JPH02179110A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPH02179110A JPH02179110A JP33201688A JP33201688A JPH02179110A JP H02179110 A JPH02179110 A JP H02179110A JP 33201688 A JP33201688 A JP 33201688A JP 33201688 A JP33201688 A JP 33201688A JP H02179110 A JPH02179110 A JP H02179110A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- surface acoustic
- acoustic wave
- depth
- slots
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は弾性表面波素子に間し、さらに詳細には、弾性
表面波素子の裏面に２種類以上の深さを持つ溝或は穴を
形成して表面波以外の不要応答を抑圧した弾性表面波素
子に関する。
表面波素子の裏面に２種類以上の深さを持つ溝或は穴を
形成して表面波以外の不要応答を抑圧した弾性表面波素
子に関する。
（従来の技術とその課１！！り
第１図は一般的な従来の弾性表面波フィルタの構造の一
例である。図において１０は弾性表面波フィルタを示し
、２は入力電極、３は出力電極、５は圧電基板、７は基
板端面である。次にその動作を説明する。入力電極２に
電気信号を入力すると、圧電基板５上に弾性表面波Ｓ１
が励振、伝搬し、出力電極３に到達しここで再び電気信
号に変換される。これが所望の周波数特性を持つように
入力電極、出力電極が設計されている。所望の周波数特
性を得るためには、この所望の表面波以外の応答を抑圧
する必要がある。この不要波とは第１図に示す基板端面
７で反射して受信電極に到達する表面波Ｓ２、電極から
基板の内部に放射され、基板裏面で反射し受信電極に到
達するバルク波Ｂ１、あるいは基板の厚さで決定される
共振周波数を持つ厚みすべり波共振、等である。これら
の不要波は第２図に示すように周波数特性を劣化させる
。基板端面７で反射して出力電極３に到達する表面波信
号Ｓ１により、第２図ａで示すように通過帯域特性でリ
プルが発生し、基板内部を伝搬し出力電極３に到達する
バルク波Ｂ１により、第２図中すで示すように高域側の
阻止域サイドローブレベルが大きくなる。厚みすべり波
共振では、第２図中Ｃで示すように低域側の阻止域サイ
ドローブが周期的に大きくなるが、加えて、厚みすべり
波共振の高次モードの共振周波数がフィルタの通過帯域
内に入る場合、通過帯域特性にもリプルを発生させ、特
性を劣化させる。これらの中でも、通過帯域特性と通過
帯域近傍の阻止域特性はフィルタの性能を決定する重要
な特性であり、この特性を劣化させる不要波は充分に抑
圧する必要がある。
例である。図において１０は弾性表面波フィルタを示し
、２は入力電極、３は出力電極、５は圧電基板、７は基
板端面である。次にその動作を説明する。入力電極２に
電気信号を入力すると、圧電基板５上に弾性表面波Ｓ１
が励振、伝搬し、出力電極３に到達しここで再び電気信
号に変換される。これが所望の周波数特性を持つように
入力電極、出力電極が設計されている。所望の周波数特
性を得るためには、この所望の表面波以外の応答を抑圧
する必要がある。この不要波とは第１図に示す基板端面
７で反射して受信電極に到達する表面波Ｓ２、電極から
基板の内部に放射され、基板裏面で反射し受信電極に到
達するバルク波Ｂ１、あるいは基板の厚さで決定される
共振周波数を持つ厚みすべり波共振、等である。これら
の不要波は第２図に示すように周波数特性を劣化させる
。基板端面７で反射して出力電極３に到達する表面波信
号Ｓ１により、第２図ａで示すように通過帯域特性でリ
プルが発生し、基板内部を伝搬し出力電極３に到達する
バルク波Ｂ１により、第２図中すで示すように高域側の
阻止域サイドローブレベルが大きくなる。厚みすべり波
共振では、第２図中Ｃで示すように低域側の阻止域サイ
ドローブが周期的に大きくなるが、加えて、厚みすべり
波共振の高次モードの共振周波数がフィルタの通過帯域
内に入る場合、通過帯域特性にもリプルを発生させ、特
性を劣化させる。これらの中でも、通過帯域特性と通過
帯域近傍の阻止域特性はフィルタの性能を決定する重要
な特性であり、この特性を劣化させる不要波は充分に抑
圧する必要がある。
従来性われているこれらの不要波を抑圧する方法の例を
第３図に示す。第３図において、３０は弾性表面波フィ
ルタを示し、２は入力電極、３は出力電極、５は圧電基
板であり、６は不要表面波Ｓ２を抑圧するための表面波
吸収物質、３２は基板厚さで決定される周波数をもつ厚
み共振を抑圧するために設けた溝で等間隔でその溝の深
さも一定である。しかし、溝の間隔と深さが一定であり
、基板の厚さの選び方によっては、ある周波数の共振が
強く現れる。
第３図に示す。第３図において、３０は弾性表面波フィ
ルタを示し、２は入力電極、３は出力電極、５は圧電基
板であり、６は不要表面波Ｓ２を抑圧するための表面波
吸収物質、３２は基板厚さで決定される周波数をもつ厚
み共振を抑圧するために設けた溝で等間隔でその溝の深
さも一定である。しかし、溝の間隔と深さが一定であり
、基板の厚さの選び方によっては、ある周波数の共振が
強く現れる。
また、基板端面で反射した表面波Ｓ２に関しては第３図
で示すように、基板を電極に対して斜めに切断すること
や配置する表面波吸収物質の面積を大きくするなどの手
法がある。
で示すように、基板を電極に対して斜めに切断すること
や配置する表面波吸収物質の面積を大きくするなどの手
法がある。
一方、厚みすべり波の共振によるスプリアス抑圧のため
には、基板裏面の溝を深く形成するか、あるいは溝の数
（密度）を大きくする等の方法があるが、そのために基
板が割れやすくなり信頼性が低下するという欠点があっ
た。
には、基板裏面の溝を深く形成するか、あるいは溝の数
（密度）を大きくする等の方法があるが、そのために基
板が割れやすくなり信頼性が低下するという欠点があっ
た。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前述の欠点を解決するために、圧電基板の弾
性表面波の伝搬する裏面に、少なくとも２種類以上の深
さの溝、或は穴、等を形成することを特徴とし、その目
的は、基板が割れにくく、かつ基板厚み共振を抑圧した
弾性表面波素子を提供するものである。
性表面波の伝搬する裏面に、少なくとも２種類以上の深
さの溝、或は穴、等を形成することを特徴とし、その目
的は、基板が割れにくく、かつ基板厚み共振を抑圧した
弾性表面波素子を提供するものである。
（実施例）
第４図（ａ）、（ｂ）に溝の深さｄと基板の厚さをｈと
した場合のｄ／ｈが０．２７とした素子の周波数特性を
示す。第５図（ａ）＊（ｂ）に０．２２の素子の周波数
特性を示す、ｄ／ｈが０．２７の素子では、厚みすべり
波共振の高次共振周波数が通過帯域内に入り、通過帯域
内に不要波にょろりプルが発生しており、ｄ／ｈが０．
２２の素子では低域側の阻止域に不要波によるスプリア
ス応答が発生している。（溝の数はどちらも一定でｍで
ある）これらの不要波の抑圧のためには、溝の深さをも
つと大きくするか溝の数を多くする必要がある０例えば
ｄ／ｈが０．３２、溝の数ｍの素子の周波数特性を第６
図（ａ）、（ｂ）に示す。第４図、第５図にみられるよ
うなスプリアス応答のための特性劣化はない。
した場合のｄ／ｈが０．２７とした素子の周波数特性を
示す。第５図（ａ）＊（ｂ）に０．２２の素子の周波数
特性を示す、ｄ／ｈが０．２７の素子では、厚みすべり
波共振の高次共振周波数が通過帯域内に入り、通過帯域
内に不要波にょろりプルが発生しており、ｄ／ｈが０．
２２の素子では低域側の阻止域に不要波によるスプリア
ス応答が発生している。（溝の数はどちらも一定でｍで
ある）これらの不要波の抑圧のためには、溝の深さをも
つと大きくするか溝の数を多くする必要がある０例えば
ｄ／ｈが０．３２、溝の数ｍの素子の周波数特性を第６
図（ａ）、（ｂ）に示す。第４図、第５図にみられるよ
うなスプリアス応答のための特性劣化はない。
第７図（ａ ）、（ｂ ）に本発明の一実施例を示す。
５は圧電基板、７０は基板裏面、７１は電極が配置され
ている基板表面、７２は深さｄ、の溝、７３は深さｄ２
の溝である。第４図、第５図、第６図で示した周波数特
性に対して、本発明を実施した素子の周波数特性を第８
図（ａ）、（ｂ）に示す、溝の深さはｄ／ｈが０．２７
と０．２２の２種類であり、溝の数はそれぞれｍ ／
２である。溝の深さを深くすることなく第６図で示す素
子と同様なスプリアス応答のない良好な特性が得られる
。溝の深さを複数とすることにより、厚みモードの共振
エネルギーを分散させることができ、溝を深くすること
なく、また溝の数（密度）を多くすることなく不要波応
答を抑圧することが可能である。溝の深さが一定な、ｄ
／ｈが０．２７及び０．２２の素子では周波数特性に劣
化があり、溝を深くする必要があったが、溝の深さを２
種類にしただけで劣化のない良好な特性が得られた。こ
の例では、不要波応答のための劣化がない同等の特性を
得るためには、溝の深さが１種類の場合、ｄ／ｈが０．
３２程度必要となるが、溝の深さを２種類にすれば、ｄ
／ｈが０．２７と０．２２と深くない状態で良好な特性
が得られる。また、この場合、溝の数は増加していない
。溝が深くないので基板は割れにくく、信頼性が高い。
ている基板表面、７２は深さｄ、の溝、７３は深さｄ２
の溝である。第４図、第５図、第６図で示した周波数特
性に対して、本発明を実施した素子の周波数特性を第８
図（ａ）、（ｂ）に示す、溝の深さはｄ／ｈが０．２７
と０．２２の２種類であり、溝の数はそれぞれｍ ／
２である。溝の深さを深くすることなく第６図で示す素
子と同様なスプリアス応答のない良好な特性が得られる
。溝の深さを複数とすることにより、厚みモードの共振
エネルギーを分散させることができ、溝を深くすること
なく、また溝の数（密度）を多くすることなく不要波応
答を抑圧することが可能である。溝の深さが一定な、ｄ
／ｈが０．２７及び０．２２の素子では周波数特性に劣
化があり、溝を深くする必要があったが、溝の深さを２
種類にしただけで劣化のない良好な特性が得られた。こ
の例では、不要波応答のための劣化がない同等の特性を
得るためには、溝の深さが１種類の場合、ｄ／ｈが０．
３２程度必要となるが、溝の深さを２種類にすれば、ｄ
／ｈが０．２７と０．２２と深くない状態で良好な特性
が得られる。また、この場合、溝の数は増加していない
。溝が深くないので基板は割れにくく、信頼性が高い。
ここでは、溝についての実験に゛より本発明を説明した
が、これが溝ではなく、単に穴であっても厚み共振を抑
圧することは可能であり、その深さを複数とすることは
同様の効果があることは明白である。また、少なくとも
２種類以上の深さを持つ溝とは第９図の（ａ）、或は（
ｂ）で示すようなものも考えられる。
が、これが溝ではなく、単に穴であっても厚み共振を抑
圧することは可能であり、その深さを複数とすることは
同様の効果があることは明白である。また、少なくとも
２種類以上の深さを持つ溝とは第９図の（ａ）、或は（
ｂ）で示すようなものも考えられる。
（発明の効果）
以上本発明によれば、基板の弾性表面波の伝搬する面の
裏面に、少なくとも２種類以上の深さの溝、或は穴、等
を形成することにより、基板が割れにくく、かつ基板厚
み共振を抑圧することができるので、信頼性が高く高性
能な弾性表面波素子を捉供できるという利点がある。
裏面に、少なくとも２種類以上の深さの溝、或は穴、等
を形成することにより、基板が割れにくく、かつ基板厚
み共振を抑圧することができるので、信頼性が高く高性
能な弾性表面波素子を捉供できるという利点がある。
第１図は弾性表面波フィルタの構造図、第２図は不要波
によるフィルタの周波数特性の劣化を説明した図、第３
図は従来の不要波を抑圧するための手段を施した弾性表
面波フィルタの斜視図、第４図（ａ）、（ｂ）はｄ／ｈ
が０．２７（７）溝を形成した素子の周波数特性図、第
５図（ａ）、（ｂ）はｄ／ｈが０．２２の溝を形成した
素子の周波数特性図で、（ａ）は阻止域を含む振幅特性
図、（ｂ）は通過帯域内の群遅延特性図、第６図（ａ）
、（ｂ）は帯域内の群遅延特性図、第６図（ａ）、（ｂ
）はｄ／ｈが０．３２の溝を形成した阻止の周波数特性
図で、（ａ）は素子域を含む振幅特性図、（ｂ）は通過
帯域内の群遅延特性図、第７図（ａ）。 （ｂ）は本発明の一実施例図、第８図（ａ）。 （ｂ）は本発明を実施した素子のｄ／ｈが０．２７と０
．２２の２種類の深さを持つ溝を形成した場合の周波数
特性例で、（ａ）は阻止域を含む振幅特性図、（ｂ）は
通過帯域内の群遅延特性図、第９図（ａ）、（ｂ）は本
発明による溝の他の実施例図である。 ２・・・入力電極、３・・・出力電極、５圧電基板、７
・・・基板端面、７０・・・基板裏面、７１・・・基板
表面、７２．７３・・・溝。 特許出願人 日本無線株式会社 第１図 第２図 周波数［ＭＨｚ） （ｂ） 周波数［ＭＨｚ］ 図 第７図 （ａ） 溝 （ａ） 周波数［ＭＨｚ］ （ｂ） 周波数［ＭＨｚｌ （ｂ） 周波数［ＭＨｚｌ 第５図 第６図 （ａ） 周波数［Ｍ）４ｚｌ （ｂ） 周波数［ＭＨｚ］ 第８図 （ａ） 周波数［ＭＨｚ］
によるフィルタの周波数特性の劣化を説明した図、第３
図は従来の不要波を抑圧するための手段を施した弾性表
面波フィルタの斜視図、第４図（ａ）、（ｂ）はｄ／ｈ
が０．２７（７）溝を形成した素子の周波数特性図、第
５図（ａ）、（ｂ）はｄ／ｈが０．２２の溝を形成した
素子の周波数特性図で、（ａ）は阻止域を含む振幅特性
図、（ｂ）は通過帯域内の群遅延特性図、第６図（ａ）
、（ｂ）は帯域内の群遅延特性図、第６図（ａ）、（ｂ
）はｄ／ｈが０．３２の溝を形成した阻止の周波数特性
図で、（ａ）は素子域を含む振幅特性図、（ｂ）は通過
帯域内の群遅延特性図、第７図（ａ）。 （ｂ）は本発明の一実施例図、第８図（ａ）。 （ｂ）は本発明を実施した素子のｄ／ｈが０．２７と０
．２２の２種類の深さを持つ溝を形成した場合の周波数
特性例で、（ａ）は阻止域を含む振幅特性図、（ｂ）は
通過帯域内の群遅延特性図、第９図（ａ）、（ｂ）は本
発明による溝の他の実施例図である。 ２・・・入力電極、３・・・出力電極、５圧電基板、７
・・・基板端面、７０・・・基板裏面、７１・・・基板
表面、７２．７３・・・溝。 特許出願人 日本無線株式会社 第１図 第２図 周波数［ＭＨｚ） （ｂ） 周波数［ＭＨｚ］ 図 第７図 （ａ） 溝 （ａ） 周波数［ＭＨｚ］ （ｂ） 周波数［ＭＨｚｌ （ｂ） 周波数［ＭＨｚｌ 第５図 第６図 （ａ） 周波数［Ｍ）４ｚｌ （ｂ） 周波数［ＭＨｚ］ 第８図 （ａ） 周波数［ＭＨｚ］
Claims (1)
- 基板上に入力電極と出力電極を設け、弾性表面波を利
用することにより所定の周波数特性を有する信号を取り
出す弾性表面波素子において、前記基板の裏面に、少な
くとも２種類以上の深さを持つ溝、或は穴を形成したこ
とを特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33201688A JPH02179110A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33201688A JPH02179110A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02179110A true JPH02179110A (ja) | 1990-07-12 |
Family
ID=18250199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33201688A Pending JPH02179110A (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02179110A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704812A2 (en) | 1994-09-28 | 1996-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device improved in convolution efficiency, receiver using it, communication system using it, and method for producing surface acoustic wave device improved in convolution efficiency |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP33201688A patent/JPH02179110A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704812A2 (en) | 1994-09-28 | 1996-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device improved in convolution efficiency, receiver using it, communication system using it, and method for producing surface acoustic wave device improved in convolution efficiency |
| US5708402A (en) * | 1994-09-28 | 1998-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device improved in convolution efficiency, receiver using it, communication system using it, and method for producing surface acoustic wave device improved in convoluting efficiency |
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