JPH02182008A - カレントミラー回路 - Google Patents

カレントミラー回路

Info

Publication number
JPH02182008A
JPH02182008A JP1002406A JP240689A JPH02182008A JP H02182008 A JPH02182008 A JP H02182008A JP 1002406 A JP1002406 A JP 1002406A JP 240689 A JP240689 A JP 240689A JP H02182008 A JPH02182008 A JP H02182008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
channel transistor
node
circuit
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1002406A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Nobukawa
秀夫 延川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1002406A priority Critical patent/JPH02182008A/ja
Publication of JPH02182008A publication Critical patent/JPH02182008A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はMOS)ランジスタの寄生容量により生じる電
圧及び電流の過渡特性を良(するために、N P N 
t−ランジスタを用いたカレントミラー回路に関するも
のである。
従来の技術 近年、回路の高速化が望まれている。
第2図は、従来のカレントミラー回路の一例を示す回路
図である。第2図は、ドレインが電源に接続され、ゲー
トが制御信号線11に接続され、ソースがNチャンネル
トランジスタ13のソースに接続された、Nチャンネル
トランジスタ12と、ドレインが出力端子14に接続さ
れ、更に抵抗15を介して電源に接続され、ゲートが定
電圧回路16に接続され、ソースがNチャンネルトラン
ジスタ17のドレインに接続された、Nチャンネルトラ
ンジスタ13と、ドレインがNチャンネルトランジスタ
12のソースに接続され、ゲートがNチャンネルトラン
ジスタ18のゲートとドレインとに接続され、ソースが
接地されたNチャンネルトランジスタ17と、ドレイン
が定電流回路19に接続され、ゲート・がソースと同じ
(、定電流回路19に接続され、ドレインが接地された
、Nチャンネルトランジスタ18から構成されたノルン
トミラー回路である。以下その動作を説明する。まず制
御信号線11がローレベルの時、Nチャンネルトランジ
スタ13はオンし、逆にNチャンネルトランジスタ12
はオフする。制御信号線11がハイレベルの時、Nチャ
ンネルトランジスタ13はオフし、逆にNチャンネルト
ランジスタ12はオンする。Nチャンネルトランジスタ
13がオンした時、出力端子14の電圧は、カレントミ
ラー回路によりNチャンネルトランジスタ18と同じ電
流IDSが抵抗15に流れ、電源電圧から電圧降下分下
がった電圧が表われ、Nチャンネルトランジスタ13が
オフした時、出力端子14の電圧は電源電圧の値が表わ
れる。
発明が解決しようとする課題 しかしながらMOSトランジスタには、第2図に示すよ
うにゲート・ソース及びゲート・ドレイン間に寄生容量
CGS及びCGDがある。特にノードN1とN2に接続
する寄生容M20は容量が大きく、回路に悪影響を与え
る。ノードN1の電圧は、Nチャンネルトランジスタ1
2がオン、Nチャンネルトランジスタ13がオフの時と
Nチャンネルトランジスタ12がオフ、Nチャンネルト
ランジスタ13がオンの時では変化する。ノードN1の
電圧がNチャンネルトランジスタ12.13がオン、オ
フに切り換わることにより、以前の電圧よりも高くなる
と、ノードN1から寄生容量20を通りノード番号N2
へ電流が流れ、ノード番号N2の電圧が寄生容量20が
定常状態になるまで上がる。逆にノードN1の電圧がN
チャンネル]・ランジスタ12.13がオフ、オンに切
り換わることにより、以前の電圧よりも低くなると、ノ
ードN2から寄生容量20を通って、ノードN1へ流れ
込むため、ノードN2の電圧は、寄生容量20が定常状
態になるまで下がる。以上のように、寄生容量20の過
渡特性のため、回路の動作が遅くなる。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、寄生容量
による過渡特性を良くし、回路の動作を高速化したカレ
ントミラー回路を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明では、ソース接地し
た第1.第2のMOSトランジスタの各ゲートを共通接
続し、第1のMOSトランジスタのドレインと、バイポ
ーラトランジスタのベースを定電流源に接続して前記バ
イポーラトランジスタのエミッタを前記第1.第2のM
OSトランジスタのゲートに接続された回路でカレント
ミラー回路を構成している。
作用 この構成によって、差動型回路を構成するMOSトラン
ジスタのオン、オフによる電圧の変化分による、寄生容
量の過渡特性を速やかに定常状態にすることができ、回
路の動作を高速化することができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
第1図は本発明の一実施例カレントミラー回路の構成を
示すものである。第1図では、コレクタが電源に接続さ
れ、ベースが定電流回路に接続され、エミッタが抵抗を
介して接地されたNPN トランジスタ10と、ドレイ
ンが電源に接続され、ゲートが制御信号1に接続され、
ソースがNチャンネルトランジスタ3のソース(:、接
続された、Nチャンネルトランジスタ2と、ドレインが
出力端子14に接続され、更に抵抗5を介して電源に接
続され、ゲートが定電圧回路6に接続され、ソースがN
チャンネルトランジスタ7のドレインに接続されたNチ
ャンネルトランジスタ3とドレインが前記Nチャンネル
トランジスタ2のソースに接続され、ゲートが前HaN
PNトランジスタ10のエミッタに接続され、ソースが
接地されたNチャンネルトランジスタ7と、ドレインが
前記NPNトランジスタ10のベースに接続され、ゲー
トが前記Nチャンネルトランジスタ7のゲートに接続さ
れ、ソースが接地された回路構成をもつ。
つぎに、本実施例のカレントミラー回路について、その
動作を説明する。
まず、制御信号111がローレベル信号の時、Nチャン
ネルトランジスタ3はオンし、逆Nチャンネルトランジ
スタ2はオフする。制御信号n1がハイレベル信号の時
、Nチャンネルトランジスタ3はオフし、逆にNチャン
ネルトランジスタ2はオンする。Nチャンネルトランジ
スタ3がオンした時、出力端子4の電圧はカレントミラ
ー回路によりNチャンネルトランジスタ8と同じ電流I
DSが抵抗5に流れ、電源電圧から電圧降下分下がった
電圧が表われ、Nチャンネルトランジスタ3がオフした
時、出力端子4の電圧は電源電圧の値が表われる。Nチ
ャンネルトランジスタ2,3が制御信号によりオン、オ
フと交互に切り換わると、ノードN3の電圧はNチャン
ネルトランジスタ2.3のオン、オフに合わせ変化する
。ノードN3の電圧がNチャンネルトランジスタ2,3
のオン、オフに切り換わることにより、以前の電圧より
も高くなると、ノードN3から、ノードN3゜N4間に
つながる寄生容量21を通り、ノードN4と接地につな
がる抵抗11へと電流が流れる。抵抗11がないと、ノ
ードN3の電圧が以前より高くなることにより生じる電
流がノードN4へ流れ込み、ノードN4の電圧は、寄生
容量21が定常状態になるまで上がる。つまり、抵抗1
1をもうけることにより、ノードN4の電圧変化を防ぎ
、回路の動作を速めることができる。逆にノードN3の
電圧がNチャンネルトランジスタ2,3のオフ、オンに
切り換わることにより、以前の電圧よりも低くなると、
ノードN4から寄生容量21を通って、ノードN3へ流
れ込む。この時、NPNトランジスタ10がないと、ノ
ードN4から寄生容量21を通って、ノードN3へ流れ
込むため、ノードN4の電圧は寄生容量21が定常状態
になるまで下がり変化する。しかし、NPN hランジ
スタ10があると、ノードN3へ流れ、寄生容量21を
定常状態にもっていくために必要な電流をNPN トラ
ンジスタ10で供給するため、ノードN4の電圧は変化
しにくくなり、ノードN4の過渡特性を良くし、回路の
動作を進めることができる。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、ノードN1の電圧
変化と、寄生容量21により生じる。
ノードN4の過渡特性が、MOSカレントミラー回路に
NPN hランジスタ10と抵抗11を付属させること
により良くなり、高速な回路動作が実現でき、実用上の
効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例カレントミラー回路の回
路図、第2図は従来のMOSカレントミラー回路の回路
図である。 1.11・・・・・・制御信号、4,14・・・・・・
出力端子、2.3.7.8.12,13.17.18・
・・・・・Nチャンネルトランジスタ、5,11.15
・・・・・・抵抗、6,16・・・・・・定電圧回路、
10・・・・・・NPNトランジスタ、19・・・・・
・定電流回路、20.21・・・・・・寄生容量。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名高2図 4・・−=汝tlh子 s、n−一抵抗 6−′一定電工!降

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ソース接地した第1、第2のMOSトランジスタの各ゲ
    ートを共通接続し、前記第1のMOSトランジスタのド
    レインとバイポーラトランジスタのベースとの共通接続
    部に定電流源を接続して前記バイポーラトランジスタの
    エミッタを前記第1、第2のMOSトランジスタの各ゲ
    ート共通接続部に接続したことを特徴とする、カレント
    ミラー回路。
JP1002406A 1989-01-09 1989-01-09 カレントミラー回路 Pending JPH02182008A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1002406A JPH02182008A (ja) 1989-01-09 1989-01-09 カレントミラー回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1002406A JPH02182008A (ja) 1989-01-09 1989-01-09 カレントミラー回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02182008A true JPH02182008A (ja) 1990-07-16

Family

ID=11528364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1002406A Pending JPH02182008A (ja) 1989-01-09 1989-01-09 カレントミラー回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02182008A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013029963A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 New Japan Radio Co Ltd 定電圧出力回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276908A (ja) * 1986-02-19 1987-12-01 Hitachi Ltd 半導体回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62276908A (ja) * 1986-02-19 1987-12-01 Hitachi Ltd 半導体回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013029963A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 New Japan Radio Co Ltd 定電圧出力回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63193720A (ja) 論理回路
JPH03226003A (ja) 電子コンパレータ回路
US4717847A (en) TTL compatible CMOS input buffer
US4656374A (en) CMOS low-power TTL-compatible input buffer
JPH0583004B2 (ja)
KR930004351B1 (ko) 레벨 변환회로
JPH0287819A (ja) BiCMOS論理回路
JPH02243018A (ja) BiCMOSインバータ回路
US5059827A (en) ECL circuit with low voltage/fast pull-down
JPH03158018A (ja) 入力回路
KR940007978B1 (ko) 출력회로
JPH08251007A (ja) BiCMOS論理ゲート回路
KR0165986B1 (ko) BiCMOS 논리 회로
KR910014944A (ko) 반도체 집적회로장치
JP2953005B2 (ja) Bi―CMOS回路
JPS61174814A (ja) Ecl出力回路
JPH0535624Y2 (ja)
JPS602672Y2 (ja) 半導体集積回路装置
JP2586601B2 (ja) カレントミラー回路
JPH0497616A (ja) レベルシフタ回路
JP3073064B2 (ja) 多入力論理回路及び半導体メモリ
JPH05268061A (ja) Ecl論理回路
JP2926746B2 (ja) 半導体増幅回路
JPH02295314A (ja) エミッタ結合型論理回路
JPH04369116A (ja) 出力回路