JPH02185084A - 半導体レーザ型光増幅器 - Google Patents
半導体レーザ型光増幅器Info
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- JPH02185084A JPH02185084A JP516489A JP516489A JPH02185084A JP H02185084 A JPH02185084 A JP H02185084A JP 516489 A JP516489 A JP 516489A JP 516489 A JP516489 A JP 516489A JP H02185084 A JPH02185084 A JP H02185084A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光信号を増幅するための半導体レーザ型光増幅
器に関するものである。
器に関するものである。
従来、光増幅器は光通信の長距離化、大容量化、光交換
システムの大規模化等の目的のために不可欠なデバイス
である。かかる光増幅器としては、光フアイバ内の非線
形散乱を利用したものも可能であるが、小型、高効率、
他の半導体光デバイスと集積化可能性等の利点から半導
体レーザ（ＬＤ）型が用いられている。このＬＤ型光増
幅器は内部利得として２０〜３０ｄＢ、入出力端に光フ
ァイバを接続した状態での光ファイバ間利得でも２０ｄ
Ｂ程度の値が得られている。また、近年、入出射端面へ
の無反射（ＡＲ）コート技術の進歩により、飽和光出力
、利得波長帯域も大幅に拡大され、実用に近いデバイス
となっている。
システムの大規模化等の目的のために不可欠なデバイス
である。かかる光増幅器としては、光フアイバ内の非線
形散乱を利用したものも可能であるが、小型、高効率、
他の半導体光デバイスと集積化可能性等の利点から半導
体レーザ（ＬＤ）型が用いられている。このＬＤ型光増
幅器は内部利得として２０〜３０ｄＢ、入出力端に光フ
ァイバを接続した状態での光ファイバ間利得でも２０ｄ
Ｂ程度の値が得られている。また、近年、入出射端面へ
の無反射（ＡＲ）コート技術の進歩により、飽和光出力
、利得波長帯域も大幅に拡大され、実用に近いデバイス
となっている。
しかしながら、従来のＬＤ光増幅器ではその特性が入射
光の偏光状態に大きく依存するという問題がある。すな
わち、通常の使用状態における長距離単一モード光ファ
イバ（ＳＭＦ）では、入射光の偏光状態が保存されず、
しかも外部の温度や圧力等により伝搬光の偏光状態は大
きく変化する。従って、ＬＤ光増幅器をＳＭＦの途中に
挿入する場合には、何らかの偏光制御手段を併用しない
と、出力光強度が大きく変動してしまう。
光の偏光状態に大きく依存するという問題がある。すな
わち、通常の使用状態における長距離単一モード光ファ
イバ（ＳＭＦ）では、入射光の偏光状態が保存されず、
しかも外部の温度や圧力等により伝搬光の偏光状態は大
きく変化する。従って、ＬＤ光増幅器をＳＭＦの途中に
挿入する場合には、何らかの偏光制御手段を併用しない
と、出力光強度が大きく変動してしまう。
かかるＬＤ光増幅器の特性が入射偏光依存性を有する原
因としては、次の３つが考えられる。
因としては、次の３つが考えられる。
（１）利得自体の偏光依存性
（２）活性層への閉じ込め係数の偏光による違い（３）
端面反射率の偏光依存性 通常の二重ヘテロ構造のＬＤ光増幅器において、（１）
のような利得自体には偏光依存性は生じない、また、原
理的には活性層の導波路構造の等方化、端面反射率の低
減により、（２） 、 （３）の問題を解決可能である
。しかしながら、かかる問題は、例えば１９８６年７月
東京で開催された第１回オプト・エレクトロニクス・コ
ンファレンス＜ Ｆｉｒｓｔ ０ｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）における「ボスト
−デッドライン・ベーパズ・テクニカル・ダイジェスト
」（Ｐｏｓｔ Ｄｅａｄｌｉｎｅ ＰａｐｅｒｓＴｅｃ
ｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ） Ｂ １１−２． １２
−１３頁にも記載されており、この掲載論文によれば、
導波路構造を等方化した埋込みヘテロ構造のＬＤの両端
面に、反射率Ｒ＝０．０４％という極めて良質なＡＲコ
ートを施した進行波型ＬＤ光増幅器に於ても、水平偏波
（ＴＥ）および垂直偏波（ＴＭ＞の両偏光の間で最大１
０ｄＢ以上の利得差が観測されている。
端面反射率の偏光依存性 通常の二重ヘテロ構造のＬＤ光増幅器において、（１）
のような利得自体には偏光依存性は生じない、また、原
理的には活性層の導波路構造の等方化、端面反射率の低
減により、（２） 、 （３）の問題を解決可能である
。しかしながら、かかる問題は、例えば１９８６年７月
東京で開催された第１回オプト・エレクトロニクス・コ
ンファレンス＜ Ｆｉｒｓｔ ０ｐｔｏ−ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）における「ボスト
−デッドライン・ベーパズ・テクニカル・ダイジェスト
」（Ｐｏｓｔ Ｄｅａｄｌｉｎｅ ＰａｐｅｒｓＴｅｃ
ｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ） Ｂ １１−２． １２
−１３頁にも記載されており、この掲載論文によれば、
導波路構造を等方化した埋込みヘテロ構造のＬＤの両端
面に、反射率Ｒ＝０．０４％という極めて良質なＡＲコ
ートを施した進行波型ＬＤ光増幅器に於ても、水平偏波
（ＴＥ）および垂直偏波（ＴＭ＞の両偏光の間で最大１
０ｄＢ以上の利得差が観測されている。
第４図は上述した通常の進行波型ＬＤ光増幅器のＴＥ、
７ＭＭ偏光に対する利得特性図である。
７ＭＭ偏光に対する利得特性図である。
第４図に示すように、従来のＬＤ光増幅器の信号利得は
ＴＢがＴＭよりも最大で１０ｄＢ以上も高くなっている
。
ＴＢがＴＭよりも最大で１０ｄＢ以上も高くなっている
。
すなわち、端面反射率の低減だけではＬＤ光増幅器の特
性の偏光依存性を低減することは困難である。
性の偏光依存性を低減することは困難である。
活性層の導波路構造についてみると、活性層厚は注入キ
ャリア数に対してキャリア密度が高くなるようにするた
め、一般に０．２μｍ程度以下にとっている。一方活性
層幅はエツチング技術、埋込み成長技術により制限され
、１μｍ以下とすることは難しい、従って完全に活性層
導波路断面形状を等方とすることはできない。
ャリア数に対してキャリア密度が高くなるようにするた
め、一般に０．２μｍ程度以下にとっている。一方活性
層幅はエツチング技術、埋込み成長技術により制限され
、１μｍ以下とすることは難しい、従って完全に活性層
導波路断面形状を等方とすることはできない。
また雑誌「エレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ） Ｊ第２３巻、１９８７
年第１３８７〜１３８８頁に記載されているように２つ
の半導体レーザ光増幅器を用い、ＴＥ、ＴＭ酸成分独立
に増幅する方式も考えられるが、構成が複雑になるとい
う課題があった。
ｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ） Ｊ第２３巻、１９８７
年第１３８７〜１３８８頁に記載されているように２つ
の半導体レーザ光増幅器を用い、ＴＥ、ＴＭ酸成分独立
に増幅する方式も考えられるが、構成が複雑になるとい
う課題があった。
本発明の目的は上述の問題点を除き、現状のデバイス製
作技術を用いて実現可能な唯一のデバイスを用い、利得
の入射偏光依存性の小さな半導体レーザ型光増幅器を提
供することにある。
作技術を用いて実現可能な唯一のデバイスを用い、利得
の入射偏光依存性の小さな半導体レーザ型光増幅器を提
供することにある。
本発明による半導体レーザ型光増幅器は、第１の半導体
材料から成る活性層を、前記第１の半導体材料よりバン
ドキャップの広い、互いに導電型の異なる第２．第３の
半導体材料から成る２つのクラッド層で挟んだ二重ヘテ
ロ構造と、前記活性層に電流を注入する手段と、前記活
性層に入出力光信号を結合するための入出射端面とを少
くとも有する半導体レーザ型光増幅器に於て、前記第１
の半導体材料と、前記第２．第３の半導体材料の間のバ
ンドキャップエネルギーの差を０．２〜０．３ｅＶとし
たことを特徴とするものである。
材料から成る活性層を、前記第１の半導体材料よりバン
ドキャップの広い、互いに導電型の異なる第２．第３の
半導体材料から成る２つのクラッド層で挟んだ二重ヘテ
ロ構造と、前記活性層に電流を注入する手段と、前記活
性層に入出力光信号を結合するための入出射端面とを少
くとも有する半導体レーザ型光増幅器に於て、前記第１
の半導体材料と、前記第２．第３の半導体材料の間のバ
ンドキャップエネルギーの差を０．２〜０．３ｅＶとし
たことを特徴とするものである。
本発明は光導波路に於ける屈折率と閉じ込め係数の関係
を基にしたものである。第３図は３層スラブ光導波路に
於けるＴＥ、ＴＭ波の活性層への光閉じ込め係数ｒ Ｔ
ｔｌ ｒ ＴＭと光導波層厚の関係を計算した結果であ
る。ただし光の波長は１．５５μｍ、また光導波層、ク
ラッド層の屈折率をｎｌ＋ｎ２として（ｎｔ Ｉ ｎ３
）が■（３，５，３，２） 、■（３，５，３，４）
の２つの場合について計算した０図から明らかなように
■（３，５，３，４）の場合の方がｒ ｔｉｔ ｒ ７
Ｍの差は小さくなっている。つまり、光導波層（活性層
）とクラッド層の間の屈折率差を小さくすれば、活性層
の光閉じ込め係数の偏光依存性は低減できる０通常の長
波長帯、例えば１，５５μｍ用の半導体レーザ型光増幅
器では活性層の組成をバンドギャップ波長〜１．６μｍ
のＩｎＧａＡｓＰとし、クラッド層をＩｎＰで形成して
いる。従って屈折率の関係はほぼ■の状態に近い。半導
体レーザ型光増幅器の場合、活性層の組成は、増幅すべ
き光の波長に対応して決定されるので、活性層とクラッ
ド層の間の屈折率差を小さくするためには、クラッド層
の屈折率を高くしてやればよい、半導体の場合、屈折率
はバンドギャップ・エネルギと関係しており屈折率を高
くすることはバンドギャップを狭くしていくことに対応
する活性層中へキャリアを有効に閉じ込めるためには活
性層とクラッド層のバンドギャップ・エネルギーの差Δ
Ｅは通常で０．３ｅＶ、最低限のリミットとして０．２
ｅＶ程度必要である。活性層のバンドギャップ波長を１
．６μｍ、ΔＥを０．２ｅｖとすると、クラッド層のバ
ンドギャップ波長は〜１．２７μｍとなる。この時、波
長、１．５５μｍに於ける活性層、クラッド層の屈折率
はそれぞれ３．５，３．４となり、第３図で示しな■の
場合がこれに相当する。つまりクラッド層の組成をＩｎ
Ｐからバンドギャップ波長１．２７μｍのＩ ｎＧａＡ
ｓＰに変更することにより、第３図に見られるような閉
じ込め係数の偏光依存性の低減が実現できる。第３図で
の計算結果のように、この効果はスラブ光導波路状態で
得られるものであり、横方向の光閉じ込めの構造にはよ
らない。
を基にしたものである。第３図は３層スラブ光導波路に
於けるＴＥ、ＴＭ波の活性層への光閉じ込め係数ｒ Ｔ
ｔｌ ｒ ＴＭと光導波層厚の関係を計算した結果であ
る。ただし光の波長は１．５５μｍ、また光導波層、ク
ラッド層の屈折率をｎｌ＋ｎ２として（ｎｔ Ｉ ｎ３
）が■（３，５，３，２） 、■（３，５，３，４）
の２つの場合について計算した０図から明らかなように
■（３，５，３，４）の場合の方がｒ ｔｉｔ ｒ ７
Ｍの差は小さくなっている。つまり、光導波層（活性層
）とクラッド層の間の屈折率差を小さくすれば、活性層
の光閉じ込め係数の偏光依存性は低減できる０通常の長
波長帯、例えば１，５５μｍ用の半導体レーザ型光増幅
器では活性層の組成をバンドギャップ波長〜１．６μｍ
のＩｎＧａＡｓＰとし、クラッド層をＩｎＰで形成して
いる。従って屈折率の関係はほぼ■の状態に近い。半導
体レーザ型光増幅器の場合、活性層の組成は、増幅すべ
き光の波長に対応して決定されるので、活性層とクラッ
ド層の間の屈折率差を小さくするためには、クラッド層
の屈折率を高くしてやればよい、半導体の場合、屈折率
はバンドギャップ・エネルギと関係しており屈折率を高
くすることはバンドギャップを狭くしていくことに対応
する活性層中へキャリアを有効に閉じ込めるためには活
性層とクラッド層のバンドギャップ・エネルギーの差Δ
Ｅは通常で０．３ｅＶ、最低限のリミットとして０．２
ｅＶ程度必要である。活性層のバンドギャップ波長を１
．６μｍ、ΔＥを０．２ｅｖとすると、クラッド層のバ
ンドギャップ波長は〜１．２７μｍとなる。この時、波
長、１．５５μｍに於ける活性層、クラッド層の屈折率
はそれぞれ３．５，３．４となり、第３図で示しな■の
場合がこれに相当する。つまりクラッド層の組成をＩｎ
Ｐからバンドギャップ波長１．２７μｍのＩ ｎＧａＡ
ｓＰに変更することにより、第３図に見られるような閉
じ込め係数の偏光依存性の低減が実現できる。第３図で
の計算結果のように、この効果はスラブ光導波路状態で
得られるものであり、横方向の光閉じ込めの構造にはよ
らない。
つまり、どのような横方向の光閉じ込め構造（埋め込み
構造、リッジ構造等）をとってもクラッド層をＩｎＧａ
ＡｓＰ（λｇ＝１．２７．ｃｚｍ）とすることにより、
ＩｎＰクラッド層の場合に比べ偏光依存性の低減が可能
となる。横方向の光閉じ込め構造を導入することにより
、更に偏光依存性の低減が可能であことは言う迄もない
。
構造、リッジ構造等）をとってもクラッド層をＩｎＧａ
ＡｓＰ（λｇ＝１．２７．ｃｚｍ）とすることにより、
ＩｎＰクラッド層の場合に比べ偏光依存性の低減が可能
となる。横方向の光閉じ込め構造を導入することにより
、更に偏光依存性の低減が可能であことは言う迄もない
。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための光増幅器の
斜視図である。
斜視図である。
尚、本実施例ではＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系材料による
１、５５系材帯ＬＤ光増幅器を例にとり、本実施例の光
増幅器の構造について説明する。このＬＤ槽構造活性層
を含むメサストライプをｐおよびｎ型半導体で埋込んだ
二重チャンネル・ブレーナ・埋込みヘテロ（ＤＣ−ＰＢ
Ｈ）構造を基本にしている。この構造の製作のためには
、まず、液相もしくは気相成長法により、ｎ −ＩｎＰ
基板１０． （１００方位）の上にｎ型クラッド層１１
．ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層１２、ｐ型クラッ
ド層１３を順次連続成長して二重ヘテロ（ＤＨ）構造ウ
ェーハを製作する。この時、ｎ型クラッド１１１及びｐ
型りラッッド層１３の組成を、バンドギャップ波長１．
２７μｍのＩｎＧａＡｓＰとするところが本発明のポイ
ントである。また活性７１１１２の厚みは０．２μｍと
した。
１、５５系材帯ＬＤ光増幅器を例にとり、本実施例の光
増幅器の構造について説明する。このＬＤ槽構造活性層
を含むメサストライプをｐおよびｎ型半導体で埋込んだ
二重チャンネル・ブレーナ・埋込みヘテロ（ＤＣ−ＰＢ
Ｈ）構造を基本にしている。この構造の製作のためには
、まず、液相もしくは気相成長法により、ｎ −ＩｎＰ
基板１０． （１００方位）の上にｎ型クラッド層１１
．ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ活性層１２、ｐ型クラッ
ド層１３を順次連続成長して二重ヘテロ（ＤＨ）構造ウ
ェーハを製作する。この時、ｎ型クラッド１１１及びｐ
型りラッッド層１３の組成を、バンドギャップ波長１．
２７μｍのＩｎＧａＡｓＰとするところが本発明のポイ
ントである。また活性７１１１２の厚みは０．２μｍと
した。
次に、ホトリソグラフィ法及び化学エツチングにより、
ＤＨウェーハをｎ−ＩｎＰ基板１ｏの途中迄除去するこ
とにより近接した平行な２本の直線状の溝を形成する。
ＤＨウェーハをｎ−ＩｎＰ基板１ｏの途中迄除去するこ
とにより近接した平行な２本の直線状の溝を形成する。
このエツチングにより形成された中央部分のメサストラ
イプ３１がこのＬＤ光増幅器の活性導波路の部分となる
。ここではこのメサストライプ３１の幅は１．５μｍと
しな。
イプ３１がこのＬＤ光増幅器の活性導波路の部分となる
。ここではこのメサストライプ３１の幅は１．５μｍと
しな。
この程度の幅のメサストライプは容易に形成可能である
。次に、このウェーハ上に液相成長法によりｐ型の第１
の電流ブロック層１４．ｎ型の第２の電流ブロック層１
５．ｐ−ＩｎＰ埋込み層１６゜ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層１７を順次成長させる。この際ｎ型の第２の電流
ブロック層１５はメサストライプ３１上には成長しない
ように制御される。
。次に、このウェーハ上に液相成長法によりｐ型の第１
の電流ブロック層１４．ｎ型の第２の電流ブロック層１
５．ｐ−ＩｎＰ埋込み層１６゜ｐ−ＩｎＧａＡｓＰキャ
ップ層１７を順次成長させる。この際ｎ型の第２の電流
ブロック層１５はメサストライプ３１上には成長しない
ように制御される。
この、第１．第２の電流ブロック層１４．１５の組成も
バンドギャップ波長１．２７μｍのＩｎＧａＡｓＰであ
る。
バンドギャップ波長１．２７μｍのＩｎＧａＡｓＰであ
る。
次に、このようにして形成したウェーハにオーム性コン
タクトをとるために電極としてキャップ層１７にＡｕＺ
ｎ１８を蒸着する。
タクトをとるために電極としてキャップ層１７にＡｕＺ
ｎ１８を蒸着する。
次に、ｎ−ＩｎＰ基板基板ｌへき開が容易なように研磨
により１５０μｍ程度に薄くした後、ｎ側のオーム性電
極１９を形成し、ウェーハをへき開する。このへき開に
より入出射端面２０を出した後、入出射端面２０にスパ
ッタ法により５ｉＮｘＡＲコート膜を成膜して第１図の
ＬＤ光増幅器が完成する。素子長としては３００〜５０
０μｍ程度が適当である。なお、第１図では簡単のなめ
ＡＲコート膜は図示していない。
により１５０μｍ程度に薄くした後、ｎ側のオーム性電
極１９を形成し、ウェーハをへき開する。このへき開に
より入出射端面２０を出した後、入出射端面２０にスパ
ッタ法により５ｉＮｘＡＲコート膜を成膜して第１図の
ＬＤ光増幅器が完成する。素子長としては３００〜５０
０μｍ程度が適当である。なお、第１図では簡単のなめ
ＡＲコート膜は図示していない。
第２図は、本実施例の動作を説明するための図であり、
第１図に示した実施例の光軸に沿い、かつ基板に垂直な
面での断面図を示している。第２図にはＡＲコート膜２
０ａ、２０ｂを示した。この実施例では、ＡＲコート膜
を形成する前と形成後の発振しきい値はそれぞれ２０ｍ
Ａ、１００ｍＡ以上であった。活性層１２に入射光を結
合するため、および光信号を取り出すため先球ファイバ
２１ａ、２１ｂを用いている。電極１８．１９間に原バ
イアスを印加し、しきい値電流未満の電流注入を行なう
と、活性層中の利得が上昇し増幅機能が得られる。この
時、活性層１２と周囲の媒質との間の屈折率差を小さく
とっているので、ＴＥ、ＴＭ １ｉｋｅな基本モード
の光閉じ込め係数差が小さくなる。従って利得の入射偏
光依存性が低減されることになる。
第１図に示した実施例の光軸に沿い、かつ基板に垂直な
面での断面図を示している。第２図にはＡＲコート膜２
０ａ、２０ｂを示した。この実施例では、ＡＲコート膜
を形成する前と形成後の発振しきい値はそれぞれ２０ｍ
Ａ、１００ｍＡ以上であった。活性層１２に入射光を結
合するため、および光信号を取り出すため先球ファイバ
２１ａ、２１ｂを用いている。電極１８．１９間に原バ
イアスを印加し、しきい値電流未満の電流注入を行なう
と、活性層中の利得が上昇し増幅機能が得られる。この
時、活性層１２と周囲の媒質との間の屈折率差を小さく
とっているので、ＴＥ、ＴＭ １ｉｋｅな基本モード
の光閉じ込め係数差が小さくなる。従って利得の入射偏
光依存性が低減されることになる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明によれば利得の入射偏
光依存性が非常に小さくかつ現状の技術で容易に実現可
能な半導体レーザ型光増幅器が得られる。
光依存性が非常に小さくかつ現状の技術で容易に実現可
能な半導体レーザ型光増幅器が得られる。
第１図は本発明による半導体レーザ型光増幅器の一実施
例の斜視図、第２図は本発明による半導体レーザ型光増
幅器の動作を説明するための図、第３図は活性層の光閉
じ込め係数の計算結果を説明するための図、第４図は従
来の半導体レーザ型光増幅器の利得の入射偏光依存性を
示す図である。 図に於て、１０，１１，１２，１３，１４．１５．１６
．１７は半導体、１８．１９は電極、２０は端面、２０
ａ、２０ｂはＡＲコート膜、２１ａ、２１ｂは先球ファ
イバ、３１はメサストライプである。
例の斜視図、第２図は本発明による半導体レーザ型光増
幅器の動作を説明するための図、第３図は活性層の光閉
じ込め係数の計算結果を説明するための図、第４図は従
来の半導体レーザ型光増幅器の利得の入射偏光依存性を
示す図である。 図に於て、１０，１１，１２，１３，１４．１５．１６
．１７は半導体、１８．１９は電極、２０は端面、２０
ａ、２０ｂはＡＲコート膜、２１ａ、２１ｂは先球ファ
イバ、３１はメサストライプである。
Claims (1)
- 第１の半導体材料から成る活性層を、前記第１の半導体
材料よりバンドキャップの広い、互いに導電型の異なる
第２、第３の半導体材料から成る２つのクラッド層で挟
んだ二重ヘテロ構造と、前記活性層に電流を注入する手
段と、前記活性層に入出力光信号を結合するための入出
射端面とを少くとも有する半導体レーザ型光増幅器に於
て、前記第１の半導体材料と、前記第２、第３の半導体
材料の間のバンドキャップエネルギーの差を０．２〜０
．３ｅＶとしたことを特徴とする半導体レーザ型光増幅
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP516489A JPH02185084A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体レーザ型光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP516489A JPH02185084A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体レーザ型光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185084A true JPH02185084A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11603598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP516489A Pending JPH02185084A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体レーザ型光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185084A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312982A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 進行波型半導体レーザ増幅器 |
| KR100286009B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 광 증폭기 및 그 제작 방법 |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP516489A patent/JPH02185084A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0312982A (ja) * | 1989-06-12 | 1991-01-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 進行波型半導体レーザ増幅器 |
| KR100286009B1 (ko) * | 1999-06-03 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 광 증폭기 및 그 제작 방법 |
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