JPH02178924A - エッチング装置 - Google Patents

エッチング装置

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Publication number
JPH02178924A
JPH02178924A JP33092288A JP33092288A JPH02178924A JP H02178924 A JPH02178924 A JP H02178924A JP 33092288 A JP33092288 A JP 33092288A JP 33092288 A JP33092288 A JP 33092288A JP H02178924 A JPH02178924 A JP H02178924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
processing
data
etching apparatus
personal computer
Prior art date
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Pending
Application number
JP33092288A
Other languages
English (en)
Inventor
Naohito Ikeda
直仁 池田
Yukifumi Minagawa
享史 皆川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP33092288A priority Critical patent/JPH02178924A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明はエツチング装置に関する。
(従来の技術) 真空ポンプによって極低圧状態にした処理室内で対向電
極の一方の対向面に半導体基板を保持させ、これらの対
向電極間に電圧を印加することにより、半導体基板をエ
ツチングするエツチング装置には、半導体基板の種類な
どに応じてエツチング条件の異なるエツチング処理を行
なえるものが多い。このようなエツチング装置では、あ
らかしめ複数のエツチング条件が装置本体内の制御部に
記憶されており、その中から適当なエツチング条件か選
択されてエツチング処理か行なわれる。
そして、半導体基板の種類などに応して適当なエツチン
グ処理中でiE常な処理が行われているか否かを常時監
視・点検する必要かある。
(発明が解決しようとする課題) しかしなから、上記のようなエツチング装置においては
、個々の1’導体基板のエツチング処理中の処理データ
は、利用者の手作業によって測定記録されるので、得ら
れるデータの種類や範囲が制限され、また、データの誤
記なども生じ易かった。
その結果、エツチング処理の点検に多大な労力を要し、
また、点検結果に対する龜頼性か低いという問題かあっ
た。
本発明はこのような問題を解決すべくなされたもので、
そのI」的とするところは、正確で需要に応じた種々の
処理データを自動的に収集可能で、信頼性の高い点検を
常時行なえるエツチング装置を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 前記目的を達成するために本発明は、処理室内に設けた
電極間に高周波電圧を印加することにより、被処理体を
エツチングするエツチング装置において、少なくともエ
ツチングの期間中、このエツチング処理の少なくとも一
つの状態を表示する表示手段を具備することを特徴とす
る。
(作用) 本発明では、少なくともエツチングの期間中、このエツ
チング処理の少なくとも一つの状態は、表示手段によっ
て表示される。
(実施例) 以下図面に基ついて本発明をプラズマエツチング装置に
適用した一実施例を詳細に説明する。
第1図に示されるように、このエツチング装置本体]0
1に内蔵される図示しない制御部には、ホストコンピュ
ータ1.03およびパーソナルコンピュータ105か接
続される。
ホストコンピュータ103は、エツチング装置本体]0
1およびパーソナルコンピュータ105の総括的な動作
制御および必要なデータ管理を行なう。
パーソナルコンピュータ]、、 05は、図示しない記
憶部、演算部、CRT表示部を有する。記憶部は、エツ
チングに必要なレシピなどのエツチング条件、エツチン
グ処理中の処理データ、および」二部エツチング条件と
上記処理データとから算出される所望のデータなどを記
憶可能である。演算部は、上記エツチング条件と上記処
理データとから上記所望のデータを算出可能である。C
RT表示部は、上記所望のデータを随時表示可能である
上記エツチング条件とは、たとえば各ロフト(たとえば
半導体基板50枚で]ロット)および各半導体基板のエ
ッチタイム、処理室内圧力値、高周波供給電力量、下部
電極温度、電極間隔、供給反応ガス名、ガス導入量なと
である。上記処理ブタとは、たとえば各ロットおよび各
半導体基板の処理開始/終了日時、上記各エツチング条
件に対応するエツチング処理中の実測データエンド・ポ
イント・データ、装置内のアラーム発生日時・発生箇所
、アラーム発生後復帰時間などである。
上記所望のデータとは、たとえば上記各エツチング条件
、上記各処理データ、上記各処理データの最大値・最小
値・平均値・偏差値、各ロットおよび各半導体基板の処
理開始/終了[]時、EPD波形、稼働率などである。
上記エツチング装置本体101の処理機構部は次のよう
に構成される。
第2図に示されるように、装置本体に設けられたモータ
(図示せず)の回転軸に係合された支持部材1の」二部
に、接地された円板状下部電極3が固設される。この下
部電極3の上方にはこの下部電極3と対向して、高周波
電源4に接続される円板状上部電極5が設けられる。こ
の上部′11極5は、中空の構造で、下部電極3と対向
する面に多数のガス通過孔7を何し、絶縁部材8を介し
てガス供給管9に連結される。
ガス供給管9は反応ガス供給装置]1および窒素ガス供
給装置]3に選択的に連結される。反応ガス供給装置]
1からの反応ガス供給は反応カスバルブ15によって制
御される。窒素ガス供給装置13からの窒素ガス供給は
、窒素ガスバルブ制御装置18によって窒素ガスバルブ
17が開閉されることによって制御される。
下部電極3の周囲にはアルミニウム製の処理室壁1−9
が設けられ、下部ハウジングが形成される。
下部ハウジングの上方には、上部電極5を内設する、ア
ルミニウム製の電磁波ンールドカバ−21か設けられ、
上部ハウジングが形成される。なお、このエツチング装
置では、上部ハウジングを図示しない開閉機構によって
、持ち」二げることによって処理室内の点検などを容易
に行うことを可能にしである。
処理室壁]9の上端面にはバッキング23が設けられ、
電磁波シールドカバー21の下面が気密的に当接可能に
構成される。
上部電極5の上方のガス供給管9の周囲には、シリンダ
状の摺動部材27が設けられる。摺動部イA27の側面
は、電磁波シールドカバー21に対して鉛直方向に摺動
可能であるが、パラキンク2つを介在させることにより
、気密性か保持される。
さらに電磁波的に導通特性を呈する導電性弾性部祠を介
在させるとさらに良い。
摺動部材27の上端面上であって、カス供給管9の周囲
には、矩形の平板状の支持板31が設けられる。支持板
3]の4角には連結アーム33か固設され、4つの連結
アーム33それぞれにモタ35か固設される。
モータ35の図示しない回転軸にはボールネジ3つか鉛
直方向に連結される。各ボールネジ39は支持板31を
貫通し、さらに支持板31との間にはヘアリング32が
介6’−される。各ボールネジ39の下部にはボールナ
ツト41が形設される。
ポールナツト41は電磁波シールドカバー21の下部を
貫通して固設される。一方、支持板3]の下面に接する
状態でホールネジ39の周囲にスラストベアリンク43
か設けられる。スラストベアリング43の下面に接した
状態でホールネジ39の周囲にスプロケット45か設け
られる。各スプロケット45は、チェーン47て連結さ
れる。したがって、モータ35の回転に連動して、4つ
のボールネジ3つは同調されて動作する。
処理室壁19の下部には、排ガス管49か設けられ、圧
力制御バルブ51を介して真空ポンプ52に連結される
一方、処理室壁19の側面には、処理室内の圧力を導入
する圧力検出管53が設けられ検出管バルブ55を介し
て圧力計57に連結される。圧力計57は、圧力制御装
置58に接続され、検出管バルブ55が解放されたとき
に処理室内の圧力を検知し、所定圧力値(たとえば1.
OX J、G 2Torr)になるように圧力制御バル
ブ5コを動作させる。
次にこのエツチング装置の動作について説明する。こレ
ラはすべてコンピュータにより自動的に実行される。
まず、図示しないモータ制御装置によってモタ35か作
動され、上部電極5か鉛直方向に移動され、上部電極5
と下部電極3との間隔がエツチングに適切な状態に調整
される。
そして、真空ポンプ52が作動することにより、処理室
内の排カスは、排ガス管4つに流入されて、真空ポンプ
52から外部へ排出される。やがて処理室内はたとえば
1.、OX 1.02Torrに減圧され、さらに次に
述べるエツチング処理中も真空ポンプ52によって同様
に処理室内の排ガスが排出されながら圧力制御バルブ5
1をコントロールして一定の圧力に保たれる。なお、気
圧値の検知は、圧力計57によって行なわれ、制御は、
圧力制御装置58によって行なわれる。
次に、あらかじめ処理室内と同様に減圧されている図示
しない真空予備室から、図示しない搬送手段たとえばロ
ボットアームによって半導体基板6]か処理室内の下部
電極3上にローディングされる。
ここで、反応ガス供給装置]1からガス供給管9、ガス
通過孔7を介して、反応ガスが反応室内に供給される。
そして高周波電源4から上部電極5に高周波電圧たとえ
ば13.58肛Zが印加され、反応ガスからプラズマか
生じ、半導体基板61のエツチングか行なわれる。
その後、あらかじめ処理室内と同様に減圧されている図
示しない真空予備室へ、図示しない搬送手段によってエ
ツチングされた半導体基板6]は運び出される。
このような動作か個々の半導体基板毎に、所定の前記エ
ツチング条件に基づいて順次行なわれ、同時にパーソナ
ルコンピュータ105によって前述した処理データか記
憶され、また、前記所望のデータが算出されCRT表示
部に適宜表示される。
なお、このエツチング装置のメンテナンス時に、処理室
内を窒素ガスによって置換する場合は、真空ポンプ52
によって排ガス管49を介して反応室内の排ガスが排出
されるとともに、窒素カスバルブ17を開けて窒素ガス
供給装置13からガス供給管9、ガス通過孔7を介して
反応室内に窒素ガスが供給される。このときの窒素ガス
バルブ]7の開閉度および処理室内の圧力値をパーソナ
ル]0 コンピュータ105によってモニター・制御することに
より、処理室内のベースプレッシャーチエツクやリーク
チエツクを容易かっ正確に行なうこともてきる。
また、上部ハウジングを図示しない開閉機構によって、
持ち上げることによって処理室内の点検などを容易に行
うことかできる。
かく[2て本実施例によれば、エツチング装置にパーソ
ナルコンピュータを設けたので、正確で需要に応じた種
々の処理データを自動的に収集可能で、種々のデータ処
理に基づいて信頼性の高い点検を常時行なえるエツチン
グ装置を提供することかできる。
[発明の効果] 以」二詳細に説明したように本発明によれば、正確で需
要に応じた種々の処理データを自動的に収集可能で、種
々のデータ処理に基づいて信頼性の高い点検を常[1,
4行なえるエツチング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例に係るエツチング装置の構成を示すブ
ロック図、第2図は本実施例に係るエツチング装置の処
理機構部の構成を示す図である。 1、01・・・・・・・エツチング装置本体1、 0 
5  ・・ ・パーソナルコンピュ タ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 処理室内に設けた電極間に高周波電圧を印加することに
    より、被処理体をエッチングするエッチング装置におい
    て、 少なくともエッチングの期間中、このエッチング処理の
    少なくとも一つの状態を表示する表示手段を具備するこ
    とを特徴とするエッチング装置。
JP33092288A 1988-12-29 1988-12-29 エッチング装置 Pending JPH02178924A (ja)

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JP33092288A JPH02178924A (ja) 1988-12-29 1988-12-29 エッチング装置

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JP33092288A Pending JPH02178924A (ja) 1988-12-29 1988-12-29 エッチング装置

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57130428A (en) * 1981-02-06 1982-08-12 Hitachi Ltd Vacuum device
JPS5931240B2 (ja) * 1975-07-21 1984-07-31 大倉電気株式会社 オンラインで着脱可能な電子回路基板
JPS62152529A (ja) * 1985-12-27 1987-07-07 Hitachi Ltd 処理装置

Patent Citations (3)

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