JPH02193115A - 情報記録媒体 - Google Patents
情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH02193115A JPH02193115A JP1013539A JP1353989A JPH02193115A JP H02193115 A JPH02193115 A JP H02193115A JP 1013539 A JP1013539 A JP 1013539A JP 1353989 A JP1353989 A JP 1353989A JP H02193115 A JPH02193115 A JP H02193115A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- recording medium
- information recording
- formula
- side chain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶分子の配向状態の変化を利用して情報を
記録する、特定化学構造の高分子液晶化合物と低分子液
晶化合物との組成物からなる情報記録媒体に関する。
記録する、特定化学構造の高分子液晶化合物と低分子液
晶化合物との組成物からなる情報記録媒体に関する。
情報記録媒体として、従来は金属、半金属、カルコゲン
ガラス系無機材料、有機色素などの薄膜が用いられてい
た。これらは蒸着やスパッタリングの手法を用いて製造
されるため、生産性が低く、しかも書き換えや消去が不
可能であるという問題があった。
ガラス系無機材料、有機色素などの薄膜が用いられてい
た。これらは蒸着やスパッタリングの手法を用いて製造
されるため、生産性が低く、しかも書き換えや消去が不
可能であるという問題があった。
そこで、これを改良するものとして、記録媒体に液晶化
合物を用いることが提案（特開昭５４−４８２６４号）
されている。しかしながら、ここでは液晶物質として低
分子液晶を使用しているため、液晶素子の構造が複雑で
、大面積化が困難であるという問題がある。また、記録
媒体として高分子液晶化合物と低分子液晶化合物との組
成物を用いることが提案（特開昭５９−１０９３０）さ
れているが、ここで用いられている液晶化合物はネマチ
ック型であり、液晶状態においてはメモリー性がなく、
しかも外部刺激に対する応答性も十分でないなど十分に
満足できるものとはいえない。
合物を用いることが提案（特開昭５４−４８２６４号）
されている。しかしながら、ここでは液晶物質として低
分子液晶を使用しているため、液晶素子の構造が複雑で
、大面積化が困難であるという問題がある。また、記録
媒体として高分子液晶化合物と低分子液晶化合物との組
成物を用いることが提案（特開昭５９−１０９３０）さ
れているが、ここで用いられている液晶化合物はネマチ
ック型であり、液晶状態においてはメモリー性がなく、
しかも外部刺激に対する応答性も十分でないなど十分に
満足できるものとはいえない。
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、液晶素
子の大面積化が容易で、かつ外部刺激に対する応答速度
が大きく、書き込み、消去が極めて容易で、かつメモリ
ー安定性に優れた情報記録媒体を提供することを目的と
する。
子の大面積化が容易で、かつ外部刺激に対する応答速度
が大きく、書き込み、消去が極めて容易で、かつメモリ
ー安定性に優れた情報記録媒体を提供することを目的と
する。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は、上
記目的を達成するために鋭意研究を行なった結果、特定
のポリシロキサン系の側鎖型高分子液晶化合物と、その
側鎖と類似の化学構造を有する特定の安息香酸エステル
系低分子液晶化合物からなる組成物、好ましくは前者と
後者の重量比が９５：５ないし３０． ： ７０である
液晶組成物を情報記録媒体として用いることにより、形
状保持性および加工性しこすぐれ、大面積化、大容量の
ものを製作することが可能であり、しかも外部刺激に対
する応答速度が大きく、書き込み、消去が極めて容易で
、かつメモリー安定性に優れているという知見を得て本
発明をなすに至った。
記目的を達成するために鋭意研究を行なった結果、特定
のポリシロキサン系の側鎖型高分子液晶化合物と、その
側鎖と類似の化学構造を有する特定の安息香酸エステル
系低分子液晶化合物からなる組成物、好ましくは前者と
後者の重量比が９５：５ないし３０． ： ７０である
液晶組成物を情報記録媒体として用いることにより、形
状保持性および加工性しこすぐれ、大面積化、大容量の
ものを製作することが可能であり、しかも外部刺激に対
する応答速度が大きく、書き込み、消去が極めて容易で
、かつメモリー安定性に優れているという知見を得て本
発明をなすに至った。
従って、本発明は、液晶分子の配向状態の変化を情報記
録に用いる記録媒体であって、該記録媒体が、下記一般
式（１） ％式％（１） （但し、ｍは１〜２０の整数、ｎは任意の正の整数を示
す） で表されるポリシロキサン系側鎖型高分子液晶化合物か
ら選ばれる１種又は２種以上と、下記一般式（２） （但し、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示す） で表される安息香酸エステル系低分子液晶化合物から選
ばれる１種または２種以上との組成物からなることを特
徴とする情報記録媒体である。
録に用いる記録媒体であって、該記録媒体が、下記一般
式（１） ％式％（１） （但し、ｍは１〜２０の整数、ｎは任意の正の整数を示
す） で表されるポリシロキサン系側鎖型高分子液晶化合物か
ら選ばれる１種又は２種以上と、下記一般式（２） （但し、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示す） で表される安息香酸エステル系低分子液晶化合物から選
ばれる１種または２種以上との組成物からなることを特
徴とする情報記録媒体である。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明において用いる式（１）で表される高分予成晶化
合物としては、具体的には、ポリ〔（３−（４−（４−
シアノフェノキシカルボニル）フェノキシ）プロピル）
メチルシロキサン〕、ポリ〔（３−（４−（４−シアノ
フェノキシカルボニルキシ）ヘキシル）メチルシロキサ
ン〕，ポリ〔（３−（４−（４−シアノフェノキシカル
ボニル）フェノキシラデシル）メチルシロキサン〕，ポ
リ（（３−（４−（４−シアノフェノキシカルボニル）
フェノキシ）デシル）オクタデシル）メチルシロキサン
〕などがあげられる。
合物としては、具体的には、ポリ〔（３−（４−（４−
シアノフェノキシカルボニル）フェノキシ）プロピル）
メチルシロキサン〕、ポリ〔（３−（４−（４−シアノ
フェノキシカルボニルキシ）ヘキシル）メチルシロキサ
ン〕，ポリ〔（３−（４−（４−シアノフェノキシカル
ボニル）フェノキシラデシル）メチルシロキサン〕，ポ
リ（（３−（４−（４−シアノフェノキシカルボニル）
フェノキシ）デシル）オクタデシル）メチルシロキサン
〕などがあげられる。
また式（２）で表される低分子液晶化合物としては、具
体的には、４−シアノフェニル−４′メトキシベンゾエ
ート、４−シアノフェニル−４′−エトキシベンゾエー
ト、４−シアノフェニル−４′−ノルマルヘプチルオキ
シベンゾエート、４−ジアツフエニル−４′−ノルマル
オクチルオキシベンゾエートなどがあげられる。
体的には、４−シアノフェニル−４′メトキシベンゾエ
ート、４−シアノフェニル−４′−エトキシベンゾエー
ト、４−シアノフェニル−４′−ノルマルヘプチルオキ
シベンゾエート、４−ジアツフエニル−４′−ノルマル
オクチルオキシベンゾエートなどがあげられる。
本発明においては、上記（１）式で表される高分子液晶
化合物と、上記（２）式で表される低分子液晶化合物か
らなる組成物を用いるが、その組成孔は重量比で前者対
後者が９５＝５ないし３ｏ：７０とすることが好ましい
。これは、低分子液晶化合物の割合が５重量％以下にな
ると外部刺激に対する応答性の低下を招くことがあり、
また７０重量％を越えるとメソゲン基の配向秩序性が不
安定になり、メモリー性の低下を招くほか、系全体の弾
性率が低下して取扱いがたくなることがあるからである
。
化合物と、上記（２）式で表される低分子液晶化合物か
らなる組成物を用いるが、その組成孔は重量比で前者対
後者が９５＝５ないし３ｏ：７０とすることが好ましい
。これは、低分子液晶化合物の割合が５重量％以下にな
ると外部刺激に対する応答性の低下を招くことがあり、
また７０重量％を越えるとメソゲン基の配向秩序性が不
安定になり、メモリー性の低下を招くほか、系全体の弾
性率が低下して取扱いがたくなることがあるからである
。
つぎに、上記組成物を用いて情報記録媒体を作成するに
あたっては、該組成物に必要に応じて粘度や取扱い性を
調整するための溶剤や各種添加剤を加えて調整したもの
を用い、キャスティング法や水面展開法、ドクターブレ
ード法、ロールコーティング法、ディッピング法、スプ
レー法、静電塗布法などの方法によりフィルム状に形成
したものが好適に用いられる。この場合、フィルムの膜
厚は１〜２００／１ｍ、好ましくは１〜１００戸である
。この膜厚は、１１ｍ未満では厚みのバラツキによる影
響を受けやすくなり、また２００声を越えると即動電圧
など外部刺激を大きくする必要があるほか、材料コスト
が高くなるため、いずれも好ましくない。
あたっては、該組成物に必要に応じて粘度や取扱い性を
調整するための溶剤や各種添加剤を加えて調整したもの
を用い、キャスティング法や水面展開法、ドクターブレ
ード法、ロールコーティング法、ディッピング法、スプ
レー法、静電塗布法などの方法によりフィルム状に形成
したものが好適に用いられる。この場合、フィルムの膜
厚は１〜２００／１ｍ、好ましくは１〜１００戸である
。この膜厚は、１１ｍ未満では厚みのバラツキによる影
響を受けやすくなり、また２００声を越えると即動電圧
など外部刺激を大きくする必要があるほか、材料コスト
が高くなるため、いずれも好ましくない。
また、上記フィルムは単独フィルムに形成して基板上に
配置して用いてもよいし、基板に設けた薄膜電極上に直
接フィルムを形成させたものでもよい。
配置して用いてもよいし、基板に設けた薄膜電極上に直
接フィルムを形成させたものでもよい。
つぎに、このようにして得られたフィルムを用いた情報
記録媒体への情報の入力方法、すなわち記録方法は、一
定電場での周波数の切り替えによる方法を採用すること
が好ましい。この場合、数ヘルツの低周波の電場を印加
すると、複合膜中のイオンの移動が引き起こす乱流によ
って光を強く散乱し、光の透過度が数％となって白濁す
る。
記録媒体への情報の入力方法、すなわち記録方法は、一
定電場での周波数の切り替えによる方法を採用すること
が好ましい。この場合、数ヘルツの低周波の電場を印加
すると、複合膜中のイオンの移動が引き起こす乱流によ
って光を強く散乱し、光の透過度が数％となって白濁す
る。
方、数十ヘルツ以上の高周波の電場を印加するとホメオ
トロピック配向状態となり、高い光線透過率（９０％前
後）を示し、透明となる。このように、印加する電場の
周波数を選択することによって、複合膜の状態（光線透
過度）を変化させることができ、これら２つの状態は印
加する電場の周波数によって交互に切り替えが可能であ
る。このほか、サーマルヘッドを用いて配向状態を変化
させる方式を用いてもよい。
トロピック配向状態となり、高い光線透過率（９０％前
後）を示し、透明となる。このように、印加する電場の
周波数を選択することによって、複合膜の状態（光線透
過度）を変化させることができ、これら２つの状態は印
加する電場の周波数によって交互に切り替えが可能であ
る。このほか、サーマルヘッドを用いて配向状態を変化
させる方式を用いてもよい。
このようにして、記録された情報の読み出しは、記録媒
体に、偏光板を介してプローブ光を照射し、その透過光
を別の偏光板を介して受光器に受光させ、この透過光の
媒体中の配向反転部分の有無による強弱を検出すること
により行なうことができる。ここで用いるプローブ光は
、液晶分子の配向に変化を与えない弱い光とする。
体に、偏光板を介してプローブ光を照射し、その透過光
を別の偏光板を介して受光器に受光させ、この透過光の
媒体中の配向反転部分の有無による強弱を検出すること
により行なうことができる。ここで用いるプローブ光は
、液晶分子の配向に変化を与えない弱い光とする。
さらに、記録媒体に記録された情報を消去するには、全
体にわたって低周波数交流電界または高周波数交流電界
の一方を印加すれば、瞬時に消去が可能である。また、
この媒体のアイソトロピック転移温度まで昇温したのち
、その温度以下に降温して、情報を消去する方法を採用
してもよい。
体にわたって低周波数交流電界または高周波数交流電界
の一方を印加すれば、瞬時に消去が可能である。また、
この媒体のアイソトロピック転移温度まで昇温したのち
、その温度以下に降温して、情報を消去する方法を採用
してもよい。
本発明の情報記録媒体は、前記（１）式で示されるポリ
シロキサン系側鎖型高分子液晶化合物と、前記（２）式
で示される安息香酸エステル系低分子液晶化合物との組
成物からなるため、成膜性を有し、形状保持性にもすぐ
れるので、大面積化が容易でかつ作業性がよいという利
点を有している。
シロキサン系側鎖型高分子液晶化合物と、前記（２）式
で示される安息香酸エステル系低分子液晶化合物との組
成物からなるため、成膜性を有し、形状保持性にもすぐ
れるので、大面積化が容易でかつ作業性がよいという利
点を有している。
また、本発明の情報記録媒体は外部刺激に対する応答性
においても、従来の高分子液晶化合物と低分子液晶化合
物との組成物からなる情報記録媒体よりすぐれたもので
あり、印加する電場の周波数の切り換えによって情報の
書き込み、消去を瞬時に行なうことが可能で、かつこれ
ら状態が極めて安定に保持されるという特長を有するの
で、各種表示装置、標識、公告塔、看板など広汎な分野
に適用することができ、産業上の利用価値のきわめて大
なるものである。
においても、従来の高分子液晶化合物と低分子液晶化合
物との組成物からなる情報記録媒体よりすぐれたもので
あり、印加する電場の周波数の切り換えによって情報の
書き込み、消去を瞬時に行なうことが可能で、かつこれ
ら状態が極めて安定に保持されるという特長を有するの
で、各種表示装置、標識、公告塔、看板など広汎な分野
に適用することができ、産業上の利用価値のきわめて大
なるものである。
以下、実施例によって本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
ＩＴＯ透明電極を蒸着したスライドガラス板上に、ポリ
−（（３−（４−（４−シアノフェノキシカルボニル）
フェノキシ）ヘキシル）メチルシロキサン〕と、４−シ
アノフェニル−４′−ｎヘプチルオキシベンゾエートと
を重量比で５０：５０の割合でテトラヒドロフランに溶
解した溶液（溶質濃度１０重量％）を、バーコーティン
グ法により塗工したのち、溶媒を十分に乾燥させた。乾
燥後に得られた情報記録媒体の膜厚は１０／１ｍであっ
た。つぎに、この情報記録媒体の膜の上にＩＴＯ透明電
極を蒸着したスライドガラスを電極面が対向するように
密着させた。
−（（３−（４−（４−シアノフェノキシカルボニル）
フェノキシ）ヘキシル）メチルシロキサン〕と、４−シ
アノフェニル−４′−ｎヘプチルオキシベンゾエートと
を重量比で５０：５０の割合でテトラヒドロフランに溶
解した溶液（溶質濃度１０重量％）を、バーコーティン
グ法により塗工したのち、溶媒を十分に乾燥させた。乾
燥後に得られた情報記録媒体の膜厚は１０／１ｍであっ
た。つぎに、この情報記録媒体の膜の上にＩＴＯ透明電
極を蒸着したスライドガラスを電極面が対向するように
密着させた。
ついで、透明電極間に交流１００Ｖｐ−ｐの電圧を印加
し、波長６３２．８ｎｍのヘリウム−ネオンレーザ−光
を垂直に入射してその透過率の変化および応答速度を測
定した。測定時の温度は、アイソトロピック転移温度よ
り５°Ｃ低い８７°Ｃであった。結果を第１表に示す。
し、波長６３２．８ｎｍのヘリウム−ネオンレーザ−光
を垂直に入射してその透過率の変化および応答速度を測
定した。測定時の温度は、アイソトロピック転移温度よ
り５°Ｃ低い８７°Ｃであった。結果を第１表に示す。
第１表の結果より、本発明の情報記録媒体は交流電界印
加時の応答速度が４０〜１１０ｍ５と極めて早く、電界
除去後もその状態を維持することが認められる。
加時の応答速度が４０〜１１０ｍ５と極めて早く、電界
除去後もその状態を維持することが認められる。
代理人 弁理士 小 島 隆 同
第 １ 表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、液晶分子の配向状態の変化を利用して情報を記録す
る媒体であって、該媒体が下記一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、ｍは１〜２０の整数、ｎは任意の正の整数を示
す） で表されるポリシロキサン系側鎖型高分子液晶化合物か
ら選ばれる１種又は２種以上と、下記一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒは炭素数１〜２０のアルキル基を示す） で表される安息香酸エステル系低分子液晶化合物から選
ばれる１種または２種以上との組成物からなることを特
徴とする情報記録媒体。 ２、前記一般式（１）で表されるポリシロキサン系側鎖
型高分子液晶化合物と、前記一般式（２）で表される安
息香酸エステル系低分子液晶化合物との組成割合が重量
比で９５：５ないし３０：７０である請求項１記載の情
報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013539A JPH02193115A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013539A JPH02193115A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02193115A true JPH02193115A (ja) | 1990-07-30 |
Family
ID=11835962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1013539A Pending JPH02193115A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02193115A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5216415A (en) * | 1990-12-19 | 1993-06-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of driving a matrix-type liquid crystal display device |
| US5354489A (en) * | 1990-08-30 | 1994-10-11 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for changing the viscosity of a fluid comprising a liquid crystal compound |
| US5422036A (en) * | 1991-06-03 | 1995-06-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Liquid crystal display device and preparation thereof |
| JP2004083757A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Chisso Corp | ケイ素化合物含有複合材料および記録素子 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1013539A patent/JPH02193115A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5354489A (en) * | 1990-08-30 | 1994-10-11 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for changing the viscosity of a fluid comprising a liquid crystal compound |
| US5216415A (en) * | 1990-12-19 | 1993-06-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of driving a matrix-type liquid crystal display device |
| US5422036A (en) * | 1991-06-03 | 1995-06-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Liquid crystal display device and preparation thereof |
| JP2004083757A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Chisso Corp | ケイ素化合物含有複合材料および記録素子 |
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