JPH02184566A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPH02184566A JPH02184566A JP1001657A JP165789A JPH02184566A JP H02184566 A JPH02184566 A JP H02184566A JP 1001657 A JP1001657 A JP 1001657A JP 165789 A JP165789 A JP 165789A JP H02184566 A JPH02184566 A JP H02184566A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は(Sr+−gCa、+) Ti、 olを主
成分とする電圧非直線抵抗体を得るための磁器組成物に
関するものである。
成分とする電圧非直線抵抗体を得るための磁器組成物に
関するものである。
〈従来の技術とその課題〉
電子機器で発生する異常電圧、ノイズ等を吸収もしくは
除去するために種々のバリスタが使用されている。
除去するために種々のバリスタが使用されている。
チタン酸ストロンチウムを主成分とする電圧非直線性抵
抗体は異常電圧、ノイズを吸収するバリスタとしての機
能のほか、コンデンサとしての機能を有している。
抗体は異常電圧、ノイズを吸収するバリスタとしての機
能のほか、コンデンサとしての機能を有している。
この種の材料としては、特開昭58−16504号公報
、特開昭58−91602号公報に開示されているよう
に、S rT 101 %あるいはSrt−xcaxT
iOm (0,01≦x≦0.5)を主成分とし、これ
に半導体化のための成分としてNbaOs 、 TaJ
s 、WO’s、La5hs % Ce0a、Nd、0
. 、YIOAなどの金属酸化物およびサージ劣化防止
のためのNazOを含有したものからなっている。
、特開昭58−91602号公報に開示されているよう
に、S rT 101 %あるいはSrt−xcaxT
iOm (0,01≦x≦0.5)を主成分とし、これ
に半導体化のための成分としてNbaOs 、 TaJ
s 、WO’s、La5hs % Ce0a、Nd、0
. 、YIOAなどの金属酸化物およびサージ劣化防止
のためのNazOを含有したものからなっている。
しかしながら、これら従来の組成物はアルカリ金属酸化
物であるNa、Oを粒界に拡散させていることによって
非直線係数(α)やサージ耐量等のバリスタ特性を向上
させることが可能であるが、反面このために耐湿性、特
に高湿度雰囲気中での特性の経時変化が大きいという欠
点がみられるのである。
物であるNa、Oを粒界に拡散させていることによって
非直線係数(α)やサージ耐量等のバリスタ特性を向上
させることが可能であるが、反面このために耐湿性、特
に高湿度雰囲気中での特性の経時変化が大きいという欠
点がみられるのである。
これはアルカリ金属がイオン化傾向大きく、このため高
湿度雰囲気中で外部電極あるいは電極中のガラスフリッ
トと反応して電極を腐食させたり、または腐食によって
抵抗数が発生して特性が変化していくためである。
湿度雰囲気中で外部電極あるいは電極中のガラスフリッ
トと反応して電極を腐食させたり、または腐食によって
抵抗数が発生して特性が変化していくためである。
〈発明の目的〉
この発明は上記に鑑みて高い電圧非直線係数(α)とサ
ージ耐量を持ち、高湿度中での耐湿性にすぐれた電圧非
直線抵抗体用の磁器組成物を提供することを目的とする
ものである。
ージ耐量を持ち、高湿度中での耐湿性にすぐれた電圧非
直線抵抗体用の磁器組成物を提供することを目的とする
ものである。
〈課題を解決するための手段〉
即ち、この発明は上記した問題点を解決するためになさ
れたものであって、 (Srt−xCa、)Tiy Os (但し、O≦x≦
0.25.0、996≦y≦1.003 )が98.0
〜99.9モル%と、Nb、 W、 Ta、 In、
Yあるいは希土類元素の酸化物0.1〜2.0モル%と
からなる半導体磁器にNax My Oz (但し、
MはNb、Pのうち少なくとも1種、x=2n、y=2
n′、zzn÷5n’であって、n 、 n’は自然数
) が0,01〜1.0重量%含有されてなる電圧非直線抵
抗体用磁器組成物を提供するものである。
れたものであって、 (Srt−xCa、)Tiy Os (但し、O≦x≦
0.25.0、996≦y≦1.003 )が98.0
〜99.9モル%と、Nb、 W、 Ta、 In、
Yあるいは希土類元素の酸化物0.1〜2.0モル%と
からなる半導体磁器にNax My Oz (但し、
MはNb、Pのうち少なくとも1種、x=2n、y=2
n′、zzn÷5n’であって、n 、 n’は自然数
) が0,01〜1.0重量%含有されてなる電圧非直線抵
抗体用磁器組成物を提供するものである。
〈作用〉
この発明で主成分として用いる(Srt−xCaj T
zy03において、yの量を0.996〜1.003の
範囲とするのは、yが1.000未満〜0.996の範
囲ではサージ耐量が改善され、一方yが1.000〜1
.003の範囲では特性が安定し、バラツキが小さくな
るという効果が得られるからである。
zy03において、yの量を0.996〜1.003の
範囲とするのは、yが1.000未満〜0.996の範
囲ではサージ耐量が改善され、一方yが1.000〜1
.003の範囲では特性が安定し、バラツキが小さくな
るという効果が得られるからである。
また、(Srt−xcax) Txy Oxにおいて、
Xを0≦x≦0.25とするのはCa量が0.25を越
えると、サージ耐量が低下して好ましくないためであり
、半導体化剤としてのNb、 W、 Ta、 In、
Yあるいは希土類元素の酸化物の量を0.1〜2.0モ
ル%とするのはこれらの酸化物が0モル%ではバリタス
特性を示さず、2.0モル%を越えるとサージ耐量が低
下する。
Xを0≦x≦0.25とするのはCa量が0.25を越
えると、サージ耐量が低下して好ましくないためであり
、半導体化剤としてのNb、 W、 Ta、 In、
Yあるいは希土類元素の酸化物の量を0.1〜2.0モ
ル%とするのはこれらの酸化物が0モル%ではバリタス
特性を示さず、2.0モル%を越えるとサージ耐量が低
下する。
また酸化剤として用いるNaxMyOzで表わされる化
合物の量が0.01重量%よりも少ないと、バリスタ圧
および電圧非直線係数が小さくなり、1.0重量%を越
える場合はサージ耐量が低下する。
合物の量が0.01重量%よりも少ないと、バリスタ圧
および電圧非直線係数が小さくなり、1.0重量%を越
える場合はサージ耐量が低下する。
〈実施例〉
以下この発明を実施例により詳細に説明する。
5rCOs 、Ti0z、CaO、La2’s 、Yi
Os、εr203の各粉末を第1表に示す組成比となる
ように秤量配合し、湿式で混合して乾燥した後、115
0’Cで2時間仮焼した。
Os、εr203の各粉末を第1表に示す組成比となる
ように秤量配合し、湿式で混合して乾燥した後、115
0’Cで2時間仮焼した。
次いで粉砕後、酢酸ビニル系樹脂を5重量%添加して得
られた造粒粉を1ton/ cm”の圧力で直径loa
mφ、1.5mm厚のベレット状に成形した。
られた造粒粉を1ton/ cm”の圧力で直径loa
mφ、1.5mm厚のベレット状に成形した。
得られた成形体を空気中で1000℃、2時間焼成した
後、Ha/ N*= 1/100 (vol比)の混
合ガス雰囲気中で1450℃、2時間焼成して半導体磁
器を得た。
後、Ha/ N*= 1/100 (vol比)の混
合ガス雰囲気中で1450℃、2時間焼成して半導体磁
器を得た。
一方、Na、OとNbzOaあるいはP2O6を一定比
で溶融させてNag Nb5Os s Na1P40+
+ 、Na4NbiOt、Na*PiOa 、Na1P
40++などの化合物を得、これらをそれぞれ−400
以下の微粉に粉砕した。
で溶融させてNag Nb5Os s Na1P40+
+ 、Na4NbiOt、Na*PiOa 、Na1P
40++などの化合物を得、これらをそれぞれ−400
以下の微粉に粉砕した。
上記で得た半導体磁器と化合物粉末を混合し、1200
℃で2時間熱処理を行なった。
℃で2時間熱処理を行なった。
かくして得られた磁器ユニットの対向面に銀電極を設け
て電圧非直線性抵抗体素子を得、該素子のバリスタ電圧
v1、非直線係数α、サージ電圧印加による■、および
αの変化率Δv2、Δα等の電気的特性を調べたところ
第1表に示す結果が得られた。
て電圧非直線性抵抗体素子を得、該素子のバリスタ電圧
v1、非直線係数α、サージ電圧印加による■、および
αの変化率Δv2、Δα等の電気的特性を調べたところ
第1表に示す結果が得られた。
なお、表中の試料勲に*印を付したものはこの発明の請
求範囲外である。
求範囲外である。
また、第1表中の試料No、 2で得られたこの発明の
電圧非直線抵抗素子とSra、 aacao、 zoT
LOs、99.0モル%、Y、0.0.5モル%、Na
no O,5モル%からなる従来の電圧非直線抵抗素子
とを60℃、相対湿度(R1()95%中に放置し、湿
中での誘電損失の経時変化を調べたところ、第1図の結
果が得られ、この発明の磁器組成物によるものが高温高
温中での耐湿性において非常に優れていることが認めら
れた。
電圧非直線抵抗素子とSra、 aacao、 zoT
LOs、99.0モル%、Y、0.0.5モル%、Na
no O,5モル%からなる従来の電圧非直線抵抗素子
とを60℃、相対湿度(R1()95%中に放置し、湿
中での誘電損失の経時変化を調べたところ、第1図の結
果が得られ、この発明の磁器組成物によるものが高温高
温中での耐湿性において非常に優れていることが認めら
れた。
〈発明の効果〉
以上説明したように、この発明によれば5000A/c
I112のサージ電圧印加後のサージ耐量にすぐれ、非
直線係数(α)がα>15と高い値が得られ、かつ高温
高温中における誘電損失の経時変化が小さい、即ち耐湿
特性にすぐれた電圧非直線抵抗体用の磁器組成物が得ら
れるのである。
I112のサージ電圧印加後のサージ耐量にすぐれ、非
直線係数(α)がα>15と高い値が得られ、かつ高温
高温中における誘電損失の経時変化が小さい、即ち耐湿
特性にすぐれた電圧非直線抵抗体用の磁器組成物が得ら
れるのである。
第1図はこの発明の磁器組成物を用いた電圧非直線抵抗
体の高温高温中での誘電損失の経時変化を示す線図であ
る。
体の高温高温中での誘電損失の経時変化を示す線図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (Sr_1_−_xCa_x)Ti_yO_3(但し、
0≦x≦0.25、0.996≦y≦1.003)が9
8.8〜99.9モル%と、Nb、W、Ta、In、Y
あるいは希土類元素の酸化物0.1〜2.0モル%とか
らなる半導体磁器にNa_xM_yO_z(但し、Mは
Nb、Pのうち少なくとも1種、x=2n、y=2n’
、z=n+5n’であって、n、n’は自然数) が0.01〜1.0重量%含有されてなる電圧非直線抵
抗体用磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001657A JPH02184566A (ja) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1001657A JPH02184566A (ja) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184566A true JPH02184566A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11507590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1001657A Pending JPH02184566A (ja) | 1989-01-06 | 1989-01-06 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02184566A (ja) |
-
1989
- 1989-01-06 JP JP1001657A patent/JPH02184566A/ja active Pending
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