JPH02192711A - 縮小投影型露光装置 - Google Patents
縮小投影型露光装置Info
- Publication number
- JPH02192711A JPH02192711A JP1011324A JP1132489A JPH02192711A JP H02192711 A JPH02192711 A JP H02192711A JP 1011324 A JP1011324 A JP 1011324A JP 1132489 A JP1132489 A JP 1132489A JP H02192711 A JPH02192711 A JP H02192711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- semiconductor wafer
- mark
- slit
- laser beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縮小投影型露光装置に関する。
従来、縮小投影型露光装置において半導体つ工−ハの位
置合わせ（以下アライメントと記す）は、第４図に示す
ように、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発発光部上り放射したレーザ
光９をハーフミラ−３及び縮小レンズ４を通してステー
ジ５に載置した半導体ウェーハ６の上に設けた回折格子
状の位置合わせマーク７の付近を照射し、回折散乱され
た反射光を縮小レンズ４を通しハーフミラ−３で反射さ
せ、受光部８で検出し、同時にステージ５を動かして位
置合わせマーク７の近傍を走査することにより生已る光
の強度の変化からマーク位置を求めていた。
置合わせ（以下アライメントと記す）は、第４図に示す
ように、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発発光部上り放射したレーザ
光９をハーフミラ−３及び縮小レンズ４を通してステー
ジ５に載置した半導体ウェーハ６の上に設けた回折格子
状の位置合わせマーク７の付近を照射し、回折散乱され
た反射光を縮小レンズ４を通しハーフミラ−３で反射さ
せ、受光部８で検出し、同時にステージ５を動かして位
置合わせマーク７の近傍を走査することにより生已る光
の強度の変化からマーク位置を求めていた。
上述した従来の縮小投影型露光装置は、レーザ光がレチ
クルを通さない方式のなめ、実際の露光時の光路と異な
り、アライメントずれを生じてしまうという欠点がある
。
クルを通さない方式のなめ、実際の露光時の光路と異な
り、アライメントずれを生じてしまうという欠点がある
。
本発明の縮小投影型露光装置は、アライメント用レーザ
光発生部と、前記レーザ光発生部がち放射しなレーザ光
をレチクル及び縮小レンズを通して半導体ウェーハの位
置合わせマーク付近を走査した反射光を前記縮小レンズ
を通して受光し前記半導体ウェーハの位置を検出する受
光部とを備えている。
光発生部と、前記レーザ光発生部がち放射しなレーザ光
をレチクル及び縮小レンズを通して半導体ウェーハの位
置合わせマーク付近を走査した反射光を前記縮小レンズ
を通して受光し前記半導体ウェーハの位置を検出する受
光部とを備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図である。Ｈｅ−
Ｎｅレーザ発発光部上り放射されたレーザ光９はレチク
ル２．ハーフミラ−３及び縮小レンズ４を通して半導体
ウェーハ６の表面に設けた回折格子状の位置合わせマー
ク７を照射する。
Ｎｅレーザ発発光部上り放射されたレーザ光９はレチク
ル２．ハーフミラ−３及び縮小レンズ４を通して半導体
ウェーハ６の表面に設けた回折格子状の位置合わせマー
ク７を照射する。
半導体ウェーハ６の位置合わせマーク７によって回折散
乱した反射光は、入射光と同じ経路をたどり、ハーフミ
ラ−３で反射されて受光部８に到達する。ここで発光部
１を矢印の方向に一定速度で動かずことにより、レーザ
光９は位置合わせマーク７近傍を走査することができる
。
乱した反射光は、入射光と同じ経路をたどり、ハーフミ
ラ−３で反射されて受光部８に到達する。ここで発光部
１を矢印の方向に一定速度で動かずことにより、レーザ
光９は位置合わせマーク７近傍を走査することができる
。
第２図は発光部の位置より見た位置合わせマーク７とレ
チクル上のスリット１１及びレーザ光の軌跡１０の関係
を示す模式図である。重ね合わせた場合、半導体ウェー
ハ６上の位置合わせマーク７がレチクル２上のスリット
１１の中心にくる様に設定されている。レーザ光っけ、
レチクル２上の暗部より走査を開始し、スリット１１の
部分を通過して反対側の暗部で走査を終了する。つまり
スリット１１の部分でのみ半導体ウェーハ６上に照射さ
れる。
チクル上のスリット１１及びレーザ光の軌跡１０の関係
を示す模式図である。重ね合わせた場合、半導体ウェー
ハ６上の位置合わせマーク７がレチクル２上のスリット
１１の中心にくる様に設定されている。レーザ光っけ、
レチクル２上の暗部より走査を開始し、スリット１１の
部分を通過して反対側の暗部で走査を終了する。つまり
スリット１１の部分でのみ半導体ウェーハ６上に照射さ
れる。
第３図はレーザ光を走査した場合の、受光部８における
信号強度を示した特性図である。信号は大きく３つの部
分に分けられる。まず、レチクル２上暗部を走査中で半
導体ウェーハ６にはレーザ光９が届かず、したがって信
号が全く出ない部分Ａ、スリット１１の中ではあるが、
位置合わせマーク７と離れている為回折散乱が起らず信
号がほとんど出ない部分Ｂ及び位置合わせマーク７で信
号が大きく変化する部分Ｃである。位置合わせマーク７
の中心部ＰはＣの部分の信号を解析することにより求め
る事ができる。本発明では同時にレチクル上のスリット
の中心Ｑを求め、ＰとＱの差つまり半導体ウェーハとレ
チクルの重ね合せずれを直接計測することができる。そ
の場合Ｑは、ＢとＣを加えた部分の中心より簡単に求め
られる。
信号強度を示した特性図である。信号は大きく３つの部
分に分けられる。まず、レチクル２上暗部を走査中で半
導体ウェーハ６にはレーザ光９が届かず、したがって信
号が全く出ない部分Ａ、スリット１１の中ではあるが、
位置合わせマーク７と離れている為回折散乱が起らず信
号がほとんど出ない部分Ｂ及び位置合わせマーク７で信
号が大きく変化する部分Ｃである。位置合わせマーク７
の中心部ＰはＣの部分の信号を解析することにより求め
る事ができる。本発明では同時にレチクル上のスリット
の中心Ｑを求め、ＰとＱの差つまり半導体ウェーハとレ
チクルの重ね合せずれを直接計測することができる。そ
の場合Ｑは、ＢとＣを加えた部分の中心より簡単に求め
られる。
以上説明したように本発明は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光を用
い、レチクル及び縮小レンズを通してレチクルと半導体
ウェーハのアライメントを行なうなめ、従来方法に比べ
て大幅にアライメント精度を向上することができる。
い、レチクル及び縮小レンズを通してレチクルと半導体
ウェーハのアライメントを行なうなめ、従来方法に比べ
て大幅にアライメント精度を向上することができる。
の軌跡、１１・・・スリット、１２・・・反射鏡。
Claims (1)
- 縮小投影型露光装置において、アライメント用レーザ光
発生部と、前記レーザ光発生部から放射したレーザ光を
レチクル及び縮小レンズを通して半導体ウェーハの位置
合わせマーク付近を走査した反射光を前記縮小レンズを
通して受光し前記半導体ウェーハの位置を検出する受光
部とを備えたことを特徴とする縮小投影型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011324A JPH02192711A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 縮小投影型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1011324A JPH02192711A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 縮小投影型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192711A true JPH02192711A (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=11774847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1011324A Pending JPH02192711A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 縮小投影型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192711A (ja) |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1011324A patent/JPH02192711A/ja active Pending
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