JPH02192794A - 薄膜多層回路基板 - Google Patents
薄膜多層回路基板Info
- Publication number
- JPH02192794A JPH02192794A JP1132589A JP1132589A JPH02192794A JP H02192794 A JPH02192794 A JP H02192794A JP 1132589 A JP1132589 A JP 1132589A JP 1132589 A JP1132589 A JP 1132589A JP H02192794 A JPH02192794 A JP H02192794A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- thin
- circuit board
- multilayer circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜多層回路基板に関する。
薄膜多層回路基板は混成集積回路に多く用いられている
。
。
第３図は従来の薄膜多層回路基板の一例の断面図である
。
。
薄膜多層回路１板は、アルミナ基板１の表面に薄膜導体
２を有し、その表面にポリイミド膜３を介してＴａ２Ｏ
薄膜抵抗体６を有し、さらにポリイミド膜３のコンタク
トホールを通って薄膜導体２に接続するボンディング用
ランド８を有していた。
２を有し、その表面にポリイミド膜３を介してＴａ２Ｏ
薄膜抵抗体６を有し、さらにポリイミド膜３のコンタク
トホールを通って薄膜導体２に接続するボンディング用
ランド８を有していた。
ボンディング用ランド８には、例えばＮ１Ｐｄ−Ａ、の
三層金属膜が用いられていた。
三層金属膜が用いられていた。
上述した従来の薄膜多層回路基板は、単層のポリイミド
膜の眉間絶縁を使用しており、ポリイミド膜上に形成さ
れたワイヤボンディング用ランドにボンディングのワイ
ヤを超音波等でボンディングした場合に、その引張り応
力に対してポリイミド膜とランド間がはがれ易く引張強
度が弱いという欠点があった。
膜の眉間絶縁を使用しており、ポリイミド膜上に形成さ
れたワイヤボンディング用ランドにボンディングのワイ
ヤを超音波等でボンディングした場合に、その引張り応
力に対してポリイミド膜とランド間がはがれ易く引張強
度が弱いという欠点があった。
本発明の薄膜多層回路基板は、絶縁基板の表面に薄膜導
体と、該薄膜導体の表面に眉間絶縁膜を介して形成され
た薄膜抵抗体とを有する薄膜多層回路基板において、前
記層間絶縁膜がポリイミド膜とＴａ２Ｏ２０□等の無機
絶縁膜との多重層構造を有しかつ表面の１部にワイヤボ
ンディング用ランドを設けて構成されている。
体と、該薄膜導体の表面に眉間絶縁膜を介して形成され
た薄膜抵抗体とを有する薄膜多層回路基板において、前
記層間絶縁膜がポリイミド膜とＴａ２Ｏ２０□等の無機
絶縁膜との多重層構造を有しかつ表面の１部にワイヤボ
ンディング用ランドを設けて構成されている。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ＞〜（ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に示した薄膜多層回路基板の断面図であ
る。
るための工程順に示した薄膜多層回路基板の断面図であ
る。
第１図（ａ）に示すように、アルミナ基板１の表面にス
パッタ法によりＮＩＣ，の厚さ１００ ｎｍＡ、の厚さ
３００膜ｍを重ねたＮＩ Ｃ，−Ａ、層を形成し、所定
のパターンを形成して薄膜導体２を形成する。
パッタ法によりＮＩＣ，の厚さ１００ ｎｍＡ、の厚さ
３００膜ｍを重ねたＮＩ Ｃ，−Ａ、層を形成し、所定
のパターンを形成して薄膜導体２を形成する。
しかる後、感光性のポリイミド膜３を約４μ塗布後乾燥
する。
する。
そして更にその上にＴａ２Ｏ２０．膜４をスパッタ法に
より約１μ形成し眉間絶縁膜９を設ける。
より約１μ形成し眉間絶縁膜９を設ける。
次に第１図（ｂ）に示すように０．４＋＋ｍφのコンタ
クトホール５を形成するためにＴａ２Ｏ、Ｏ，Ｍ４をプ
ラズマエツチングにてパターンを形成し、さらにポリイ
ミド膜３をバターニングする。
クトホール５を形成するためにＴａ２Ｏ、Ｏ，Ｍ４をプ
ラズマエツチングにてパターンを形成し、さらにポリイ
ミド膜３をバターニングする。
次に、第１図（ｃ）に示すように、Ｔ１薄膜抵抗体６を
厚さ８０ｎｍ、上部薄膜導体７としてＮ１Ｃ，−Ａ、層
を厚さ１１００ｎと３００膜ｍとに順次重ねて形成した
後、ホトエツチング法にて、所定のパターン形成を行う
。
厚さ８０ｎｍ、上部薄膜導体７としてＮ１Ｃ，−Ａ、層
を厚さ１１００ｎと３００膜ｍとに順次重ねて形成した
後、ホトエツチング法にて、所定のパターン形成を行う
。
次にＴａ２Ｏ□０２膜４の表面の１部にボンディング用
ランド８等を形成する。
ランド８等を形成する。
ここでポリイミド膜３．Ｔ−２０２膜４及びランド８間
の密着力は強く、かつボンディング時のポリイミド膜３
に加わる応力も低減するので、例えばボンディング用ラ
ンド８にボンディングされた３０μのＡ、ワイヤの引張
強度は１０〜１４ｇと従来の２〜３倍程強くなった。
の密着力は強く、かつボンディング時のポリイミド膜３
に加わる応力も低減するので、例えばボンディング用ラ
ンド８にボンディングされた３０μのＡ、ワイヤの引張
強度は１０〜１４ｇと従来の２〜３倍程強くなった。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
薄膜多層回路基板は、層間絶縁膜９．が第１図の眉間絶
縁膜９と異る点以外は第１の実施例の薄膜多層回路基板
と同一である。
縁膜９と異る点以外は第１の実施例の薄膜多層回路基板
と同一である。
層間絶層９．は、厚さ４μのポリイミド膜３゜厚さ１μ
のＳ、０２膜１０及び厚さ０．２μのＴａ２Ｏ２０５膜
との三層構造になっている。
のＳ、０２膜１０及び厚さ０．２μのＴａ２Ｏ２０５膜
との三層構造になっている。
本実施例では、通常Ｔ１□Ｏ６の成膜及びパターン形成
は比較的難かしいので、できるだけＴａ２Ｏ２０５を薄
くシて成膜及びパターン形成を容易にするという利点が
ある。
は比較的難かしいので、できるだけＴａ２Ｏ２０５を薄
くシて成膜及びパターン形成を容易にするという利点が
ある。
なお、無機絶縁膜としては、上述の他にＴ’＋０□、５
１３Ｎ４等も考えられ、又成膜方法もスパッタ法以外に
ＣＶＤ法等も材料によっては可能である。
１３Ｎ４等も考えられ、又成膜方法もスパッタ法以外に
ＣＶＤ法等も材料によっては可能である。
以上説明したように本発明は、層間絶縁層としてポリイ
ミド膜とＴａ２Ｏ２０．膜等との多層構造となっており
、その表面にワイヤボンディング用ランドを形成してい
るため、従来のポリイミド膜単層表面のワイヤボンディ
ング用ランドと比較して、ワイヤ引張強度は数倍すぐれ
ており、薄膜多層回路基板の信頼性が高いという効果が
ある。
ミド膜とＴａ２Ｏ２０．膜等との多層構造となっており
、その表面にワイヤボンディング用ランドを形成してい
るため、従来のポリイミド膜単層表面のワイヤボンディ
ング用ランドと比較して、ワイヤ引張強度は数倍すぐれ
ており、薄膜多層回路基板の信頼性が高いという効果が
ある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための薄膜多層回路基板の工程順に示した断面図、第
２図は本発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の
薄膜多層回路基板の一例の断面図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・薄膜導体、３・・・ポ
リイミド膜、４・・・Ｔ ａ２ｏ 、膜、６・・・Ｔａ
２Ｏ薄膜抵抗体、７・・・上部薄膜抵抗体、８・・・ボ
ンディング用ランド、９．９６・・・層間絶縁膜。
るための薄膜多層回路基板の工程順に示した断面図、第
２図は本発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来の
薄膜多層回路基板の一例の断面図である。 １・・・アルミナ基板、２・・・薄膜導体、３・・・ポ
リイミド膜、４・・・Ｔ ａ２ｏ 、膜、６・・・Ｔａ
２Ｏ薄膜抵抗体、７・・・上部薄膜抵抗体、８・・・ボ
ンディング用ランド、９．９６・・・層間絶縁膜。
Claims (1)
- 絶縁基板の表面に薄膜導体と、該薄膜導体の表面に層間
絶縁膜を介して形成された薄膜抵抗体とを有する薄膜多
層回路基板において、前記層間絶縁膜がポリイミド膜と
Ｔａ＿２Ｏ＿２等の無機絶縁膜との多重層構造を有しか
つ表面の１部にワイヤボンディング用ランドを設けたこ
とを特徴とする薄膜多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132589A JPH02192794A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 薄膜多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132589A JPH02192794A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 薄膜多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02192794A true JPH02192794A (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=11774874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132589A Pending JPH02192794A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 薄膜多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02192794A (ja) |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1132589A patent/JPH02192794A/ja active Pending
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