JPH021865Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021865Y2 JPH021865Y2 JP1983126893U JP12689383U JPH021865Y2 JP H021865 Y2 JPH021865 Y2 JP H021865Y2 JP 1983126893 U JP1983126893 U JP 1983126893U JP 12689383 U JP12689383 U JP 12689383U JP H021865 Y2 JPH021865 Y2 JP H021865Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous silicon
- light
- electrode
- electrode film
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
（技術分野）
本考案は、アモルフアスシリコンを用いたライ
ンセンサに関するものである。
ンセンサに関するものである。
（従来技術）
従来、アモルフアスシリコンを用いたラインセ
ンサは、第１図に示したように構成されている。
第１図において、１は絶縁基板、２はアモルフア
スシリコン膜、３は、アモルフアスシリコン膜２
の上部（あるいは下部）に形成された電極膜で、
ギヤツプ４を介して対向する電極対が複数組設け
られる。このように構成されたラインセンサは、
ギヤツプ４部に光が照射されることによりその電
極対に流れる光電流を検出するもので、一般に光
伝導型ラインセンサと呼ばれている。しかしなが
ら、この種のラインセンサは、応答速度が遅く、
外部に付属させる増幅回路が複雑になり、また、
光電流出力が非線形であるため中間濃度を持つ画
素の読取りには不向きであり、さらに、温度変化
に対する電気特性の変化が大きい等の欠点があつ
た。
ンサは、第１図に示したように構成されている。
第１図において、１は絶縁基板、２はアモルフア
スシリコン膜、３は、アモルフアスシリコン膜２
の上部（あるいは下部）に形成された電極膜で、
ギヤツプ４を介して対向する電極対が複数組設け
られる。このように構成されたラインセンサは、
ギヤツプ４部に光が照射されることによりその電
極対に流れる光電流を検出するもので、一般に光
伝導型ラインセンサと呼ばれている。しかしなが
ら、この種のラインセンサは、応答速度が遅く、
外部に付属させる増幅回路が複雑になり、また、
光電流出力が非線形であるため中間濃度を持つ画
素の読取りには不向きであり、さらに、温度変化
に対する電気特性の変化が大きい等の欠点があつ
た。
これに対し、これを捕うものとして、太陽電池
などで使用されているｐ−ｉ−ｎ構成や逆ｐ−ｉ
−ｎ構成の素子が知られているが、しかしこれら
の構成は、アモルフアスシリコン膜を形成中に発
生するピンホール等の欠陥のために、多数個の素
子を配設するラインセンサには不向きである。
などで使用されているｐ−ｉ−ｎ構成や逆ｐ−ｉ
−ｎ構成の素子が知られているが、しかしこれら
の構成は、アモルフアスシリコン膜を形成中に発
生するピンホール等の欠陥のために、多数個の素
子を配設するラインセンサには不向きである。
（考案の目的）
本考案は、上記従来例の欠点を改善したもので
あり、下部電極膜と上部電極膜との間にｎ−ｉ形
アモルフアスシリコン膜と、ピンホールの発生を
補う絶縁膜とを挾んだMIS（Metal−Insulator−
Semiconductor）構造で、応答速度が速く、かつ
入射光量に対してリニアな特性が得られる光起電
力型アモルフアスシリコンラインセンサを提供す
るものである。
あり、下部電極膜と上部電極膜との間にｎ−ｉ形
アモルフアスシリコン膜と、ピンホールの発生を
補う絶縁膜とを挾んだMIS（Metal−Insulator−
Semiconductor）構造で、応答速度が速く、かつ
入射光量に対してリニアな特性が得られる光起電
力型アモルフアスシリコンラインセンサを提供す
るものである。
さらに、このMIS構造で発生し易い光電流の干
渉を防止するために、隣接電極間をくし形ガード
電極で分離し、分解能を向上する。
渉を防止するために、隣接電極間をくし形ガード
電極で分離し、分解能を向上する。
以下、図面により実施例を詳細に説明する。
（実施例）
第２図は、本考案の一実施例を示したもので、
１１はガラス、セラミツク等の絶縁基板、１２及
び１３は、第３図に示したように、くし形ガード
電極膜１２と、各くし歯の間に個別電極膜１３が
それぞれ配置されている。１４はリンをドープし
たｎ形アモルフアスシリコン膜、１５は不純物ド
ープのないｉ形アモルフアスシリコン膜、１６は
SiO2，SiN，SiCなどの絶縁膜で、50〜100Å程
度の膜厚を有する。１７はITO，SnO2等の透明
導電膜あるいは光透過性の金属膜からなる共通電
極膜である。１８は入射光の入射範囲を規制する
遮光膜である。
１１はガラス、セラミツク等の絶縁基板、１２及
び１３は、第３図に示したように、くし形ガード
電極膜１２と、各くし歯の間に個別電極膜１３が
それぞれ配置されている。１４はリンをドープし
たｎ形アモルフアスシリコン膜、１５は不純物ド
ープのないｉ形アモルフアスシリコン膜、１６は
SiO2，SiN，SiCなどの絶縁膜で、50〜100Å程
度の膜厚を有する。１７はITO，SnO2等の透明
導電膜あるいは光透過性の金属膜からなる共通電
極膜である。１８は入射光の入射範囲を規制する
遮光膜である。
上記構成において、遮光膜１８の開口部から光
が入射すると、各個別電極膜１３と共通電極膜１
７との間で光電流が発生し、これを検出出力とす
る。
が入射すると、各個別電極膜１３と共通電極膜１
７との間で光電流が発生し、これを検出出力とす
る。
ここで、絶縁膜１６は、アモルフアスシリコン
膜１４，１５の形成時に生じるピンホールを塞ぐ
役目を果し、起電力素子としての特性を確保する
ものである。また、このMIS構造では、隣接する
素子間で光電流が互いに干渉し合い、そのため分
解能が低下するので、個別電極膜１３をくし形ガ
ード電極膜１２で分離し、その干渉を防止するよ
うにしており、これによつて分解能が著しく向上
する。
膜１４，１５の形成時に生じるピンホールを塞ぐ
役目を果し、起電力素子としての特性を確保する
ものである。また、このMIS構造では、隣接する
素子間で光電流が互いに干渉し合い、そのため分
解能が低下するので、個別電極膜１３をくし形ガ
ード電極膜１２で分離し、その干渉を防止するよ
うにしており、これによつて分解能が著しく向上
する。
第４図は、本考案の他の実施例を示したもの
で、個別電極膜と共通電極膜の位置を上下入れ替
えたものである。即ち、２１は、共通電極膜とし
ての導電膜あるいは金属薄膜を形成した絶縁基
板、又は金属基板である。１４，１５，１６は、
第２図の場合と同様に、リンをドープしたｎ形ア
モルフアスシリコン膜、不純物ドープのないｉ形
アモルフアスシリコン膜、SiO2，SiN，SiCなど
の絶縁膜である。１２及び１３はそれぞれ、第３
図に示したように配設されたくし形ガード電極膜
及び光透過性個別電極膜である。２２はSiO2，
SiN，SiCあるいは有機材料からなる絶縁膜、１
８は入射光の入射範囲を規制する遮光膜である。
で、個別電極膜と共通電極膜の位置を上下入れ替
えたものである。即ち、２１は、共通電極膜とし
ての導電膜あるいは金属薄膜を形成した絶縁基
板、又は金属基板である。１４，１５，１６は、
第２図の場合と同様に、リンをドープしたｎ形ア
モルフアスシリコン膜、不純物ドープのないｉ形
アモルフアスシリコン膜、SiO2，SiN，SiCなど
の絶縁膜である。１２及び１３はそれぞれ、第３
図に示したように配設されたくし形ガード電極膜
及び光透過性個別電極膜である。２２はSiO2，
SiN，SiCあるいは有機材料からなる絶縁膜、１
８は入射光の入射範囲を規制する遮光膜である。
以上のように構成された本実施例も、光の入射
により下部電極としての基板２１と上部電極とし
ての個別電極膜１３との間で光電流が発生し、こ
れを検出出力とする。絶縁膜１６及びくし形ガー
ド電極膜１２は、第２図の実施例の場合と同様の
作用・効果を有する。
により下部電極としての基板２１と上部電極とし
ての個別電極膜１３との間で光電流が発生し、こ
れを検出出力とする。絶縁膜１６及びくし形ガー
ド電極膜１２は、第２図の実施例の場合と同様の
作用・効果を有する。
（考案の効果）
以上説明したように、本考案によれば、応答速
度が速く、かつ入射光量に対してリニアな特性を
有し、しかも分解能の高い、高性能ラインセンサ
を提供することができる。
度が速く、かつ入射光量に対してリニアな特性を
有し、しかも分解能の高い、高性能ラインセンサ
を提供することができる。
第１図は、従来例の斜視図、第２図は、本考案
の一実施例の斜視図、第３図は、第２図、第４図
の個別電極膜及びくし形ガード電極膜の配置を示
す図、第４図は、本考案の他の実施例の斜視図で
ある。 １１……絶縁基板、１２……くし形ガード電極
膜、１３……個別電極膜、１４……ｎ形アモルフ
アスシリコン膜、１５……ｉ形アモルフアスシリ
コン膜、１６……絶縁膜、１７……共通電極膜、
１８……遮光膜、２１……下部共通電極を有する
基板、２２……絶縁膜。
の一実施例の斜視図、第３図は、第２図、第４図
の個別電極膜及びくし形ガード電極膜の配置を示
す図、第４図は、本考案の他の実施例の斜視図で
ある。 １１……絶縁基板、１２……くし形ガード電極
膜、１３……個別電極膜、１４……ｎ形アモルフ
アスシリコン膜、１５……ｉ形アモルフアスシリ
コン膜、１６……絶縁膜、１７……共通電極膜、
１８……遮光膜、２１……下部共通電極を有する
基板、２２……絶縁膜。
Claims (1)
- 基板上に、下部電極膜、ｎ−ｉ形アモルフアス
シリコン膜、絶縁膜、光透過性上部電極膜を順次
積層し、前記下部電極膜及び上部電極膜のいずれ
か一方を共通電極とし、他方を、素子分離のため
のくし形ガード電極の各くし歯の間にそれぞれ個
別電極を配置し、かつ、前記上部電極膜の上に光
の入射範囲を規制する遮光膜を設けたことを特徴
とするアモルフアスシリコンラインセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12689383U JPS6035550U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | アモルフアスシリコンラインセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12689383U JPS6035550U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | アモルフアスシリコンラインセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035550U JPS6035550U (ja) | 1985-03-11 |
| JPH021865Y2 true JPH021865Y2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=30288382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12689383U Granted JPS6035550U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | アモルフアスシリコンラインセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035550U (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
| JPS5349981A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photoelectric conversion element |
| JPS56103477A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Hitachi Ltd | Photoelectric conversion element |
| JPS5897862A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP12689383U patent/JPS6035550U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6035550U (ja) | 1985-03-11 |
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