁力線、
４・・・２次電子、５・・・裏板、６・・・后イオン、
７・・・電源、８・・・基板、 く） ・・・ 陽 極 （基板ホルダー） ０・・ 侵食 部。
ゲット近傍の上面図およびｌ−Ａ’線断面図、第２図は
本発明の第２の実施例のターゲットの下面図、第３図は
従来のマグネトロン型スパッタリング装置の構成図であ
る。 １・・・磁石組合せ体、ＩＡ・・・棒状磁石、ＩＢ・・
・円筒状磁石、２・・・ターゲット、３・・・磁力線、
４・・・２次電子、５・・・裏板、６・・・后イオン、
７・・・電源、８・・・基板、 く） ・・・ 陽 極 （基板ホルダー） ０・・ 侵食 部。
Claims (1)
- 陰極上に設けられ棒状の磁石と該棒状の磁石を囲む円筒
状の磁石とからなる磁石組合せ体が裏面に配設されたタ
ーゲットと、前記ターゲットに対向して設けられ基板を
取付けるための陽極とを有するマグネトロン型スパッタ
リング装置において、前記ターゲット表面に磁力線がほ
ぼ均等に形成されるように複数の磁石組合せ体を配設し
たことを特徴とするマグネトロン型スパッタリング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330900A JPH02177329A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | マグネトロン型スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63330900A JPH02177329A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | マグネトロン型スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177329A true JPH02177329A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18237751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63330900A Pending JPH02177329A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | マグネトロン型スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001002618A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Applied Materials, Inc. | Unite magnetron et dispositif de pulverisation cathodique |
| JP2002313784A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Anelva Corp | マグネトロン型平行平板表面処理装置 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP63330900A patent/JPH02177329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001002618A1 (fr) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Applied Materials, Inc. | Unite magnetron et dispositif de pulverisation cathodique |
| JP2002313784A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Anelva Corp | マグネトロン型平行平板表面処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7347919B2 (en) | Sputter source, sputtering device, and sputtering method | |
| JP4253385B2 (ja) | スパッタリングあるいはアーク蒸着用の装置 | |
| KR100396456B1 (ko) | 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치 | |
| US20100181191A1 (en) | Sputtering apparatus | |
| EP0884761B1 (en) | Sputtering apparatus with a rotating magnet array | |
| JP2962912B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード | |
| EP0606097B1 (en) | A permanent magnet arrangement for use in magnetron plasma processing | |
| JPH02185969A (ja) | 陰極型マグネトロン装置 | |
| JPH0359138B2 (ja) | ||
| KR20010029831A (ko) | 스퍼터링장치 | |
| US6159351A (en) | Magnet array for magnetrons | |
| EP1211332A1 (en) | Magnetron unit and sputtering device | |
| JPH079062B2 (ja) | スパツタ装置 | |
| JPS6217175A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP2902822B2 (ja) | プレーナ形マグネトロンスパッタ電極 | |
| JPH01298154A (ja) | 対向ターゲット式プレーナーマグネトロンスパッタリング装置 | |
| JPS63307270A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2755776B2 (ja) | 高速成膜スパッタリング装置 | |
| JPS5943546B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP3414667B2 (ja) | マグネトロンスパッタ方法 | |
| JPH06116725A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPS63109165A (ja) | マグネトロン型スパツタ装置 | |
| JP3186194B2 (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPH06158311A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2010255011A (ja) | スパッタリング装置 |