JPH0217961B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0217961B2 JPH0217961B2 JP60039812A JP3981285A JPH0217961B2 JP H0217961 B2 JPH0217961 B2 JP H0217961B2 JP 60039812 A JP60039812 A JP 60039812A JP 3981285 A JP3981285 A JP 3981285A JP H0217961 B2 JPH0217961 B2 JP H0217961B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- line
- dielectric substrate
- conductor
- bilateral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/12—Hollow waveguides
- H01P3/123—Hollow waveguides with a complex or stepped cross-section, e.g. ridged or grooved waveguides
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波伝送路の特にその広帯
域化に関するものである。
域化に関するものである。
第３図は例えば、IEEE TRANSACTION
ON MICROWAVE THEORY AND
TECHINIQIES，VOL MTT−22、No.12、1974
に示された従来のマイクロ波伝送路のバイラテラ
ルフインライン９を示すための導波管の一部切断
斜視図である。図において、１は導波管、２は電
界に平行な該導波管１のＥ面に、平行に設けられ
た誘電体基板、３は該誘電体基板２の両面に被着
した導体層即ち金属膜、４はこれら金属膜３に前
記誘電体基板２に対して対称となるように設けら
れ、前記誘電体基板２が露出している細隙部、５
は、バイラテラルフインライン９と導波管１とを
接続するために形成され誘電体基板２が露出して
いるテーパ部である。
ON MICROWAVE THEORY AND
TECHINIQIES，VOL MTT−22、No.12、1974
に示された従来のマイクロ波伝送路のバイラテラ
ルフインライン９を示すための導波管の一部切断
斜視図である。図において、１は導波管、２は電
界に平行な該導波管１のＥ面に、平行に設けられ
た誘電体基板、３は該誘電体基板２の両面に被着
した導体層即ち金属膜、４はこれら金属膜３に前
記誘電体基板２に対して対称となるように設けら
れ、前記誘電体基板２が露出している細隙部、５
は、バイラテラルフインライン９と導波管１とを
接続するために形成され誘電体基板２が露出して
いるテーパ部である。
従来のマイクロ波伝送路は上記のように構成さ
れ、導波管１を伝搬する電波は前記誘電体基板２
の両面に被着した金属膜３のテーパ部５を経由
し、大きな反射を生じることなく、細隙部４に電
磁界の集中するバイラテラルフインライン９を伝
搬するようになる。前述したバイラテラルフイン
ライン９は前記細隙部４が、フオトエツチング手
法等によつて任意の形状に構成できるうえ、導波
管１に比較して半導体素子、抵抗、キヤパシタ等
の集中定数素子を装着し易い特長があり、マイク
ロ波帯のスイツチ、変調器ミキサ等を構成するた
めの伝送路として用いられる。又、前記バイラテ
ラルフインライン９は、電波伝搬方向と直交する
横断断面が前記誘電体基板２に対して対称な構造
を有しているので、TE20の導波管モードに相当
するモードは励振されず、TE30の導波管モード
に相当するモードが不要な高次モードとなる。第
４図は上述したごとき構成のバイラテラルフイン
ライン中、例えばWRJ−140の導波管（内径寸法
15.8×7.9mm）内に、厚さ1.7mm、比誘電率2.2の誘
電体基板２を装荷し細隙部４の幅を0.3mmに設定
したバイラテラルフインライン９に関する伝搬定
数の分散特性を示したものである。第４図を参照
して明らかなように前述のごとき構成のバイラテ
ラルフインラインにおいては、基本モードの遮断
周波数が4.2GHz、高次モードの遮断周波数が22G
Hzとなり、4.2GHzから22GHzまでの広帯域伝送が
可能なことがわかる。
れ、導波管１を伝搬する電波は前記誘電体基板２
の両面に被着した金属膜３のテーパ部５を経由
し、大きな反射を生じることなく、細隙部４に電
磁界の集中するバイラテラルフインライン９を伝
搬するようになる。前述したバイラテラルフイン
ライン９は前記細隙部４が、フオトエツチング手
法等によつて任意の形状に構成できるうえ、導波
管１に比較して半導体素子、抵抗、キヤパシタ等
の集中定数素子を装着し易い特長があり、マイク
ロ波帯のスイツチ、変調器ミキサ等を構成するた
めの伝送路として用いられる。又、前記バイラテ
ラルフインライン９は、電波伝搬方向と直交する
横断断面が前記誘電体基板２に対して対称な構造
を有しているので、TE20の導波管モードに相当
するモードは励振されず、TE30の導波管モード
に相当するモードが不要な高次モードとなる。第
４図は上述したごとき構成のバイラテラルフイン
ライン中、例えばWRJ−140の導波管（内径寸法
15.8×7.9mm）内に、厚さ1.7mm、比誘電率2.2の誘
電体基板２を装荷し細隙部４の幅を0.3mmに設定
したバイラテラルフインライン９に関する伝搬定
数の分散特性を示したものである。第４図を参照
して明らかなように前述のごとき構成のバイラテ
ラルフインラインにおいては、基本モードの遮断
周波数が4.2GHz、高次モードの遮断周波数が22G
Hzとなり、4.2GHzから22GHzまでの広帯域伝送が
可能なことがわかる。
しかしながら上述したごとき構成の従来のマイ
クロ波伝送路にあつては、電波の入出力が導波管
１を介して行なわれていたために、例えば、第４
図に示したWRJ−140の導波管では、基本モード
のしや断周波数が9.5GHzとなり、これによつて
バイラテラルフインラインの伝搬可能周波数が
9.5〜22GHzと狭帯域化されるがごとき、導波管
の基本モードの伝搬周波数によつて伝搬可能周波
数が制限されるという問題点があつた。
クロ波伝送路にあつては、電波の入出力が導波管
１を介して行なわれていたために、例えば、第４
図に示したWRJ−140の導波管では、基本モード
のしや断周波数が9.5GHzとなり、これによつて
バイラテラルフインラインの伝搬可能周波数が
9.5〜22GHzと狭帯域化されるがごとき、導波管
の基本モードの伝搬周波数によつて伝搬可能周波
数が制限されるという問題点があつた。
この発明は、かかる問題点を改善するためにな
されたもので、導波管の基本モードの伝搬周波数
でバイラテラルフインラインの伝搬可能周波数が
制限されることがなく、広帯域伝送が可能なマイ
クロ波伝送路を得ることを目的とする。
されたもので、導波管の基本モードの伝搬周波数
でバイラテラルフインラインの伝搬可能周波数が
制限されることがなく、広帯域伝送が可能なマイ
クロ波伝送路を得ることを目的とする。
この発明に係るマイクロ波伝送路は、ストリツ
プ導体を、誘電体基板内に、該基板の両面に形成
した細隙部の配設位置と直交するように埋設して
導体層を地導体とするトリプレート型ストリツプ
線路を構成し、前記ストリツプ導体の一端側をマ
イクロ波の入出力端に、他端側を所定の長さを有
する開放端、又は該ストリツプ導体と前記導体層
とを接続する短絡端としたものである。
プ導体を、誘電体基板内に、該基板の両面に形成
した細隙部の配設位置と直交するように埋設して
導体層を地導体とするトリプレート型ストリツプ
線路を構成し、前記ストリツプ導体の一端側をマ
イクロ波の入出力端に、他端側を所定の長さを有
する開放端、又は該ストリツプ導体と前記導体層
とを接続する短絡端としたものである。
この発明におけるマイクロ波伝送路は、電波
が、電波伝搬方向と直交する横断断面が誘電体基
板に対して対称な構造のトリプレート形ストリツ
プ線路を介して前記バイラテラルフインラインを
伝搬する。そのため導波管のTE20モードに相当
する不要モードは励振されず、かつ、トリプレー
ト形ストリツプ線路に遮断周波数がないので、従
来、導波管の基本モードの遮断周波数で制限され
ていた伝搬可能周波数帯域をバイラテラルフイン
ラインの伝搬可能周波数帯域に拡大することがで
きるものである。
が、電波伝搬方向と直交する横断断面が誘電体基
板に対して対称な構造のトリプレート形ストリツ
プ線路を介して前記バイラテラルフインラインを
伝搬する。そのため導波管のTE20モードに相当
する不要モードは励振されず、かつ、トリプレー
ト形ストリツプ線路に遮断周波数がないので、従
来、導波管の基本モードの遮断周波数で制限され
ていた伝搬可能周波数帯域をバイラテラルフイン
ラインの伝搬可能周波数帯域に拡大することがで
きるものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図ａはこの発明の一実施例を示す一部切
断斜視図、第１図ｂは第１図ａのAA断面図であ
り、１〜４と９とは上記従来のマイクロ波伝送路
と全く同一のものである。第１図ａ，ｂにおいて
６はストリツプ導体であり、前記誘電体基板２内
に、前記細隙部４の形成位置と直交するように基
板面に沿つて上方から埋設されている。該ストリ
ツプ導体６が中心導体となつて前記金属膜３を地
導体として前記誘電体基板２内にストリツプ線路
１０が構成されている。７は前記ストリツプ導体
６を有するトリプレート形ストリツプ線路１０
と、外部回路（図示せず）を接続する同軸コネク
タである。
る。第１図ａはこの発明の一実施例を示す一部切
断斜視図、第１図ｂは第１図ａのAA断面図であ
り、１〜４と９とは上記従来のマイクロ波伝送路
と全く同一のものである。第１図ａ，ｂにおいて
６はストリツプ導体であり、前記誘電体基板２内
に、前記細隙部４の形成位置と直交するように基
板面に沿つて上方から埋設されている。該ストリ
ツプ導体６が中心導体となつて前記金属膜３を地
導体として前記誘電体基板２内にストリツプ線路
１０が構成されている。７は前記ストリツプ導体
６を有するトリプレート形ストリツプ線路１０
と、外部回路（図示せず）を接続する同軸コネク
タである。
上記のように構成されたマイクロ波伝送路にお
いて、同軸コネクタ７から入射した電波は、前述
した先端が開放或いは短絡された構成のストリツ
プ導体６と金属膜３とからなるトリプレート形ス
トリツプ線路１０を伝搬するとともに前記誘電体
基板２の両面に形成されている細隙部４において
磁界が強められ、前記誘電体基板２の両面に形成
されているバイラテラルフインライン９を伝搬す
る電波のモードに速やかに変換される。又、前記
バイラテラルフインライン９は第２図にて図示す
るごとく夫々一端側が導波管１に短絡され、他端
側が前記細隙部４によつて開放され電波が該細隙
部４側を伝搬する構成となつているので、広い周
波数帯域にわたつて低反射な特性で前記トリプレ
ート形ストリツプ線路１０の電波モードから前記
バイラテラルフインライン９の電波モードへの変
換が可能である。そのうえ、前記トリプレート形
ストリツプ線路１０には、遮断周波数がないた
め、バイラテラルフインライン９の遮断周波数、
高次モードで決定される広帯域伝送が可能とな
り、半導体素子をバイラテラルフインライン９に
装着して構成されるスイツチ、変調器、ミキサ等
のマイクロ波デバイスの広帯域化も可能となる。
いて、同軸コネクタ７から入射した電波は、前述
した先端が開放或いは短絡された構成のストリツ
プ導体６と金属膜３とからなるトリプレート形ス
トリツプ線路１０を伝搬するとともに前記誘電体
基板２の両面に形成されている細隙部４において
磁界が強められ、前記誘電体基板２の両面に形成
されているバイラテラルフインライン９を伝搬す
る電波のモードに速やかに変換される。又、前記
バイラテラルフインライン９は第２図にて図示す
るごとく夫々一端側が導波管１に短絡され、他端
側が前記細隙部４によつて開放され電波が該細隙
部４側を伝搬する構成となつているので、広い周
波数帯域にわたつて低反射な特性で前記トリプレ
ート形ストリツプ線路１０の電波モードから前記
バイラテラルフインライン９の電波モードへの変
換が可能である。そのうえ、前記トリプレート形
ストリツプ線路１０には、遮断周波数がないた
め、バイラテラルフインライン９の遮断周波数、
高次モードで決定される広帯域伝送が可能とな
り、半導体素子をバイラテラルフインライン９に
装着して構成されるスイツチ、変調器、ミキサ等
のマイクロ波デバイスの広帯域化も可能となる。
第２図はこの発明のさらに他の実施例を示すマ
イクロ波伝送路の前記第１図ｂに相当する横断断
面図であり、誘電体基板２の中に埋設されたスト
リツプ導体６の先端部に接続導体８を設け、該接
続導体８によつてストリツプ導体６と金属膜３と
を接続したものである。
イクロ波伝送路の前記第１図ｂに相当する横断断
面図であり、誘電体基板２の中に埋設されたスト
リツプ導体６の先端部に接続導体８を設け、該接
続導体８によつてストリツプ導体６と金属膜３と
を接続したものである。
以上のように、この発明によればバイラテラル
フインラインを構成している誘電体基板の両面に
被着した導体層を地導体とし、誘電体基板内に設
けたストリツプ導体を中心導体とするトリプレー
ト形ストリツプ線路を介して電波が前記バイラテ
ラルフインラインを伝搬するように構成したので
導波管の基本モードの伝搬周波数でバイラテラル
フインラインの伝搬可能周波数が制限されること
がなく、広帯域伝送が可能なマイクロ波伝送路が
得られる効果がある。
フインラインを構成している誘電体基板の両面に
被着した導体層を地導体とし、誘電体基板内に設
けたストリツプ導体を中心導体とするトリプレー
ト形ストリツプ線路を介して電波が前記バイラテ
ラルフインラインを伝搬するように構成したので
導波管の基本モードの伝搬周波数でバイラテラル
フインラインの伝搬可能周波数が制限されること
がなく、広帯域伝送が可能なマイクロ波伝送路が
得られる効果がある。
第１図ａはこの発明の一実施例によるマイクロ
波伝送路を示す一部切断斜視図、第１図ｂは第１
図ａのAA断面図、第２図はこの発明の他の実施
例を示す前記第１図ｂに相当する横断断面図、第
３図は従来のマイクロ波伝送路のバイラテラルフ
インラインを示すための導波管の一部切断斜視
図、第４図はバイラテラルフインラインを伝搬す
る基本モードと高次モードの伝搬定数の分散特性
とを示した図である。 １は導波管、２は誘電体基板、３は金属膜、４
は細隙部、６はストリツプ導体、８は接続導体、
９はバイラテラルフインライン、１０はトリプレ
ート型ストリツプ線路である。なお、図中、同一
符号は同一、又は相当部分を示す。
波伝送路を示す一部切断斜視図、第１図ｂは第１
図ａのAA断面図、第２図はこの発明の他の実施
例を示す前記第１図ｂに相当する横断断面図、第
３図は従来のマイクロ波伝送路のバイラテラルフ
インラインを示すための導波管の一部切断斜視
図、第４図はバイラテラルフインラインを伝搬す
る基本モードと高次モードの伝搬定数の分散特性
とを示した図である。 １は導波管、２は誘電体基板、３は金属膜、４
は細隙部、６はストリツプ導体、８は接続導体、
９はバイラテラルフインライン、１０はトリプレ
ート型ストリツプ線路である。なお、図中、同一
符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 導波管と、該導波管内に該導波管を伝搬する
基本モードの電界面に沿つて平行に且つ長手方向
両端部が導波管に各々連接して装荷され、両面に
長手方向両端部が前記導波管と各々連接する導体
層が被着された誘電体基板とを有し、前記導体層
には、誘電体基板に対して対称な位置に導体層の
長手方向に沿つて細隙部を形成して前記誘電体基
板の両面をバイラテラルフインラインに構成した
マイクロ波伝送路において、前記誘電体基板内に
前記細隙部の形成位置と直交するように該基板面
に沿つてストリツプ導体を埋設して前記導体層を
地導体とするトリプレート型ストリツプ線路を構
成するとともに、前記ストリツプ導体の一端側は
マイクロ波の入出力端に、他端側は所定の長さを
有する開放端或いは該ストリツプ導体と前記導体
層とを接続する短絡端としたことを特徴とするマ
イクロ波伝送路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039812A JPS61199302A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | マイクロ波伝送路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60039812A JPS61199302A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | マイクロ波伝送路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199302A JPS61199302A (ja) | 1986-09-03 |
| JPH0217961B2 true JPH0217961B2 (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=12563378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60039812A Granted JPS61199302A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | マイクロ波伝送路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199302A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5004993A (en) * | 1989-09-19 | 1991-04-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Constricted split block waveguide low pass filter with printed circuit filter substrate |
| JP5184562B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-04-17 | 日本電信電話株式会社 | フィンライン型導波管構造、偏波分離器およびフィンライン型導波管構造の製造方法 |
| JP5184561B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2013-04-17 | 日本電信電話株式会社 | フィンライン型導波管構造、偏波分離器およびフィンライン型導波管構造の製造方法 |
| FR3095303B1 (fr) * | 2019-04-18 | 2021-04-09 | Thales Sa | Ecran polariseur a cellule(s) polarisante(s) radiofrequence(s) large bande |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60039812A patent/JPS61199302A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61199302A (ja) | 1986-09-03 |
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