JPH02194550A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02194550A JPH02194550A JP1014788A JP1478889A JPH02194550A JP H02194550 A JPH02194550 A JP H02194550A JP 1014788 A JP1014788 A JP 1014788A JP 1478889 A JP1478889 A JP 1478889A JP H02194550 A JPH02194550 A JP H02194550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor chip
- sidewall
- semiconductor
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体チップの表面を保護膜で保護した半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
（従来の技術）
従来の半導体装置を第２図に基づいて説明する。
この半導体装置は、第２図に示すように、回路部３を形
成した半導体チップ１の表面に第１の保護膜４を形成し
、さらに第１の保護膜４上に柔らかいレジンコートから
なる第２の保護膜５′を形成して回路部３を保護してい
る。第２の保護膜５′は、第１の保護膜４の上に液体状
のレジンを塗布し、その後硬化させて形成している。２
は半導体チップ１を分割する切り溝を示している。
成した半導体チップ１の表面に第１の保護膜４を形成し
、さらに第１の保護膜４上に柔らかいレジンコートから
なる第２の保護膜５′を形成して回路部３を保護してい
る。第２の保護膜５′は、第１の保護膜４の上に液体状
のレジンを塗布し、その後硬化させて形成している。２
は半導体チップ１を分割する切り溝を示している。
［発明が解決しようとする課題〕
しかし、従来の半導体装置は、保護膜４上に塗布するレ
ジンの粘度が低い場合に、液体状のレジンが半導体チッ
プ１から流れ出し、第２の保護膜５′を十分な厚さに形
成できないという問題があった。また、レジンの粘度が
高い場合にはレジンが流れ難いため第２の保ｉｉ膜５′
の厚さを均一にできず、半導体チップ１の中央部の第２
の保護膜５′が厚（、半導体チップ１の外周辺部の第２
の保護膜５′が薄くなり、半導体チップ１の外周辺部の
回路部３を確実に保護することができないという問題が
あった。
ジンの粘度が低い場合に、液体状のレジンが半導体チッ
プ１から流れ出し、第２の保護膜５′を十分な厚さに形
成できないという問題があった。また、レジンの粘度が
高い場合にはレジンが流れ難いため第２の保ｉｉ膜５′
の厚さを均一にできず、半導体チップ１の中央部の第２
の保護膜５′が厚（、半導体チップ１の外周辺部の第２
の保護膜５′が薄くなり、半導体チップ１の外周辺部の
回路部３を確実に保護することができないという問題が
あった。
したがって、この発明の目的は、第２の保護膜を均一で
かつ」−分な厚さに而単に形成して回路部を確実に保護
することができ、と２かも簡単な構成で製造工程を？！
誰にすることのない半導体装置を提供することである。
かつ」−分な厚さに而単に形成して回路部を確実に保護
することができ、と２かも簡単な構成で製造工程を？！
誰にすることのない半導体装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
請求項（１）記載の半導体装置は、半導体チップの外周
辺に第２の保護膜の流出を阻止するための側壁を設けた
ことを特徴としている。
辺に第２の保護膜の流出を阻止するための側壁を設けた
ことを特徴としている。
請求項（２）記載の半導体装置は、側壁を、前記半導体
チア・プを分割する切り溝を形成する領域に半導体材料
を設けて形成したことを特徴としている。
チア・プを分割する切り溝を形成する領域に半導体材料
を設けて形成したことを特徴としている。
〔作 用］
請求項（１）記載の半導体装置によれば、第２の保護膜
の流出を阻止するための側壁を半導体チップの外周辺に
設けたので、第２の保護膜を半導体チップに塗布したと
きに、第２の保護■々を側壁内に溜めることができ、塗
布する第２の保護膜の粘度が高い場合に、第２の保護膜
を均一の厚さに塗布することができる。また、塗布する
第２の保護膜の粘度が低い場合でも第２の保護膜が半導
体チップから流れ出すことがなく、第２の保３！膜が均
一の厚さでかつ十分な厚さに形成される。
の流出を阻止するための側壁を半導体チップの外周辺に
設けたので、第２の保護膜を半導体チップに塗布したと
きに、第２の保護■々を側壁内に溜めることができ、塗
布する第２の保護膜の粘度が高い場合に、第２の保護膜
を均一の厚さに塗布することができる。また、塗布する
第２の保護膜の粘度が低い場合でも第２の保護膜が半導
体チップから流れ出すことがなく、第２の保３！膜が均
一の厚さでかつ十分な厚さに形成される。
請求項（２）記載の半導体装置によれば、半導体チップ
の外周辺に設ける側壁を、半導体チ・ノブを分割する切
り溝を形成する領域に半導体材料を設けて形成するよう
にしたので、側壁を形成する領域を別に設ける必要がな
く、集積密度を変えずに側壁を半導体チップ上に形成す
ることができる。
の外周辺に設ける側壁を、半導体チ・ノブを分割する切
り溝を形成する領域に半導体材料を設けて形成するよう
にしたので、側壁を形成する領域を別に設ける必要がな
く、集積密度を変えずに側壁を半導体チップ上に形成す
ることができる。
（実施例）
この発明の半導体装置の一実施例を第１図に基づいて説
明する。
明する。
この半導体装置は、第１図に示すように、回路部３を形
成した半導体チップ１と、第１の保護膜４と、レジンコ
ート等からなる第２の保護膜５と、第２の保護膜５の流
出を阻止するための側壁６とからなり、半導体チップ１
の外周辺に側壁６を設け、第１の保護膜４を半導体チッ
プ１の表面に形成し、さらに第１の保護膜４の上に第２
の保護膜５を形成している。側壁６は、例えばポリシリ
コンからなる半導体材料からなり、半導体チップｌを分
割する切り溝を形成する領域に設けて形成している。
成した半導体チップ１と、第１の保護膜４と、レジンコ
ート等からなる第２の保護膜５と、第２の保護膜５の流
出を阻止するための側壁６とからなり、半導体チップ１
の外周辺に側壁６を設け、第１の保護膜４を半導体チッ
プ１の表面に形成し、さらに第１の保護膜４の上に第２
の保護膜５を形成している。側壁６は、例えばポリシリ
コンからなる半導体材料からなり、半導体チップｌを分
割する切り溝を形成する領域に設けて形成している。
この半導体装置は、第２の保護膜５の流出を阻止するた
めの側壁６を半導体チップ１の外周辺に設けたので、第
２の保護膜５を半導体チップ１に塗布したときに、第２
の保護膜５を側壁６内に溜めることができ、塗布する第
２の保護膜５の粘度が高い場合に、第２の保ｉ１＃５を
均一の厚さに塗布することができ、半導体チップ１の外
周辺部の回路部３を確実に保護することができる。また
、第２の保護膜５の粘度が低い場合でも、第２の保護１
５が半導体チップ１から流れ出すことがなく、簡単に第
２の保護膜５を均一の厚さでかつ十分な厚さに形成する
ことができ、確実に回路部３を保護することができる。
めの側壁６を半導体チップ１の外周辺に設けたので、第
２の保護膜５を半導体チップ１に塗布したときに、第２
の保護膜５を側壁６内に溜めることができ、塗布する第
２の保護膜５の粘度が高い場合に、第２の保ｉ１＃５を
均一の厚さに塗布することができ、半導体チップ１の外
周辺部の回路部３を確実に保護することができる。また
、第２の保護膜５の粘度が低い場合でも、第２の保護１
５が半導体チップ１から流れ出すことがなく、簡単に第
２の保護膜５を均一の厚さでかつ十分な厚さに形成する
ことができ、確実に回路部３を保護することができる。
また側壁６を、半導体材料とし、半導体チップ１を分割
する切り溝を形成する領域に形成するようにしたので、
側壁６を形成する領域を別に設ける必要がなく、集積密
度を変えずに側壁６を形成することができる。したがっ
て、簡単な構成でかつ製造工程を複雑にすることなく、
側壁６を形成することができる。
する切り溝を形成する領域に形成するようにしたので、
側壁６を形成する領域を別に設ける必要がなく、集積密
度を変えずに側壁６を形成することができる。したがっ
て、簡単な構成でかつ製造工程を複雑にすることなく、
側壁６を形成することができる。
請求項（１）記載の半導体装置は、第２の保護膜の流出
を阻止する側壁を半導体チップの外周辺に設けたので、
第２の保護膜を半導体チップに塗布したときに、第２の
保護膜を側壁内に溜めることができ、第２の保護膜を均
一でかつ十分な厚さに簡単に形成することができ、回路
部を確実に保護することができる。
を阻止する側壁を半導体チップの外周辺に設けたので、
第２の保護膜を半導体チップに塗布したときに、第２の
保護膜を側壁内に溜めることができ、第２の保護膜を均
一でかつ十分な厚さに簡単に形成することができ、回路
部を確実に保護することができる。
請求項（２）記載の半導体装置は、半導体チップの外周
辺に設ける側壁を、半導体チップを分割する切り溝を形
成する領域に半導体材料を設けて形成するようにしたの
で、側壁を形成する領域を別に設ける必要がなく、集積
密度を変えずに側壁を形成することができ、簡単な構成
でかつ製造工程を複雑にすることがない。
辺に設ける側壁を、半導体チップを分割する切り溝を形
成する領域に半導体材料を設けて形成するようにしたの
で、側壁を形成する領域を別に設ける必要がなく、集積
密度を変えずに側壁を形成することができ、簡単な構成
でかつ製造工程を複雑にすることがない。
第１図はこの発明の一実施例の断面図、第２図は従来の
半導体装置の断面図である。 １・・・半導体チップ、 ３・・・回路部、 ４・・・第１の保 護膜、 ５・・・第２の保３！膜、 ６・・・側壁 ５寄２の保訣瞬 竹 力 図 ５′
半導体装置の断面図である。 １・・・半導体チップ、 ３・・・回路部、 ４・・・第１の保 護膜、 ５・・・第２の保３！膜、 ６・・・側壁 ５寄２の保訣瞬 竹 力 図 ５′
Claims (2)
- （１）回路部を形成した半導体チップの表面に第１の保
護膜を形成し、前記第１の保護膜上に第２の保護膜を形
成した半導体装置において、前記半導体チップの外周辺
に第２の保護膜の流出を阻止するための側壁を設けたこ
とを特徴とする半導体装置。 - （２）前記側壁は、前記半導体チップを分割する切り溝
を形成する領域に半導体材料を設けて形成したことを特
徴とする請求項（１）記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014788A JPH02194550A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1014788A JPH02194550A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194550A true JPH02194550A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11870796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1014788A Pending JPH02194550A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194550A (ja) |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1014788A patent/JPH02194550A/ja active Pending
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