JPH02191321A - 結晶の形成方法 - Google Patents
結晶の形成方法Info
- Publication number
- JPH02191321A JPH02191321A JP1255524A JP25552489A JPH02191321A JP H02191321 A JPH02191321 A JP H02191321A JP 1255524 A JP1255524 A JP 1255524A JP 25552489 A JP25552489 A JP 25552489A JP H02191321 A JPH02191321 A JP H02191321A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seeds
- crystal
- forming
- single crystal
- seed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/38—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by treatments done after the formation of the materials
- H10P14/3802—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
- H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2921—Materials being crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2922—Materials being non-crystalline insulating materials, e.g. glass or polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
- H10P14/3202—Materials thereof
- H10P14/3238—Materials thereof being insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/32—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by intermediate layers between substrates and deposited layers
- H10P14/3242—Structure
- H10P14/3244—Layer structure
- H10P14/3248—Layer structure consisting of two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3451—Structure
- H10P14/3452—Microstructure
- H10P14/3456—Polycrystalline
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば、半導体集積回路、光集積回路、磁気
回路等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子、ある
いは、表面音響素子等を形成するのに使用される結晶を
形成する方法に関する。
回路等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子、ある
いは、表面音響素子等を形成するのに使用される結晶を
形成する方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来、
半導体や絶縁体で構成される電子素子や光素子等の作成
に用いられる単結晶体からなる薄膜は、単結晶基体上に
エピタキシャル成長させることで形成されていた。例え
ば、Ｓｉ単結晶体（シリコンウェハ）上には、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＧａＡｓ等が液相、気相または固相からエピタキシ
ャル成長することが知られており、また、ＧａＡｓ単結
晶基体上には、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等の単結晶体が
エピタキシャル成長することが知られている。このよう
にして形成された単結晶性の半導体薄膜を用いて、半導
体素子および集積回路、半導体レーザやＬＥＤ等の発光
素子等が作製される。
半導体や絶縁体で構成される電子素子や光素子等の作成
に用いられる単結晶体からなる薄膜は、単結晶基体上に
エピタキシャル成長させることで形成されていた。例え
ば、Ｓｉ単結晶体（シリコンウェハ）上には、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、ＧａＡｓ等が液相、気相または固相からエピタキシ
ャル成長することが知られており、また、ＧａＡｓ単結
晶基体上には、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等の単結晶体が
エピタキシャル成長することが知られている。このよう
にして形成された単結晶性の半導体薄膜を用いて、半導
体素子および集積回路、半導体レーザやＬＥＤ等の発光
素子等が作製される。
また、最近、二次元電子ガスを用いた超高速トランジス
タや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が盛
んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真空
を用いたＭＢＥ （分子線エピタキシー）やＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相法）等の高精度エピタキシャル技
術である。
タや、量子井戸を利用した超格子素子等の研究開発が盛
んであるが、これらを可能にしたのは、例えば超高真空
を用いたＭＢＥ （分子線エピタキシー）やＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相法）等の高精度エピタキシャル技
術である。
しかしながら、このような単結晶基体上のエピタキシャ
ル成長では、基体の単結晶材料とエピタキシャル成長層
との間に、格子定数と熱膨張係数とを整合させる必要が
ある。この整合が不十分であると格子欠陥等の結晶欠陥
がエピタキシャル層に発達する。また基板を構成する元
素がエピタキシャル層に拡散することもある。
ル成長では、基体の単結晶材料とエピタキシャル成長層
との間に、格子定数と熱膨張係数とを整合させる必要が
ある。この整合が不十分であると格子欠陥等の結晶欠陥
がエピタキシャル層に発達する。また基板を構成する元
素がエピタキシャル層に拡散することもある。
このように、エピタキシャル成長による従来の薄膜単結
晶体の形成方法は、その基体材料に大きく依存すること
がわかる。Ｍ ａ ｔ ｈ ｅ ｗ ｓ等は、基体材料
とエピタキシャル成長層との組合わせを調べている（Ｅ
ＰＩＴＡＸＩＡＬ ＧＲＯＷＴＨ，Ａｃａｄｅｍｉｃ
Ｐｒｅｓｓ、 ＮｅｗＹｏｒｋ、 １９７５ ｅｄ ｂ
ｙ Ｊ、Ｗ、Ｍａｔｈｅｗｓ）。
晶体の形成方法は、その基体材料に大きく依存すること
がわかる。Ｍ ａ ｔ ｈ ｅ ｗ ｓ等は、基体材料
とエピタキシャル成長層との組合わせを調べている（Ｅ
ＰＩＴＡＸＩＡＬ ＧＲＯＷＴＨ，Ａｃａｄｅｍｉｃ
Ｐｒｅｓｓ、 ＮｅｗＹｏｒｋ、 １９７５ ｅｄ ｂ
ｙ Ｊ、Ｗ、Ｍａｔｈｅｗｓ）。
ところで、単結晶基体の大きさは、現在Ｓｉウェハで６
インチ程度であり、ＧａＡｓ、サファイア基体の大型化
はさらに遅れている。加えて、単結晶基体は製造コスト
が高いために、チップ当りのコストが高（なるのを避け
られない。
インチ程度であり、ＧａＡｓ、サファイア基体の大型化
はさらに遅れている。加えて、単結晶基体は製造コスト
が高いために、チップ当りのコストが高（なるのを避け
られない。
このように、従来の方法によって、良質な素子が作製可
能な単結晶を成長させるには、基体材料の種類が極めて
狭い範囲に限定され、設計時及び製造時の自由度が小さ
いという課題を有していた。
能な単結晶を成長させるには、基体材料の種類が極めて
狭い範囲に限定され、設計時及び製造時の自由度が小さ
いという課題を有していた。
一方、半導体素子を基体の法線方向に積層形成し、高集
積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究開
発が近年盛んに行われている。また安価なガラス上に素
子をアレー状に配列する太陽電池や液晶表示装置のスイ
ッチングトランジスタ等の大面積化半導体装置の研究開
発も年々盛んになりつつある。
積化および多機能化を達成する三次元集積回路の研究開
発が近年盛んに行われている。また安価なガラス上に素
子をアレー状に配列する太陽電池や液晶表示装置のスイ
ッチングトランジスタ等の大面積化半導体装置の研究開
発も年々盛んになりつつある。
これら両者に共通することは、半導体の薄膜単結晶を非
晶質絶縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素
子を形成する技術を必要とすることである。その中でも
特に、非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成す
る技術が望まれている。
晶質絶縁物上に形成し、そこにトランジスタ等の電子素
子を形成する技術を必要とすることである。その中でも
特に、非晶質絶縁物上に高品質の単結晶半導体を形成す
る技術が望まれている。
一般的に、ＳｉＯ２等の非晶質絶縁物基体上に薄膜を堆
積させると、基体材料の長距離秩序の欠如によりて、堆
−積膜の結晶構造は単結晶質とはならず、非晶質又は多
結晶となる。ここで非晶質膜とは、最近接原子程度の近
距離秩序は保存されているが、それ以上の長距離秩序は
ない状態の膜であり、多結晶膜とは、特定の結晶方位を
持たない単結晶体が粒界で隔離されて集合した膜である
。
積させると、基体材料の長距離秩序の欠如によりて、堆
−積膜の結晶構造は単結晶質とはならず、非晶質又は多
結晶となる。ここで非晶質膜とは、最近接原子程度の近
距離秩序は保存されているが、それ以上の長距離秩序は
ない状態の膜であり、多結晶膜とは、特定の結晶方位を
持たない単結晶体が粒界で隔離されて集合した膜である
。
例えば、非晶質５ｉ０２上にＳｉを熱ＣＶＤ法によって
形成する場合、堆積温度が約５８０℃以下であれば非晶
質シリコンとなり、それ以上の温度であれば粒径が数百
〜数千人の間で分布した多結晶シリコンとなる。ただし
、多結晶シリコンの粒径およびその分布は形成方法によ
って大きく変化する。
形成する場合、堆積温度が約５８０℃以下であれば非晶
質シリコンとなり、それ以上の温度であれば粒径が数百
〜数千人の間で分布した多結晶シリコンとなる。ただし
、多結晶シリコンの粒径およびその分布は形成方法によ
って大きく変化する。
さらに、大粒径の多結晶薄膜を得る方法としては、非晶
質膜または多結晶膜をレーザや棒状ヒータ等を用いて熱
エネルギーによって溶融固化させることによって、ミク
ロンあるいはミリメートル程度の大粒径の多結晶薄膜が
得られている（ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌ ５ｉｌ
ｉｃｏｎ ｏｎ ｎｏｎ−ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔ
ａｌｉｎｓｕｌａｔｏｒｓ、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈｖｏｌ、６３．Ｎｏ
、３，０ｃｔｏｂｅｒ、１９８３ ｅｄｉｔｅｄｂｙ
Ｇ、Ｗ、Ｃｕ１ｌｅｎ）。
質膜または多結晶膜をレーザや棒状ヒータ等を用いて熱
エネルギーによって溶融固化させることによって、ミク
ロンあるいはミリメートル程度の大粒径の多結晶薄膜が
得られている（ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌ ５ｉｌ
ｉｃｏｎ ｏｎ ｎｏｎ−ｓｉｎｇｌｅ−ｃｒｙｓｔ
ａｌｉｎｓｕｌａｔｏｒｓ、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈｖｏｌ、６３．Ｎｏ
、３，０ｃｔｏｂｅｒ、１９８３ ｅｄｉｔｅｄｂｙ
Ｇ、Ｗ、Ｃｕ１ｌｅｎ）。
このようにして形成された各結晶構造の薄膜にトランジ
スタ等の電子素子を形成し、その特性から電子易動度を
測定し、多結晶シリコンを用いた場合と電子易動度の比
較をした例からすれば溶融固化による数μｍ〜数ｍｍの
粒径を有する多結晶シリコンでは、単結晶シリコンの場
合と同程度であり、数百〜数千人の粒径分布を有する多
結晶シリコンでは単結晶シリコンの場合の１０−ａ程度
であり、また非晶質シリコンでは単結晶シリコンの２Ｘ
１０−’程度の電子易動度が得られている。
スタ等の電子素子を形成し、その特性から電子易動度を
測定し、多結晶シリコンを用いた場合と電子易動度の比
較をした例からすれば溶融固化による数μｍ〜数ｍｍの
粒径を有する多結晶シリコンでは、単結晶シリコンの場
合と同程度であり、数百〜数千人の粒径分布を有する多
結晶シリコンでは単結晶シリコンの場合の１０−ａ程度
であり、また非晶質シリコンでは単結晶シリコンの２Ｘ
１０−’程度の電子易動度が得られている。
この結果から、単結晶領域内に形成された素子と、粒界
にまたがって形成された素子とは、その電気的特性に大
きな差異のあることが分る。すなわち、従来法で得られ
ていた非晶質上の堆積膜は非晶質又は粒径分布をもった
多結晶等の非単結晶構造となり、そこに作製された素子
は、単結晶に作製された素子に比べて、その性能が太き
（劣るものとなる。
にまたがって形成された素子とは、その電気的特性に大
きな差異のあることが分る。すなわち、従来法で得られ
ていた非晶質上の堆積膜は非晶質又は粒径分布をもった
多結晶等の非単結晶構造となり、そこに作製された素子
は、単結晶に作製された素子に比べて、その性能が太き
（劣るものとなる。
そのために用途としては簡単なスイッチング素子、太陽
電池、光電変換素子等に今のところ限られている。
電池、光電変換素子等に今のところ限られている。
また、前述した溶融固化によって大粒径の多結晶薄膜を
形成する方法は、ウェハーごとに非晶質又は多結晶の薄
膜にエネルギービーム等を走査して行うために、大粒径
化に多大な時間を要し、量産性に乏しく、溶融させるた
めに加える熱による不純物の拡散及び大面積化に向かな
いという課題を有していた。
形成する方法は、ウェハーごとに非晶質又は多結晶の薄
膜にエネルギービーム等を走査して行うために、大粒径
化に多大な時間を要し、量産性に乏しく、溶融させるた
めに加える熱による不純物の拡散及び大面積化に向かな
いという課題を有していた。
以上述べたように従来の結晶形成方法では、三次元集積
化や大面積化が容易ではなく、デバイスへの実用的な応
用が困難であり、優れた特性を有するデバイスを作製す
るために必要とされる単結晶を容易に、且つ低コストで
形成することができなかった。
化や大面積化が容易ではなく、デバイスへの実用的な応
用が困難であり、優れた特性を有するデバイスを作製す
るために必要とされる単結晶を容易に、且つ低コストで
形成することができなかった。
この問題点を解決するため本出願人により、核形成密度
の差を利用した結晶成長方法（ヨーロッパ公開公報０，
２２４，０８１号、’８７−１１−４公開）および熱処
理による凝集を利用した結晶成長方法（ヨーロッパ公開
公報０，３０６，１５３号、’８９−３−８公開）等が
提案されている。
の差を利用した結晶成長方法（ヨーロッパ公開公報０，
２２４，０８１号、’８７−１１−４公開）および熱処
理による凝集を利用した結晶成長方法（ヨーロッパ公開
公報０，３０６，１５３号、’８９−３−８公開）等が
提案されている。
本発明の目的は、上記の従来の課題を解消し、三次元集
積化や大面積化、デバイスの作成に適した優れた特性を
有する結晶の形成方法を提供することである。
積化や大面積化、デバイスの作成に適した優れた特性を
有する結晶の形成方法を提供することである。
本発明の他の目的は、前述本出願人の提案した結晶成長
方法をさらに発展した結晶の形成方法を提供することで
ある。
方法をさらに発展した結晶の形成方法を提供することで
ある。
本発明の他の目的は後工程のプロセス温度以上の耐熱性
があれば任意の基体が使用可能であり、設計時及び製造
時の自由度が大きく、ガラスのような大面積化の容易な
非晶質基体上にも単結晶薄膜を容易に形成でき結晶の形
成方法を提供することでもある。
があれば任意の基体が使用可能であり、設計時及び製造
時の自由度が大きく、ガラスのような大面積化の容易な
非晶質基体上にも単結晶薄膜を容易に形成でき結晶の形
成方法を提供することでもある。
本発明の更に他の目的は、基体の任意の位置に微小な単
結晶種子を所望の間隔で形成してから結晶形成処理を行
うことで、各種子を起点にして成長する単結晶が衝突す
るまで成長させる際、その微小な単結晶種子の間隔によ
り成長する単結晶の大きさ及び粒界の位置も制御できる
結晶の形成方法を提供することである。
結晶種子を所望の間隔で形成してから結晶形成処理を行
うことで、各種子を起点にして成長する単結晶が衝突す
るまで成長させる際、その微小な単結晶種子の間隔によ
り成長する単結晶の大きさ及び粒界の位置も制御できる
結晶の形成方法を提供することである。
本発明の他の目的は、非晶質絶縁基板上に単体デバイス
が形成可能な程、充分大きな半導体単結晶を多数形成で
き、例えば石英ガラスのような安価で大面積の基体に、
高性能な単結晶デバイスを集積形成できる結晶の形成方
法を提供することである。
が形成可能な程、充分大きな半導体単結晶を多数形成で
き、例えば石英ガラスのような安価で大面積の基体に、
高性能な単結晶デバイスを集積形成できる結晶の形成方
法を提供することである。
本発明の別の目的は、熱処理によって凝集するに充分微
細な表面積を有し不純物が含有されている原種子が設け
られ、核形成密度の小さい非核形成面（Ｓ ＮＤＳ ）
を有する基体に、水素雰囲気中に於いて、前記原種子が
融解する温度より低い熱処理温度で熱処理を施して前記
原種子に凝集を生起させることにより前記原種子を単結
晶化して種子を形成し、次いで結晶形成処理を施して前
記種子を起点にして単結晶を成長させる事を特徴とする
。
細な表面積を有し不純物が含有されている原種子が設け
られ、核形成密度の小さい非核形成面（Ｓ ＮＤＳ ）
を有する基体に、水素雰囲気中に於いて、前記原種子が
融解する温度より低い熱処理温度で熱処理を施して前記
原種子に凝集を生起させることにより前記原種子を単結
晶化して種子を形成し、次いで結晶形成処理を施して前
記種子を起点にして単結晶を成長させる事を特徴とする
。
尚、本件で使用する「凝集」とは表面エネルギーを減少
させるために固相で原子が移動する現象を云う。本発明
のように、結晶の種子を与える源が薄膜である場合、薄
膜の体積に対する表面積の占める割合が著しく太き（、
その結果、表面エネルギーが減少することを駆動力とし
て、融点より低い温度、場合によっては融点よりはるか
に低い温度でも「凝集」が起こる。
させるために固相で原子が移動する現象を云う。本発明
のように、結晶の種子を与える源が薄膜である場合、薄
膜の体積に対する表面積の占める割合が著しく太き（、
その結果、表面エネルギーが減少することを駆動力とし
て、融点より低い温度、場合によっては融点よりはるか
に低い温度でも「凝集」が起こる。
以下、図面を用いて本発明を具体的に説明する。
第１図に本発明の結晶の形成方法の好適な実施態様の一
例の工程図を模式的に示す。
例の工程図を模式的に示す。
第１図（Ａ）は核形成密度の低い表面を有する下地材料
１０１の該表面に種子形成源となる薄膜１０２を堆積す
る。該薄膜１０２中に矢印１０４で模式的に示すように
不純物をドーピングする工程（例えばイオンインプラン
テーション等）にて前記薄膜１０２中に不純物を含有さ
せてもよいし、ドーピング用のガスを含む雰囲気中で不
純物を含有する薄膜１０２を形成してもよい。
１０１の該表面に種子形成源となる薄膜１０２を堆積す
る。該薄膜１０２中に矢印１０４で模式的に示すように
不純物をドーピングする工程（例えばイオンインプラン
テーション等）にて前記薄膜１０２中に不純物を含有さ
せてもよいし、ドーピング用のガスを含む雰囲気中で不
純物を含有する薄膜１０２を形成してもよい。
ここで、核形成密度の低い表面を有する下地材料ｌｏｔ
の好適な例としては、例えばガラス（ＳｉＯ２）、表面
を熱酸化したシリコンウェハ、表面に非晶質酸化硅素膜
あるいは非晶質窒化硅素膜を有する金属材料やＡｉ７
、 Ｏ□等、セラミック材料等が挙げられる。
の好適な例としては、例えばガラス（ＳｉＯ２）、表面
を熱酸化したシリコンウェハ、表面に非晶質酸化硅素膜
あるいは非晶質窒化硅素膜を有する金属材料やＡｉ７
、 Ｏ□等、セラミック材料等が挙げられる。
ここで、前記下地材料１０１と前記薄膜１０２との核形
成密度の差は好ましくは１０”倍以上、より好ましくは
１０”倍以上であることが望ましい。
成密度の差は好ましくは１０”倍以上、より好ましくは
１０”倍以上であることが望ましい。
種子形成源となる薄膜１０２を形成する材料としてはＳ
ｔ、 Ｇｅ、 Ｓｎ等の半導体材料や、ＧａＡｓ等の化
合物半導体材料、さらには５ｔ−Ｇｅ、 ５ｉ−３ｎ等
の半導体性混合材料、Ａｕ、 Ａｇ、 Ｃｕ、 Ｐｔ
、 Ｐｄ等の金属材料、Ｐｔ−３ｔ、 ＩｎＳｎ等の
合金材料など、高い核発密度を有し、凝集しやすい物質
が挙げられる。
ｔ、 Ｇｅ、 Ｓｎ等の半導体材料や、ＧａＡｓ等の化
合物半導体材料、さらには５ｔ−Ｇｅ、 ５ｉ−３ｎ等
の半導体性混合材料、Ａｕ、 Ａｇ、 Ｃｕ、 Ｐｔ
、 Ｐｄ等の金属材料、Ｐｔ−３ｔ、 ＩｎＳｎ等の
合金材料など、高い核発密度を有し、凝集しやすい物質
が挙げられる。
薄膜１０２中にドーピングする不純物としては薄膜１０
２を形成する材料によって所望に応じて適宜選択される
が、例えば薄膜１０２形成材料にＳｉ系の材料を選択す
る場合はＰ、 Ｂ、 Ａｓ、 Ｓｎ等が挙げられる。勿
論、これ等の不純物は、他の薄膜１０２形成材料を選択
した場合でも使用可能である。
２を形成する材料によって所望に応じて適宜選択される
が、例えば薄膜１０２形成材料にＳｉ系の材料を選択す
る場合はＰ、 Ｂ、 Ａｓ、 Ｓｎ等が挙げられる。勿
論、これ等の不純物は、他の薄膜１０２形成材料を選択
した場合でも使用可能である。
薄膜１０２を形成する材料にドーピングする不純物の含
有量としては好ましくは１×１０２ｏ原子／ｃｒｄ以上
、好ましくは５ＸＩＱ”原子／ｃｒｄ以上、最適には固
溶限以上とするのが凝集開始温度を下げ、短時間で単一
体に凝集し、単結晶性の種子を形成するためには望まし
い。
有量としては好ましくは１×１０２ｏ原子／ｃｒｄ以上
、好ましくは５ＸＩＱ”原子／ｃｒｄ以上、最適には固
溶限以上とするのが凝集開始温度を下げ、短時間で単一
体に凝集し、単結晶性の種子を形成するためには望まし
い。
第１図（Ｂ）は、前記薄膜１０２を分断することなく単
一体に凝集するに充分微細にパターニングして原種子（
Ｐ ｒ ｉ ｍ ａ ｒ ｙ ｓ ｅ ｅ ｄ ）
１０２ ａ 〜１０２ ｄを形成した状態を示すもので
ある。ここで単一体に凝集する原種子１０２ ａ−１０
２ｄの大きさは原種子の膜厚とパターンの大きさの相関
に於いて適宜所望に応じて決定される。例えば第２図に
描かれているように薄膜２０２が厚さｔｌ−辺ｌの大き
さにバターニングされているとする。このｔとｌとを適
切に選択しない場合にはこの薄膜２０２に熱処理を加え
ると第２図の右側に示される様に薄膜２０２は凝集現象
を起こしはするが２０３ａ〜２０３Ｃに示すような小さ
な粒に分断されて単一体にならない。この現象はバター
ニング寸法ｌに対してｔが小さすぎる場合には起こる。
一体に凝集するに充分微細にパターニングして原種子（
Ｐ ｒ ｉ ｍ ａ ｒ ｙ ｓ ｅ ｅ ｄ ）
１０２ ａ 〜１０２ ｄを形成した状態を示すもので
ある。ここで単一体に凝集する原種子１０２ ａ−１０
２ｄの大きさは原種子の膜厚とパターンの大きさの相関
に於いて適宜所望に応じて決定される。例えば第２図に
描かれているように薄膜２０２が厚さｔｌ−辺ｌの大き
さにバターニングされているとする。このｔとｌとを適
切に選択しない場合にはこの薄膜２０２に熱処理を加え
ると第２図の右側に示される様に薄膜２０２は凝集現象
を起こしはするが２０３ａ〜２０３Ｃに示すような小さ
な粒に分断されて単一体にならない。この現象はバター
ニング寸法ｌに対してｔが小さすぎる場合には起こる。
そこで第３図に示すように第２図に示す一辺の長さｌに
対して膜厚ｔを充分大きくとると第３図に示すように分
断することな（単一体の粒３０４になるように凝集する
ことができる。尚、３０３は粒界を示す。又は、第２図
に示すｔに対してｌを充分小さくすれば薄膜４０２ａ、
４０２ｂの夫々は凝集して、単一の粒４０３ａ、４０
３ｂになる。
対して膜厚ｔを充分大きくとると第３図に示すように分
断することな（単一体の粒３０４になるように凝集する
ことができる。尚、３０３は粒界を示す。又は、第２図
に示すｔに対してｌを充分小さくすれば薄膜４０２ａ、
４０２ｂの夫々は凝集して、単一の粒４０３ａ、４０
３ｂになる。
本発明者が実験と検討を多く行った結果からすればその
サイズが一辺の長さ１１厚さｔ（第６図参照）の原種子
を単一体に凝集させるｔとＥの条件は、例えば原種予形
成材料が非単結晶質シリコン、多結晶シリコン又は非晶
質シリコンである場合、第５図に示すような関係をもつ
ことがわかった。第５図において、斜線領域（領域Ａ）
にある寸法を有する原種子が熱処理後に単一の種子に凝
集し、本発明の結晶成長法の種子となり得る。但し単一
種子になり得る膜厚ｔの上限は約１μｍ（１０，０００
人）程度であった。
サイズが一辺の長さ１１厚さｔ（第６図参照）の原種子
を単一体に凝集させるｔとＥの条件は、例えば原種予形
成材料が非単結晶質シリコン、多結晶シリコン又は非晶
質シリコンである場合、第５図に示すような関係をもつ
ことがわかった。第５図において、斜線領域（領域Ａ）
にある寸法を有する原種子が熱処理後に単一の種子に凝
集し、本発明の結晶成長法の種子となり得る。但し単一
種子になり得る膜厚ｔの上限は約１μｍ（１０，０００
人）程度であった。
ここで、より低い処理温度、より短い処理時間で単一体
に凝集した種子を得るための原種子のサイズ範囲は、第
５図に示す領域Ａ内にあることが望ましく、−辺の長さ
ｌは好ましくは５μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以上２μｍ以下、また膜厚ｔは好ましくは１μｍ以下、
より好ましくは７００Å以上４０００Å以下、最適には
１２００Å以上２０００Å以下とするのが望ましい。
に凝集した種子を得るための原種子のサイズ範囲は、第
５図に示す領域Ａ内にあることが望ましく、−辺の長さ
ｌは好ましくは５μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以上２μｍ以下、また膜厚ｔは好ましくは１μｍ以下、
より好ましくは７００Å以上４０００Å以下、最適には
１２００Å以上２０００Å以下とするのが望ましい。
第５図からも判るように原種子の膜厚が１２００人を超
えれば、バターニング寸法は一辺が１μｍ以上とするこ
とが出来るので、一般のフォトリソグラフィ技術のレベ
ルでも充分対応できる。
えれば、バターニング寸法は一辺が１μｍ以上とするこ
とが出来るので、一般のフォトリソグラフィ技術のレベ
ルでも充分対応できる。
なお、原種子の形状は上記した正方形に同等限定される
ものではなく、水素を含有する雰囲気中で熱処理するこ
とにより単一体に凝集し得る形状であればよい。例えば
、多角形、ダ円形、円形等であってもよい。
ものではなく、水素を含有する雰囲気中で熱処理するこ
とにより単一体に凝集し得る形状であればよい。例えば
、多角形、ダ円形、円形等であってもよい。
上記に示したように単一体に凝集できるほど充分微細に
加工された原種子１０２ａ〜１０２ｄ （第１図（Ｂ）
参照）は、次の工程で水素を含む雰囲気中で熱処理され
る。熱処理をうけた原種子１０２ａ−１０２ｄは凝集し
て第１図（Ｃ）に示すように単結晶の種子１０３ ａ−
１０３ｄに変化する。このときの熱処理条件としては、
水素を含有する雰囲気を用いることがより短時間、より
低温で単一体に凝集させるためには望ましい。
加工された原種子１０２ａ〜１０２ｄ （第１図（Ｂ）
参照）は、次の工程で水素を含む雰囲気中で熱処理され
る。熱処理をうけた原種子１０２ａ−１０２ｄは凝集し
て第１図（Ｃ）に示すように単結晶の種子１０３ ａ−
１０３ｄに変化する。このときの熱処理条件としては、
水素を含有する雰囲気を用いることがより短時間、より
低温で単一体に凝集させるためには望ましい。
前記水素を含有する雰囲気中の水素濃度は、好ましくは
２０％以上１００％以下、より好ましくは７０％以上１
００％以下、最適には９０％以上１００％以下とするの
が望ましい。
２０％以上１００％以下、より好ましくは７０％以上１
００％以下、最適には９０％以上１００％以下とするの
が望ましい。
また、熱処理を行う際の圧力は減圧、常圧、加圧どちら
でもよいが、より短時間より低温で単一体に凝集するた
めには減圧とするのが望ましい。
でもよいが、より短時間より低温で単一体に凝集するた
めには減圧とするのが望ましい。
第７図に単結晶性の種子の形成率と熱処理時間との関係
を示す。
を示す。
この時の条件は、基体として層厚２０００人の熱酸化シ
リコン層を表面に有するＳｉウェハ上に層厚４０００人
、直径１．２μｍφのｌＸｌ０”原子／ｃｎ？のＰを含
有するＰｏ１ｙ−５ｉからなる原種子を配し、圧カフ６
０Ｔｏｒｒ、熱処理部度１０４５℃であった。
リコン層を表面に有するＳｉウェハ上に層厚４０００人
、直径１．２μｍφのｌＸｌ０”原子／ｃｎ？のＰを含
有するＰｏ１ｙ−５ｉからなる原種子を配し、圧カフ６
０Ｔｏｒｒ、熱処理部度１０４５℃であった。
第７図からも明らかなように、水素を含有しない雰囲気
中の熱処理と比較して水素を含有する雰囲気中での熱処
理では、層厚が４０００人もの厚さの原種子を単結晶化
することができる。
中の熱処理と比較して水素を含有する雰囲気中での熱処
理では、層厚が４０００人もの厚さの原種子を単結晶化
することができる。
熱処理を行う温度としては、原種子の融解する温度より
低く、原種子の材料の原子が表面エネルギーを減小させ
るために固相で移動しはじめる温度以上が好ましい。
低く、原種子の材料の原子が表面エネルギーを減小させ
るために固相で移動しはじめる温度以上が好ましい。
原種子の融解する温度以上で熱処理すると、原種子の材
料によっては、下地材料と反応したり、蒸発等により単
結晶性の種子が得られない場合がある。
料によっては、下地材料と反応したり、蒸発等により単
結晶性の種子が得られない場合がある。
前記原種子の材料の原子が固相で移動しはじめる温度は
原種子の表面積、膜厚にもよるが、通常０．６ＸＴｍ
（Ｋ）程度である（ここでＴｍは原種子の材料の融点（
Ｋ））。
原種子の表面積、膜厚にもよるが、通常０．６ＸＴｍ
（Ｋ）程度である（ここでＴｍは原種子の材料の融点（
Ｋ））。
原種子の材料を例えばシリコンとした場合、８００℃以
上１１００℃以下の熱処理温度で熱処理することにより
単結晶性の種子を形成し得る。
上１１００℃以下の熱処理温度で熱処理することにより
単結晶性の種子を形成し得る。
熱処理の時間の下限としては好ましくは１０秒以上、よ
り好ましくは３０秒以上、最適には５分以上であって、
上限としては１０時間以下、より好ましくは５時間以下
、最適には３０分以下とするのが単一体に凝集した単結
晶性の種子を歩留りよ（形成するには望ましい。
り好ましくは３０秒以上、最適には５分以上であって、
上限としては１０時間以下、より好ましくは５時間以下
、最適には３０分以下とするのが単一体に凝集した単結
晶性の種子を歩留りよ（形成するには望ましい。
熱処理の時間が１０秒未満の場合には非単結晶性の原種
子から単結晶性の種子を十分形成できないことがある。
子から単結晶性の種子を十分形成できないことがある。
熱処理の時間が１０時間以上の場合には原種子の材料に
よっては、熱処理の温度で高い蒸気圧を有していたり、
下地材料表面の材料と反応し、高い蒸気圧の化合物が生
成し、形成した単結晶性の種子が昇化反応により小さ（
なっていき、やがて消失してしまうことがある。
よっては、熱処理の温度で高い蒸気圧を有していたり、
下地材料表面の材料と反応し、高い蒸気圧の化合物が生
成し、形成した単結晶性の種子が昇化反応により小さ（
なっていき、やがて消失してしまうことがある。
前述した、水素を含有する雰囲気中での熱処理により原
種子材材と下地材料表面の材料とが固相反応により高い
蒸気圧の化合物を生成する場合には、原種子と下地材料
との間に原種子材材との反応がほとんど起こらない材料
からなる中間層を設け、原種子材材と下地材料とが接触
するのを防ぐことが望ましい。
種子材材と下地材料表面の材料とが固相反応により高い
蒸気圧の化合物を生成する場合には、原種子と下地材料
との間に原種子材材との反応がほとんど起こらない材料
からなる中間層を設け、原種子材材と下地材料とが接触
するのを防ぐことが望ましい。
前記中間層の材質としては化学的に安定であって、成長
させる結晶材料に対する核形成密度が低い材料、例えば
Ａｊ！ ２０３．ＳｉＮｘ、５ｉＯＮ等が挙げられる。
させる結晶材料に対する核形成密度が低い材料、例えば
Ａｊ！ ２０３．ＳｉＮｘ、５ｉＯＮ等が挙げられる。
前記中間層の層厚としては、原種子材材と下地材料との
接触を防ぎ得る層厚であれば良く、層厚にバラツキがな
く安定した層を形成し得る５０λ以上５００Å以下程度
の層厚があれば十分である。
接触を防ぎ得る層厚であれば良く、層厚にバラツキがな
く安定した層を形成し得る５０λ以上５００Å以下程度
の層厚があれば十分である。
前記中間層は原種子と下地材料とが水素を含む雰囲気中
での熱処理によつて前述固相反応を起こす材料の組合せ
であっても、原種子材料を効率よく利用して種子を形成
し得、また、前記固相反応による下地材料の掘り下げや
表面荒れを防ぐことができる。
での熱処理によつて前述固相反応を起こす材料の組合せ
であっても、原種子材料を効率よく利用して種子を形成
し得、また、前記固相反応による下地材料の掘り下げや
表面荒れを防ぐことができる。
次に種子１０３ａ−１０３ｄは結晶成長処理を施される
（第１図（Ｄ））。成長する単結晶体１０４ａ−１０４
ｄは種子１０３ａ〜１０３ｄに対してホモエピタキシャ
ルでもヘテロエピタキシャルでも良く、気相法や液相法
等の選択成長の可能な条件で行われる。単結晶体１０４
ａ−１０４ｄは成長を続けると第１図（Ｅ）のように
隣りの単結晶体同志がぶつかり合って、そこに粒界（Ｇ
ｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）を生ずる。この粒界の
位置は第１図（Ｅ）かられかるように種子と種子のほぼ
中間位置に形成される。従って原種子を所望の位置に配
することによって粒界の位置も成長した単結晶体の粒径
も制御出来る。
（第１図（Ｄ））。成長する単結晶体１０４ａ−１０４
ｄは種子１０３ａ〜１０３ｄに対してホモエピタキシャ
ルでもヘテロエピタキシャルでも良く、気相法や液相法
等の選択成長の可能な条件で行われる。単結晶体１０４
ａ−１０４ｄは成長を続けると第１図（Ｅ）のように
隣りの単結晶体同志がぶつかり合って、そこに粒界（Ｇ
ｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）を生ずる。この粒界の
位置は第１図（Ｅ）かられかるように種子と種子のほぼ
中間位置に形成される。従って原種子を所望の位置に配
することによって粒界の位置も成長した単結晶体の粒径
も制御出来る。
以上のようにして成長した単結晶体は、その上にデバイ
スを形成する等その目的に応じて、第１図（Ｆ）に示す
ように単結晶体１０４ａ〜１０４ｄの各上部をエツチン
グやラッピング等で平担化される。
スを形成する等その目的に応じて、第１図（Ｆ）に示す
ように単結晶体１０４ａ〜１０４ｄの各上部をエツチン
グやラッピング等で平担化される。
本発明に於けるドーピングする不純物は凝集を促進する
働きと凝集を起す条件の範囲を拡大する働きがある。
働きと凝集を起す条件の範囲を拡大する働きがある。
前述した例に従えば、原種予形成材料が多結晶シリコン
の場合、原種子中に含有される不純物としては、例えば
Ｐ（リン）等が挙げられ、その濃度は例えばｌＸｌＯ２
０Ｃｍ””程度とすることによって、１辺が２μｍ四方
で、厚み４０００人の薄層状原種子が１０００℃、５分
間の水素を含有する雰囲気中の熱処理で単一体に凝集す
る。
の場合、原種子中に含有される不純物としては、例えば
Ｐ（リン）等が挙げられ、その濃度は例えばｌＸｌＯ２
０Ｃｍ””程度とすることによって、１辺が２μｍ四方
で、厚み４０００人の薄層状原種子が１０００℃、５分
間の水素を含有する雰囲気中の熱処理で単一体に凝集す
る。
従っである程度厚い層を凝集させるためには、不純物の
ドーピングは極めて有効な要素となる。
ドーピングは極めて有効な要素となる。
第８図は水素ガス１００％の雰囲気中、圧カフ６０Ｔｏ
ｒｒで３０分間熱処理した場合のノンドープｐｏｌｙ−
５ｉ連続層及び７．５Ｘ１０”原子／ｃｒｄのリンを含
有したｐｏｌｙ−５ｉ連続層の層厚と凝集開始温度との
関係を示したものである。第８図より明らかなように不
純物を含有することによってｐｏｌｙ−３ｉ層は不純物
を含有しないｐｏｌｙ−３ｉ層と比較して約１００℃も
低い温度で凝集を開始することがわかる。
ｒｒで３０分間熱処理した場合のノンドープｐｏｌｙ−
５ｉ連続層及び７．５Ｘ１０”原子／ｃｒｄのリンを含
有したｐｏｌｙ−５ｉ連続層の層厚と凝集開始温度との
関係を示したものである。第８図より明らかなように不
純物を含有することによってｐｏｌｙ−３ｉ層は不純物
を含有しないｐｏｌｙ−３ｉ層と比較して約１００℃も
低い温度で凝集を開始することがわかる。
実施例１
第１図を参考にしながら本発明の実施例１を説明する。
まず基体１０１として４インチシリコンウェハーを使用
し、表面を核形成密度の小さい非核形成面とすべ（通常
の熱酸化法により、厚み２０００人の非晶質酸化シリコ
ン膜を形成した。その上にＬＰＣＶＤ法で多結晶シリコ
ン膜１０２を２０００人の厚みに堆積した。このときの
条件は、ソースガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）、流
量５０ＳＣＣＭ、圧力０．３Ｔｏｒｒ。
し、表面を核形成密度の小さい非核形成面とすべ（通常
の熱酸化法により、厚み２０００人の非晶質酸化シリコ
ン膜を形成した。その上にＬＰＣＶＤ法で多結晶シリコ
ン膜１０２を２０００人の厚みに堆積した。このときの
条件は、ソースガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）、流
量５０ＳＣＣＭ、圧力０．３Ｔｏｒｒ。
膜形成温度６２０℃とした。次いで多結晶シリコン膜１
０２中に、不純物としてｓＩＰ＋（リン）をイオンイン
ブランターでイオン加速電圧３０ＫｅＶの条件で２ Ｘ
Ｉ Ｏ”ｃｍ−”注入した（第１図（Ａ）参照）。
０２中に、不純物としてｓＩＰ＋（リン）をイオンイン
ブランターでイオン加速電圧３０ＫｅＶの条件で２ Ｘ
Ｉ Ｏ”ｃｍ−”注入した（第１図（Ａ）参照）。
次に、前記濃度でリンがドープされた多結晶シリコン膜
１０２を通常のフォトリソグラフィー技術を使って、１
つが１．２μｍＸ１．２μｍの正方形で１００μｍの間
隔にパターニングして、これを原種子１０２ ａ−１０
２ｄとした（第１図（Ｂ）参照）。
１０２を通常のフォトリソグラフィー技術を使って、１
つが１．２μｍＸ１．２μｍの正方形で１００μｍの間
隔にパターニングして、これを原種子１０２ ａ−１０
２ｄとした（第１図（Ｂ）参照）。
次にこの様に原種子１０２ａ〜１０２ｄを形成した基体
１０１を圧カフ６０Ｔｏｒｒ水素雰囲気中１０１０℃で
３分間熱処理した。その結果第１図（Ｃ）に示すように
各原種子はそれぞれが単一体に凝集し、単結晶性の種子
１０３ａ〜１０３ｄとなった。
１０１を圧カフ６０Ｔｏｒｒ水素雰囲気中１０１０℃で
３分間熱処理した。その結果第１図（Ｃ）に示すように
各原種子はそれぞれが単一体に凝集し、単結晶性の種子
１０３ａ〜１０３ｄとなった。
次にこの様にして種子１０３ ａ−１０３６を形成した
基体に結晶形成処理を施した。このときの結晶形成処理
条件は、ガス系を５ｉＨ２Ｃ１２： ＨＣＩ ： Ｈ２
＝０．５３ ： １．６５ ： １００ （ＳＬＭ）と
し、処理温度９９０℃、圧力１５０Ｔｏｒｒで行った。
基体に結晶形成処理を施した。このときの結晶形成処理
条件は、ガス系を５ｉＨ２Ｃ１２： ＨＣＩ ： Ｈ２
＝０．５３ ： １．６５ ： １００ （ＳＬＭ）と
し、処理温度９９０℃、圧力１５０Ｔｏｒｒで行った。
その結果初めの数分間で第１図（Ｄ）に示すように種子
１０３ａ−１０３ｄの夫々を起点として単結晶体１０４
ａ−１０４ｄが成長した。
１０３ａ−１０３ｄの夫々を起点として単結晶体１０４
ａ−１０４ｄが成長した。
同条件で成長を続けると、約９０分間で隣り同志の単結
晶体が、第１図（Ｅ）に示すような形でぶつかり合い、
隣りの種子とのほぼ中間位置に結晶粒界（Ｇｒａｉｎ
Ｂｏｕｎｄａｒｙ）が生じた。
晶体が、第１図（Ｅ）に示すような形でぶつかり合い、
隣りの種子とのほぼ中間位置に結晶粒界（Ｇｒａｉｎ
Ｂｏｕｎｄａｒｙ）が生じた。
以上のようにして形成された単結晶群をラッピングによ
り平担化し、第１図（Ｆ）に示すような、−辺が約１０
０μｍの単結晶群が５ｉ０２膜上に形成された。これ等
の単結晶群に就で、Ｘ線による結晶回折を行ったところ
極めて良好な結晶性が得られた。
り平担化し、第１図（Ｆ）に示すような、−辺が約１０
０μｍの単結晶群が５ｉ０２膜上に形成された。これ等
の単結晶群に就で、Ｘ線による結晶回折を行ったところ
極めて良好な結晶性が得られた。
実施例２
ガラス基板上にＬＰＧＶＤによりＰ（燐）を３ＸｌＯ”
ｃｍ−２ドープした多結晶シリコン膜を２５０人の厚さ
に堆積した。この堆積膜をＥＢ（電子線）露光技術を用
いたバターニング技術によって、０．３μｍＸ０．３μ
ｍの正方形で１００μｍ間隔にバターニングして原種子
を形成した。
ｃｍ−２ドープした多結晶シリコン膜を２５０人の厚さ
に堆積した。この堆積膜をＥＢ（電子線）露光技術を用
いたバターニング技術によって、０．３μｍＸ０．３μ
ｍの正方形で１００μｍ間隔にバターニングして原種子
を形成した。
上記原種子を配したガラス基板を９９０℃で２分間、圧
力２００Ｔｏｒｒの水素雰囲気中で熱処理し、単結晶性
の種子に転化せしめ、続いてＳｉＨ２Ｃ１２：ＨＣｊ！
：Ｈ２＝ＯＪ３： １，６Ｆ）： １００ （ＳＬＭ
）、９９０℃、Ｉ ５０Ｔｏｒｒで９０分間結晶成長処
理を行った。
力２００Ｔｏｒｒの水素雰囲気中で熱処理し、単結晶性
の種子に転化せしめ、続いてＳｉＨ２Ｃ１２：ＨＣｊ！
：Ｈ２＝ＯＪ３： １，６Ｆ）： １００ （ＳＬＭ
）、９９０℃、Ｉ ５０Ｔｏｒｒで９０分間結晶成長処
理を行った。
これにより、隣りの種子とのほぼ中間位置に結晶粒界を
有し、−辺が約１００μｍの単結晶群が成長した。
有し、−辺が約１００μｍの単結晶群が成長した。
成長した単結晶の上面をラッピングにより平担化し、ガ
ラス基板上に一辺１００μｍ角の単結晶群から成る層を
形成した。
ラス基板上に一辺１００μｍ角の単結晶群から成る層を
形成した。
この単結晶群に就で結晶性をＸ線で確認したところ極め
て良好なものであった。
て良好なものであった。
実施例３
ガラス基板上にスパッタ法により多結晶ゲルマニウムを
１０００人堆積し、堆積膜中にＡｓイオンをイオンイン
ブランターでｌＸｌ０”／ｃｒｒｆ、５０ＫｅＶで注入
した。
１０００人堆積し、堆積膜中にＡｓイオンをイオンイン
ブランターでｌＸｌ０”／ｃｒｒｆ、５０ＫｅＶで注入
した。
次に上記のＡｓがドープされたゲルマニウム薄膜を通常
のフォトリソ技術で１．２μｍＸ１．２μｍの正方形で
１００μｍ間隔にバターニングして原種子を形成した。
のフォトリソ技術で１．２μｍＸ１．２μｍの正方形で
１００μｍ間隔にバターニングして原種子を形成した。
次に上記原種子を配したガラス基体を圧力５０Ｔｏｒｒ
の水素雰囲気中で７００℃、１分間熱処理し、単結晶ゲ
ルマニウムの種子に転化させた。
の水素雰囲気中で７００℃、１分間熱処理し、単結晶ゲ
ルマニウムの種子に転化させた。
あとは前記実施例２と同様の条件でシリコン単結晶体を
ヘテロエピタキシャル成長させ、その後平担化処理を施
して一辺が１００μｍ角のＳｆ単結晶群を形成した。
ヘテロエピタキシャル成長させ、その後平担化処理を施
して一辺が１００μｍ角のＳｆ単結晶群を形成した。
この単結晶は良品質のものであることがＸ線回折によっ
て確認された。
て確認された。
実施例４
第９図を参照しつつ本実施例を説明する。
４インチ溶融石英８０１上に、ＬＰＣｖＤを用いて多結
晶シリコン膜８０２を厚さ１５００人堆積する（第９図
（Ａ））。
晶シリコン膜８０２を厚さ１５００人堆積する（第９図
（Ａ））。
通常のフォトリソグラフィー工程により多結晶シリコン
膜を直径１．２μｍの円形の島状に５０μｍ間隔の格子
点上にバターニングし、原種子８０３を形成する（第９
図（Ｂ））。
膜を直径１．２μｍの円形の島状に５０μｍ間隔の格子
点上にバターニングし、原種子８０３を形成する（第９
図（Ｂ））。
前記原種子８０３を配した基体を水素雰囲気中１００Ｔ
ｏｒｒ、 １０５０℃、２０分間のアニールを行った。
ｏｒｒ、 １０５０℃、２０分間のアニールを行った。
このときバターニングされた多結晶シリコン膜からなる
原種子は凝集を起し、それぞれが単一ドメインの単結晶
性の種子８０４になった（第９図（Ｃ））。
原種子は凝集を起し、それぞれが単一ドメインの単結晶
性の種子８０４になった（第９図（Ｃ））。
第１０図は液相中での選択成長法の本実施例に用いられ
る結晶成長装置の一例を示す概略構成図である。
る結晶成長装置の一例を示す概略構成図である。
第１０図において、９３１は表面に選択堆積がなされる
基体であり、該基体は基体ホルダ９３２により固定保持
されており、該基体ホルダは基体支持棒９３３により上
方から吊下げられている。９３４はルツボであり、該ル
ツボ中には成長させる結晶材料の成分を含有する溶液９
３５が収容されている。以上の部材は処理室９３６内に
配置されており、該処理室の周囲にはヒータ９３７が配
置されている。
基体であり、該基体は基体ホルダ９３２により固定保持
されており、該基体ホルダは基体支持棒９３３により上
方から吊下げられている。９３４はルツボであり、該ル
ツボ中には成長させる結晶材料の成分を含有する溶液９
３５が収容されている。以上の部材は処理室９３６内に
配置されており、該処理室の周囲にはヒータ９３７が配
置されている。
選択堆積時には、上記溶液９３５中に基体９３１を浸漬
して、ヒータ９３７により処理室９３６内を適宜の温度
に加熱し、適宜の速度で徐々に冷却することができる。
して、ヒータ９３７により処理室９３６内を適宜の温度
に加熱し、適宜の速度で徐々に冷却することができる。
次に、種子を形成した基体に第１Ｏ図に示す結晶成長装
置を用いて液相法により結晶成長処理を施した。
置を用いて液相法により結晶成長処理を施した。
この時の条件はシリコンを溶質とし、スズを溶媒とする
１０００℃の飽和溶液を０．２℃／ ｍ ｉ ｎの徐冷
速度で８００℃まで徐冷するものとした。
１０００℃の飽和溶液を０．２℃／ ｍ ｉ ｎの徐冷
速度で８００℃まで徐冷するものとした。
結晶成長処理終了後、基体を結晶成長装置から取り出し
、希塩酸で基体を洗浄したところ、種子より成長した結
晶８０５が基体を覆っていた（第９図（Ｄ））。
、希塩酸で基体を洗浄したところ、種子より成長した結
晶８０５が基体を覆っていた（第９図（Ｄ））。
この様な液相中からの選択堆積によれば、堆積材料の過
飽和度を十分に小さく維持した状態にて熱平衡に極めて
近い条件下で堆積が行われるので、結晶欠陥等のない良
質の単結晶が得られる。
飽和度を十分に小さく維持した状態にて熱平衡に極めて
近い条件下で堆積が行われるので、結晶欠陥等のない良
質の単結晶が得られる。
成長した結晶８０５は隣り合った種子とのほぼ中間で接
し、結晶粒界８０６を形成しており、粒界の位置と粒径
５０μｍに粒径の制御された結晶を形成することができ
た（第９図（Ｄ））。
し、結晶粒界８０６を形成しており、粒界の位置と粒径
５０μｍに粒径の制御された結晶を形成することができ
た（第９図（Ｄ））。
実施例５
第１１図を参考にしながら本発明の詳細な説明する。
実施例１と同様にして４インチシリコンウェハー１００
１を通常の熱酸化法により表面酸化して厚さ２０００人
の非晶質酸化シリコン層１００２を形成した。その上に
ＬＰＣＶＤ法により、窒化シリコン層１００３を厚さ５
００人堆積した。この時の条件はソースガスとしてＳｉ
Ｈ２Ｃ１２、流量２０ＳＣＣＭ及びＮＨ３、流ｆｉ８０
３ＣＣＭ、圧力０．３Ｔｏｒｒ、膜形成温度ＳＯＯ℃と
した。
１を通常の熱酸化法により表面酸化して厚さ２０００人
の非晶質酸化シリコン層１００２を形成した。その上に
ＬＰＣＶＤ法により、窒化シリコン層１００３を厚さ５
００人堆積した。この時の条件はソースガスとしてＳｉ
Ｈ２Ｃ１２、流量２０ＳＣＣＭ及びＮＨ３、流ｆｉ８０
３ＣＣＭ、圧力０．３Ｔｏｒｒ、膜形成温度ＳＯＯ℃と
した。
次いでＬＰＣＶＤ法によりリンをドープした多結晶シリ
コン膜１００４を厚さ１０００人堆積した（第１１図（
Ａ））。この時の条件はソースガスとしてＰＨ８を０．
３％含むＳｉＨ４、流量５０ＳＣＣＭ、圧力０．３Ｔｏ
ｒｒ、膜形成温度６３０℃とした。
コン膜１００４を厚さ１０００人堆積した（第１１図（
Ａ））。この時の条件はソースガスとしてＰＨ８を０．
３％含むＳｉＨ４、流量５０ＳＣＣＭ、圧力０．３Ｔｏ
ｒｒ、膜形成温度６３０℃とした。
次にリンをドープした多結晶シリコン膜と窒化シリコン
膜とを一緒に、通常の反応性イオンエツチング技術を使
って１つが０．８μｍＸ０．８μｍの正方形で１００μ
ｍの間隔にパターニングして、原種子１００５を有する
基体を形成した（第１１図（Ｂ））。
膜とを一緒に、通常の反応性イオンエツチング技術を使
って１つが０．８μｍＸ０．８μｍの正方形で１００μ
ｍの間隔にパターニングして、原種子１００５を有する
基体を形成した（第１１図（Ｂ））。
次にこのようにして原種子を形成した基体を水素雰囲気
中７６０Ｔｏｒｒ、１０００℃、３０分間熱処理した。
中７６０Ｔｏｒｒ、１０００℃、３０分間熱処理した。
その結果、第１１図（Ｃ）に示すように各原種子１００
５はそれぞれが単一体に凝集し、単結晶性の種子１００
６となった。尚、これらの種子が単結晶であることは透
過電子顕微鏡で確認した。
５はそれぞれが単一体に凝集し、単結晶性の種子１００
６となった。尚、これらの種子が単結晶であることは透
過電子顕微鏡で確認した。
次に種子を形成した基体にＣＶＤ法による結晶成長処理
を施した。この時の条件はガス系をＳｉＨ２Ｃ１２：Ｈ
Ｃｌ：Ｈ２＝１．２ ： １，８ ： １００ （ＳＬ
Ｍ）とし、圧力１５０Ｔｏｒｒ、処理温度９６０℃とし
た。
を施した。この時の条件はガス系をＳｉＨ２Ｃ１２：Ｈ
Ｃｌ：Ｈ２＝１．２ ： １，８ ： １００ （ＳＬ
Ｍ）とし、圧力１５０Ｔｏｒｒ、処理温度９６０℃とし
た。
この条件で成長を続けると約９０分間で隣り同志の種子
より成長した単結晶体が第１１図（Ｄ）に示すように、
隣りの種子とのほぼ中間で接し、結晶粒界が生じた。
より成長した単結晶体が第１１図（Ｄ）に示すように、
隣りの種子とのほぼ中間で接し、結晶粒界が生じた。
これを走査電子顕微鏡で結晶の外形を観察したところ、
約４４００個のサンプルのうち９９．９％が単結晶特有
、のファセットを形成していた。
約４４００個のサンプルのうち９９．９％が単結晶特有
、のファセットを形成していた。
実施例６
第１２図を参照し、本実施例を説明する。
まず、下地材料としての石英１２０１上に通常のＬＰＣ
ＶＤを用いて中間層として、非晶質Ｓｉ ３ Ｎ ４層
１２０２を５００人、更ニソノ上に同じ＜ ＬＰＧＶＤ
を用イテｐｏｌｙ−Ｓｉ層１２０３を１０００人堆積し
た基体を形成した。
ＶＤを用いて中間層として、非晶質Ｓｉ ３ Ｎ ４層
１２０２を５００人、更ニソノ上に同じ＜ ＬＰＧＶＤ
を用イテｐｏｌｙ−Ｓｉ層１２０３を１０００人堆積し
た基体を形成した。
この基体のｐｏｉｙ−８ｉ層１２０３にイオン注入法に
よりａｌｐ＋イオンを加速エネルギー４０ＫｅＶ、注入
量８Ｘ１０”ｃｍ−”で注入し、リンドープされたｐｏ
ｌｙ−３ｉ層１２０４を有する基体を形成した。
よりａｌｐ＋イオンを加速エネルギー４０ＫｅＶ、注入
量８Ｘ１０”ｃｍ−”で注入し、リンドープされたｐｏ
ｌｙ−３ｉ層１２０４を有する基体を形成した。
次にｐｏｌｙ−３ｉ層１２０３を直径１．２μｍφ、
５０μｍピッチの島状にバターニングして、原種子１２
０５を有する基体を形成した（第１２図（Ｃ））。
５０μｍピッチの島状にバターニングして、原種子１２
０５を有する基体を形成した（第１２図（Ｃ））。
上記基体を水素雰囲気中１０００℃、７６０Ｔｏｒｒ。
５分間のアニールを行った。その結果、前記原種子１２
０５は単一体に凝集し、単結晶性の種子１２０６になっ
た（第１２図（Ｄ））。
０５は単一体に凝集し、単結晶性の種子１２０６になっ
た（第１２図（Ｄ））。
以後、実施例１と同様にして前記基体に結晶成長処理を
施したところ、粒径約５０μｍであワて、前記単結晶性
の種子どうしのほぼ中間の位置に粒界１２０７を有する
結晶性の良好な単結晶体１２０８が形成された。
施したところ、粒径約５０μｍであワて、前記単結晶性
の種子どうしのほぼ中間の位置に粒界１２０７を有する
結晶性の良好な単結晶体１２０８が形成された。
実施例７
実施例６と同様にして下地材料としての石英基板１３０
１上にａ−Ｓｉ３Ｎ４層１３０２とｐｏｌｙ−５ｉ層１
３０３を形成し、イオン注入されたｐ ｏ ｌ ｙ −
Ｓ ３層１３０４を有する基体を形成した（第１３図（
Ａ）及び第１３図（Ｂ））。
１上にａ−Ｓｉ３Ｎ４層１３０２とｐｏｌｙ−５ｉ層１
３０３を形成し、イオン注入されたｐ ｏ ｌ ｙ −
Ｓ ３層１３０４を有する基体を形成した（第１３図（
Ａ）及び第１３図（Ｂ））。
次に、実施例６と同寸法のパターンでｐｏｌｙ−３ｉ層
１３０４とａ−Ｓｉ３Ｎ４層１３０２とを一緒に通常の
反応性イオンエツチング法にてエツチングし、原種子１
３０５を有する基体を形成した。
１３０４とａ−Ｓｉ３Ｎ４層１３０２とを一緒に通常の
反応性イオンエツチング法にてエツチングし、原種子１
３０５を有する基体を形成した。
この基体に水素雰囲気中、９５０℃、圧力１００Ｔｏｒ
ｒの熱処理条件で５分間熱処理した。
ｒの熱処理条件で５分間熱処理した。
基体上の原種子１３０５は単一体に凝集し、単結晶性の
種子１３０６になった。
種子１３０６になった。
以後、実施例１と同様にして前記基体に結晶成長処理を
施したところ、粒径的５０μｍであって、前記単結晶性
の種子どうしのほぼ中間の位置に粒界１３０７を有する
結晶性の良好な単結晶体１３０８が形成された。
施したところ、粒径的５０μｍであって、前記単結晶性
の種子どうしのほぼ中間の位置に粒界１３０７を有する
結晶性の良好な単結晶体１３０８が形成された。
本発明によれば、所望の位置に所望の大きさの良質の単
結晶性を有し、半導体集積回路、光集積回路、磁気回路
等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子、或いは表
面音響素子等を形成するに適した結晶が得られる。
結晶性を有し、半導体集積回路、光集積回路、磁気回路
等の電子素子、光素子、磁気素子、圧電素子、或いは表
面音響素子等を形成するに適した結晶が得られる。
第１図（Ａ）乃至第１図（Ｆ）は本発明の詳細な説明す
るための模式的説明図。 第２図乃至第４図は夫々凝集現象を説明するための模式
的説明図。 第５図は原種子がＳｉ薄膜である場合の原種子が単一体
の種子になり得る、膜厚とパターニング寸法との関係を
示す図。 第６図は原種子の寸法を示す斜視図。 第７図は単結晶性の種子の形成率と熱処理時間との関係
を示す図。 第８図は層厚と凝集開始温度との関係を示す図。 第９図は本発明の詳細な説明するための模式的説明図。 第１０図は結晶成長装置の一例を示す概略構成図。 第１１図乃至第１３図は本発明の詳細な説明するための
模式的説明図。 毛Ｇ図
るための模式的説明図。 第２図乃至第４図は夫々凝集現象を説明するための模式
的説明図。 第５図は原種子がＳｉ薄膜である場合の原種子が単一体
の種子になり得る、膜厚とパターニング寸法との関係を
示す図。 第６図は原種子の寸法を示す斜視図。 第７図は単結晶性の種子の形成率と熱処理時間との関係
を示す図。 第８図は層厚と凝集開始温度との関係を示す図。 第９図は本発明の詳細な説明するための模式的説明図。 第１０図は結晶成長装置の一例を示す概略構成図。 第１１図乃至第１３図は本発明の詳細な説明するための
模式的説明図。 毛Ｇ図
Claims (9)
- （１）結晶の形成方法において、 不純物を含有し、熱処理により単一の単結晶体に凝集し
得るに十分微細な表面積を有する非単結晶性の材料から
なる原種子と、前記原種子よりも核形成密度の小さい非
核形成面と、を有する基体に、水素ガスを含有する雰囲
気中にて前記原種子が融解する温度より低い温度で、前
記原種子が凝集し、単結晶性の種子を形成するための熱
処理を施し、 結晶成長処理を施し、前記種子を起点として単結晶を成
長させることを特徴とする結晶の形成方法。 - （２）前記原種子は非晶質材料よりなる請求項１の結晶
の形成方法。 - （３）前記原種子は多結晶質材料よりなる請求項１の結
晶の形成方法。 - （４）前記雰囲気は２０ｖｏｌ％以上１００ｖｏｌ％以
下の水素ガスを含有する請求項１の結晶の形成方法。 - （５）前記結晶成長処理は、気相法である請求項１の結
晶の形成方法。 - （６）前記結晶成長処理は、液相法である請求項１の結
晶の形成方法。 - （７）前記非核形成面は非単結晶性材料により形成され
る請求項１の結晶の形成方法。 - （８）前記非核形成面は電気絶縁性材料により形成され
る請求項１の結晶の形成方法。 - （９）前記非核形成面は、前記原種子と固相反応し難い
材料より形成される結晶の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP89309981A EP0366276A3 (en) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | Method for forming crystal |
| JP1255524A JP2756320B2 (ja) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | 結晶の形成方法 |
| US07/778,756 US5190613A (en) | 1988-10-02 | 1991-10-18 | Method for forming crystals |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24781588 | 1988-10-02 | ||
| JP63-247815 | 1988-10-02 | ||
| JP1255524A JP2756320B2 (ja) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | 結晶の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02191321A true JPH02191321A (ja) | 1990-07-27 |
| JP2756320B2 JP2756320B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=26538434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1255524A Expired - Fee Related JP2756320B2 (ja) | 1988-10-02 | 1989-09-29 | 結晶の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0366276A3 (ja) |
| JP (1) | JP2756320B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04219395A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-10 | Canon Inc | 結晶の形成方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2055400C (en) * | 1990-11-15 | 1998-08-04 | Kenji Yamagata | Method of forming crystal |
| JP2900588B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1999-06-02 | キヤノン株式会社 | 結晶物品の形成方法 |
| FR2769924B1 (fr) * | 1997-10-20 | 2000-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'une couche epitaxiale de nitrure de gallium, couche epitaxiale de nitrure de gallium et composant optoelectronique muni d'une telle couche |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284772A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782996B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 結晶の形成方法 |
| AU623601B2 (en) * | 1987-08-08 | 1992-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for growth of crystal |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1255524A patent/JP2756320B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-29 EP EP89309981A patent/EP0366276A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0284772A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04219395A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-10 | Canon Inc | 結晶の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0366276A2 (en) | 1990-05-02 |
| JP2756320B2 (ja) | 1998-05-25 |
| EP0366276A3 (en) | 1990-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900007901B1 (ko) | 단결정박막의 제조방법 | |
| US5254481A (en) | Polycrystalline solar cell manufacturing method | |
| JPS63107016A (ja) | 結晶の形成方法 | |
| US5447117A (en) | Crystal article, method for producing the same and semiconductor device utilizing the same | |
| JP2596547B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS6344717A (ja) | 結晶の形成方法 | |
| EP0241204B1 (en) | Method for forming crystalline deposited film | |
| US5320907A (en) | Crystal article and method for forming same | |
| US5190613A (en) | Method for forming crystals | |
| JPS6158879A (ja) | シリコン薄膜結晶の製造方法 | |
| JP2756320B2 (ja) | 結晶の形成方法 | |
| JPH01132116A (ja) | 結晶物品及びその形成方法並びにそれを用いた半導体装置 | |
| JP2708559B2 (ja) | 結晶性半導体膜の形成方法 | |
| EP0306153B1 (en) | Method for growth of crystal | |
| US5254211A (en) | Method for forming crystals | |
| CA1333248C (en) | Method of forming crystals | |
| EP0365166B1 (en) | Crystal article and method for forming same | |
| JPH01149483A (ja) | 太陽電池 | |
| JPH01149488A (ja) | フォトセンサ及びその製造方法 | |
| US5463975A (en) | Process for producing crystal | |
| JPH01149444A (ja) | 多層構造体 | |
| JPH01132117A (ja) | 結晶の成長方法 | |
| JP2737152B2 (ja) | Ｓｏｉ形成方法 | |
| JPH01149418A (ja) | 電子素子用基板及びその製造方法 | |
| JPH013096A (ja) | 結晶の形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |