JPH02178918A - 化合物半導体結晶層の製造方法 - Google Patents
化合物半導体結晶層の製造方法Info
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- JPH02178918A JPH02178918A JP33488888A JP33488888A JPH02178918A JP H02178918 A JPH02178918 A JP H02178918A JP 33488888 A JP33488888 A JP 33488888A JP 33488888 A JP33488888 A JP 33488888A JP H02178918 A JPH02178918 A JP H02178918A
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- Japan
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- growth
- surface temperature
- susceptor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は有機金属化学気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法と
略称する）によりＩｒ＋１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ層（
０≦ｘ≦１゜Ｏ≦ｙ≦１）を成長形成する方法に係り、
特に半導体レーザなと可視光発光素子を作成するのに適
した化合物半導体結晶層の製造方法に関する。
略称する）によりＩｒ＋１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ層（
０≦ｘ≦１゜Ｏ≦ｙ≦１）を成長形成する方法に係り、
特に半導体レーザなと可視光発光素子を作成するのに適
した化合物半導体結晶層の製造方法に関する。
（従来の技術）
近年、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡ
ＩＰ層を形成することが可能になっており、この技術を
利用した可視半導体レーザや、ＬＥＤが注目されている
。
ＩＰ層を形成することが可能になっており、この技術を
利用した可視半導体レーザや、ＬＥＤが注目されている
。
ＭＯＣＶＤ法で用いられる結晶成長炉を第１図に断面図
で示す。この結晶成長炉は、例えば石英で形成された反
応管１】と、これに■族原料ガス及び■族原料ガスを導
入するガス導入口１２と、基板を保持し回転加熱を施す
ためのサセプタ１３と、前記石英反応管１１に外囲し対
向する前記サセプタ１３を加熱する高周波加熱コイル１
４を備えて構成されている。そして、前記サセプタ１３
上にて加熱されたＧａＡｓ基板１０に対しガス導入口１
２から原料ガスが導入され、この原料ガスは前記ＧａＡ
ｓ基板１０に到達すると分解し、結晶成長が行なわれる
。
で示す。この結晶成長炉は、例えば石英で形成された反
応管１】と、これに■族原料ガス及び■族原料ガスを導
入するガス導入口１２と、基板を保持し回転加熱を施す
ためのサセプタ１３と、前記石英反応管１１に外囲し対
向する前記サセプタ１３を加熱する高周波加熱コイル１
４を備えて構成されている。そして、前記サセプタ１３
上にて加熱されたＧａＡｓ基板１０に対しガス導入口１
２から原料ガスが導入され、この原料ガスは前記ＧａＡ
ｓ基板１０に到達すると分解し、結晶成長が行なわれる
。
叙上の従来用いられている結晶成長方法においては、結
晶成長中、サセプタの温度を所定の一定値に保持するよ
うに高周波加熱コイルの出力がコントロールされていた
。
晶成長中、サセプタの温度を所定の一定値に保持するよ
うに高周波加熱コイルの出力がコントロールされていた
。
（発明が解決しようとする課題）
従来の方法による化合物半導体結晶層の製造では、結晶
成長中サセプタの温度は所定の一定値に保持されるが、
結晶の表面温度は成長厚の増大に伴い低下することを発
明者らは見出した。これは、ＧａＡｓの場合、成長層厚
１μｍにつき約０．１℃の低下であるが、Ｉｎ１−ｘ−
ｙＧａｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ層（Ｏ≦ｘ≦１゜０≦ｙ≦
１−）では顕著に大きく、実験的に５〜１０℃の表面温
度低下が測定された。
成長中サセプタの温度は所定の一定値に保持されるが、
結晶の表面温度は成長厚の増大に伴い低下することを発
明者らは見出した。これは、ＧａＡｓの場合、成長層厚
１μｍにつき約０．１℃の低下であるが、Ｉｎ１−ｘ−
ｙＧａｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ層（Ｏ≦ｘ≦１゜０≦ｙ≦
１−）では顕著に大きく、実験的に５〜１０℃の表面温
度低下が測定された。
一方、ＩｎＧａＡ］、Ｐのバンドギャップの値は混晶組
成が同一の場合においても、成長条件、特に成長温度に
よって大幅に変化することが判明しており、結晶層の成
長厚方向にバンドギャップの変動が生じていた。このた
め、発振波長の安定した長寿命の半導体レーザを作成す
ることが困難であった。
成が同一の場合においても、成長条件、特に成長温度に
よって大幅に変化することが判明しており、結晶層の成
長厚方向にバンドギャップの変動が生じていた。このた
め、発振波長の安定した長寿命の半導体レーザを作成す
ることが困難であった。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、成長厚方向に均一なバンドギャップ
を有するＩｎＧａＡ］、Ｐ結晶をＧａＡｓ基板」二に再
現性良く成長することができ、発振波長の安定した長寿
命の半導体レーザの作成等に有効な化合物半導体結晶層
の製造方法を提供することにある。
的とするところは、成長厚方向に均一なバンドギャップ
を有するＩｎＧａＡ］、Ｐ結晶をＧａＡｓ基板」二に再
現性良く成長することができ、発振波長の安定した長寿
命の半導体レーザの作成等に有効な化合物半導体結晶層
の製造方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、ＩｎＧａＡＩＰ層の成長表面の温度を
一定に保ち、層内で均一なバンドギャップを有するＩｎ
ＧａＡ］、Ｐ層を成長することにある。
一定に保ち、層内で均一なバンドギャップを有するＩｎ
ＧａＡ］、Ｐ層を成長することにある。
即ち本発明は、ＧａＡｓ基板」二にＩｎＧａＡＩＰ層を
成長する際に成長時間と共にサセプタ温度を」二昇させ
ることにより、成長中のＩｎＧａＡ］、Ｐ層の表面温度
を一定に保ち、膜内で一定のバンドギャップを持つ結晶
成長を可能とした方法である。
成長する際に成長時間と共にサセプタ温度を」二昇させ
ることにより、成長中のＩｎＧａＡ］、Ｐ層の表面温度
を一定に保ち、膜内で一定のバンドギャップを持つ結晶
成長を可能とした方法である。
（作 用）
本発明による結晶成長方法によれば、ＩｎＧａＡＩＰ層
において、パン１−ギャップが成長の厚さ方向に一定の
値を持つ膜を作成することが可能となる。
において、パン１−ギャップが成長の厚さ方向に一定の
値を持つ膜を作成することが可能となる。
このため、ＩｎＧａＡＩＰ系半導体レーザ装置の特性と
して、発振波長の、制御化、安定化がはかれた。
して、発振波長の、制御化、安定化がはかれた。
（実施例）
まず、本発明の達成に至る経緯につき説明する。
既に述べたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法により■−■
族化合物半導体の結晶層を成長させる際、成長結晶の表
面温度が層厚の増加に伴って低下することを発明者らは
認めた。そして、ＧａＡｓに比しＩｎ、−ｘ−ｙＧａｘ
ＡｌｙＰ層（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の場合はさらに
顕著に認められた。かかる結晶成長に伴なう表面温度の
低下は、ＧａＡｓの熱伝導率がＳｉなどと比較すると小
さいことに起因すると考えられる。Ｉｎ１．−ｘ−ｙＧ
ａｘＡｌｙＰはＧａＡｓよりもさらに熱伝導率が小さい
ために表面温度の低下も大きい（第４図参照）値を示す
ものと考えられる。
族化合物半導体の結晶層を成長させる際、成長結晶の表
面温度が層厚の増加に伴って低下することを発明者らは
認めた。そして、ＧａＡｓに比しＩｎ、−ｘ−ｙＧａｘ
ＡｌｙＰ層（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の場合はさらに
顕著に認められた。かかる結晶成長に伴なう表面温度の
低下は、ＧａＡｓの熱伝導率がＳｉなどと比較すると小
さいことに起因すると考えられる。Ｉｎ１．−ｘ−ｙＧ
ａｘＡｌｙＰはＧａＡｓよりもさらに熱伝導率が小さい
ために表面温度の低下も大きい（第４図参照）値を示す
ものと考えられる。
一方、ＩｎＧａＡ］、Ｐのバンドギャップの値は混晶組
成が同一の場合においても、成長条件、特に成長温度に
よって大幅に変化することが判明している。第２図にＧ
ａＡｓに格子整合するＩｎＧａＰのバンドギャップの成
長時の表面温度依存性を示す。この図から、バンドギャ
ップ値が最小となる成長１１Ｆ＋’を度が存在すること
がわかる。このようにバンドギャップが変動した場合の
電子線回折像を１［４すると、表面温度が７４０°Ｃよ
りも低い場合にはエクストラスポットが観察され（１，
１］、 ）方向に２倍周期の超格子構造を持っているこ
とがわかった。
成が同一の場合においても、成長条件、特に成長温度に
よって大幅に変化することが判明している。第２図にＧ
ａＡｓに格子整合するＩｎＧａＰのバンドギャップの成
長時の表面温度依存性を示す。この図から、バンドギャ
ップ値が最小となる成長１１Ｆ＋’を度が存在すること
がわかる。このようにバンドギャップが変動した場合の
電子線回折像を１［４すると、表面温度が７４０°Ｃよ
りも低い場合にはエクストラスポットが観察され（１，
１］、 ）方向に２倍周期の超格子構造を持っているこ
とがわかった。
以上のような事実から、ＩｎＧａＡ］、Ｐ層の成長を行
う場合、サセプタ温度を一定に保っていても、成長に伴
い表面温度が急激に下っていくために、成長層の厚さ方
向にバンドギャップが変化してしまう。このようにして
成長したＩｎＧａＡ］−ＰＪＦＪからのフォトルミネッ
センスの半値幅は、層内でバンドギャップの不均一があ
るために非常にブロー１〜であり、成長層の厚さにより
ピーク波長が異なっていた。このため、レーザ素子とし
てその特性を考えた場合、発振波長が不安定であり、再
現性が悪く制御が困難であった。また、ＩｎＧａＰを活
性層とした場合、パン１〜ギヤツプの値が１．９１．ｅ
Ｖ以外の値を示したときには、フォトルミネッセンスに
よる発光強度も芳しくなく、寿命特性も著しく劣化して
いた。
う場合、サセプタ温度を一定に保っていても、成長に伴
い表面温度が急激に下っていくために、成長層の厚さ方
向にバンドギャップが変化してしまう。このようにして
成長したＩｎＧａＡ］−ＰＪＦＪからのフォトルミネッ
センスの半値幅は、層内でバンドギャップの不均一があ
るために非常にブロー１〜であり、成長層の厚さにより
ピーク波長が異なっていた。このため、レーザ素子とし
てその特性を考えた場合、発振波長が不安定であり、再
現性が悪く制御が困難であった。また、ＩｎＧａＰを活
性層とした場合、パン１〜ギヤツプの値が１．９１．ｅ
Ｖ以外の値を示したときには、フォトルミネッセンスに
よる発光強度も芳しくなく、寿命特性も著しく劣化して
いた。
以下、本発明の一実施例につき図面を参照して説明する
。
。
本発明の一実施例に係る半導体レーザの概略の構造を第
３図に断面図で示す。この第３図に示されるように、ｎ
−ＧａＡｓ基板３１」二に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３
２ 、 ｎ−ＴｎＧａＡ］、Ｐクラッド層３３． Ｉｎ
ＧａＰ活性層３４゜ｐ −Ｉｆ ｎ Ｃｉ ａ Ａ ］
−［’クラッド層３５． ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層３
６が順次積層形成されており、このキャップ層３６はそ
の一部スドライブ状部がｐ−ＧａＡｓコンタ９８Ｍ３８
に接し、他の部分はｎ−ＧａＡｓブロック層３７で被覆
され、かつ、このブロック層３７は前記キャブ層３６に
接した前記ｐ−ＧａＡｓコンタクＩ・層３８の連続部で
被覆されている。さらに、前記ｐ−ＧａＡｓコンタク１
〜層３８上にはＰ＋−ｒｉａＡｓコンタク１へ層３９が
積層被覆されている。
３図に断面図で示す。この第３図に示されるように、ｎ
−ＧａＡｓ基板３１」二に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３
２ 、 ｎ−ＴｎＧａＡ］、Ｐクラッド層３３． Ｉｎ
ＧａＰ活性層３４゜ｐ −Ｉｆ ｎ Ｃｉ ａ Ａ ］
−［’クラッド層３５． ｐ−ＩｎＧａＰキャップ層３
６が順次積層形成されており、このキャップ層３６はそ
の一部スドライブ状部がｐ−ＧａＡｓコンタ９８Ｍ３８
に接し、他の部分はｎ−ＧａＡｓブロック層３７で被覆
され、かつ、このブロック層３７は前記キャブ層３６に
接した前記ｐ−ＧａＡｓコンタクＩ・層３８の連続部で
被覆されている。さらに、前記ｐ−ＧａＡｓコンタク１
〜層３８上にはＰ＋−ｒｉａＡｓコンタク１へ層３９が
積層被覆されている。
まず、第３図に示したような構造の各層をサセプタ温度
を一定に保って成長を行なった場合における成長表面の
温度の変化を調べた。第４図に成長層のＪソさと相対的
な表面温度の低下の関係を示す。表面温度は、反応管の
」三方から、放射温度計を用いて測定した。図に示すよ
うに、ｎ −ＩｎＧａＡ］、ＰとアンドープのＩｎＧａ
Ｐの表面温度の降下が一番犬きく、ＩＩＬｍ成長を行な
うと表面の温度は約１０℃下っていた。同じ組成であっ
てもＩｎＧａＡ］、Ｐにおいては、ｐ型とｎ型で表面温
度の下がり方が異なっており、ｐ−ＩｎＧａＡＩＰでは
］μｍ成長すると表面の温度は５℃下っていた。ＧａＡ
ｓの場合は、丁、ｎ Ｇ ａ Ａ １− Ｐにくらべ表
面温度の変化は小さく、１μｍ成長を行うと約０．１°
Ｃ下っていた。また、ＧａＡｓではｎ型とＰ型で差はな
かった。
を一定に保って成長を行なった場合における成長表面の
温度の変化を調べた。第４図に成長層のＪソさと相対的
な表面温度の低下の関係を示す。表面温度は、反応管の
」三方から、放射温度計を用いて測定した。図に示すよ
うに、ｎ −ＩｎＧａＡ］、ＰとアンドープのＩｎＧａ
Ｐの表面温度の降下が一番犬きく、ＩＩＬｍ成長を行な
うと表面の温度は約１０℃下っていた。同じ組成であっ
てもＩｎＧａＡ］、Ｐにおいては、ｐ型とｎ型で表面温
度の下がり方が異なっており、ｐ−ＩｎＧａＡＩＰでは
］μｍ成長すると表面の温度は５℃下っていた。ＧａＡ
ｓの場合は、丁、ｎ Ｇ ａ Ａ １− Ｐにくらべ表
面温度の変化は小さく、１μｍ成長を行うと約０．１°
Ｃ下っていた。また、ＧａＡｓではｎ型とＰ型で差はな
かった。
第３図に示したような構造のレーザにおいて、ｎ−バッ
ファ層の厚さを０．５μｍ、ｎ、、ｐ各りラッド層の厚
さを］−μｍ、活性層の厚さを０．１μｍ。
ファ層の厚さを０．５μｍ、ｎ、、ｐ各りラッド層の厚
さを］−μｍ、活性層の厚さを０．１μｍ。
ｐ−ＧａＡｓコンタク１−層の厚さを３ ｐｍ、 ｎ−
ＧａＡｓブロック層の厚さを１μｍとして、サセプタ温
度を一定にして成長を行った。成長を行う前のＧａＡｓ
基板の表面温度は７４０°Ｃであったが、ｐ−ＩｎＧａ
ＡＩＰクラッド層の成長を終った時、このクラッド層の
表面温度は約１６℃低下し、７２４℃になっていた。こ
のように成長したウェハの活性層のフォトルミネッセン
ス（以下円、と略称する）のスペク１−ルを第５図に示
す。この図に示ずところによると、ＰＬのピーク波長は
６６０１１ ｍ （１，、８８ｅＶ）であり、Ｌ Ｐ
Ｅ ｒＡにて成長した結晶のバンドギャップが１．９］
、ｅＶであるのにくらべ長波長にシフトしていた。ＰＬ
の強度も弱く、半値幅も広いことがわかる。また、活性
層の電子線回折像を観察すると、超格子構造を持ってい
ることがわかった。これらの現象は、成長と共に表面温
度が低下してバンドギャップの不均一を生じていること
が原因である。レーザ素子の特性としては、発振波長か
６６５〜６７５μｍとばらつき制御性に欠けていた。寿
命特性も芳しくなく、著しい劣化を示した。
ＧａＡｓブロック層の厚さを１μｍとして、サセプタ温
度を一定にして成長を行った。成長を行う前のＧａＡｓ
基板の表面温度は７４０°Ｃであったが、ｐ−ＩｎＧａ
ＡＩＰクラッド層の成長を終った時、このクラッド層の
表面温度は約１６℃低下し、７２４℃になっていた。こ
のように成長したウェハの活性層のフォトルミネッセン
ス（以下円、と略称する）のスペク１−ルを第５図に示
す。この図に示ずところによると、ＰＬのピーク波長は
６６０１１ ｍ （１，、８８ｅＶ）であり、Ｌ Ｐ
Ｅ ｒＡにて成長した結晶のバンドギャップが１．９］
、ｅＶであるのにくらべ長波長にシフトしていた。ＰＬ
の強度も弱く、半値幅も広いことがわかる。また、活性
層の電子線回折像を観察すると、超格子構造を持ってい
ることがわかった。これらの現象は、成長と共に表面温
度が低下してバンドギャップの不均一を生じていること
が原因である。レーザ素子の特性としては、発振波長か
６６５〜６７５μｍとばらつき制御性に欠けていた。寿
命特性も芳しくなく、著しい劣化を示した。
次に叙」−と同し構造のレーザを本発明による方法で成
長を行なった。つまり、表面温度を７４０°Ｃと一定に
保つために、ｎ−ＩｎＧａＡＩＰクラッド層とＩｎＧａ
Ｐ活性層を成長するときには、１μｍの成長に対して］
Ｏ’Ｃずつサセプタ温度を一定の割合で上昇させた。ｐ
−工ｎＧａＡ］、Ｐクラッド層を成長するときには５°
Ｃ／ １ μｍ＋ ｐ及びｎ−ＧａＡｓ層を成長するき
には０．１℃／１μｍの割合でサセプタ温度を上昇させ
ていった。このように本発明の方法を用いることにより
、表面温度を常に７４．０℃に保つことができる。この
ことは放射温度計を用いて成長表面の温度を測定するこ
とにより確かめられた。このようにして成長したウェハ
における活性層の円７スベク１ヘルは第６図に示すよう
に、ピーク波長は、６６０ μｍ（１，９１ｅＶ）であ
り、ＬＰＥ法にて成長した結晶と同等の広いバンドギャ
ップが得られた。ＰＬスペク１−ルの半値幅も狭く、強
度も従来の方法で成長したウェハに比べ１０倍以上大き
い値を示した。また、活性層の電子線回折像から、超格
子構造を持っていないこともわかった。レーザの発振波
長は６５０μｍで安定しており、良好な特性を示した。
長を行なった。つまり、表面温度を７４０°Ｃと一定に
保つために、ｎ−ＩｎＧａＡＩＰクラッド層とＩｎＧａ
Ｐ活性層を成長するときには、１μｍの成長に対して］
Ｏ’Ｃずつサセプタ温度を一定の割合で上昇させた。ｐ
−工ｎＧａＡ］、Ｐクラッド層を成長するときには５°
Ｃ／ １ μｍ＋ ｐ及びｎ−ＧａＡｓ層を成長するき
には０．１℃／１μｍの割合でサセプタ温度を上昇させ
ていった。このように本発明の方法を用いることにより
、表面温度を常に７４．０℃に保つことができる。この
ことは放射温度計を用いて成長表面の温度を測定するこ
とにより確かめられた。このようにして成長したウェハ
における活性層の円７スベク１ヘルは第６図に示すよう
に、ピーク波長は、６６０ μｍ（１，９１ｅＶ）であ
り、ＬＰＥ法にて成長した結晶と同等の広いバンドギャ
ップが得られた。ＰＬスペク１−ルの半値幅も狭く、強
度も従来の方法で成長したウェハに比べ１０倍以上大き
い値を示した。また、活性層の電子線回折像から、超格
子構造を持っていないこともわかった。レーザの発振波
長は６５０μｍで安定しており、良好な特性を示した。
寿命特性も、飛躍的に向上した。本実施例では、半導体
レーザについて述べたが、本発明はＬＥＤなど他の発光
素子にも適用が可能である。
レーザについて述べたが、本発明はＬＥＤなど他の発光
素子にも適用が可能である。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はなく、その他のＩＩＩ −Ｖ族材料系においても、通
常の成長条件では表面温度の変化によリｌ換内にバンド
ギャップの不均一を生しるような材料に対し適用しうる
ちのである。
はなく、その他のＩＩＩ −Ｖ族材料系においても、通
常の成長条件では表面温度の変化によリｌ換内にバンド
ギャップの不均一を生しるような材料に対し適用しうる
ちのである。
成上の如く、本発明によれば、ＩｎＧａＡＩＰ層につい
てそのパン１−ギャップの値が、成長の厚さ方向に対し
て常に一定の値を示す膜を作成することが可能になる。
てそのパン１−ギャップの値が、成長の厚さ方向に対し
て常に一定の値を示す膜を作成することが可能になる。
したがって、この方法を用いてＩｎＧａＡＩＰ系半導体
レーザを作成すると発振波長の安定化を図ることができ
るとともに、寿命特性の向」−を可能にするなどの顕著
な効果を奏するものである。
レーザを作成すると発振波長の安定化を図ることができ
るとともに、寿命特性の向」−を可能にするなどの顕著
な効果を奏するものである。
第１図は、本発明の一実施例に使用した成長装置の要部
を示す断面図、第２図はＧａＡｓに格子整合するＩｎＧ
ａＰの基板表面温度とバンドギャップとの関係を示す特
性図、第３図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ
素子の構造を示す断面図、第４図は成長層の厚さと表面
温度の降下との関係を示す特性図、第５図は従来の方法
で成長した膜のフ第１ヘルミネッセンススペク１−ルの
波長と強度との相関を示す特性図、第６図は本発明によ
る方法で成長した膜のフ第１−ルミネッセンススペクト
ルの波長と強度との相関を示す特性図である。 １０−−−−−− ＧａＡｓ基板 １．１−−−−ｍ−反応管 １．２−−−−−−ガス導入口 １．３−−−−−−サセプタ １．４−−−一−−高周波加熱コイル ３２−−−−−− ｎ−ＧａＡｓバッファ層３３−−−
−−− ｎ−ＩｎＧａＡ］、Ｐクララド層３４−−−−
−＝ＩｎＧａＰ活性層 ３５−−−−−−ｐ−ＩｎＧａＡＩＰクラット層３６−
−−−一−ｐ−ＩｎＧａＰキャンプ層３７−一−−−−
ｎ−ＧａＡｓブロック層３８−一−−−−ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層３９−−−−−−ｐ＋−ＧａＡｓコンタク
ト層代理人 弁理士 大 胡 典 夫 停 へ Ｓ 火 ｌｌ）＋Ｔ＋ 巴 。乙に、へ、、％、、Ａ／）／ （η′ｖ） Ｖ軒 ２ａ 士ｗ ’ｒ’＝ ’ ｔｉ’ｗ、ｖ
を示す断面図、第２図はＧａＡｓに格子整合するＩｎＧ
ａＰの基板表面温度とバンドギャップとの関係を示す特
性図、第３図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザ
素子の構造を示す断面図、第４図は成長層の厚さと表面
温度の降下との関係を示す特性図、第５図は従来の方法
で成長した膜のフ第１ヘルミネッセンススペク１−ルの
波長と強度との相関を示す特性図、第６図は本発明によ
る方法で成長した膜のフ第１−ルミネッセンススペクト
ルの波長と強度との相関を示す特性図である。 １０−−−−−− ＧａＡｓ基板 １．１−−−−ｍ−反応管 １．２−−−−−−ガス導入口 １．３−−−−−−サセプタ １．４−−−一−−高周波加熱コイル ３２−−−−−− ｎ−ＧａＡｓバッファ層３３−−−
−−− ｎ−ＩｎＧａＡ］、Ｐクララド層３４−−−−
−＝ＩｎＧａＰ活性層 ３５−−−−−−ｐ−ＩｎＧａＡＩＰクラット層３６−
−−−一−ｐ−ＩｎＧａＰキャンプ層３７−一−−−−
ｎ−ＧａＡｓブロック層３８−一−−−−ｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層３９−−−−−−ｐ＋−ＧａＡｓコンタク
ト層代理人 弁理士 大 胡 典 夫 停 へ Ｓ 火 ｌｌ）＋Ｔ＋ 巴 。乙に、へ、、％、、Ａ／）／ （η′ｖ） Ｖ軒 ２ａ 士ｗ ’ｒ’＝ ’ ｔｉ’ｗ、ｖ
Claims (1)
- 結晶成長用反応炉内のサセプタにＧａＡｓ基板を載置し
、この反応炉内にIII族原料とＶ族原料の各ガスを導入
するとともにサセプタを加熱して前記ＧａＡｓ基板上に
有機金属化学気相成長法によりＩｎ＿１＿−＿ｘ＿−＿
ｙＧａ＿ｘＡｌ＿ｙＰ層（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を
成長形成する化合物半導体結晶層の製造方法において、
前記Ｉｎ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＧａ＿ｘＡｌ＿ｙＰ層（
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の成長中における表面温度を
所定に保つようにサセプタ温度を成長時間と共に上昇さ
せることを特徴とする化合物半導体結晶層の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33488888A JPH02178918A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33488888A JPH02178918A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178918A true JPH02178918A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18282350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33488888A Pending JPH02178918A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178918A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04281585A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコード検出装置 |
| US5190891A (en) * | 1990-06-05 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor laser device in which the p-type clad layer and the active layer are grown at different rates |
| JPH0554167A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコード検出装置 |
| US5298456A (en) * | 1991-09-27 | 1994-03-29 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing semiconductor laser |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33488888A patent/JPH02178918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5190891A (en) * | 1990-06-05 | 1993-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor laser device in which the p-type clad layer and the active layer are grown at different rates |
| JPH04281585A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコード検出装置 |
| JPH0554167A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バーコード検出装置 |
| US5298456A (en) * | 1991-09-27 | 1994-03-29 | Nippon Electric Co | Method of manufacturing semiconductor laser |
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