JPH02192714A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH02192714A JPH02192714A JP1012094A JP1209489A JPH02192714A JP H02192714 A JPH02192714 A JP H02192714A JP 1012094 A JP1012094 A JP 1012094A JP 1209489 A JP1209489 A JP 1209489A JP H02192714 A JPH02192714 A JP H02192714A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electron beam
- resist
- coated
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ｌ、 ＳＩ（Ｌａｒｇｅ ５ｃａｌｅ Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｉｏｎ）、超ＬＳＩ等の高密度集積回路の
回路パターンを電子ビーム描画により形成する際のレジ
ストパターン形成方法に関するものである。
ｔｅｇｒａｔｉｏｎ）、超ＬＳＩ等の高密度集積回路の
回路パターンを電子ビーム描画により形成する際のレジ
ストパターン形成方法に関するものである。
近年、半導体集積回路の高性能化、高集積度化への要求
はますます増大しておりｔ そのために、従来の紫外線
を用いたフォトリソグラフィーに代わって、電子線を用
いるリソグラフィーにより超微細なパターンを形成する
加工技術の確立が要請されている。そして、特にフォト
マスクに関しては、既に電子線リソラグラフイー法によ
る製造が工業的に実用化されており、また、ウェハ基板
への電子線の直接描画も試みられている。
はますます増大しておりｔ そのために、従来の紫外線
を用いたフォトリソグラフィーに代わって、電子線を用
いるリソグラフィーにより超微細なパターンを形成する
加工技術の確立が要請されている。そして、特にフォト
マスクに関しては、既に電子線リソラグラフイー法によ
る製造が工業的に実用化されており、また、ウェハ基板
への電子線の直接描画も試みられている。
一方、超微細パターンを形成する電子線リソグラフィー
技術を可能とするためには、電子線露光装置に要求され
る描画精度も厳しくなり、使用されるレジスト材料も要
求される描画精度に対応した特性を存するものでなけれ
ばならず、また、レジストプロセスも非常に重要となっ
てくる。
技術を可能とするためには、電子線露光装置に要求され
る描画精度も厳しくなり、使用されるレジスト材料も要
求される描画精度に対応した特性を存するものでなけれ
ばならず、また、レジストプロセスも非常に重要となっ
てくる。
レジストプロセスの中で、電子線描画時に起こるパター
ン形状の描画精度低下の原因として、近接効果、レジス
トヒーティング効果、チャージアップ効果等の影響が知
られているが、特に、レジストパターンの線幅が設計値
からずれる原因としては、近接効果の影響が大きいと考
えられている。
ン形状の描画精度低下の原因として、近接効果、レジス
トヒーティング効果、チャージアップ効果等の影響が知
られているが、特に、レジストパターンの線幅が設計値
からずれる原因としては、近接効果の影響が大きいと考
えられている。
近接効果の影響は、電子ビームの後方散乱に起因すると
考えられるため、従来は、基板と電子線レジストの間に
緩衝層を形成することにより、当該後方散乱した電子を
吸収減衰する方法が一般的に採用されていた。
考えられるため、従来は、基板と電子線レジストの間に
緩衝層を形成することにより、当該後方散乱した電子を
吸収減衰する方法が一般的に採用されていた。
しかしながら、基板が重原子もしくは密度の高い材料よ
り構成されている場合には、電子ビームの後方散乱が非
常に多くなるために、緩衝層を設けるだけでは後方散乱
した電子を十分に吸収減衰することが難しいという問題
があった。
り構成されている場合には、電子ビームの後方散乱が非
常に多くなるために、緩衝層を設けるだけでは後方散乱
した電子を十分に吸収減衰することが難しいという問題
があった。
本発明は、上記の課題を解決するものであって、レジス
トパターン形成工程において、基板上に重原子からなる
材料を塗布し、重原子もしくは密度の高い材料からなる
中間層を成膜し、さらに電子線レジストを塗布すること
により、電子ビーム描画時に重原子もしくは密度の高い
材料より構成される基板にて後方散乱された電子が重原
子もしくは密度の高い材料からなる中間層により散乱さ
れることにより、近接効果を低減させたレジストパター
ン形成を可能にすることを特徴とするものである。
トパターン形成工程において、基板上に重原子からなる
材料を塗布し、重原子もしくは密度の高い材料からなる
中間層を成膜し、さらに電子線レジストを塗布すること
により、電子ビーム描画時に重原子もしくは密度の高い
材料より構成される基板にて後方散乱された電子が重原
子もしくは密度の高い材料からなる中間層により散乱さ
れることにより、近接効果を低減させたレジストパター
ン形成を可能にすることを特徴とするものである。
なお、電子線レジストの膜厚は０．０５〜３μｍ１
重原子もしくは密度の高い材料からなる中間層の材質と
してはＮ Ａｕ１ Ｔａ１ Ｗ等の重金属、ＷＮｌ
ＷＳｉ等の化合物を用い、膜厚は０．０１〜０．５μｍ
とし、基板上の重原子からなる塗布材料としては、ノボ
ラック系レジスト、ポリイミド等を用いて、０．３〜３
μｍの膜厚とし、基板としては、Ａｕ１Ｔａｓ ｗＮ
ＷＮ等で形成された、所定の薄膜を存するＸ線マス
ク基板またはＧａＡＳウェハ基板であることが望ましい
。
重原子もしくは密度の高い材料からなる中間層の材質と
してはＮ Ａｕ１ Ｔａ１ Ｗ等の重金属、ＷＮｌ
ＷＳｉ等の化合物を用い、膜厚は０．０１〜０．５μｍ
とし、基板上の重原子からなる塗布材料としては、ノボ
ラック系レジスト、ポリイミド等を用いて、０．３〜３
μｍの膜厚とし、基板としては、Ａｕ１Ｔａｓ ｗＮ
ＷＮ等で形成された、所定の薄膜を存するＸ線マス
ク基板またはＧａＡＳウェハ基板であることが望ましい
。
本発明によれば、基板上に重原子からなる材料を塗布し
、重原子もしくは密度の高い材料からなる中間層を成膜
し、さらにその上に電子線レジストを塗布したので、近
接効果の影響を低減させることができるものである。
、重原子もしくは密度の高い材料からなる中間層を成膜
し、さらにその上に電子線レジストを塗布したので、近
接効果の影響を低減させることができるものである。
以下、図面を参照しつつ本発明の１実施例について説明
するが、以下の実施例においては、重合属のＸ線吸収体
層を有するＸ線マスクの製造の例を取り上げる。
するが、以下の実施例においては、重合属のＸ線吸収体
層を有するＸ線マスクの製造の例を取り上げる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明のレジストパターンの
形成方法を採用したＸ線マスクの製造工程におけるＸ線
マスクの断面図であり、図中、１はＳｉウェーハ基板、
２はＸ線透過性薄膜、３はエツチング保護膜、４はＸ線
吸収体層、５は電子線緩衝層、６は中間層、７は電子線
レジスト、８は電子線、９は窓を示す。
形成方法を採用したＸ線マスクの製造工程におけるＸ線
マスクの断面図であり、図中、１はＳｉウェーハ基板、
２はＸ線透過性薄膜、３はエツチング保護膜、４はＸ線
吸収体層、５は電子線緩衝層、６は中間層、７は電子線
レジスト、８は電子線、９は窓を示す。
まず、第１図（ａ）に示すように、鏡面研磨された厚さ
２曹喋のＳｉウェハ基板１の両面にＣＶＤ法により厚さ
１μｍのＳｉＮ膜を形成し、その上面側にはＸ線透過性
薄膜２を、下面側にはエツチング保護膜３をそれぞれ形
成する。なお、当該エツチング保護膜３は、フォトレジ
ストパターンをマスクにして不要部をエツチング除去す
ることにより形成することができる。
２曹喋のＳｉウェハ基板１の両面にＣＶＤ法により厚さ
１μｍのＳｉＮ膜を形成し、その上面側にはＸ線透過性
薄膜２を、下面側にはエツチング保護膜３をそれぞれ形
成する。なお、当該エツチング保護膜３は、フォトレジ
ストパターンをマスクにして不要部をエツチング除去す
ることにより形成することができる。
その後、上面側のＸ線透過性薄膜２の上に、Ｔａ膜等か
らなる厚さ１μｍのＸ線吸収体層４をスパッタリング法
により形成し、該Ｘ線吸収体層４の上にノボラック系フ
ォトレジスト、例えばヘキスト製ＡＺ−１３５０、を１
μｍ塗布して電子線緩衝層５を形成し、更に該電子線緩
衝層５の上にＴａ膜からなる厚さ０．１μｍの中間層６
をスパッタリング法により形成した後、該中間層６の上
に、ポリメチルメタアクリレートを主成分とする電子線
レジスト７、例えば東京応化製０ＥＢＲ−１０００、を
０．５μｍ厚に塗布する。
らなる厚さ１μｍのＸ線吸収体層４をスパッタリング法
により形成し、該Ｘ線吸収体層４の上にノボラック系フ
ォトレジスト、例えばヘキスト製ＡＺ−１３５０、を１
μｍ塗布して電子線緩衝層５を形成し、更に該電子線緩
衝層５の上にＴａ膜からなる厚さ０．１μｍの中間層６
をスパッタリング法により形成した後、該中間層６の上
に、ポリメチルメタアクリレートを主成分とする電子線
レジスト７、例えば東京応化製０ＥＢＲ−１０００、を
０．５μｍ厚に塗布する。
その後、加速電圧２０ｋＶで加速した電子線８により電
子線描画を行う。
子線描画を行う。
このときの電子の軌跡を第２図に示す。即ち、入射した
電子１０は、Ｘ線吸収体層４の境界面で反射したり、ま
たＸ線吸収体層４に衝突して２次電子を生成するが、当
該反射電子、２次電子は走行過程でエネルギーが減衰さ
れ、中間層６で再び反射されるので、電子線レジスト７
まで到達することはない。このことで、電子の後方散乱
により引き起される近接効果の影響を低減することがで
きる。
電子１０は、Ｘ線吸収体層４の境界面で反射したり、ま
たＸ線吸収体層４に衝突して２次電子を生成するが、当
該反射電子、２次電子は走行過程でエネルギーが減衰さ
れ、中間層６で再び反射されるので、電子線レジスト７
まで到達することはない。このことで、電子の後方散乱
により引き起される近接効果の影響を低減することがで
きる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、電子線レジスドアを
現像後、レジストパターンをマスクにしてＲＩ Ｅ （
Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｆａｎ Ｅｔｃｈｌｎｇ）装置を使
用し、ＣＦ４プラズマにより、中間層６をエツチング除
去した後、第１図（Ｃ）に示すように、中間層６からな
るパターンをマスクにしてＲＩＥ装置を使用し、０２プ
ラズマにより電子線緩衝層５をエツチング除去すると共
に、中間層６上の電子線レジスト７をも除去する。
現像後、レジストパターンをマスクにしてＲＩ Ｅ （
Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｆａｎ Ｅｔｃｈｌｎｇ）装置を使
用し、ＣＦ４プラズマにより、中間層６をエツチング除
去した後、第１図（Ｃ）に示すように、中間層６からな
るパターンをマスクにしてＲＩＥ装置を使用し、０２プ
ラズマにより電子線緩衝層５をエツチング除去すると共
に、中間層６上の電子線レジスト７をも除去する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、電子線緩衝層５から
なるパターンをマスクにしてＲＩＥ装置を使用し、ＣＦ
４プラズマによりＸ線吸収体層４をエツチング除去する
と共に、電子線緩衝層５の上の中間層６を除去した後、
第１図（ｅ）に示すように、ＲＩＥ装置を使用し、ｏ２
プラズマにより電子線緩衝層５を灰化除去する。
なるパターンをマスクにしてＲＩＥ装置を使用し、ＣＦ
４プラズマによりＸ線吸収体層４をエツチング除去する
と共に、電子線緩衝層５の上の中間層６を除去した後、
第１図（ｅ）に示すように、ＲＩＥ装置を使用し、ｏ２
プラズマにより電子線緩衝層５を灰化除去する。
最後に、第１図（ｆ）に示すように、３０％ＫＯＨ水溶
液により裏面のエツチング保護膜３をマスクとしてＮＳ
Ｉウェハ基板１を裏面からエツチングすることにより窓
９を形成すれば、所望のパターンを有するＸ線マスクを
製造することができる。
液により裏面のエツチング保護膜３をマスクとしてＮＳ
Ｉウェハ基板１を裏面からエツチングすることにより窓
９を形成すれば、所望のパターンを有するＸ線マスクを
製造することができる。
なお、以上の実施例においてはＸ線マスクの製造を例に
あげたが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、Ｇ ａ Ａ ｓ基板等を電子ビーム描画により作成
する場合等、電子線フォ） ＩＪソゲラフイーにより多
層製版する場合に一般的に適用することができるもので
あることは明かであろう。
あげたが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、Ｇ ａ Ａ ｓ基板等を電子ビーム描画により作成
する場合等、電子線フォ） ＩＪソゲラフイーにより多
層製版する場合に一般的に適用することができるもので
あることは明かであろう。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば電子線
の後方散乱の大きい基板上にレジスト・パターンを形成
する場合に、近接効果の影響を低減できるという利点を
仔するものである。
の後方散乱の大きい基板上にレジスト・パターンを形成
する場合に、近接効果の影響を低減できるという利点を
仔するものである。
第１図は本発明によるＸ線マスクの製造工程を示す図、
第２図は電子の軌跡を示す図である。 １・・・Ｓｉウェーハ基板、２・・・Ｘ線透過性薄膜、
３・・・エツチング保護膜、４・・・Ｘ線吸収体層、５
・・・電子線緩衝層、６・・・中間層、７・・・電子線
レジスト、８・・・電子線、９・・・窓、１０・・・電
子軌跡。 出 願 人 大日本印刷株式会社
第２図は電子の軌跡を示す図である。 １・・・Ｓｉウェーハ基板、２・・・Ｘ線透過性薄膜、
３・・・エツチング保護膜、４・・・Ｘ線吸収体層、５
・・・電子線緩衝層、６・・・中間層、７・・・電子線
レジスト、８・・・電子線、９・・・窓、１０・・・電
子軌跡。 出 願 人 大日本印刷株式会社
Claims (1)
- （１）電子線フォトリソグラフィーにより基板に所望の
パターンを形成する工程において、該基板上に軽原子か
らなる材料を塗布し、更にその上に重原子もしくは密度
の高い材料からなる中間層を成膜し、さらにその上に電
子線レジストを塗布することを特徴とするレジストパタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012094A JPH02192714A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1012094A JPH02192714A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192714A true JPH02192714A (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=11795987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1012094A Pending JPH02192714A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192714A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038204B2 (en) | 2004-05-26 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Method for reducing proximity effects in electron beam lithography |
| JP2006310597A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜パターン形成方法、被覆材料、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 |
| JP2006310598A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜パターン形成方法、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 |
| CN106531722A (zh) * | 2016-11-15 | 2017-03-22 | 中国科学院物理研究所 | 一种自对准双层图形结构及其制备方法 |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1012094A patent/JPH02192714A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038204B2 (en) | 2004-05-26 | 2006-05-02 | International Business Machines Corporation | Method for reducing proximity effects in electron beam lithography |
| JP2006310597A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜パターン形成方法、被覆材料、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 |
| JP2006310598A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜パターン形成方法、薄膜積層体及びトンネル磁気抵抗素子 |
| CN106531722A (zh) * | 2016-11-15 | 2017-03-22 | 中国科学院物理研究所 | 一种自对准双层图形结构及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5362591A (en) | Mask having a phase shifter and method of manufacturing same | |
| US6645677B1 (en) | Dual layer reticle blank and manufacturing process | |
| JP2004134553A (ja) | レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100287130B1 (ko) | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 | |
| JPS6339892B2 (ja) | ||
| JPH02192714A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH09218500A (ja) | レジストパターンの作製方法 | |
| JPS62106625A (ja) | 露光マスク | |
| WO1983003485A1 (en) | Electron beam-optical hybrid lithographic resist process | |
| JPH06110214A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3222531B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| US20060040216A1 (en) | Method of patterning photoresist film | |
| JPS6339893B2 (ja) | ||
| JP2752022B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP3161416B2 (ja) | パターン描画方法 | |
| JP2010153641A (ja) | 基板処理方法 | |
| JPS62241338A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2011171497A (ja) | マスクの製造方法 | |
| JPH10312994A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003167351A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2607460B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2783973B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| KR20020002061A (ko) | 레티클 제조방법 | |
| KR100352492B1 (ko) | 미세회로 형성방법 | |
| Hayashi et al. | Electron beam lithography process for advanced optical masks |