JPH02177351A - 半導体装置の容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高周波高出力半導体素子搭載用の容器、特に
放熱特性のよい酸化ベリリウム基板を用いた容器に関す
る。

〔従来の技術〕

第３図は、従来の酸化ベリリウム（以下ベリリアと称す
）基板を用いた容器と、それに半導体素子を搭載した半
導体装置の断面図である。第３図において、ベリリア製
の子板状の基板１１の上面ほぼ中央に、メタライズ層を
介して高周波高出力半導体素子８が搭載され、半導体素
子８の電極と基板１１の周辺に設けられたメタライズ層
１２との間は、金細線９で接続後、キャップ６をかぶせ
て内部を気密封止し、さらにメタライズ層１２に外部リ
ード５がろう付けで取付けられている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の容器を用いた半導体装置では、ベリリア
基板のメタライズ層と外部引出しリードとが接続される
。外部引出しリードは、外部回路と半田付けされるが、
半田付時のストレスやその後の温度変化などにより、力
を受ける。しかし、ヘリリアの機械的強度が弱いため、
外部引出しリードのベリリア基板からの剥離が生じる場
合がある。これを避けるためには、ベリリアと外部リー
ドとの接着面積を増やすことが考えられるが、そ九によ
って浮遊のりアクタンスが増加し、半導体素子の高周波
性能が急激に劣化するので制約を受ける。また、装置の
小形化が進んでおり、半導体装置の外形には制約のある
場合がｉい。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題に対し本発明では、半導体素子を搭載する酸化
ベリリウム（ベリリア）製の主基板の一部分に、酸化ア
ルミニウム（アルミナ）製の副基板を接着し、前記主基
板上の半導体素子の電極とつながるメタライズ層をアル
ミナ製の副基板に設け、この副基板上のメタライズ層に
外部引出しリードをろう付けで取付けているので、ベリ
リアだけの従来の基板で発生したような外部引出しリー
ドの剥離がなくなっている。

つぎに本発明を実施例により説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る容器を用いた半導体装
置の断面図である。第１図において、ベリリア製の平板
状の主基板１の上面のぼぼ中央部に、高尚波高出力半導
体素子８が搭載され、主基板ｌの周辺のメタライズ層２
には、アルミナ製の副基板３がろう付けで接着されてい
る。副基板３の上面には、半導体素子８の電極と金線９
で接続されたメタライズ層と導電接続のメタライズ層４
が形成されており、メタ、ライズ層４に外部引出しり−
ド５がろう付けで接続さｈている。なお、最終的にはキ
ャップ６を冠せて内部は気密封止されている。

第２図は本発明の第２の実施例を用いた半導体装置の断
面図である。第２図においては、ベリリア製の主基板１
ａの周辺端部に凹部が設けられて、この凹部にアルミナ
製の副基板３ａが接着され、副基板３ａ上のメタライズ
層４に外部引出しリード５がろう付けで取付けられてい
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように１本発明は、外部引出しリードをア
ルミナ製副基板に取り付けることにより、従来の方法に
比べて外部り・−ドの剥離事故を激減することができる
。これにより、半導体装置の品質、信頼度の向上を計る
ことができる。また、このような副基板を設けたために
浮遊のりアクタンス分はほとんどが増加しないので半導
体素子の高周波性能を劣化させることはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体装置の断面図、
第２図は本発明の第２実施例による半導体装置の断面図
、第３図は従来の容器を用いて組立てた半導体装置の断
面図である。 １．１ａ・・・・・・ベリリア主基板、２，４・・・・
・・メタライズ層ｓ　　３＝　　３ａ・・・・・・アル
ミナ副基板、５・旧・・外部引出しリード、６・・・・
・・キャップ、８・・自・・半導体素子、９・・・・・
・金細線、１１・・・・・・ベリリア基板、１２・・・
・・・メタライズ層。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 老３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 上面ほぼ中央に半導体素子が取付けられる絶縁基板と、
   前記半導体素子の電極と金属配線で接続された前記基板
   周辺のメタライズ層から引出されている外部リードとを
   もつ半導体装置の容器において、前記絶縁基板は酸化ベ
   リリウム製の主基板と、この主基板の一部に接着され前
   記外部リード引出しのメタライズ層が形成されている副
   基板とからなることを特徴とする半導体装置の容器。