JPH02194169A - スパッタターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタターゲットの製造方法Info
- Publication number
- JPH02194169A JPH02194169A JP1324889A JP1324889A JPH02194169A JP H02194169 A JPH02194169 A JP H02194169A JP 1324889 A JP1324889 A JP 1324889A JP 1324889 A JP1324889 A JP 1324889A JP H02194169 A JPH02194169 A JP H02194169A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- raw material
- melting point
- raw materials
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
複数の原料から成るスパッタターゲットの製造方法に関
し、 簡便で安価に製造でき、化合物ターゲットと同等の性能
を有し、実用性のあるスパッタターゲットの製造方法を
提供することを目的とし、真空中に不活性ガスなどの気
体を導入し、この気体のプラズマ状態を利用し、複数の
原料から成る薄膜をターゲットと対向する位置に置かれ
た基板上に成長するスパッタ装置のスパッタターゲット
の製造方法において、前記複数の原料を混合し、次いで
これら原料のうちで最も融点の低い原料の融点以上で２
番目に融点の低い原料の融点以下の温度で前記原料の混
合物を熱処理することを特徴とするスパッタターゲット
の製造方法を含み構成する。
し、 簡便で安価に製造でき、化合物ターゲットと同等の性能
を有し、実用性のあるスパッタターゲットの製造方法を
提供することを目的とし、真空中に不活性ガスなどの気
体を導入し、この気体のプラズマ状態を利用し、複数の
原料から成る薄膜をターゲットと対向する位置に置かれ
た基板上に成長するスパッタ装置のスパッタターゲット
の製造方法において、前記複数の原料を混合し、次いで
これら原料のうちで最も融点の低い原料の融点以上で２
番目に融点の低い原料の融点以下の温度で前記原料の混
合物を熱処理することを特徴とするスパッタターゲット
の製造方法を含み構成する。
本発明は、複数の原料から成るスパッタターゲットの製
造方法に関する。
造方法に関する。
スパッタリングにより製造される薄膜は、各種の磁気薄
膜材料、半導体部品、その他の多くの産業分野、特に電
子部品材料に利用されている。このスパッタリング技術
は、真空中に不活性ガスなどの気体を導入し、この気体
のプラズマ状態を利用してターゲット上の金属などの物
質から成る薄膜をターゲットと対向する位置に置かれた
基板上に成長せしめるものである。
膜材料、半導体部品、その他の多くの産業分野、特に電
子部品材料に利用されている。このスパッタリング技術
は、真空中に不活性ガスなどの気体を導入し、この気体
のプラズマ状態を利用してターゲット上の金属などの物
質から成る薄膜をターゲットと対向する位置に置かれた
基板上に成長せしめるものである。
従来、複数の原料から成る薄膜をスパッタリング法によ
り製造するには、（１）複数のターゲット上にプラズマ
を発生させて多元同時スパッタリングを行う方法、（２
）一つのターゲット中に複数の原料から成る化合物ター
ゲットを用いる方法などが用いられていた。
り製造するには、（１）複数のターゲット上にプラズマ
を発生させて多元同時スパッタリングを行う方法、（２
）一つのターゲット中に複数の原料から成る化合物ター
ゲットを用いる方法などが用いられていた。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、従来のスパッタリングにおいて、上記（１）の
方法では複数のターゲット用の電極を形成しなければな
らず装置が大型化し、製造コストもかかる問題がある。
方法では複数のターゲット用の電極を形成しなければな
らず装置が大型化し、製造コストもかかる問題がある。
また、上記（２）の方法ではコストは比較的低いが十分
混ざり合った化合物ターゲットを入手しなければならず
、かかるターゲットが高価なものになる問題がある。
混ざり合った化合物ターゲットを入手しなければならず
、かかるターゲットが高価なものになる問題がある。
そこで本発明は、簡便で安価に製造でき、化合物ターゲ
ットと同等の性能を有し、実用性のあるスパッタターゲ
ットの製造方法を提供することを目的とする。
ットと同等の性能を有し、実用性のあるスパッタターゲ
ットの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題は、真空中に不活性ガスなどの気体を導入し、
この気体のプラズマ状態を利用して複数の原料から成る
薄膜をターゲットと対向する位置に置かれた基板上に成
長するスパッタ装置のスパッタターゲットの製造方法に
おいて、複数の原料を混合し、次いでこれら原料のうち
で最も融点の低い原料の融点以上で２番目に融点の低い
原料の融点以下の温度で前記原料の混合物を熱処理する
ことを特徴とするスパッタターゲットの製造方法によっ
て解決される。
この気体のプラズマ状態を利用して複数の原料から成る
薄膜をターゲットと対向する位置に置かれた基板上に成
長するスパッタ装置のスパッタターゲットの製造方法に
おいて、複数の原料を混合し、次いでこれら原料のうち
で最も融点の低い原料の融点以上で２番目に融点の低い
原料の融点以下の温度で前記原料の混合物を熱処理する
ことを特徴とするスパッタターゲットの製造方法によっ
て解決される。
（作用〕
第１図は本発明のスパッタターゲットの構造を説明する
図である。同図に示すように、スパッタターゲット１１
は、円板状をした金属固体であり、原料１を除く各成分
原料（原料２、原料３、原料４、・・・）は、例えば数
１００メツシユ（１インチ当たりの数）程度の単原料粉
末から成り、均一に分布している。原料１のみは上記各
原料（原料２、原料３、原料４、・・・）の微粉末を取
り囲む構造に配置されている。
図である。同図に示すように、スパッタターゲット１１
は、円板状をした金属固体であり、原料１を除く各成分
原料（原料２、原料３、原料４、・・・）は、例えば数
１００メツシユ（１インチ当たりの数）程度の単原料粉
末から成り、均一に分布している。原料１のみは上記各
原料（原料２、原料３、原料４、・・・）の微粉末を取
り囲む構造に配置されている。
上記構造のスパッタターゲット１は、第２図の製造工程
に示すように、粉末状にした原料（原料１から成る原料
１、原料２から成る原料２、原料３から成る原料３、・
・・）を十分均一に混合して、鋳型となる容器１２に入
れる。この容器１２は、次の加熱処理に耐えられ、各原
料との反応も生じないものが用いられる。そして、加熱
炉１３で融点の最も低い原料（原料１から成る原料１）
の融点Ｔ１以上で、２番目に融点の低い原料（原料２か
ら成る原料２）の融点ＴＭ２以下の温度で熱処理を行う
。この加熱炉１３は試料を真空中に保持することができ
、粉末の表面酸化をふせぐようになっている。この熱処
理により第１図に示したような構造のスパッタターゲッ
トを製造する。このスパッタターゲットを用いて通常の
スパッタと同様な成膜工程でスパッタリングを行うこと
ができる。
に示すように、粉末状にした原料（原料１から成る原料
１、原料２から成る原料２、原料３から成る原料３、・
・・）を十分均一に混合して、鋳型となる容器１２に入
れる。この容器１２は、次の加熱処理に耐えられ、各原
料との反応も生じないものが用いられる。そして、加熱
炉１３で融点の最も低い原料（原料１から成る原料１）
の融点Ｔ１以上で、２番目に融点の低い原料（原料２か
ら成る原料２）の融点ＴＭ２以下の温度で熱処理を行う
。この加熱炉１３は試料を真空中に保持することができ
、粉末の表面酸化をふせぐようになっている。この熱処
理により第１図に示したような構造のスパッタターゲッ
トを製造する。このスパッタターゲットを用いて通常の
スパッタと同様な成膜工程でスパッタリングを行うこと
ができる。
本発明によれば、粉末状の各原料を容器１２中で十分均
一に混合し、加熱炉１３中において、最も低い融点の原
料の融点以上で、２番目に融点の低い原料の融点以下の
熱処理を行い、最も低い融点の原料のみ溶かしてからす
ぐに固化させることで、この最も低い融点の原料で他の
原料を取り囲む構造に製造できる。従って、従来より節
単にかつ安価に、化合物ターゲットと同等の性能を有し
、十公吏用になるスパッタターゲットを製造することが
できる。
一に混合し、加熱炉１３中において、最も低い融点の原
料の融点以上で、２番目に融点の低い原料の融点以下の
熱処理を行い、最も低い融点の原料のみ溶かしてからす
ぐに固化させることで、この最も低い融点の原料で他の
原料を取り囲む構造に製造できる。従って、従来より節
単にかつ安価に、化合物ターゲットと同等の性能を有し
、十公吏用になるスパッタターゲットを製造することが
できる。
以下、本発明の一実施例を図面により具体的に説明する
。
。
上記説明と同じ第２図を用いて本発明実施例のターゲッ
トの製造方法を説明する。
トの製造方法を説明する。
同図に示すように、薄膜として形成する原料の各原料１
，２．３として、セレン（Ｓｅ）、インジウム（Ｉｎ）
、アンチモン（Ｓｂ）の各微粉末を用意した。
，２．３として、セレン（Ｓｅ）、インジウム（Ｉｎ）
、アンチモン（Ｓｂ）の各微粉末を用意した。
Ｓｅ原料１は４ Ｎ （９９，９９χ）で２００メツシ
ユ、Ｉｎ原料２は３ Ｎ （９９，９％） テ２００
） ッシュ、ｓｂ原料３は３Ｎｕｐで３００メツシユ（
いずれも高純度化学型）である。これら原料１，２．３
をボールミルで十分攪拌したのち、鋳型となる窒化ボロ
ン（ＢＮ）製のルツボ（容器１２）に入れた。ただし、
これらの処理中の雰囲気としてはＮ２ガス中で行った。
ユ、Ｉｎ原料２は３ Ｎ （９９，９％） テ２００
） ッシュ、ｓｂ原料３は３Ｎｕｐで３００メツシユ（
いずれも高純度化学型）である。これら原料１，２．３
をボールミルで十分攪拌したのち、鋳型となる窒化ボロ
ン（ＢＮ）製のルツボ（容器１２）に入れた。ただし、
これらの処理中の雰囲気としてはＮ２ガス中で行った。
このＢＮルツボを１７０″Ｃの真空電気炉（加熱炉１３
）において３０分間熱処理を施し、この装置の真空度は
１ｘｘｏ−”ｐ、程度であった。この電気炉１３の温度
１７０°Ｃは、原料１．２．３の中で最も融点の低いＩ
ｎ （１７５°Ｃ）より高く、２番目に低いＳｅ （２
２１°Ｃ）より低い温度である。このため、混合した原
料１゜２．３のうち融解するのはＩｎだけである。この
熱処理後、ＢＮルツボ１２を電気炉１３から取り出して
Ｉｎを固化させ、ＢＮルツボ１２から取り出す。このよ
うにして作ったスパッタターゲットのサイズは、直径４
インチ（約１０．２ｃｍ） 、厚さ２ ＋ｕ＋ａであっ
た。かかるスパッタターゲットの一部の図は第１図の右
に示されるものである。なおこの図で、原料２、原料３
、原料４の間にはそれぞれ十分なペースがあるが、これ
は図を簡明にするために原料２以下を誇張的に離して作
図したものであり、実際には原料２以下の諸原料はもっ
と密に、すなわちそれらが互いに接触した状態にあるも
のである。
）において３０分間熱処理を施し、この装置の真空度は
１ｘｘｏ−”ｐ、程度であった。この電気炉１３の温度
１７０°Ｃは、原料１．２．３の中で最も融点の低いＩ
ｎ （１７５°Ｃ）より高く、２番目に低いＳｅ （２
２１°Ｃ）より低い温度である。このため、混合した原
料１゜２．３のうち融解するのはＩｎだけである。この
熱処理後、ＢＮルツボ１２を電気炉１３から取り出して
Ｉｎを固化させ、ＢＮルツボ１２から取り出す。このよ
うにして作ったスパッタターゲットのサイズは、直径４
インチ（約１０．２ｃｍ） 、厚さ２ ＋ｕ＋ａであっ
た。かかるスパッタターゲットの一部の図は第１図の右
に示されるものである。なおこの図で、原料２、原料３
、原料４の間にはそれぞれ十分なペースがあるが、これ
は図を簡明にするために原料２以下を誇張的に離して作
図したものであり、実際には原料２以下の諸原料はもっ
と密に、すなわちそれらが互いに接触した状態にあるも
のである。
上記の製造方法によって製造したスパッタターゲット１
１を用いて合金薄膜を形成した。この薄膜は、スパッタ
リングの条件、出来た膜の組成などの各種特性は通常の
化合物ターゲットを用いて行われた条件、各特性とも同
等のものであった。
１を用いて合金薄膜を形成した。この薄膜は、スパッタ
リングの条件、出来た膜の組成などの各種特性は通常の
化合物ターゲットを用いて行われた条件、各特性とも同
等のものであった。
本発明の具体例について説明すると、ルツボから取り出
した本発明のスパッタターゲット１１に第３図に示され
るようにバッキングプレート１４（銅製のターゲット取
付は治具、下図参照）を重ね合わせ（Ｉｎを用いて一種
の溶接を行う）、通常のスパッタリング装置に取りつけ
た（日型アネルバ製５ＰＦ−２１０）。
した本発明のスパッタターゲット１１に第３図に示され
るようにバッキングプレート１４（銅製のターゲット取
付は治具、下図参照）を重ね合わせ（Ｉｎを用いて一種
の溶接を行う）、通常のスパッタリング装置に取りつけ
た（日型アネルバ製５ＰＦ−２１０）。
本装置に更にその上にスパッタ膜を成長するガラス基板
（直径８０＋ｍｎ、厚さ１．１＋ｎｍ）を取りつけた。
（直径８０＋ｍｎ、厚さ１．１＋ｎｍ）を取りつけた。
この装置で到達真空度を２ Ｘｌ０−’Ｐａにした後、
Ａｒガスを導入して真空度を８ Ｘｌ０−’Ｐａにして
ＩＯＷのスパッタリングを行った。３０００秒行い、８
０ｎｍ１７゜の５ｅｌｎＳｂ膜を作製した。
Ａｒガスを導入して真空度を８ Ｘｌ０−’Ｐａにして
ＩＯＷのスパッタリングを行った。３０００秒行い、８
０ｎｍ１７゜の５ｅｌｎＳｂ膜を作製した。
このようにして作製した５ｅｌｎＳｂ膜は相変化型の光
デイスク用の記録媒体である。この膜に、情報記録用の
レーザ光を照射した。レーザの照射条件は情報の記録時
は７１．０．５μｓ、情報の消去時は３．５ｍＷ 、２
μｓであった。この条件のレーザ照射を行うと情報の書
込み、消去が１万回以上行うことができた。
デイスク用の記録媒体である。この膜に、情報記録用の
レーザ光を照射した。レーザの照射条件は情報の記録時
は７１．０．５μｓ、情報の消去時は３．５ｍＷ 、２
μｓであった。この条件のレーザ照射を行うと情報の書
込み、消去が１万回以上行うことができた。
以上の書込み消去特性は従来の合金型スパッタターゲッ
トを用いて同様な記録膜を作製した時とほぼ同等のもの
であった。
トを用いて同様な記録膜を作製した時とほぼ同等のもの
であった。
上記の結果により、本スバンタターゲットの構造及び製
造工程が十分実用性をもつことが明らかになった。
造工程が十分実用性をもつことが明らかになった。
上記実施例では、３種類の原料を用いたが本発明の適用
範囲はこれに限られず、少なくとも２種以上の原料を用
いる場合に及ぶものである。
範囲はこれに限られず、少なくとも２種以上の原料を用
いる場合に及ぶものである。
以上説明した様に本発明によれば、粉末状の各原料を容
器中で十分均一に混合し、加熱炉中において、最も低い
融点の原料の融点以上で、しかし２番目に融点の低い原
料の融点以下の温度で熱処理を行い、最も低い融点の原
料のみ溶かしてからすぐに固化させることで、この最も
低い融点の原料で他の原料を取り囲む構造に製造し、従
って、簡単にかつ安価に、化合物ターゲットと同等の性
能を有し、十分実用性をもったスパッタターゲットを製
造することができる効果がある。
器中で十分均一に混合し、加熱炉中において、最も低い
融点の原料の融点以上で、しかし２番目に融点の低い原
料の融点以下の温度で熱処理を行い、最も低い融点の原
料のみ溶かしてからすぐに固化させることで、この最も
低い融点の原料で他の原料を取り囲む構造に製造し、従
って、簡単にかつ安価に、化合物ターゲットと同等の性
能を有し、十分実用性をもったスパッタターゲットを製
造することができる効果がある。
第１図は本発明のスパッタターゲットの構造を説明する
図、 第２図は本発明のスパッタターゲットの製造工程を説明
する図、 第３図は本発明スパッタターゲットとバッキングプレー
トの断面図 である。 スバ・・ノタターケ；′ント 図中、 １１はスパッタターゲット、 １２は容器（ＢＮルツボ）、 １３は加熱炉（電気炉）、 １４はバッキングプレート を示す。 本石９月のズハｉンククーケ；しトのｊＡΔを：兇ゲｔ
↑６１１１第１図 斤料 Ｒｊｆ＋２ 月り叫３ オ優杏鳴スノで・ンタターゲ与ト乙ノぐツ午ングプし一
トロ）通す曲図第３図 不発β月のスノ＼°・ソタターゲしトの製力１工程な訓
〕月セ図第２図
図、 第２図は本発明のスパッタターゲットの製造工程を説明
する図、 第３図は本発明スパッタターゲットとバッキングプレー
トの断面図 である。 スバ・・ノタターケ；′ント 図中、 １１はスパッタターゲット、 １２は容器（ＢＮルツボ）、 １３は加熱炉（電気炉）、 １４はバッキングプレート を示す。 本石９月のズハｉンククーケ；しトのｊＡΔを：兇ゲｔ
↑６１１１第１図 斤料 Ｒｊｆ＋２ 月り叫３ オ優杏鳴スノで・ンタターゲ与ト乙ノぐツ午ングプし一
トロ）通す曲図第３図 不発β月のスノ＼°・ソタターゲしトの製力１工程な訓
〕月セ図第２図
Claims (3)
- （１）真空中に不活性ガスなどの気体を導入し、この気
体のプラズマ状態を利用して、複数の原料から成る薄膜
をターゲットと対向する位置に置かれた基板上に成長す
るスパッタ装置のスパッタターゲットの製造方法におい
て、 複数の原料を混合し、次いでこれら原料のうちで最も融
点の低い原料の融点以上で２番目に融点の低い原料の融
点以下の温度で前記原料の混合物を熱処理することを特
徴とするスパッタターゲットの製造方法。 - （２）前記ターゲット材料を粉末状にして、熱処理する
ことを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲットの
製造方法。 - （３）前記熱処理工程において、この熱処理を真空中あ
るいは還元雰囲気中で行うことを特徴とする請求項２記
載のスパッタターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324889A JPH02194169A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | スパッタターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1324889A JPH02194169A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | スパッタターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194169A true JPH02194169A (ja) | 1990-07-31 |
Family
ID=11827907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1324889A Pending JPH02194169A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | スパッタターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007685A (en) * | 1997-06-19 | 1999-12-28 | Lucent Technologies Inc. | Deposition of highly doped silicon dioxide films |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1324889A patent/JPH02194169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007685A (en) * | 1997-06-19 | 1999-12-28 | Lucent Technologies Inc. | Deposition of highly doped silicon dioxide films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ruitenberg et al. | Determination of the isothermal nucleation and growth parameters for the crystallization of thin Ge 2 Sb 2 Te 5 films | |
| EP0136801B1 (en) | Recording material | |
| EP0135118A2 (en) | Method of producing fine particles | |
| US4520040A (en) | Ferromagnetic films for high density recording and methods of production | |
| JPH117622A (ja) | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02194169A (ja) | スパッタターゲットの製造方法 | |
| JPH02129361A (ja) | 二酸化クロム薄膜の形成方法 | |
| JP4900993B2 (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いたＧｅ系薄膜の製造方法 | |
| JPS6270550A (ja) | タ−ゲツト材 | |
| US4714641A (en) | Ferromagnetic films for high density recording and methods of production | |
| JP2002038258A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| EP1603129A1 (en) | Silver alloy sputtering target for forming reflective layer of optical recording medium | |
| JPS59136415A (ja) | 高透磁率合金膜の製造方法 | |
| JPS6177316A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜材料の製造法 | |
| JP2518424B2 (ja) | 磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0425615B2 (ja) | ||
| JPS6276710A (ja) | 磁性薄膜の製造方法 | |
| JPS59121629A (ja) | 高透磁率合金膜の製造方法 | |
| JPS6167751A (ja) | 非晶質合金及びその製造法 | |
| JPS63285739A (ja) | 磁気光学記録再生用薄膜の製造方法 | |
| JPH0243822B2 (ja) | ||
| JPS6390042A (ja) | 光磁気メデイア製造用タ−ゲツト | |
| JPS60263355A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JPS6134743A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JPH03194727A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |