JPH02194706A - 発振逓倍器および位相同期発振器 - Google Patents
発振逓倍器および位相同期発振器Info
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- JPH02194706A JPH02194706A JP1013719A JP1371989A JPH02194706A JP H02194706 A JPH02194706 A JP H02194706A JP 1013719 A JP1013719 A JP 1013719A JP 1371989 A JP1371989 A JP 1371989A JP H02194706 A JPH02194706 A JP H02194706A
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、誘電体共振器を利用した発振逓倍器及び発
振逓倍器を利用し次位相同期発振器に関するものである
。
振逓倍器を利用し次位相同期発振器に関するものである
。
第６図は例えば電子通信学会技術報告）ＡＷ８２−５６
の２８ページに示された従来の発振逓倍器を示す斜視図
である。ここでは、半導体増幅素子としてＰＫ’ｌ’を
、基本波阻止フィルタとして電気長９０°の先端開放ス
タブをそれぞれ例にとフ説明を行う。この第６図におい
て、（１）は誘電体基板。
の２８ページに示された従来の発振逓倍器を示す斜視図
である。ここでは、半導体増幅素子としてＰＫ’ｌ’を
、基本波阻止フィルタとして電気長９０°の先端開放ス
タブをそれぞれ例にとフ説明を行う。この第６図におい
て、（１）は誘電体基板。
（２）はこの誘電体基板（１）の裏面に設けられた地導
体。
体。
（３１は上記誘電体基板（１）の表面に設けられたＦ］
ｌｊＴ。
ｌｊＴ。
（４）はこのＩＦ Ｉｅ 丁（３１のゲート端子、＋５
１は同じ（７１ｃＴ（３）のドレイン端子、（６）は同
じ（Ｆ Ｋ Ｔ （３１のソース端子、（７）は上記誘
電体基板（１）の表面に設けられた誘電体共振器（以下
ＤＲと略す）、＋８１はこのＤＲの上方に設けられその
位置が可変可能な可動短絡板、（９）は一端が上記Ｆ
Ｋ ？ ＋３）＋２）ゲート端子１４１ Ｋ接続され、
上記ＤＲ（７）と電磁界結合する第１のマイクロストリ
ップ線路、αａＢこの！ｊＩＩ１）０マイクロストリッ
プ線路（９）の無反射終端、 Ｑ３は一端が上記Ｆ Ｅ
Ｔ ＋３１のソース端子（６）に接続されたｇ２のマ
イクロストリップ線路、ｒｌｎｔｉこのｌＥ２のマイク
ロストリップ線路α２の先端開放スタブ、α３＃：ｔこ
の第２のマイクロストリップ線路＋１３の他端および上
記地導体（２）に接続され次第１の出力端子、ａ４１は
この第１の出力端子間に接続されたｇｔの出力負荷であ
る。なおこの第６図にはＦ Ｋ Ｔ （３１のドレイン
端子（５）に印加するバイアス用回路は省略している。
１は同じ（７１ｃＴ（３）のドレイン端子、（６）は同
じ（Ｆ Ｋ Ｔ （３１のソース端子、（７）は上記誘
電体基板（１）の表面に設けられた誘電体共振器（以下
ＤＲと略す）、＋８１はこのＤＲの上方に設けられその
位置が可変可能な可動短絡板、（９）は一端が上記Ｆ
Ｋ ？ ＋３）＋２）ゲート端子１４１ Ｋ接続され、
上記ＤＲ（７）と電磁界結合する第１のマイクロストリ
ップ線路、αａＢこの！ｊＩＩ１）０マイクロストリッ
プ線路（９）の無反射終端、 Ｑ３は一端が上記Ｆ Ｅ
Ｔ ＋３１のソース端子（６）に接続されたｇ２のマ
イクロストリップ線路、ｒｌｎｔｉこのｌＥ２のマイク
ロストリップ線路α２の先端開放スタブ、α３＃：ｔこ
の第２のマイクロストリップ線路＋１３の他端および上
記地導体（２）に接続され次第１の出力端子、ａ４１は
この第１の出力端子間に接続されたｇｔの出力負荷であ
る。なおこの第６図にはＦ Ｋ Ｔ （３１のドレイン
端子（５）に印加するバイアス用回路は省略している。
次に動作について説明する。ＤＲ（７）は可動短絡板（
８）の位置により共振周波数ｆＱ が決まり、この共振
周波数ｆＱ においてＤＲ（７１は第１のマイクロスト
リップ線路（９）と強く結合する。そのためゲート端子
（４）から第１のマイクロストリップ線路（９）側をみ
た反射係数ｒＤＲはＤＲの共振周波数ｆｏで１に近くな
る。一方、ゲート端子（４１からＦ ］！ｉ Ｔ （３
１側をみた反射係数ｒ ＦＥＴは先端開放スタブ（ｌＢ
とＦＥＴ（３）の間の電気長θを適切に設定することに
よシ１より大きな値を有する。このとき次式の条件を満
足し発振が立ちあがる。
８）の位置により共振周波数ｆＱ が決まり、この共振
周波数ｆＱ においてＤＲ（７１は第１のマイクロスト
リップ線路（９）と強く結合する。そのためゲート端子
（４）から第１のマイクロストリップ線路（９）側をみ
た反射係数ｒＤＲはＤＲの共振周波数ｆｏで１に近くな
る。一方、ゲート端子（４１からＦ ］！ｉ Ｔ （３
１側をみた反射係数ｒ ＦＥＴは先端開放スタブ（ｌＢ
とＦＥＴ（３）の間の電気長θを適切に設定することに
よシ１より大きな値を有する。このとき次式の条件を満
足し発振が立ちあがる。
ｌ ｒｐｍＴｌ ＠１７’ＤＲｌ＞１ （ｎＬ
ｌｙｌ−１＋ＩＪ７’ＤＲ＝０ １２１このよ
うな条件を満足し、ＤＲ（７１の共振周波数ｆＱ で発
振逓倍器が発振を持続しているとき２発振電力によｐ
Ｆ Ｋ Ｔ １３１の利得は抑圧され９次式を満足する
。
ｌｙｌ−１＋ＩＪ７’ＤＲ＝０ １２１このよ
うな条件を満足し、ＤＲ（７１の共振周波数ｆＱ で発
振逓倍器が発振を持続しているとき２発振電力によｐ
Ｆ Ｋ Ｔ １３１の利得は抑圧され９次式を満足する
。
１７”’Ｆ１！８Ｔｌ・Ｉ７’ｐＲ１＝ｔ ｔ
ａ＋このとき、 Ｆｌｌｔ’ｒ（３）は発振電力によ
り飽和し。
ａ＋このとき、 Ｆｌｌｔ’ｒ（３）は発振電力によ
り飽和し。
出力信号には基本波ｆＱ の他にｎｆｇ （ｎは整数）
の高調波が含まれる。このとき先端開放スタブａＩｌの
電気長を基本波でＩ（ｆ’に設定し、基本波ｆＱの信号
を阻止することにより第１の出力負荷ａ４には２ｎｆ（
Ｈの信号のみ出力される。＊際には高次の高調波はど電
力が低下するので、主に２ｆＱの信号が第１の出力負荷
ａ４に加わる。
の高調波が含まれる。このとき先端開放スタブａＩｌの
電気長を基本波でＩ（ｆ’に設定し、基本波ｆＱの信号
を阻止することにより第１の出力負荷ａ４には２ｎｆ（
Ｈの信号のみ出力される。＊際には高次の高調波はど電
力が低下するので、主に２ｆＱの信号が第１の出力負荷
ａ４に加わる。
このような発振逓倍器ではＤＲ（７）の共振周波数ｆＯ
の２倍の周波数が出力される。そのため発振逓倍器は２
ｆ□で共振するＤＲ（７１’ｉ用い念発振器と比較し、
ＤＲ（７１が高Ｑなので低雑音な特性を有する。またＤ
Ｒ（７１の形状が大きいので加工精度の面でミリ波の
発振器に適する特長も有する。
の２倍の周波数が出力される。そのため発振逓倍器は２
ｆ□で共振するＤＲ（７１’ｉ用い念発振器と比較し、
ＤＲ（７１が高Ｑなので低雑音な特性を有する。またＤ
Ｒ（７１の形状が大きいので加工精度の面でミリ波の
発振器に適する特長も有する。
発振逓倍器を通信機器に用いる場合２位相同期発振器（
以下ＰＬＯと略す）を構成し２周波数の安定度を高める
場合が多い。しかしながら上述のような発振逓倍器では
出力周波数を電圧制御できない問題があった。
以下ＰＬＯと略す）を構成し２周波数の安定度を高める
場合が多い。しかしながら上述のような発振逓倍器では
出力周波数を電圧制御できない問題があった。
また２発振器倍器は通常にμ帯〜ミリ波帯で利用される
が、この周波数帯では、ＰＬＯの構成部品であるザ／ブ
リング位相検波器（以下ＳＰＤと略す］、もしくは分周
器が容易に得られない問題もあった。
が、この周波数帯では、ＰＬＯの構成部品であるザ／ブ
リング位相検波器（以下ＳＰＤと略す］、もしくは分周
器が容易に得られない問題もあった。
この発明は上記のような問題を解決するためになされた
もので、出力周波数２ｆＱが電圧制御できるとともに、
基本波ｆｏ を分離して取シ出すことができる発振逓倍
器を得ることを目的とする。
もので、出力周波数２ｆＱが電圧制御できるとともに、
基本波ｆｏ を分離して取シ出すことができる発振逓倍
器を得ることを目的とする。
この発明に係る発振逓倍器は、一端が接地された半導体
増幅素子の入力端子に第１のマイクロストリップ線路を
、出力端子に第２のマイクロストリップ線路を接続し、
上記第１のマイクロストリップ線路と電磁界結合される
誘電体共振器の共振周波数をフィルタで阻止して共振周
波数の２次２ｆ０を出力するものにバラクタダイオード
が接続され、入力端子を有し、上記誘電体共振器と電磁
界結合する第３のマイクロストリップ線路と、同じく上
記誘電体共振器と電磁界結合し、第２の出力端子が接続
された第４のマイクロストリップ線路とを備え次もので
ある。
増幅素子の入力端子に第１のマイクロストリップ線路を
、出力端子に第２のマイクロストリップ線路を接続し、
上記第１のマイクロストリップ線路と電磁界結合される
誘電体共振器の共振周波数をフィルタで阻止して共振周
波数の２次２ｆ０を出力するものにバラクタダイオード
が接続され、入力端子を有し、上記誘電体共振器と電磁
界結合する第３のマイクロストリップ線路と、同じく上
記誘電体共振器と電磁界結合し、第２の出力端子が接続
された第４のマイクロストリップ線路とを備え次もので
ある。
また、この発明に係る位相同期発振器は電圧制御発振器
からの発振周波出力と基準信号源からの出力をサンプリ
ング位相検波器で比較し、このサンプリング位相検波器
からの出力の所定周波数帯域のみをループフィルタで増
幅し、上記電圧制御発振器に入力して構成されるものの
電圧制御発振器に上述の発振逓倍器を用い、この発振逓
倍器の第２出力端子を上記サンプリング位相検波器に接
続し九ものである。
からの発振周波出力と基準信号源からの出力をサンプリ
ング位相検波器で比較し、このサンプリング位相検波器
からの出力の所定周波数帯域のみをループフィルタで増
幅し、上記電圧制御発振器に入力して構成されるものの
電圧制御発振器に上述の発振逓倍器を用い、この発振逓
倍器の第２出力端子を上記サンプリング位相検波器に接
続し九ものである。
また、この発明に係る位相同期発振器は電圧制御発振器
に上述の発振逓倍器を用い、この発振逓倍器の第２の出
力を分周器で分周し、この分周器の出力と基準信号源か
らの出力を位相検波器で位相比較し、この出力をループ
フィルタで所定の周波数帯域のみ増幅し、上記発振逓倍
器に帰還入力するものである。
に上述の発振逓倍器を用い、この発振逓倍器の第２の出
力を分周器で分周し、この分周器の出力と基準信号源か
らの出力を位相検波器で位相比較し、この出力をループ
フィルタで所定の周波数帯域のみ増幅し、上記発振逓倍
器に帰還入力するものである。
この発明における発振逓倍器は入力端子より印加される
電圧がバラクタダイオードに印加され。
電圧がバラクタダイオードに印加され。
この電圧によりＤＲの共振周波数を微調し、出力周波数
を電圧制御する。また出力周波数の１／２の周波数の信
号がＤＲの帯域通過特性によりＦＥＴのゲート端子から
第４のマイクロストリップ線路に伝播し、第２の出力端
子から堆り出される。
を電圧制御する。また出力周波数の１／２の周波数の信
号がＤＲの帯域通過特性によりＦＥＴのゲート端子から
第４のマイクロストリップ線路に伝播し、第２の出力端
子から堆り出される。
また、この発明における位相同期発振器は電圧制御発振
器に周波数を電圧制御する発振逓倍器を用いることによ
り、低い周波数で動作するサンプリング位相検波器や分
周器を利用可能とする。
器に周波数を電圧制御する発振逓倍器を用いることによ
り、低い周波数で動作するサンプリング位相検波器や分
周器を利用可能とする。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図で。
第６図に示す従来のものと同様なものは同一符号を付し
ており説明は省略する。この図において。
ており説明は省略する。この図において。
ｔｉ９Ｆ！１）．３のマイクロストリップ線路でＤＲ（
７１を挾んで第１のマイクロストリップ線路（９）と反
対側に位置しＤＲ（７１と電磁界結合するよう設けられ
ている。ａＩはこの第３のマイクロストリップ線路（Ｉ
５の一端にカソード側が接続され、アノード側は接地さ
れているバラクタダイオード、 （Ｉｎは同じく第３の
マイクロストリップ線路ａ９の一端に接続されたマイク
ロ波阻止用インダクタ、 （ＩＩはこのインダクタ鰭に
直列接続されたマイクロ波阻止用コンデンサ、（Ｉ９は
同じく上記インダクタａｎに直列接続された入力端子、
備は上記Ｄ Ｒ（７１と電磁界結合するよつ上記第１の
マイクロストリップ線路（９）と上記第３のマイクロス
トリップ線路ａ９間に設けられた一端が開放端の第４の
マイクロス） ＩＪツブ線路、Ｑυはこの第４のマイク
ロス） ＩＪツブ線路ωの他端と接地間に設けられた第
２の出力端子、四はこの第２の出力端子間に設けられた
第２の出力負荷である。
７１を挾んで第１のマイクロストリップ線路（９）と反
対側に位置しＤＲ（７１と電磁界結合するよう設けられ
ている。ａＩはこの第３のマイクロストリップ線路（Ｉ
５の一端にカソード側が接続され、アノード側は接地さ
れているバラクタダイオード、 （Ｉｎは同じく第３の
マイクロストリップ線路ａ９の一端に接続されたマイク
ロ波阻止用インダクタ、 （ＩＩはこのインダクタ鰭に
直列接続されたマイクロ波阻止用コンデンサ、（Ｉ９は
同じく上記インダクタａｎに直列接続された入力端子、
備は上記Ｄ Ｒ（７１と電磁界結合するよつ上記第１の
マイクロストリップ線路（９）と上記第３のマイクロス
トリップ線路ａ９間に設けられた一端が開放端の第４の
マイクロス） ＩＪツブ線路、Ｑυはこの第４のマイク
ロス） ＩＪツブ線路ωの他端と接地間に設けられた第
２の出力端子、四はこの第２の出力端子間に設けられた
第２の出力負荷である。
次に動作について説明する。第３のマイクロストリップ
線路鯵の一端は開放端であり、他の一端と地導体（２）
間にはバラクタダイオードαｅが接続される。この第３
のマイクロストリップ線路錦はＤＲ（７１と電磁界結合
するよう設けられているので。
線路鯵の一端は開放端であり、他の一端と地導体（２）
間にはバラクタダイオードαｅが接続される。この第３
のマイクロストリップ線路錦はＤＲ（７１と電磁界結合
するよう設けられているので。
等何回路上では、ＤＲ１７１による並列共振回路に。
バラクタダイオードαｅの端子間容量による微小サセプ
タンスが加わることになる。従って入力端子α９に印加
する電圧を変えると、バラクタダイオード（Ｉｅの端子
間容量が変わるので１等価的にＤ Ｒ（７１の共振周波
数ｆｏ を変えることができる。これは発振逓倍器の出
力周波数２ｆ□が電圧制御できることを意味する。ま友
マイクロ波阻止用インダクタ１η、マイクロ波阻止用コ
ンデンサ錦によシ、入力端子ａ’Ｊへ周波数ｆＱ Ｏ波
が漏洩するのを阻止している。
タンスが加わることになる。従って入力端子α９に印加
する電圧を変えると、バラクタダイオード（Ｉｅの端子
間容量が変わるので１等価的にＤ Ｒ（７１の共振周波
数ｆｏ を変えることができる。これは発振逓倍器の出
力周波数２ｆ□が電圧制御できることを意味する。ま友
マイクロ波阻止用インダクタ１η、マイクロ波阻止用コ
ンデンサ錦によシ、入力端子ａ’Ｊへ周波数ｆＱ Ｏ波
が漏洩するのを阻止している。
また第４のマイクロストリップ線路＠もＤＲ（７１と電
磁界結合するよう設けられており、ＤＲ（７１は共振周
波数ｆＱ の帯域通過フィルタでもあるため’！Ｉ Ｐ
？ （３１で発生する電力のうち基本波ｆＱ の信号
は、第４のマイクロストリップ線路■へ伝播し。
磁界結合するよう設けられており、ＤＲ（７１は共振周
波数ｆＱ の帯域通過フィルタでもあるため’！Ｉ Ｐ
？ （３１で発生する電力のうち基本波ｆＱ の信号
は、第４のマイクロストリップ線路■へ伝播し。
第２の出力負荷口に出力される。即ち、＃！１の出力負
荷α４に周波数２ｆｏの信号が出力されると同時に、第
２の出力負荷器に周波数ｆＯの信号が出力される。
荷α４に周波数２ｆｏの信号が出力されると同時に、第
２の出力負荷器に周波数ｆＯの信号が出力される。
この発明による発振逓倍器を利用することにより、ｆｏ
で動作する分周器あるいはＥＩＰＤを用い出力周波数Ｚ
ｆＯＯＰＬＯを構成することが可能になる。
で動作する分周器あるいはＥＩＰＤを用い出力周波数Ｚ
ｆＯＯＰＬＯを構成することが可能になる。
また上記実施例ではドレイン接地したＦ Ｋ Ｔ （３
１で説明を行ったが、ゲート接地あるいはソース接地し
たＦＫＴ（３１，エミッタ接地、コレクタ接地あるいは
ベース接地したバイポーラトランジスタのいずれでも同
様の効果を奏する。
１で説明を行ったが、ゲート接地あるいはソース接地し
たＦＫＴ（３１，エミッタ接地、コレクタ接地あるいは
ベース接地したバイポーラトランジスタのいずれでも同
様の効果を奏する。
さらに上記実施例では、基本波阻止フィルタとして、電
気長９０″の先端開放スタブａＤヲ用いたが。
気長９０″の先端開放スタブａＤヲ用いたが。
ａ！２図に示すような周波数２ｆＱで互いが結合するよ
うな線路（２＋ａ）〜（２３ｅ）を用いた帯域通過フィ
ルタ＠、あるいは第３図に示すような周波数２ｆＱで共
振するＤＲ＠を用い九帯域通過フィルタ＠を用いても同
様の効果を奏する。
うな線路（２＋ａ）〜（２３ｅ）を用いた帯域通過フィ
ルタ＠、あるいは第３図に示すような周波数２ｆＱで共
振するＤＲ＠を用い九帯域通過フィルタ＠を用いても同
様の効果を奏する。
第４図はこの発明に係る発掘逓倍器を用いたＰＬＯの実
施例である。この図において、＠は発振逓倍器、鏝は基
準信号源としての水晶発振器、ωは上記発振逓倍器−の
周波数ｆＱの信号と水晶発振器Ｑの出力信号を位相比較
し１位相差に比例した検波電圧を出力するＳＰＤ、Ｇｌ
ｍはこの８ＰＤ■の出力電圧を入力し、所定の周波数帯
域のみ増幅し２発振器倍器いの入力端子α９に出力電圧
を帰還印加するループフィルタでこのようにしてＰＬＯ
が構成されている。このとき発振逓倍器＠の第１の出力
端子α３には周波数２ｆＯの信号が出力されている。従
ってこの発明に係る発振逓倍器＠を用いた出力周波数２
ｆ□のＰＬＯでは周波数ｆｏで動作するＢＰＤ＠全用意
すれはよい。
施例である。この図において、＠は発振逓倍器、鏝は基
準信号源としての水晶発振器、ωは上記発振逓倍器−の
周波数ｆＱの信号と水晶発振器Ｑの出力信号を位相比較
し１位相差に比例した検波電圧を出力するＳＰＤ、Ｇｌ
ｍはこの８ＰＤ■の出力電圧を入力し、所定の周波数帯
域のみ増幅し２発振器倍器いの入力端子α９に出力電圧
を帰還印加するループフィルタでこのようにしてＰＬＯ
が構成されている。このとき発振逓倍器＠の第１の出力
端子α３には周波数２ｆＯの信号が出力されている。従
ってこの発明に係る発振逓倍器＠を用いた出力周波数２
ｆ□のＰＬＯでは周波数ｆｏで動作するＢＰＤ＠全用意
すれはよい。
Ｗ、５図はこの発明に係る発振逓倍器を用いたＰＬＯの
他の実施例のブロック図である。この第５図において、
ａυは発掘逓倍器＠の第２の出力端子０１） Ｋ接続さ
れ次発周器で発振逓倍器−の周波数ｆＯの出力信号を基
準信号源である水晶発振器いと同じ周波数になるよう分
周する。３］＃：ｔこの分周器６１＋の出力信号と水晶
発振器υの出力信号を位相比較し１位相差に比例した検
波電圧を出力する位相検波器である。
他の実施例のブロック図である。この第５図において、
ａυは発掘逓倍器＠の第２の出力端子０１） Ｋ接続さ
れ次発周器で発振逓倍器−の周波数ｆＯの出力信号を基
準信号源である水晶発振器いと同じ周波数になるよう分
周する。３］＃：ｔこの分周器６１＋の出力信号と水晶
発振器υの出力信号を位相比較し１位相差に比例した検
波電圧を出力する位相検波器である。
このＰＬＯでは発振逓倍器−の第２の出力端子ｆ２Ｄか
ら出力される周波数ｆ□ の出力信号が分周器ｔ３１＋
によル水晶発振容器と同じ周波数になるよう分周され１
分周器口υの出力信号と水晶発振容器の出力信号が位相
検波器−で位相比較される。さらに位相検波器（至）の
出力電圧をループフィルタ３Ｎを介し発振逓倍器＠の入
力端子ａ９に帰還する。このとき発振逓倍器−の第１の
出力端子ａ３には周波数２ｆｏの信号が出力される。
ら出力される周波数ｆ□ の出力信号が分周器ｔ３１＋
によル水晶発振容器と同じ周波数になるよう分周され１
分周器口υの出力信号と水晶発振容器の出力信号が位相
検波器−で位相比較される。さらに位相検波器（至）の
出力電圧をループフィルタ３Ｎを介し発振逓倍器＠の入
力端子ａ９に帰還する。このとき発振逓倍器−の第１の
出力端子ａ３には周波数２ｆｏの信号が出力される。
このようにこの発明に係る発振逓倍器＠を用いた出力周
波数２ｆＱのＰＬＯでは周波数ｆｏで動作する分周器Ｇ
ｌ）ｆｆｉ用意すればよい。
波数２ｆＱのＰＬＯでは周波数ｆｏで動作する分周器Ｇ
ｌ）ｆｆｉ用意すればよい。
以上のようにこの発明によれば、バラクタダイオードが
接続され、入力端子を有する第３のマイクロストリップ
線路をＤＲと電磁界結合するよう設けるとともに第２の
出力端子を有する第４のマイクロストリップ線路を上記
ＤＦｔと電磁界結合するよう設けることによｐ、出力周
波数２ｆＯを電圧制御でき、かつ周波数ｆＯの信号を出
力から分離して取り出すことのできる発振逓倍器を提供
できる。
接続され、入力端子を有する第３のマイクロストリップ
線路をＤＲと電磁界結合するよう設けるとともに第２の
出力端子を有する第４のマイクロストリップ線路を上記
ＤＦｔと電磁界結合するよう設けることによｐ、出力周
波数２ｆＯを電圧制御でき、かつ周波数ｆＯの信号を出
力から分離して取り出すことのできる発振逓倍器を提供
できる。
またこの発振逓倍器を用いることにより、低い周波数で
動作するＳＰＤや分周器を利用し、容易ＫＰＬＯ’ｉ構
成できる効果がある。
動作するＳＰＤや分周器を利用し、容易ＫＰＬＯ’ｉ構
成できる効果がある。
ＷＪ１図はこの発明の一実施例を示す発振逓倍器の斜視
図、第２図はこの発明の基本波阻止フィルタ部の他の実
施例を示す斜視図、第３図は同じくこの発明の基本波阻
止フィルタ部の他の実施例を示す斜視図、第４図はこの
発明の発振逓倍器を用いた位相同期発振器のブロック図
、第５図は同じくこの発明の発振逓倍器を用いた位相同
期発振器の他の実施例を示すブロック図、第６図は従来
の発振逓倍器を示す斜視図である。 図中、 （１）１）誘電体基板、（２１は地導体、（３
）はＦＫＴ、＋７１は誘電体共振器、（９）、α２．α
シ、２［Ｉはマイクロストリップ線路、α１）は先端開
放スタブ、 （１３１は第１の出力端子、 ａＳはバラ
クタダイオード、α９は入力端子、０１）＃：ｔ＠２の
出力端子、（支）はサンプリング位相検波器、 ｏｎは
分周器であ夛、同一符号は同−又は相当部分を示す。
図、第２図はこの発明の基本波阻止フィルタ部の他の実
施例を示す斜視図、第３図は同じくこの発明の基本波阻
止フィルタ部の他の実施例を示す斜視図、第４図はこの
発明の発振逓倍器を用いた位相同期発振器のブロック図
、第５図は同じくこの発明の発振逓倍器を用いた位相同
期発振器の他の実施例を示すブロック図、第６図は従来
の発振逓倍器を示す斜視図である。 図中、 （１）１）誘電体基板、（２１は地導体、（３
）はＦＫＴ、＋７１は誘電体共振器、（９）、α２．α
シ、２［Ｉはマイクロストリップ線路、α１）は先端開
放スタブ、 （１３１は第１の出力端子、 ａＳはバラ
クタダイオード、α９は入力端子、０１）＃：ｔ＠２の
出力端子、（支）はサンプリング位相検波器、 ｏｎは
分周器であ夛、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）一端を接地した半導体増幅素子と、この半導体増
幅素子の入力端子に接続された第１のマイクロストリッ
プ線路と、この第１のマイクロストリップ線路と電磁界
結合される誘電体共振器と、上記半導体増幅素子の出力
端子に接続された第２のマイクロストリップ線路と、こ
の第２のマイクロストリップ線路に接続され、上記誘電
体共振器の共振周波数電力を阻止するフィルタと、この
フィルタに接続された第１の出力端子とを備える発振逓
倍器において、バラクタダイオードが接続され、入力端
子を有し、上記誘電体共振器と電磁界結合する第３のマ
イクロストリップ線路と、同じく上記誘電体共振器と電
磁界結合し、第２の出力端子が接続された第４のマイク
ロストリップ線路とを備えたことを特徴とする発振逓倍
器。 - （２）電圧制御発振器からの発振周波ｆ＿０出力と基準
信号源からの出力をサンプリング位相検波器で位相比較
し、このサンプリング位相検波器の出力を入力し、所定
の周波数帯域のみをループフィルタで増幅して上記電圧
制御発振器に帰還入力し、発振周波数ｆ＿０の２次高調
波２ｆ＿０を出力する位相同期発信機において、上記電
圧制御発振器が請求項１の発振逓倍器からなり、この発
振逓倍器の第２の出力端子からの出力を上記サンプリン
グ位相検波器の入力としたことを特徴とする位相同期発
振器。 - （３）電圧制御発振器からの出力を分周器で分周し、こ
の分周器の出力と基準信号源からの出力を位相検波器で
位相比較し、この位相検波器の出力を入力して所定の周
波数帯域のみをループフィルタで増幅し、上記電圧制御
発振器に帰還入力して、発振周波数ｆ＿０の２次高調波
２ｆ＿０を出力する位相同期発振器において、上記電圧
制御発振器が請求項１の発振逓倍器からなり、この発振
逓倍器の第２の出力端子を上記分周器の入力に接続した
ことを特徴とする位相同期発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013719A JPH02194706A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 発振逓倍器および位相同期発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1013719A JPH02194706A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 発振逓倍器および位相同期発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02194706A true JPH02194706A (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=11841053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1013719A Pending JPH02194706A (ja) | 1989-01-23 | 1989-01-23 | 発振逓倍器および位相同期発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02194706A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58177011A (ja) * | 1982-04-10 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 発振逓倍器 |
| JPS5938728U (ja) * | 1982-09-05 | 1984-03-12 | 株式会社園芸連 | チユ−ブ入り薬液肥料 |
| JPS63156404A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | マイクロ波発振器 |
| JPS63233601A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Fujitsu Ltd | 電圧制御発振器 |
-
1989
- 1989-01-23 JP JP1013719A patent/JPH02194706A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58177011A (ja) * | 1982-04-10 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 発振逓倍器 |
| JPS5938728U (ja) * | 1982-09-05 | 1984-03-12 | 株式会社園芸連 | チユ−ブ入り薬液肥料 |
| JPS63156404A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 | Fujitsu Ltd | マイクロ波発振器 |
| JPS63233601A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-29 | Fujitsu Ltd | 電圧制御発振器 |
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