JPH02193401A - 超高周波大電力無反射終端装置 - Google Patents
超高周波大電力無反射終端装置Info
- Publication number
- JPH02193401A JPH02193401A JP1293189A JP1293189A JPH02193401A JP H02193401 A JPH02193401 A JP H02193401A JP 1293189 A JP1293189 A JP 1293189A JP 1293189 A JP1293189 A JP 1293189A JP H02193401 A JPH02193401 A JP H02193401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超高周波で使用されるマイクロストリップ
線絡等での大電力無反射終端装置に関するものである。
線絡等での大電力無反射終端装置に関するものである。
第５図は従来の超高周波小電力無反射終端器を示す平面
図、第６図は第５図の断面図で、図において、＋１１は
マイクロストリップ基板である誘電体、＋２１は誘電体
１１１の表面にパターニングされた５０Ωマイクロスト
リップＭｗ＋、（３）は！ｌＩｔ体１１）の表面にパタ
ーニングされたほぼλｍ／４の伝送長を有する低インピ
ーダンス−マイクロストリップｉｔ路、（４）は誘電体
Ｉｌ＋の表面にパターニングされた波長λｍに対し十分
小さな伝送長及び幅を有する（５０Ωマイクロストリツ
プ線路＋２）端と低インピーダンス・マイクロストリッ
プ線絡（３）端との間隙が波長に対し十分小さい）５０
Ω抵抗体、（５１は誘電体Ｉｌ＋の裏面に形成されたマ
イクロストリップＩ１ｇ！路を構成するための接地導体
である。
図、第６図は第５図の断面図で、図において、＋１１は
マイクロストリップ基板である誘電体、＋２１は誘電体
１１１の表面にパターニングされた５０Ωマイクロスト
リップＭｗ＋、（３）は！ｌＩｔ体１１）の表面にパタ
ーニングされたほぼλｍ／４の伝送長を有する低インピ
ーダンス−マイクロストリップｉｔ路、（４）は誘電体
Ｉｌ＋の表面にパターニングされた波長λｍに対し十分
小さな伝送長及び幅を有する（５０Ωマイクロストリツ
プ線路＋２）端と低インピーダンス・マイクロストリッ
プ線絡（３）端との間隙が波長に対し十分小さい）５０
Ω抵抗体、（５１は誘電体Ｉｌ＋の裏面に形成されたマ
イクロストリップＩ１ｇ！路を構成するための接地導体
である。
次に動作について説明する０５０９マイクロストリップ
７ｍ路＋２）に伝送された超高周波信号は５０Ω抵抗体
（４）を経て低インピーダンスマイクロストリップ線絡
（３）へ伝送される。ここで低インピーダンスマイクロ
ストリップＲ絡（３］の一端が開放となっているため、
はぼλｍ／４の伝送長の戻った５０Ω抵抗体（４）と接
続されている他端ではその周波数では短絡となり、又５
０Ω抵抗体（４）の伝送長が波長λｍに対して十分小さ
いため、５０Ω抵抗体（４）が５０ρマイクロストリツ
プＡＩ絡１２）と接地導体（５１間に接続されているの
と等価となり、超高周波信号はこの５０Ω抵抗体（４）
で発熱し消費される。
７ｍ路＋２）に伝送された超高周波信号は５０Ω抵抗体
（４）を経て低インピーダンスマイクロストリップ線絡
（３）へ伝送される。ここで低インピーダンスマイクロ
ストリップＲ絡（３］の一端が開放となっているため、
はぼλｍ／４の伝送長の戻った５０Ω抵抗体（４）と接
続されている他端ではその周波数では短絡となり、又５
０Ω抵抗体（４）の伝送長が波長λｍに対して十分小さ
いため、５０Ω抵抗体（４）が５０ρマイクロストリツ
プＡＩ絡１２）と接地導体（５１間に接続されているの
と等価となり、超高周波信号はこの５０Ω抵抗体（４）
で発熱し消費される。
従来の超高周波無反射終端器は以上のように構成されて
いたので、超高周波信号の反射を抑えるためには５０Ω
抵抗体を微小にしなければならず。
いたので、超高周波信号の反射を抑えるためには５０Ω
抵抗体を微小にしなければならず。
従って小電力しか消費できず超高周波小電力無反射終端
器となり大電力に耐えることができないなどの問題点が
あった。
器となり大電力に耐えることができないなどの問題点が
あった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、超高周波で中−大電力の無反射終端装置を得
ることを目的とする。
たもので、超高周波で中−大電力の無反射終端装置を得
ることを目的とする。
ｃａｉｇを解決するための手段〕
この発明に係る超高周波大電力無反射終端装置は超高周
波分配器の出力端子に多数の超高周波小電力無反射器を
接続したものである。
波分配器の出力端子に多数の超高周波小電力無反射器を
接続したものである。
〔作用〕
この発明に８ける超高周波大電力無反射終端装置は超高
周波大電力信号を超高周波小電力無反射終端器に耐えら
れる電力にまで多数に分配することにより、大電力を分
散発熱し消費させる。
周波大電力信号を超高周波小電力無反射終端器に耐えら
れる電力にまで多数に分配することにより、大電力を分
散発熱し消費させる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図に２いて、ｒｔ＋はマイクロストリップ基板である誘
電体、１２）は誘電体Ｉｌ＋の表面にパターニングされ
た５０ΩマイクロストリツプＩＩＩ！路、（６）は誘電
体Ｉｌｌの表面にパターニングされた超高周波２分配器
を構成するためのインピーダンス変換部でλｍ／４の伝
送長を有する３５９マイクロストリップ級絡％ （２ａ
）、 （２ｂ）は！ｌ電体１１１の表面にパターニング
された３５Ωマイクロストリツプ！ｌ絡（６）の他端出
力端子に各々接続された５０Ωマイクロストリップ級路
、 （ａａ）、 （３ｂ）は誘電体Ｉｌｌの表面にパ
ターニングされたほぼλｍ／４の伝送長を有する低イン
ピーダンスマイクロスト９７１級路、 （４ａ）、
（４ｂ）は誘電体１ｔｌの表面にパターニングされた波
長λｍに対し十分小さな伝送長を有する（５０Ωマイク
ロストリツプ緑賂（２ｍ）、 （２ｂ） 端と低インピ
ーダンスマイクロストリップＭ賂（４ａ） 、 （４ｂ
）端との間隙が波長λｍに対し十分小さい）５０Ω抵抗
体である。第２図に２いて、（７）は５０９マイクロス
トリツプ線路（２）、３５ΩマイクロストリップｍＫ（
６）及び５０Ωマイクロストリツプ緑路（２ａ）、 （
２ｂ）で構成される超高周波２分配器、（８）は最終の
超高周波２分配器の出力端子に接続された５０Ωマイク
ロストリツプ線路（２ａ）又は（２ｂ） 、 ５０Ω抵
抗（４＆）又は（４ｂ）及び低インピーダンスマイクロ
ストリップＳｉ路（３ａ）又は（３ｂ）で構成される超
高周波小電力無反射終端器である。
図に２いて、ｒｔ＋はマイクロストリップ基板である誘
電体、１２）は誘電体Ｉｌ＋の表面にパターニングされ
た５０ΩマイクロストリツプＩＩＩ！路、（６）は誘電
体Ｉｌｌの表面にパターニングされた超高周波２分配器
を構成するためのインピーダンス変換部でλｍ／４の伝
送長を有する３５９マイクロストリップ級絡％ （２ａ
）、 （２ｂ）は！ｌ電体１１１の表面にパターニング
された３５Ωマイクロストリツプ！ｌ絡（６）の他端出
力端子に各々接続された５０Ωマイクロストリップ級路
、 （ａａ）、 （３ｂ）は誘電体Ｉｌｌの表面にパ
ターニングされたほぼλｍ／４の伝送長を有する低イン
ピーダンスマイクロスト９７１級路、 （４ａ）、
（４ｂ）は誘電体１ｔｌの表面にパターニングされた波
長λｍに対し十分小さな伝送長を有する（５０Ωマイク
ロストリツプ緑賂（２ｍ）、 （２ｂ） 端と低インピ
ーダンスマイクロストリップＭ賂（４ａ） 、 （４ｂ
）端との間隙が波長λｍに対し十分小さい）５０Ω抵抗
体である。第２図に２いて、（７）は５０９マイクロス
トリツプ線路（２）、３５ΩマイクロストリップｍＫ（
６）及び５０Ωマイクロストリツプ緑路（２ａ）、 （
２ｂ）で構成される超高周波２分配器、（８）は最終の
超高周波２分配器の出力端子に接続された５０Ωマイク
ロストリツプ線路（２ａ）又は（２ｂ） 、 ５０Ω抵
抗（４＆）又は（４ｂ）及び低インピーダンスマイクロ
ストリップＳｉ路（３ａ）又は（３ｂ）で構成される超
高周波小電力無反射終端器である。
次に動作について説明する。５０Ωマイクロストリツプ
１！絡１２）に伝送された超高周波信号は３５９マイク
ロストリップＭＫ（６）で２分配され、この２分配され
た超高周波信号が５０Ω抵抗体（４Ｂ）、 （４ｂ）を
経て低インピーダンスマイクロストリップ、１！ｉｉ路
（３ａ） 、 （３ｂ）へ伝送される。ここで、低イン
ピーダンスマイクロスト９７１級路（３ａ）、 （３ｂ
）の各々一端が開放となっているため、はぼλｍ／４の
伝送長の戻った５０ｇｍＸ体（４ａ） 、 （４ｂ）と
接続されている各々他端ではその周波数では短絡となり
、又５０Ω抵抗体（４ａ）、 （４ｂ）の伝送長が波長
に対して十分小さいため、５０Ω抵抗体（４ａ）、 （
４ｂ）が５０Ωマイクロストリツプｌ！絡（２ａ）、
（２ｂ）と接地導体（５１間に接続されているのと等価
となり、２分配された超高周波信号は各々この５０Ω抵
抗体（４ａ）、 （、ａｂ）で発熱し消費される。
１！絡１２）に伝送された超高周波信号は３５９マイク
ロストリップＭＫ（６）で２分配され、この２分配され
た超高周波信号が５０Ω抵抗体（４Ｂ）、 （４ｂ）を
経て低インピーダンスマイクロストリップ、１！ｉｉ路
（３ａ） 、 （３ｂ）へ伝送される。ここで、低イン
ピーダンスマイクロスト９７１級路（３ａ）、 （３ｂ
）の各々一端が開放となっているため、はぼλｍ／４の
伝送長の戻った５０ｇｍＸ体（４ａ） 、 （４ｂ）と
接続されている各々他端ではその周波数では短絡となり
、又５０Ω抵抗体（４ａ）、 （４ｂ）の伝送長が波長
に対して十分小さいため、５０Ω抵抗体（４ａ）、 （
４ｂ）が５０Ωマイクロストリツプｌ！絡（２ａ）、
（２ｂ）と接地導体（５１間に接続されているのと等価
となり、２分配された超高周波信号は各々この５０Ω抵
抗体（４ａ）、 （、ａｂ）で発熱し消費される。
このように、超高周波２分配器（２）を多段に縦続接続
し最終の超高周波２分配器の出力端子に多数の超高周波
小電力無反射終端器（８）を接続することにより、超高
周波大電力が多数の小電力に分散し発熱し消費される。
し最終の超高周波２分配器の出力端子に多数の超高周波
小電力無反射終端器（８）を接続することにより、超高
周波大電力が多数の小電力に分散し発熱し消費される。
な２．上記実施例では抵抗体＋４）、 （４ａ） 、
（４ｂ）をマイクロストリップ縁＃ｔ２１． （２
ａ）、 （２ｂ）、 ＋３１． （３ａ）。
（４ｂ）をマイクロストリップ縁＃ｔ２１． （２
ａ）、 （２ｂ）、 ＋３１． （３ａ）。
（３ｂ）と同一誘電体上に設けた場合を示したが、熱伝
導の優れた誘電体上に別個に設けても良い。低インピー
ダンスマイクロストリップ４１ Ｍｌｒ ＋３１ 、
（３ａ） 。
導の優れた誘電体上に別個に設けても良い。低インピー
ダンスマイクロストリップ４１ Ｍｌｒ ＋３１ 、
（３ａ） 。
（３ｂ）は５０Ω抵抗体（４）、 （４ａ） 、 （４
ｂ）との接続端で裏面の接地導体（５）とスルーホール
等で短絡できるものであれば置き換えても良い。（この
様な５０Ω抵抗体を使用しても良いｏ）５０Ωマイクロ
ストリツプＲｕ （２ａ） 、 （２ｂ）は特に必要と
はしない。
ｂ）との接続端で裏面の接地導体（５）とスルーホール
等で短絡できるものであれば置き換えても良い。（この
様な５０Ω抵抗体を使用しても良いｏ）５０Ωマイクロ
ストリツプＲｕ （２ａ） 、 （２ｂ）は特に必要と
はしない。
また、上記実施例ではインピーダンス変換部を３５Ωマ
イクロストリツプ線路の場合について説明したが、第３
図のように出力端子がλｍ／４の伝送長を有する７１Ω
マイクロストリツプＮｉ Ｋ （９ａ） 、 （９ｂ）
であっても良く、広帯域化のため多段のインピーダンス
変換部であっても良く、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
イクロストリツプ線路の場合について説明したが、第３
図のように出力端子がλｍ／４の伝送長を有する７１Ω
マイクロストリツプＮｉ Ｋ （９ａ） 、 （９ｂ）
であっても良く、広帯域化のため多段のインピーダンス
変換部であっても良く、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
また、上記実施例では２分配器の多段接続の場合蕎こつ
いて説明したが、第４図のように超高周波多分配器α１
でも上記実施例と同様の効果を奏する。
いて説明したが、第４図のように超高周波多分配器α１
でも上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例ではマイクロストリップ線路を用いた
場合を示したが、トリプレー）ＭＫやスロットｍｙｒを
用いても上記実施例と同様の効果を奏する。
場合を示したが、トリプレー）ＭＫやスロットｍｙｒを
用いても上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、超高周波で大電力の無
反射終端が可能となり、また、発熱部を分散配置するよ
うに構成したので、信頼性の高い超高周波大電力無反射
終端装置が得られる効果がある。
反射終端が可能となり、また、発熱部を分散配置するよ
うに構成したので、信頼性の高い超高周波大電力無反射
終端装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による超高周波大電力無反
射終端装置の部分平面図、第２図は第１図のブロック図
、第３図はこの発明の他の実施例を示す部分平面図、第
４図はこの発明の他の実施例を示すブロック図、第５図
は従来の超高周波小電力無反射終端器の平面図、第６図
は第５図の断面図である。 図において、Ｉｌ＋は誘電体、＋２１． （２ａ）、
（２ｂ）は５０ΩマイクロストリツプＩＩｉ路、＋３１
． （３ａ）、 （３ｂ）は低インピーダンスマイク
ロストリップＩＮＫ％（４） 、 （４ａ） 。 （４ｂ）は５０ｇ抵抗体、（５４は接地導体、（６）は
３５９マイクロストリップｉ＠路、（１）は超高周波２
分配器、（８）は超高周波小電力無反射終端器、（９）
は７１Ωマイクロストリップａｇ、σりは超高周波多分
配器を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
射終端装置の部分平面図、第２図は第１図のブロック図
、第３図はこの発明の他の実施例を示す部分平面図、第
４図はこの発明の他の実施例を示すブロック図、第５図
は従来の超高周波小電力無反射終端器の平面図、第６図
は第５図の断面図である。 図において、Ｉｌ＋は誘電体、＋２１． （２ａ）、
（２ｂ）は５０ΩマイクロストリツプＩＩｉ路、＋３１
． （３ａ）、 （３ｂ）は低インピーダンスマイク
ロストリップＩＮＫ％（４） 、 （４ａ） 。 （４ｂ）は５０ｇ抵抗体、（５４は接地導体、（６）は
３５９マイクロストリップｉ＠路、（１）は超高周波２
分配器、（８）は超高周波小電力無反射終端器、（９）
は７１Ωマイクロストリップａｇ、σりは超高周波多分
配器を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 超高周波２分配器を多段に接続し、その最終の出力端子
に多数の超高周波小電力無反射終端器を接続したことを
特徴とする超高周波大電力無反射終端装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293189A JPH02193401A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 超高周波大電力無反射終端装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293189A JPH02193401A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 超高周波大電力無反射終端装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02193401A true JPH02193401A (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=11819046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1293189A Pending JPH02193401A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 超高周波大電力無反射終端装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02193401A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6124768A (en) * | 1997-11-11 | 2000-09-26 | Nec Corporation | Microwave testing high-power dummy load forming method and microwave testing high-power dummy load apparatus |
| US7102466B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-09-05 | Silicon Integrated Systems Corp. | Method of reducing switching noise in a power distribution system by external coupled resistive terminators |
| JP2013187839A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波終端器 |
| JP2019153892A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | 三菱電機特機システム株式会社 | マイクロ波終端器 |
| US11083079B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-08-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Terminal device |
-
1989
- 1989-01-20 JP JP1293189A patent/JPH02193401A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6124768A (en) * | 1997-11-11 | 2000-09-26 | Nec Corporation | Microwave testing high-power dummy load forming method and microwave testing high-power dummy load apparatus |
| US7102466B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-09-05 | Silicon Integrated Systems Corp. | Method of reducing switching noise in a power distribution system by external coupled resistive terminators |
| JP2013187839A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波終端器 |
| US11083079B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-08-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Terminal device |
| JP2019153892A (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-12 | 三菱電機特機システム株式会社 | マイクロ波終端器 |
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